JPH06232379A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

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JPH06232379A
JPH06232379A JP5014515A JP1451593A JPH06232379A JP H06232379 A JPH06232379 A JP H06232379A JP 5014515 A JP5014515 A JP 5014515A JP 1451593 A JP1451593 A JP 1451593A JP H06232379 A JPH06232379 A JP H06232379A
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JP
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solid
microlens
transparent resin
state image
image pickup
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JP5014515A
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English (en)
Inventor
Tetsuo Aoki
徹郎 青木
Shunichi Naka
俊一 仲
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses

Abstract

(57)【要約】 【構成】 カラーフィルター８ａ，８ｂ，８ｃ上に第１
透明保護層９を形成し、更に、第１透明保護層９上にマ
イクロレンズ１１を形成する。次に、マイクロレンズ１
１による凹凸を、撥水性及び撥油性を有し（低表面エネ
ルギーを有し）、可視領域の光に対して高い透過率を有
し、塗布時の平坦化能力が高く、マイクロレンズ１１の
屈折率より低い屈折率を有する第１透明樹脂層１２によ
って平坦化する。 【効果】 マイクロレンズの集光効果を失うことなく固
体撮像素子の表面にダスト等が付着しにくくなり、付着
したとしても綿棒等によって簡単に除去することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子の販売において、「チップ
売り」と言われる、アッセンブリ処理をせずにユーザー
に販売する場合があるが、この場合、固体撮像素子は受
光部という汚れに対して極めて敏感な部分を有するた
め、その素子の取り扱いには大いに神経を使う。しか
し、実際は、チップ単位での固体撮像素子の取り扱いで
は、受光部に非常に高い確率でダストや何等かの気体雰
囲気により汚染を受けることになる。したがって、固体
撮像素子のアッセンブリ時には必ず受光部を清浄にする
工程が必要となるが、清浄工程は簡易であればあるほど
コスト面で優位であることから、最も簡単な場合には綿
棒等による有機溶剤での拭き取りのみを行ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、受光部
の清浄工程を綿棒等による有機溶剤での拭き取りで行う
場合、図５の従来のマイクロレンズを設けた固体撮像素
子の断面図に示すように、固体撮像素子最表面に設けら
れたマイクロレンズ１１によりマイクロオーダーの凹凸
が形成されているため、拭き取りによりダスト等をマイ
クロレンズ１１，１１間に形成された凹部１６に埋め込
んでしまい、かえって固体撮像素子の汚染を助長してい
た。
【０００４】また、綿棒等での固体撮像素子表面の清浄
において、表面に過大なストレスをかける危険性が高
く、従来の固体撮像素子では、比較的柔らかいマイクロ
レンズ１１を破壊してしまう可能性が高い。
【０００５】更に、マイクロレンズ１１が形成されてい
ない固体撮像素子においても、該表面は比較的表面エネ
ルギーの高い、酸化ケイ素または窒化ケイ素で覆われて
いるので、一度付着したダスト等は極めて除去しにく
い。
【０００６】なお、図５において、１は半導体基板、２
は受光部、３は受光部２で発生した電荷を転送する転送
電極、４は電荷転送部、５は層間絶縁膜、６は遮光膜、
７は受光部２と転送電極３との段差を一定値以下に押え
るために光学的に透過率の高い樹脂等で形成された透明
平坦化膜、８ａは第１カラーフィルター、８ｂは第２カ
ラーフィルター、８ｃは第３カラーフィルター、９は第
１カラーフィルター８ａ，第２カラーフィルター８ｂ及
び第３カラーフィルター８ｃの表面を保護し、その段差
を軽減し、且つマイクロレンズ１１の焦点距離を適切に
確保するための第１透明保護層を示す。
【０００７】本発明は、固体撮像素子のユーザー自身に
よるアッセンブリの際、固体撮像素子の表面の簡易な清
浄工程において問題となる汚染除去不十分やマイクロレ
ンズ間の凹部に埋め込まれたダスト等による汚染を防止
すると共に、マイクロレンズ表面の平坦化に伴う集光率
低下による感度の劣化を抑制した固体撮像素子を提供す
ることを目的するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
固体撮像素子は、受光部上部にマイクロレンズが形成さ
れた固体撮像素子に於いて、前記表面部に設けられたマ
イクロレンズによって形成された凹凸部が、前記マイク
ロレンズの屈折率よりも低屈折率で且つ撥水性及び撥油
性を有する透明樹脂によって平坦化されていることを特
徴とするものである。
【０００９】また、請求項２記載の本発明の固体撮像素
子は、受光部上部にマイクロレンズが形成されていない
固体撮像素子に於いて、受光領域を有する表面が撥水性
及び撥油性を有する透明樹脂によって平坦化されている
ことを特徴とするものである。
【００１０】更に、請求項３記載の本発明の固体撮像素
子は、受光部上部にマイクロレンズが形成された固体撮
像素子に於いて、前記表面部に設けられたマイクロレン
ズによって形成された凹凸部が、前記マイクロレンズの
屈折率よりも低屈折率を有する透明樹脂によって平坦化
され、該透明樹脂上に該透明樹脂より機械的強度の高い
透明保護層が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１１】
【作用】上述の請求項１及び２記載の本発明の固体撮像
素子の表面は、低表面エネルギーを有する膜で覆われて
いるので、ダスト等による汚染は減少し、また、ダスト
等が汚染を綿棒等で簡単に除去することができる。
【００１２】請求項３記載の本発明の固体撮像素子の表
面は平坦化され、かつ、機械的強度が向上しているの
で、マイクロレンズを破壊することなく、ダスト等が汚
染を綿棒等で簡単に除去することができる。
【００１３】
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説
明する。図１は請求項１記載の本発明の一実施例の固体
撮像素子の断面図、図２は請求項２記載の本発明の一実
施例の固体撮像素子の断面図、第３図は請求項３記載の
本発明の一実施例の固体撮像素子の断面図、第４図はマ
イクロレンズ形成までの固体撮像素子の製造工程図であ
る。図１乃至図４において、１は半導体基板、２は受光
部、３は受光部２で発生した電荷を転送する転送電極、
４は電荷転送部で、受光部２と転送電極３により形成さ
れる電荷転送部４とは半導体基板１上に交互に形成され
ている。また、５は層間絶縁膜、６は遮光膜、７は受光
部２と転送電極３との段差を一定値以下に押えるために
光学的に透過率の高い樹脂等で形成された透明平坦化膜
で、使用できる樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、
ウレタン樹脂、ポリイミド、エポキシ樹脂、アルキッド
樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ガラスレジ
ン、尿素樹脂、ポリエステル等がある。更に、８ａは第
１カラーフィルター、８ｂは第２カラーフィルター、８
ｃは第３カラーフィルター、９は第１カラーフィルター
８ａ，第２カラーフィルター８ｂ，第３カラーフィルタ
ー８ｃの表面を保護し、その段差を軽減し、且つマイク
ロレンズ１１の焦点距離を適切に確保するための第１透
明保護層、１０はポジ型レジスト層、１１はマイクロレ
ンズ、１２はマイクロレンズの屈折率よりも低い屈折率
を有し、且つ撥水性及び撥油性を有する（低表面エネル
ギーを有する）平坦化可能な第１透明樹脂層、１３は撥
水性及び撥油性を有する（低表面エネルギーを有する）
平坦化可能な第２透明樹脂層、１４はマイクロレンズの
屈折率よりも低い屈折率を有し、平坦化可能な第３透明
樹脂層、１５は固体撮像素子の機械的強度を高めるため
の第２透明保護層を示す。
【００１４】請求項１記載の本発明は、マイクロレンズ
１１上にマイクロレンズ１１の屈折率よりも低い屈折率
を有し、且つ撥水性及び撥油性を有する（低表面エネル
ギーを有する）平坦化可能な第１透明樹脂層１２を形成
し、固体撮像素子表面を平坦化し、且つ、ダスト等によ
る汚染を防ぐことを特徴とし、また、請求項２記載の本
発明は、第１透明保護層９上に、撥水性及び撥油性を有
する（低表面エネルギーを有する）平坦化可能な透明樹
脂材料を用い、固体撮像素子表面を平坦化し、且つ、ダ
スト等による汚染を防ぐことを特徴とし、更に、請求項
３記載の本発明は、マイクロレンズ１１上にマイクロレ
ンズ１１の屈折率よりも低い屈折率を有する平坦化可能
な第２透明樹脂層１３を形成し、第２透明樹脂層１３上
に第２透明保護膜１４が形成され、固体撮像素子表面を
平坦化し、且つ、ダスト等による汚染を防ぐことを特徴
とする。
【００１５】次に、図１及び図４を用いて、請求項１の
本発明の一実施例の固体撮像素子の製造工程を説明す
る。まず、従来技術により、半導体基板１表面に受光部
２、電荷転送部４を形成し、半導体基板１上部に転送電
極３、層間絶縁膜５、遮光膜６及び透明平坦化層７を形
成する。
【００１６】次に、平板状の第１カラーフィルター８ａ
を形成する被染色層を平坦化層７上に堆積する。該被染
色層の形成は、ゼラチン、カゼイン、グリュー、或は、
ポリビニルアルコール等のポリマーと、重クロム酸塩を
感光剤とするネガレジストを用いたパターニングにより
行われる。その後、第１カラーフィルター８ａに相当す
る染色液による染色処理及びタンニン酸水溶液、酒石酸
アンモニルカリウム水溶液ないしはホルムアルデヒド水
溶液等による染料の定着処理を行い、第１カラーフィル
ター８ａが完成する。同様の工程で、染色液の種類を変
えることによって、第２カラーフィルター８ｂ及び第３
カラーフィルター８ｃを順次形成し、固体撮像素子の受
光部２を色信号処理に必要なカラーフィルター８ａ，８
ｂ，８ｃで覆う。
【００１７】次に、カラーフィルター８ａ，８ｂ，８ｃ
表面を保護し、段差を軽減し、且つ、マイクロレンズ１
１の焦点距離を適切に保つために、第１透明平坦化層７
に用いた透明樹脂を用いて、透明保護層９を形成する。
【００１８】次に、透明保護層９上に、紫外線等の照射
によるブリーチングで、可視光波長領域の光吸収を抑え
ることのできる感光剤を用い、且つ、熱可塑性を有する
フェノールノラック系やポリスチレン系のポリマーを主
成分とする、ポジ型レジスト層１０をスピンコート等に
より形成する（図４（ａ））。その後、フォトリソグラ
フィー技術により、個々の受光部状に対応するようにポ
ジ型レジスト層１０を矩形状にパターニングする（図４
（ｂ））。なお、レジストパターンに紫外線等の（例え
ば、３５０〜４５０ｎｍ）の光を照射するのは、パター
ンニングされたポジ型レジスト層１０に含まれる感光剤
等の脱色を行い透過率を増強するためである。
【００１９】次に、ポジ型レジスト層１０を加熱して熱
変形させ、擬半球型のマイクロレンズ１１を形成する
（図４（ｃ））。この際の加熱温度は、ポリマーの熱溶
融の臨界値と熱硬化剤の架橋開始温度とのバランスから
最適化が図られるが、例えば、約１５０℃程度に設定さ
れる。
【００２０】次に、マイクロレンズ１１上に第１透明樹
脂層１２を形成し、固体撮像素子が完成する（図１）。
この際、第１透明樹脂層１２に要求される特性は、表
面における汚染に対する耐性、即ち撥水性及び撥油性を
有し（低表面エネルギーを有し）、可視領域の光に対
して高い透過率を有し、塗布時の平坦化能力が高く、
マイクロレンズ１１の屈折率より低い屈折率を有する
ことである。第１透明樹脂層１２の材料としては、例え
ば、「サイトップ」（旭硝子(株)製、登録商標、屈折率
ｎは1.34）や「パーフルオロアルキルポリエーテル(ＰＦ
ＡＥ)」（Montefluos製、屈折率ｎは1.29）等が適用可能
である。一般に、アルキル基の水素原子を全てフッ素原
子に置換した、パーフルオロアルキル基含有アモルファ
スフッ素樹脂が適用可能であり、上記２種類の材料もこ
れに該当する。代表的な構造として、ＣＦ3ー,ＣＦ3Ｃ
Ｆ2−,ＣＦ3ＣＦ2(ＣＦ2ＣＦ2)n−等があり、エーテル
結合も含まれる。なお、屈折率に関しては、マイクロレ
ンズ１１との相対屈折率比が高ければ高いほど集光率を
大きく保持できるが、マイクロレンズ１１の材料は通常
高屈折率のポリマーを原料とするためマイクロレンズ１
１の屈折率は約１．６程度となり、第１透明樹脂層１２
の屈折率は約１．４５以下でないと実質上の効果は少な
い。また、平坦化能力は粘度や分子量の最適化によって
高めることができる。
【００２１】上記第１透明樹脂層１２の形成は、マイク
ロレンズによる段差が平坦化するようにスピンコート等
により塗布を行う。第１透明樹脂層１２の膜厚は、第１
透明樹脂材料の塗布特性によるが、通常の平坦化能力で
はマイクロレンズの高さの１．５〜２．０倍必要であ
る。例えば、１／３インチ２７万画素ＣＣＤエリアセン
サーでは、約４．０μｍ程度必要である。
【００２２】また、第１透明樹脂層１２とマイクロレン
ズ１１との密着性が低い場合、マイックロレンズ１１表
面を、酸素プラズマ（出力：１００〜４００Ｗ程度）
で、約５００Å程度エッチングすることによって表面を
変質させた後、又は、ヘキサメチルジシランザン（ＨＭ
ＤＳ）等をスピンコートないし気相塗布することによる
界面活性化を行った後、若しくは、上記２工程を順に行
った後、第１透明樹脂層１２を形成することによって、
第１透明樹脂層１２とマイクロレンズ１１との密着性を
高める。
【００２３】また、請求項２記載の本発明の一の実施例
においては、上述の透明保護層９形成後、透明保護層９
上に上述の乃至の条件を満たす材料を用いて膜厚約
４〜６μｍ程度の第２透明樹脂層１３を形成し、固体撮
像素子が完成する（図２）。第２透明樹脂層１３の材料
としては、例えば、「サイトップ」（旭硝子(株)製、登
録商標、屈折率ｎは1.34）や「パーフルオロアルキルポ
リエーテル(ＰＦＡＥ)」（Montefluos製、屈折率ｎは1.2
9）等の上述の実施例と同じ材料が適用可能である。
【００２４】次に、図３及び図４を用いて、請求項３記
載の本発明の一実施例の固体撮像素子の製造工程を説明
する。まず、上述の工程と同様にして、固体撮像素子表
面にマイクロレンズ１１を形成する（図４ａ乃至ｃ）。
【００２５】次に、マイクロレンズ１１上に、上述の
、及びの条件を満たす第３透明樹脂層１４を形成
する（図３）。例えば、「サイトップ」（旭硝子(株)
製、登録商標、屈折率ｎは1.34）や「パーフルオロアル
キルポリエーテル(ＰＦＡＥ)」（Montefluos製、屈折率
ｎは1.29）の他に、「ポリシロキサン」（東レ社製、屈
折率ｎは1.43）や「ＡＺアクエータ」（ヘキスト社製、
屈折率ｎは1.41）等が適用可能である。
【００２６】上記第３透明樹脂層１４の形成は、マイク
ロレンズによる段差が平坦化するようにスピンコート等
により塗布を行う。なお、第２透明樹脂層１３の膜厚
も、第１透明樹脂層１２と同様に、第２透明樹脂材料の
塗布特性によるが、通常の平坦化能力ではマイクロレン
ズの高さの１．５〜２．０倍必要である。例えば、１／
３インチ２７万画素ＣＣＤエリアセンサーでは、約４．
０μｍ程度必要である。また、第３透明樹脂層１４とマ
イクロレンズ１１との密着性が低い場合には、上記実施
例と同様の処理を行うことによって密着性を高める。
【００２７】次に、機械的強度を高めるために上記第３
透明樹脂層１４上にスピンコート等の塗布処理により、
第３透明樹脂層１４より機械的強度に優れた第２透明保
護膜１５を形成し、固体撮像素子が完成する。第２透明
保護層１５の材料としては、例えば、「ＦＶＲ−１０」
（富士薬品工業(株)製）や「オプトマーＳＳ」（日本合
成ゴム製）等の透明アクリル樹脂を用いることができ
る。なお、第２透明保護層１５の膜厚は、使用する材料
の硬度、粘度等によって異なるが、ＣＣＤプロセスとの
マッチングを考えると（厚ければ厚いはど、機械的強度
は向上するが、厚すぎる場合、最終工程のパッド上部樹
脂の除去が困難になる。）、４〜６μｍ程度が適当であ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、請求項１記
載の本発明を用いることにより、従来固体撮像素子表面
に形成されていたマイクロレンズによる凹凸部が平坦化
され、且つ、表面エネルギーが低いため、マイクロレン
ズの集光効果を失うことなく固体撮像素子の表面にダス
ト等が付着しにくくなり、付着したとしても綿棒等によ
って簡単に除去することができる。
【００２９】また、請求項２記載の本発明を用いること
により、表面エネルギーが低いため、固体撮像素子の表
面にダスト等が付着しにくくなり、付着したとしても綿
棒等によって簡単に除去することができる。
【００３０】更に、請求項３記載の本発明を用いること
により、従来固体撮像素子表面に形成されていたマイク
ロレンズによる凹凸部が平坦化され、かつ機械的強度を
高めるための保護膜が形成されているため、マイクロレ
ンズの集光効果を失うことなく固体撮像素子の表面にダ
スト等が付着しにくくなり、付着したとしても綿棒等に
よって簡単に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１記載の本発明の一実施例の固体撮像素
子の断面図である。
【図２】請求項２記載の本発明の一実施例の固体撮像素
子の断面図である。
【図３】請求項３記載の本発明の一実施例の固体撮像素
子の断面図である。
【図４】マイクロレンズ形成までの固体撮像素子の製造
工程図である。
【図５】従来のマイクロレンズが形成された固体撮像素
子の断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ 受光部 ３ 転送電極 ４ 電荷転送部 ５ 層間絶縁膜 ６ 遮光膜 ７ 透明平坦化膜 ８ａ 第１カラーフィルター ８ｂ 第２カラーフィルター ８ｃ 第３カラーフィルター ９ 第１透明保護層 １０ ポジ型レジスト層 １１ マイクロレンズ １２ 第１透明樹脂層 １３ 第２透明樹脂層 １４ 第３透明樹脂層 １５ 第２透明保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 受光部上部にマイクロレンズが形成され
    た固体撮像素子に於いて、 前記表面部に設けられたマイクロレンズによって形成さ
    れた凹凸部が、前記マイクロレンズの屈折率よりも低屈
    折率で且つ撥水性及び撥油性を有する透明樹脂によって
    平坦化されていることを特徴とする固体撮像素子。
  2. 【請求項２】 受光部上部にマイクロレンズが形成され
    ていない固体撮像素子に於いて、 受光領域を有する表面が撥水性及び撥油性を有する透明
    樹脂によって平坦化されていることを特徴とする固体撮
    像素子。
  3. 【請求項３】 受光部上部にマイクロレンズが形成され
    た固体撮像素子に於いて、 前記表面部に設けられたマイクロレンズによって形成さ
    れた凹凸部が、前記マイクロレンズの屈折率よりも低屈
    折率を有する透明樹脂によって平坦化され、該透明樹脂
    上に該透明樹脂より機械的強度の高い透明保護層が形成
    されていることを特徴とする固体撮像素子。
JP5014515A 1993-02-01 1993-02-01 固体撮像素子 Pending JPH06232379A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5014515A JPH06232379A (ja) 1993-02-01 1993-02-01 固体撮像素子
US08/121,722 US5479049A (en) 1993-02-01 1993-09-15 Solid state image sensor provided with a transparent resin layer having water repellency and oil repellency and flattening a surface thereof

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5014515A JPH06232379A (ja) 1993-02-01 1993-02-01 固体撮像素子

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JP5014515A Pending JPH06232379A (ja) 1993-02-01 1993-02-01 固体撮像素子

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JP (1) JPH06232379A (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0658779A2 (en) * 1993-12-16 1995-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Microlens substrate
JPH0945885A (ja) * 1995-07-26 1997-02-14 Lg Semicon Co Ltd Ｃｃｄ固体撮像素子及びその製造方法
JPH09181288A (ja) * 1995-12-19 1997-07-11 Lg Semicon Co Ltd カラー固体撮像素子
US6583438B1 (en) * 1999-04-12 2003-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device
US6973205B2 (en) 1999-08-02 2005-12-06 Infineon Technologies Ag Scratch-resistant coating for a semiconductor component
JP2006004991A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Casio Comput Co Ltd 撮像装置及び生体高分子分析チップ
JP2006080480A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Magnachip Semiconductor Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
JP2006096983A (ja) * 2004-08-30 2006-04-13 Jsr Corp 平坦化層用硬化性樹脂組成物、平坦化層、平坦化層の製造方法及び固体撮像素子
JP2006121065A (ja) * 2004-09-24 2006-05-11 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子
JP2006310417A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Sony Corp 光電変換装置及びその製造方法、並びに光情報処理装置
KR100682248B1 (ko) * 2004-07-30 2007-02-15 매그나칩 반도체 유한회사 시모스 이미지센서의 제조방법
US7253399B2 (en) 2003-08-04 2007-08-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state image sensor, manufacturing method for solid-state image sensor, and camera
JP2008211209A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Samsung Electronics Co Ltd マイクロレンズ保護パターンを有する撮像素子、カメラモジュール、及びその製造方法
KR20090020689A (ko) * 2006-06-13 2009-02-26 질렉스 오와이 폴리머층을 구비한 반도체 광전자 디바이스
JP2010239077A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
CN101887901A (zh) * 2009-05-15 2010-11-17 索尼公司 固态图像拾取装置及其制造方法、以及电子设备
US7923798B2 (en) 2007-06-07 2011-04-12 Panasonic Corporation Optical device and method for fabricating the same, camera module using optical device, and electronic equipment mounting camera module
JP2014149533A (ja) * 2009-10-07 2014-08-21 Olympus Corp 表示方法、表示装置、光学ユニット、表示装置の製造方法、及び電子機器

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100357178B1 (ko) * 1999-05-14 2002-10-18 주식회사 하이닉스반도체 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법
US5902993A (en) * 1992-12-28 1999-05-11 Kyocera Corporation Image scanner for image inputting in computers, facsimiles word processor, and the like
US6456326B2 (en) 1994-01-28 2002-09-24 California Institute Of Technology Single chip camera device having double sampling operation
USRE42918E1 (en) 1994-01-28 2011-11-15 California Institute Of Technology Single substrate camera device with CMOS image sensor
US5739548A (en) * 1995-05-02 1998-04-14 Matsushita Electronics Corporation Solid state imaging device having a flattening layer and optical lenses
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
US5693967A (en) * 1995-08-10 1997-12-02 Lg Semicon Co., Ltd. Charge coupled device with microlens
US5708264A (en) * 1995-11-07 1998-01-13 Eastman Kodak Company Planar color filter array for CCDs from dyed and mordant layers
US5677202A (en) * 1995-11-20 1997-10-14 Eastman Kodak Company Method for making planar color filter array for image sensors with embedded color filter arrays
US5990506A (en) * 1996-03-20 1999-11-23 California Institute Of Technology Active pixel sensors with substantially planarized color filtering elements
JP2821421B2 (ja) * 1996-05-21 1998-11-05 日本電気株式会社 固体撮像装置
US5986297A (en) * 1996-05-22 1999-11-16 Eastman Kodak Company Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross-talk
KR100223853B1 (ko) * 1996-08-26 1999-10-15 구본준 고체촬상소자의 구조 및 제조방법
JP3680512B2 (ja) * 1997-01-09 2005-08-10 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP3547280B2 (ja) * 1997-02-25 2004-07-28 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
US5990992A (en) * 1997-03-18 1999-11-23 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Image display device with plural planar microlens arrays
JPH10270672A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Sony Corp 固体撮像素子
US5945722A (en) * 1997-05-02 1999-08-31 National Semiconductor Corporation Color active pixel sensor cell with oxide color filter
JPH10332920A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Sony Corp カラー固体撮像装置のカラーフィルタの形成方法
KR100310102B1 (ko) * 1998-03-05 2001-12-17 윤종용 고체 컬러 이미지 소자 및 그의 제조 방법
TW377517B (en) * 1998-03-19 1999-12-21 United Microelectronics Corp Color sensing apparatus of diode and the method of manufacturing the same
JP3571909B2 (ja) * 1998-03-19 2004-09-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP3159171B2 (ja) * 1998-06-05 2001-04-23 日本電気株式会社 固体撮像装置
US6495442B1 (en) 2000-10-18 2002-12-17 Magic Corporation Post passivation interconnection schemes on top of the IC chips
US6936531B2 (en) 1998-12-21 2005-08-30 Megic Corporation Process of fabricating a chip structure
US6137634A (en) * 1999-02-01 2000-10-24 Intel Corporation Microlens array
US6091093A (en) * 1999-06-01 2000-07-18 Intel Corporation Photodiode having transparent insulating film around gate islands above p-n junction
US6297540B1 (en) * 1999-06-03 2001-10-02 Intel Corporation Microlens for surface mount products
US6307243B1 (en) * 1999-07-19 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Microlens array with improved fill factor
US6218692B1 (en) 1999-11-23 2001-04-17 Eastman Kodak Company Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross talk
JP4777496B2 (ja) * 2000-02-10 2011-09-21 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
US6483196B1 (en) * 2000-04-03 2002-11-19 General Electric Company Flip chip led apparatus
US6821810B1 (en) * 2000-08-07 2004-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High transmittance overcoat for optimization of long focal length microlens arrays in semiconductor color imagers
TWI245930B (en) * 2000-10-04 2005-12-21 Sony Corp Optical element, metal mold for producing optical element and production method for optical element
US20020089758A1 (en) * 2001-01-05 2002-07-11 Nikon Corporation Optical component thickness adjustment method, optical component, and position adjustment method for optical component
US6926850B2 (en) * 2001-07-26 2005-08-09 Lucent Technologies Inc. Method for making micro lenses
CN100487898C (zh) * 2001-11-05 2009-05-13 佐伊科比株式会社 固体图像传感器及其制造方法
KR20030042305A (ko) * 2001-11-22 2003-05-28 주식회사 하이닉스반도체 시모스 이미지센서의 제조방법
US7932603B2 (en) 2001-12-13 2011-04-26 Megica Corporation Chip structure and process for forming the same
US6798073B2 (en) * 2001-12-13 2004-09-28 Megic Corporation Chip structure and process for forming the same
JP2003264284A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
KR101036290B1 (ko) * 2002-09-20 2011-05-23 소니 주식회사 고체촬상장치 및 그 제조방법
EP1500982A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI598934B (zh) 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7333267B2 (en) * 2003-11-26 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Micro-lenses for CMOS imagers
JP4181487B2 (ja) * 2003-11-28 2008-11-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置とその製造方法
US7091058B2 (en) * 2003-12-11 2006-08-15 Omnivision Technologies, Inc. Sacrificial protective layer for image sensors and method of using
US7768088B2 (en) * 2004-09-24 2010-08-03 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device that efficiently guides light to a light-receiving part
US7125738B2 (en) * 2004-10-14 2006-10-24 Powerchip Semiconductor Corp. Method of fabricating a photosensitive structure
US7129459B2 (en) * 2004-12-23 2006-10-31 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wire-bondable image sensor having integral contaminant shadowing reduction structure
KR100649016B1 (ko) * 2004-12-30 2006-11-27 동부일렉트로닉스 주식회사 시모스 이미지 센서 및 그의 제조방법
CN101065844B (zh) * 2005-01-04 2010-12-15 株式会社映煌 固体摄像装置及其制造方法
KR100866718B1 (ko) * 2005-06-17 2008-11-05 도판 인사츠 가부시키가이샤 촬상 소자
KR100718878B1 (ko) * 2005-06-28 2007-05-17 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법
US7352511B2 (en) * 2006-04-24 2008-04-01 Micron Technology, Inc. Micro-lenses for imagers
TWI473255B (zh) * 2006-07-13 2015-02-11 Silecs Oy 半導體光電裝置
US8049256B2 (en) * 2006-10-05 2011-11-01 Omnivision Technologies, Inc. Active pixel sensor having a sensor wafer connected to a support circuit wafer
JP5086877B2 (ja) * 2008-04-11 2012-11-28 シャープ株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
JP5252378B2 (ja) * 2009-03-26 2013-07-31 ヤマハ株式会社 ミキサ装置のウィンドウ制御方法、ミキサ装置、およびミキサ装置のウィンドウ制御プログラム
JP5726005B2 (ja) * 2010-08-02 2015-05-27 アイメックＩｍｅｃ Ｃｍｏｓ撮像装置アレイの製造方法
JP6281395B2 (ja) * 2013-11-26 2018-02-21 ソニー株式会社 撮像素子
JP6535979B2 (ja) * 2014-04-16 2019-07-03 ソニー株式会社 撮像素子及び撮像装置
KR102436320B1 (ko) * 2015-03-02 2022-08-25 엘지이노텍 주식회사 근조도 센서 및 이를 포함하는 휴대용 단말기
GB202013471D0 (en) * 2020-08-27 2020-10-14 Ams Int Ag Moisture-resistant optical device and method of manufacture
US20230403478A1 (en) * 2022-06-08 2023-12-14 Omnivision Technologies, Inc. Compact camera incorporating microlens arrays for ultra-short distance imaging

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3307420A1 (de) * 1983-03-03 1984-09-13 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Textilausruestungsmittel
JPS62150741A (ja) * 1985-12-25 1987-07-04 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6316659A (ja) * 1986-07-09 1988-01-23 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置
JPH01257319A (ja) * 1988-04-07 1989-10-13 Fuji Electric Co Ltd 半導体集積回路装置
JPH02254722A (ja) * 1989-03-28 1990-10-15 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
JPH03230567A (ja) * 1990-02-05 1991-10-14 Sharp Corp 固体撮像装置
US5239412A (en) * 1990-02-05 1993-08-24 Sharp Kabushiki Kaisha Solid image pickup device having microlenses

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0658779A2 (en) * 1993-12-16 1995-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Microlens substrate
EP0658779A3 (en) * 1993-12-16 1995-10-25 Sharp Kk Microlens substrate.
US5543942A (en) * 1993-12-16 1996-08-06 Sharp Kabushiki Kaisha LCD microlens substrate with a lens array and a uniform material bonding member, each having a thermal resistance not lower than 150°C
JPH0945885A (ja) * 1995-07-26 1997-02-14 Lg Semicon Co Ltd Ｃｃｄ固体撮像素子及びその製造方法
JPH09181288A (ja) * 1995-12-19 1997-07-11 Lg Semicon Co Ltd カラー固体撮像素子
US6583438B1 (en) * 1999-04-12 2003-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device
US6831311B2 (en) 1999-04-12 2004-12-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device
US6973205B2 (en) 1999-08-02 2005-12-06 Infineon Technologies Ag Scratch-resistant coating for a semiconductor component
US7253399B2 (en) 2003-08-04 2007-08-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state image sensor, manufacturing method for solid-state image sensor, and camera
US7411180B2 (en) 2003-08-04 2008-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid state image sensor with transparent film on micro-lenses and offsetting positions of micro-lenses and color filters from a central portion of a corresponding light receiving area
US7919743B2 (en) 2003-08-04 2011-04-05 Panasonic Corporation Solid-state image sensor, manufacturing method for solid-state image sensor, and camera
US7531782B2 (en) 2003-08-04 2009-05-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state image sensor having micro-lenses arranged to collect light of which the incidence angle has been moderated by a transparent film disposed thereon
US7459665B2 (en) 2003-08-04 2008-12-02 Panasonic Corporation Solid-state image sensor with transparent film on micro-lenses by which oblique light is refracted towards light receiving elements
US7456381B2 (en) 2003-08-04 2008-11-25 Panasonic Corporation Solid-state image sensor, manufacturing method for solid-state image sensor, and camera having an offsetting arrangement between light receiving elements and micro-lenses
US7417214B2 (en) 2003-08-04 2008-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state image sensor, manufacturing method for solid-state image sensor, and camera having plural color filters and dual transparent film
JP2006004991A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Casio Comput Co Ltd 撮像装置及び生体高分子分析チップ
JP4581498B2 (ja) * 2004-06-15 2010-11-17 カシオ計算機株式会社 生体高分子分析チップ
KR100682248B1 (ko) * 2004-07-30 2007-02-15 매그나칩 반도체 유한회사 시모스 이미지센서의 제조방법
JP2006096983A (ja) * 2004-08-30 2006-04-13 Jsr Corp 平坦化層用硬化性樹脂組成物、平坦化層、平坦化層の製造方法及び固体撮像素子
JP2006080480A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Magnachip Semiconductor Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
JP2006121065A (ja) * 2004-09-24 2006-05-11 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子
JP2006310417A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Sony Corp 光電変換装置及びその製造方法、並びに光情報処理装置
JP2009540589A (ja) * 2006-06-13 2009-11-19 シレクス オサケユキチュア 半導体オプトエレクトロニクスデバイス
KR20090020689A (ko) * 2006-06-13 2009-02-26 질렉스 오와이 폴리머층을 구비한 반도체 광전자 디바이스
JP2008211209A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Samsung Electronics Co Ltd マイクロレンズ保護パターンを有する撮像素子、カメラモジュール、及びその製造方法
US7923798B2 (en) 2007-06-07 2011-04-12 Panasonic Corporation Optical device and method for fabricating the same, camera module using optical device, and electronic equipment mounting camera module
JP2010239077A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
CN101887901A (zh) * 2009-05-15 2010-11-17 索尼公司 固态图像拾取装置及其制造方法、以及电子设备
US8432010B2 (en) 2009-05-15 2013-04-30 Sony Corporation Solid-state image pickup device, method of manufacturing solid-state image pickup device, and electronic apparatus
JP2014149533A (ja) * 2009-10-07 2014-08-21 Olympus Corp 表示方法、表示装置、光学ユニット、表示装置の製造方法、及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US5479049A (en) 1995-12-26

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