KR100718878B1 - 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 복수 개의 포토다이오드들 및 상기 복수 개의 포토다이오드들에서 생성된 광전하들이 출력되는 복수 개의 제1패드들을 구비하는 제1웨이퍼; 및상기 복수 개의 제1패드들과 1대 1로 대응되는 제2패드들 및 상기 제2패드들로부터 수신한 해당 포토다이오드들에서 생성된 광전하들에 대응되는 각각의 변환전압들을 출력하는 이미지신호처리부를 구비하는 제2웨이퍼를 구비하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소.
- 제1항에 있어서,상기 제1웨이퍼는 하부에 제1투명 버퍼층을 더 구비하며,상기 제1패드들은 상기 제1웨이퍼의 상부에 상기 제1투명 버퍼층을 하부에 설치되어 있고, 상기 제2패드들은 상기 제2웨이퍼의 상부에 설치된 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소.
- 제1항에 있어서, 상기 이미지신호처리부는,전송트랜지스터, 리셋트랜지스터 및 소스 팔로워 트랜지스터를 구비하거나 전송트랜지스터, 리셋트랜지스터, 소스 팔로워 트랜지스터 및 차단 스위치용 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소.
- 제3항에 있어서, 상기 이미지신호처리부는,상관중첩샘플링(CDS)회로, 아날로그 신호처리회로, 디지털 제어회로 및 이미지신호처리용 디지털 회로 중 적어도 하나를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소.
- 복수 개의 포토다이오드들 및 상기 복수 개의 포토다이오드들에서 생성된 광전하들이 출력되는 복수 개의 제1패드들을 구비하는 제1웨이퍼; 및상기 복수 개의 제1패드들과 1대 1 대응되는 제2패드들 및 상기 제2패드들을 통해 수신한 해당 포토다이오들에서 생성된 광전하들에 대응되는 변환전압을 출력하는 이미지신호처리부를 구비하는 제2웨이퍼를 구비하며,상기 제1패드들은 상기 제1웨이퍼의 상부에 설치되고, 상기 제2패드들은 상기 제2웨이퍼의 상부에 설치되며,상기 제1패드들과 상기 제2패드들을 결합물질을 이용하여 서로 결합시킨 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제5항에 있어서, 상기 제1웨이퍼는,그 하부에 제1투명층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제5항에 있어서, 상기 제1웨이퍼의 하부 쪽에는,색상필터;마이크로 렌즈; 및상기 색상필터와 상기 마이크로 렌즈 사이에 배치된 제2투명 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제1웨이퍼에 복수 개의 포토다이오드들 및 상기 포토다이오드들에서 생성된 광전하들을 출력하는 복수 개의 제1패드들을 생성하는 단계; 및제2웨이퍼에 복수 개의 제2패드들 및 상기 제2패드들을 통해 수신한 광전하들에 대응되는 변화전압을 생성하는 이미지신호처리부를 생성하는 단계를 구비하며,상기 제1패드들 및 상기 제2패드들은 상기 제1웨이퍼 및 상기 제2웨이퍼의 상부에 각각 설치된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 제1웨이퍼의 하부에 제1투명 버퍼층을 생성시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 제1웨이퍼의 하부를 연마하여 제1웨이퍼의 두께를 얇게 하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 제1웨이퍼와 상기 제2웨이퍼를 결합물질로 접착하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 제1웨이퍼 쪽에 색상필터, 제2투명 버퍼층 및 마이크로 렌즈 중에 적어도 하나를 더 배치하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
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Cited By (11)
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KR101049083B1 (ko) * | 2009-04-10 | 2011-07-15 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277512A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | 撮像素子及び光電変換素子アレイ |
KR100895091B1 (ko) * | 2007-04-30 | 2009-04-28 | 주식회사 바이오리쏘스 | 혼합 뽕잎분말 조성물 및 발효 조성물 |
JP2009065156A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサーの製造方法 |
KR100898472B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2009-05-21 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서의 제조방법 |
KR100898473B1 (ko) * | 2007-09-06 | 2009-05-21 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 |
JP2009065160A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
KR100913019B1 (ko) * | 2007-11-16 | 2009-08-20 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US20090179294A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Jeong-Yel Jang | Image sensor and method for manufacturing the same |
KR101002121B1 (ko) | 2007-12-27 | 2010-12-16 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100922924B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2009-10-22 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100882469B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2009-02-09 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100882468B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2009-02-09 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101038886B1 (ko) * | 2008-11-06 | 2011-06-02 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101116574B1 (ko) * | 2008-11-11 | 2012-02-28 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
JP5773379B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2015-09-02 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP5985136B2 (ja) | 2009-03-19 | 2016-09-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
ES2592218T3 (es) | 2009-07-14 | 2016-11-28 | Deutsche Telekom Ag | Procedimiento para liberar una tarjeta de comunicación móvil para el uso de un servicio de una red de comunicación móvil y equipo de usuario para la interacción con una red de comunicación móvil |
EP2518768B1 (en) * | 2009-12-26 | 2019-03-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device and imaging system |
KR20110126891A (ko) * | 2010-05-18 | 2011-11-24 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조의 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR20110134139A (ko) * | 2010-06-08 | 2011-12-14 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조의 이미지센서의 제조방법 |
JP5517800B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置用の部材および固体撮像装置の製造方法 |
FR2982079A1 (fr) | 2011-10-28 | 2013-05-03 | Commissariat Energie Atomique | Imageur cmos utbb |
JP6044847B2 (ja) * | 2012-02-03 | 2016-12-14 | ソニー株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
US8629524B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for vertically integrated backside illuminated image sensors |
US9153565B2 (en) * | 2012-06-01 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensors with a high fill-factor |
US8957358B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-02-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same |
US10090349B2 (en) | 2012-08-09 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same |
KR101240537B1 (ko) * | 2012-05-07 | 2013-03-11 | (주)실리콘화일 | 이종접합 구조의 칩 적층 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101402750B1 (ko) * | 2012-09-26 | 2014-06-11 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소 |
US8773562B1 (en) | 2013-01-31 | 2014-07-08 | Apple Inc. | Vertically stacked image sensor |
JP2015195235A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、電子機器、および撮像方法 |
KR20220100106A (ko) | 2014-06-09 | 2022-07-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
US9729809B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device |
CN105261623A (zh) * | 2014-07-16 | 2016-01-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 芯片、其制备方法、及包括其的图像传感器 |
US9570491B2 (en) * | 2014-10-08 | 2017-02-14 | Omnivision Technologies, Inc. | Dual-mode image sensor with a signal-separating color filter array, and method for same |
JP2018137284A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ、固体撮像装置及び電子装置 |
FR3090199B1 (fr) * | 2018-12-18 | 2021-10-22 | Aledia | Dispositif optoélectronique pour l'acquisition d'images selon plusieurs points de vue et/ou l'affichage d'images selon plusieurs points de vue |
JP7358300B2 (ja) * | 2019-08-15 | 2023-10-10 | 株式会社ニコン | 撮像素子 |
CN110676275A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-01-10 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 图像传感器的像素结构及其形成方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60178662A (ja) | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0090066B1 (de) * | 1982-03-31 | 1990-05-30 | Ibm Deutschland Gmbh | Festkörper-Fernsehkamera |
JP3050646B2 (ja) * | 1991-07-02 | 2000-06-12 | シャープ株式会社 | カラー固体撮像素子 |
JPH06232379A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
US5619033A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-08 | Xerox Corporation | Layered solid state photodiode sensor array |
FR2754107B1 (fr) * | 1996-10-01 | 1998-10-30 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur de rayonnement photonique de grandes dimensions |
KR100278285B1 (ko) * | 1998-02-28 | 2001-01-15 | 김영환 | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
US6486522B1 (en) * | 1999-09-28 | 2002-11-26 | Pictos Technologies, Inc. | Light sensing system with high pixel fill factor |
US6483116B1 (en) | 2000-04-25 | 2002-11-19 | Innovative Technology Licensing, Llc | High performance ultraviolet imager for operation at room temperature |
JP2002107534A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | Toppan Printing Co Ltd | カラー撮像素子の製造方法 |
JP3759435B2 (ja) | 2001-07-11 | 2006-03-22 | ソニー株式会社 | X−yアドレス型固体撮像素子 |
JP2003086827A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Hamamatsu Photonics Kk | ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 |
JP5105695B2 (ja) * | 2001-11-05 | 2012-12-26 | カミヤチョウ アイピー ホールディングス | 固体イメージセンサおよびその製造方法 |
JP3722367B2 (ja) | 2002-03-19 | 2005-11-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
US6642081B1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-11-04 | Robert Patti | Interlocking conductor method for bonding wafers to produce stacked integrated circuits |
FR2838561B1 (fr) * | 2002-04-12 | 2004-09-17 | Commissariat Energie Atomique | Matrice de photodectecteurs, a pixels isoles par des murs, hybridee sur un circuit de lecture |
FR2838565B1 (fr) * | 2002-04-12 | 2004-06-25 | Commissariat Energie Atomique | Matrice de photodetecteurs, a pixels isoles et grille de stockage, hybridee sur un circuit de lecture |
AU2003235925A1 (en) * | 2002-05-10 | 2003-11-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Rear surface irradiation photodiode array and method for producing the same |
US7470893B2 (en) * | 2003-05-23 | 2008-12-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photo-detection device |
US6809008B1 (en) * | 2003-08-28 | 2004-10-26 | Motorola, Inc. | Integrated photosensor for CMOS imagers |
KR100782463B1 (ko) | 2005-04-13 | 2007-12-05 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 |
US7999292B2 (en) * | 2007-09-07 | 2011-08-16 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Image sensor and manufacturing method thereof |
US7838325B2 (en) * | 2009-02-13 | 2010-11-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to optimize substrate thickness for image sensor device |
KR101049083B1 (ko) * | 2009-04-10 | 2011-07-15 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-06-28 KR KR1020050056036A patent/KR100718878B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-06-27 JP JP2008519169A patent/JP2008544571A/ja active Pending
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- 2006-06-27 WO PCT/KR2006/002482 patent/WO2007001146A1/en active Application Filing
- 2006-06-27 US US11/917,983 patent/US8325221B2/en active Active
- 2006-06-27 CN CN2006800235744A patent/CN101213669B/zh active Active
-
2012
- 2012-06-23 US US13/531,530 patent/US8669132B2/en active Active
- 2012-12-28 JP JP2012287184A patent/JP2013084980A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60178662A (ja) | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100997299B1 (ko) | 2007-09-07 | 2010-11-29 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100997328B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2010-11-29 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100990559B1 (ko) | 2008-07-29 | 2010-10-29 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100997329B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2010-11-29 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100997332B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2010-11-29 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100999740B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2010-12-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101002122B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2010-12-16 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101002104B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2010-12-16 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101002167B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2010-12-17 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101045716B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2011-06-30 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101049083B1 (ko) * | 2009-04-10 | 2011-07-15 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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