JP2009065156A - イメージセンサーの製造方法 - Google Patents
イメージセンサーの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009065156A JP2009065156A JP2008226382A JP2008226382A JP2009065156A JP 2009065156 A JP2009065156 A JP 2009065156A JP 2008226382 A JP2008226382 A JP 2008226382A JP 2008226382 A JP2008226382 A JP 2008226382A JP 2009065156 A JP2009065156 A JP 2009065156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- region
- transistor
- image sensor
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
Abstract
【解決手段】第1基板100にリードアウト回路120を形成する段階と、前記第1基板100に前記リードアウト回路120と電気的に繋がる電気接合領域140を形成する段階と、前記電気接合領域140上に配線150を形成する段階と、前記配線150上にイメージ感知部210を形成する段階を含む。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施例によるイメージセンサーの断面図である。
図8は、第2実施例によるイメージセンサーの断面図として、配線150が形成された第1基板についての詳細図である。
図9は、第3実施例によるイメージセンサーの断面図として、配線150が形成された第1基板についての詳細図である。
Claims (17)
- 第1基板にリードアウト回路を形成する段階と、
前記第1基板に前記リードアウト回路と電気的に繋がる電気接合領域を形成する段階と、
前記電気接合領域上に配線を形成する段階と、
前記配線上にイメージ感知部を形成する段階を含むことを特徴とするイメージセンサーの製造方法。 - 前記電気接合領域を形成する段階は、前記第1基板に第1導電型イオン注入領域を形成する段階と、
前記第1導電型イオン注入領域上に第2導電型イオン注入領域を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 前記リードアウト回路は、トランジスタ両側のソース及びドレーンの電圧差があることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記トランジスタは、トランスファトランジスタであり、前記トランジスタソースのイオン注入濃度がフローティングディフュージョン領域のイオン注入濃度より低いことを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記電気接合領域は、PNジャンクションであることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記電気接合領域は、PNPジャンクションであることを特徴とする請求項5に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記電気接合領域と前記配線の間に、第1導電型連結領域を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記第1導電型連結領域は、前記電気接合領域上部に前記配線と電気的に繋がって形成することを特徴とする請求項7に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記第1導電型連結領域は、前記電気接合領域の一方の側に前記配線と電気的に繋がって形成することを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記イメージ感知部を形成する段階は、第1導電型伝導層と前記第1導電型伝導層上に形成された第2導電型伝導層を含むイメージ感知部を、前記配線上に形成する段階を含み、
前記第1導電型伝導層の厚さが、前記第2導電型伝導層の厚さより厚いことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーの製造方法。 - 第1基板に第1トランジスタと第2トランジスタを含むリードアウト回路を形成する段階と、
前記第1トランジスタと前記第2トランジスタの間の前記第1基板に、前記リードアウト回路と電気的に繋がる電気接合領域を形成する段階と、
前記電気接合領域上に配線を形成する段階と、
前記配線上にイメージ感知部を形成する段階を含むことを特徴とするイメージセンサーの製造方法。 - 前記第2トランジスタの一方の側に、前記配線と繋がるように第1導電型第2連結領域を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記電気接合領域を形成する段階は、前記第1基板に第1導電型イオン注入領域を形成する段階と、前記第1導電型イオン注入領域上に第2導電型イオン注入領域を形成する段階を含むことを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記リードアウト回路は、トランジスタ両側のソース及びドレーンの電圧差があることを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタは、第1トランスファトランジスタ、第2トランスファトランジスタであり、前記第1トランスファトランジスタソースのイオン注入濃度が、フローティングディフュージョン領域のイオン注入濃度より低いことを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記電気接合領域は、PNジャンクションであることを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサーの製造方法。
- 前記イメージ感知部を形成する段階は、第1導電型伝導層と前記第1導電型伝導層上に形成された第2導電型伝導層を含むイメージ感知部を前記配線上に形成する段階を含み、前記第1導電型伝導層の厚さが前記第2導電型伝導層の厚さより厚いことを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサーの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20070090293 | 2007-09-06 | ||
KR20070091083 | 2007-09-07 | ||
KR1020080065719A KR100898472B1 (ko) | 2007-09-07 | 2008-07-07 | 이미지센서의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009065156A true JP2009065156A (ja) | 2009-03-26 |
Family
ID=40430894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008226382A Pending JP2009065156A (ja) | 2007-09-06 | 2008-09-03 | イメージセンサーの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7883920B2 (ja) |
JP (1) | JP2009065156A (ja) |
DE (1) | DE102008046037A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090179294A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Jeong-Yel Jang | Image sensor and method for manufacturing the same |
KR100922924B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2009-10-22 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101024815B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2011-03-24 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR101116574B1 (ko) * | 2008-11-11 | 2012-02-28 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
US8753917B2 (en) * | 2010-12-14 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating photoconductor-on-active pixel device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0969649A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2005012007A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Canon Inc | 固体撮像素子、固体撮像装置及びカメラ |
JP2006278446A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 単板式カラー固体撮像素子 |
JP2007104113A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6580106B2 (en) * | 2001-01-12 | 2003-06-17 | Isetex. Inc | CMOS image sensor with complete pixel reset without kTC noise generation |
KR100889365B1 (ko) | 2004-06-11 | 2009-03-19 | 이상윤 | 3차원 구조의 영상센서와 그 제작방법 |
CN1922732B (zh) | 2004-02-25 | 2010-06-09 | S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 | 光电检测装置 |
JP4530747B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-08-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR100718878B1 (ko) | 2005-06-28 | 2007-05-17 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 |
KR100714484B1 (ko) | 2005-08-12 | 2007-05-04 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
-
2008
- 2008-09-03 JP JP2008226382A patent/JP2009065156A/ja active Pending
- 2008-09-05 DE DE102008046037A patent/DE102008046037A1/de not_active Withdrawn
- 2008-09-05 US US12/204,831 patent/US7883920B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0969649A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2005012007A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Canon Inc | 固体撮像素子、固体撮像装置及びカメラ |
JP2006278446A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 単板式カラー固体撮像素子 |
JP2007104113A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102008046037A1 (de) | 2009-04-16 |
US7883920B2 (en) | 2011-02-08 |
US20090065822A1 (en) | 2009-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20090065826A1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing the Same | |
JP2009071310A (ja) | イメージセンサー及びその製造方法 | |
JP2009065160A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
JP2009065155A (ja) | イメージセンサー | |
JP2009164605A (ja) | イメージセンサー及びその製造方法 | |
JP2009065156A (ja) | イメージセンサーの製造方法 | |
KR100922924B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP2009065166A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
KR100898473B1 (ko) | 이미지센서 | |
JP2009164598A (ja) | イメージセンサー及びその製造方法 | |
JP2010087514A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
US8222587B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
KR101046798B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP2010098314A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
KR101053773B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR100922922B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR101046051B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR20100077564A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP2010098312A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
JP2010087511A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
KR100898472B1 (ko) | 이미지센서의 제조방법 | |
KR101025066B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR101016505B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR101038886B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR20100079056A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110922 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120807 |