JPH03230567A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPH03230567A
JPH03230567A JP2025788A JP2578890A JPH03230567A JP H03230567 A JPH03230567 A JP H03230567A JP 2025788 A JP2025788 A JP 2025788A JP 2578890 A JP2578890 A JP 2578890A JP H03230567 A JPH03230567 A JP H03230567A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
microlens
refractive index
layer
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2025788A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunichi Naka
仲 俊一
Kiyotoshi Misawa
三沢 清利
Junichi Nakai
淳一 仲井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2025788A priority Critical patent/JPH03230567A/ja
Priority to US07/650,238 priority patent/US5239412A/en
Priority to DE69130777T priority patent/DE69130777T2/de
Priority to DE69130399T priority patent/DE69130399T2/de
Priority to EP91300933A priority patent/EP0441594B1/en
Priority to EP94202306A priority patent/EP0627637B1/en
Publication of JPH03230567A publication Critical patent/JPH03230567A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、受光部の上面に集光用のマイクロレンズが
形成されたCCDなとの固体撮像素子を使用した固体撮
像装置に関する。
[従来の技術〕 CCDなとの固体撮像素子では、チップサイズの小型化
及び多画素化に伴い、これに形成される画素としての受
光部の面積も縮小化されるようになってきた。そのため
、各受光部での受光量が減少し、感度(出力/入射光量
)が低下する問題が派生している。
これを解決するため、第5図に示すように、半導体基板
】2内に形成された受光部(画素であって、図では省略
しである)の夫々の上面に、透光性高分子樹脂(透明高
分子樹脂)でマイクロレンズ28を形成した固体撮像素
子60が提案されている。
このマイクロレンズ28で入射光量が集光されるので、
受光部における実効的な受光面積が増え、感度の低下を
補うことができる。
この固体撮像素子60は、通常第6図に示すようなセラ
ミックのパッケージ76内に収納されている。同図にお
いて、70は固体撮像素子60を載置するセラミック基
板、74はリードビン、78はガラスリッドである。
最近では、セラミックパッケージ76を使用する代りに
、第7図に示すように透明樹脂を使用したモールドパッ
ケージ72が使用きれている。これは、セラミックパッ
ケージよりもコストを安くすることができるからである
〔発明が解決しようとする課題] マイクロレンズ28としては、ポリスチレン、アクリル
4i1脂、ノボラック樹脂などの透明高分子樹脂が使用
されるのに対して、モールド用樹脂はエポキシ樹脂など
が使用される。
ところで、透明高分子樹脂の屈折率は1.5〜1.6で
あり、モールド用エポキシ樹脂もまた1゜5〜1,6で
ある。そのために、このモールド用樹脂によって、マイ
クロレンズ28のレンズ効果が相殺されてしまう。
つまり、折角マイクロレンズ28を形成しても、固体撮
像素子60をモールドするとその効果がなくなくなって
しまう。
そこで、この発明ではこのような課題を構成簡単に解決
したものであって、樹脂によるモールドを施してもマイ
クロレンズのレンズ効果がそのまま発揮できるような固
体撮像装置を提案するものである。
[課題を解決するための手段] 上述した課題を解決するため、この発明においては、受
光部の形成された半導体基板の上面に、第1の屈折率を
持つ材料によって形成されたマイクロレンズと、 このマイクロレンズの上面に、上記第1の屈折率よりも
小きな第2の屈折率を持つ材料で形成された中間(剥脂
層からなる固体撮像素子が透明樹脂によってモールドさ
れてなることを特徴とするものである。
[作 用] マイクロレンズ28としては、第1の屈折率をもつ透明
な高分子樹脂が使用され、中間樹脂層44としては、第
1の屈折率よりも小きな第2の屈折率を持った透明樹脂
が使用される。
具体的には、透明高分子樹脂として、ポリイミド樹脂、
ポリエーテルアミド樹脂、ポリスチレン樹脂などのよう
に、屈折率が1.6〜1.8の樹脂が使用される。
これに対して、中間樹脂層44としては、上述したよう
に屈折率が1.45〜1.5のエポキシ樹脂やアクリル
樹脂などが使用される。
このように屈折率が相違し、しかも第2の屈折率よりも
第1の屈折率が大きなものを使用すれば、中間樹脂層4
4の上面を透明樹脂でモールドしても、これによってマ
イクロレンズ28のレンズ効果が相殺されることはない
[実 施 例] 続いて、この発明に係る固体撮像装置の一例を、カラー
固体撮像素子に適用した場合につき、第1図以下を参照
して詳細に説明する。
固体撮像素子としてはCCDを例示する。撮像素子は一
次元構成でも、二次元構成でも共に適用できる。
第2図はカラー固体撮像素子の一例である。
このカラー固体撮像素子60において、半導体基板12
はP形、受光部14はN形である。受光部14.14間
に挾まれた電荷転送部16の半導体基板12上には、図
のように2層の転送電極18.20がS i 02など
の絶縁層22を介して形成されている。
そして、この転送電極2oの上面には遮光メタル24が
被着形成され、電荷転送部16に外光が入射しないよう
になされている。
遮光メタル24の上面及び受光部14の上面は夫々アク
リル樹脂などを使用した平坦化層26が塗布されて、そ
の表面が平坦化される。そして、カラー化するために、
この平坦化層26の上面に、図のようナカラーフィルタ
40 (40R,40G。
40B)が形成されている。
カラーフィルタ40R,40G、40Bは夫々受光部1
4と対峙するように形成きれ、したがって夫々の受光部
14にはR,G、B (赤、緑、青)の単色光が入射す
る。
カラーフィルタ40R,40G、408Ltゼラチン、
カゼインなどを染料で染めて形成することができる。
さらに、カラーフィルタ40R,40G、40Bを保護
し、且つマイクロレンズ層を固定するために、保護層3
0が形成される。この保護層30の上面で、受光部14
と対向する位置にマイクロレンズ28が形成される。
保護層30は、マイクロレンズ28を形成する前に、硬
化処理を施しておく。すなわち、保護層30として紫外
線あるいは遠紫外線用レジストを使用する場合は、紫外
線あるいは遠紫外線を照射し、また熱硬化型樹脂を使用
する場合は、加熱、硬化処理を施しておく。
この硬化処理によって、マイクロレンズ28を形成する
処理工程で加熱処理か加わっても、保護層30Lt熱変
形しないから、良好な形状のマイクロレンズ28を形成
することができる。保護層30は平坦化層としても働く
マイクロレンズ28は個々の受光部14ごとに形成する
こともできれば、列単位若しくは行単位の受光部ごとに
マイクロレンズ28を形成することもできる。
マイクロレンズ28の夫々は、夫々の周縁部28aが互
いに連続するようにマイクロレンズ28が形成される。
夫々の周縁部28aが互いに連続することによって、周
縁部28aに入射した外光も受光部14に導くことがで
きる。
そうすれば、マイクロレンズ28に入射した外光の殆ど
を受光8IIl 4に取り込むことができるから入射光
量が増え、その分感度が向上する。
マイクロレンズ28は、紫外線あるいは遠紫外線用の感
光性樹脂あるいは透光性の高分子樹脂が使用されると共
に、特に、その屈折率(第1の屈折率)が1,6〜1.
8程度の樹脂が使用される。
このような樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリエーテ
ルアミド樹脂、ポリスチレン樹脂などがある。もし、マ
イクロレンズ材として感光性樹脂を採用するならばレジ
スト層52(後述する)が使用される。そうでない場合
はホトエツチングでパターンを形成する。
感光性樹脂の性質としては、紫外線名しくは遠紫外線を
照射する前は、加熱処理によって熱変形を受けるので、
当初の形状が層状でも、これが球状ないしはカマボコ状
に変形する。そして、熱変形後に紫外線あるいは遠紫外
線を照射すれば硬化するので、熱的に安定する。
マイクロレンズ28の上面には、これを覆うように所定
の厚みの中間樹脂層44が形成きれる。
中間樹脂層44は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂のよう
に、その屈折″4(第2の屈折″4)が1゜45〜1.
5の樹脂が使用される。
塗布された中間樹脂層44は、紫外線若しくは遠紫外線
による加熱処理してその透明度や耐熱性を向上きせるこ
とができる。
このように、マイクロレンズ28の上面に中間1剥脂層
44が形成されたカラー固体撮像素子60が樹脂モール
ドされる。
第1図はこのようなカラー固体撮像装置60をパッケー
ジしたこの発明に係る固体撮像装置10の一例を示す。
同図において、70はカラー固体撮像装置60をに1置
するための樹脂基板で、その両端からはり一ドビン74
が導出されている。
そして、載置されたカラー固体撮像素子60の全面を覆
うように、若しくは樹脂基板70までも覆うように透明
樹脂によってモールドされてモールド体72が形成され
る。
モールド樹脂としては、上述したようにエポキシ樹脂な
どが使用される。
続いて、樹脂モールドによるパッケージ法の一例をマイ
クロレンズ28の製法と共に、第3図を使用して説明す
る。マイクロレンズ28は受光部14ごとに形成するよ
うにした場合を例示する。
まず、シリコンなどのP型半導体基板12の所定位置か
らN型不純物をドープして受光部14が形成される。そ
して、半導体基板12の上面には第2図で示した転送電
極18.201遮光メタル24、平坦化層26などが、
周知の手法で順次形成される。
平坦化層26は、アクリル樹脂の他に、ポリイミド樹脂
、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂などを使用するこ
とができる。本例では、アクリル樹脂’FVR−10J
  (富士薬品(株)製)を使用している。この平坦化
層26は、その厚みが例えば5.0層mとなるようにス
ピンコード法などによって塗布される。その上面に、カ
ラーフィルタ4OR,40G、40Bを形成した後、保
護層30を塗布し、硬化処理を施す。これらの層をまと
めて固定層50として示す(第3図A)。
この固定層50の上面に、紫外線あるいは還紫外線用の
レジスト層、本例ではポジ型レジスト層52がスピンコ
ード法などによって、その厚ざが一例として3.OLi
m程度となるように塗布される(同図A)。
ポジ型レジスト層52としてノボラック(1(脂を使用
した場合には、rAZ、0FPR,マイクロポジット」
 (何れも商品名)などの市販品を使用することができ
る。層52かポジ型レジストでない場合はホトエツチン
グでパターンを形成する。
ノボラック樹脂は微細加工が可能であるから、受光部1
4も高密度に形成することができる。
ポジ型レジスト1152を塗布後、これを乾燥させたの
も、所定のパターンとなるように受光部14以外が紫外
線で露光、現像されてバターニングされる(同図B)。
その後、160℃以下の温度、好ましくは13O〜15
0℃の温度条件下で加熱処理が行なわれてポジ型しジス
i・層52が半球状に熱変形される(同図C)。
ポジ型レジスト層52の熱変形により図では半球状で、
かつ夫々の周縁部28aが互いに連結されたマイクロレ
ンズ28が得られる。
加熱温度を160℃以下にしたのは、固定層50中に介
挿されたカラーフィルタ40R,40G。
40Bの4熱性を考慮したもので、このカラーフィルタ
40R,40G、40B’が熱変質しないようにするた
めである。
ポジ型レジストN52を熱変形させてマイクロレンズ2
8を形成した後は、200〜300nmの遠紫外線を照
射して露光処理を施す。そうすると、今まで不透明であ
ったポジ型レジスト層52は透明体に変質する。紫外線
を照射しても同様に透明体に変質する。
また、この遠紫外線の照射によってレジスト層が硬化す
る。ポジ型レジスト層52を熱変形後硬化させることに
よって、マイクロレンズ28は熱的に安定する。
ポジ型レジスト層52を熱変形後に硬化処理したのは、
透明体への変質と、遠紫外線で露光する前は、ポジ型レ
ジスト層52は120〜160℃で容易に軟化するが、
−見違紫外線で露光すると、その後は熱的に非常に安定
するという2つの性質を利用したものである。
ただし、この加熱処理と遠紫外線若しくは紫外線処理と
は同時に行ってもよい。
次に、中間樹脂層44が所定の厚みとなるようにマイク
ロレンズ28の上面に塗布される(同図D)。塗布機上
述したように加熱処理を施してもよい。
その後、透明樹脂層46によってカラー固体撮像素子6
0がモールドされて、モールド体72が形成される。
第4図はこの発明の他の例であって、マイクロレンズ2
8と中間樹脂層44とを2層構造にした例である。
このとき下層のマイクロレンズ28に対して上層のマイ
クロレンズ28の形状が大きく選定される。
そうすると、1層のマイクロレンズ構成の場合よりも集
光効果が大きくなる。
なお、固体撮像素子はカラー用に限らず、白黒用にも適
用され、またCCDに限らず、他の方式の固体撮像素子
にも利用できる。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明ではマイクロレンズとこ
れの上面に形成される中間樹脂層の屈折率として、前者
より後者の方が小ざくなるようにしたものである。
これによれば、固体撮像素子を樹脂モールドしても、マ
イクロレンズのレンズ効果か失われることがない。その
ため、マイクロレンズの集光効果と、樹脂モールドによ
るコスト低廉化の効果をもった固体撮像装置を提供でき
る実益を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る固体撮像装置の断面図、第2図
はカラー固体撮像素子の断面図、第3図はこの発明の製
法の一例を示す工程図、第41はこの発明の他の例を示
す断面図、第5図はマイクロレンズ付き固体撮像素子の
断面図、第6図及び第7図は従来の固体操作装置の断面
図である。 12 ・ 14 ・ 16 ・ 26 ・ 28 ・ 40R〜40B  ・ 44 ・ 60 ・ 72 ・

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)受光部の形成された半導体基板の上面に、第1の
    屈折率を持つ材料によって形成されたマイクロレンズと
    、 このマイクロレンズの上面に、上記第1の屈折率よりも
    小さな第2の屈折率を持つ材料で形成された中間樹脂層
    からなる固体撮像素子が透明樹脂によってモールドされ
    てなることを特徴とする固体撮像装置。
JP2025788A 1990-02-05 1990-02-05 固体撮像装置 Pending JPH03230567A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2025788A JPH03230567A (ja) 1990-02-05 1990-02-05 固体撮像装置
US07/650,238 US5239412A (en) 1990-02-05 1991-02-04 Solid image pickup device having microlenses
DE69130777T DE69130777T2 (de) 1990-02-05 1991-02-05 Herstellungsverfahren für Mikrolinsen
DE69130399T DE69130399T2 (de) 1990-02-05 1991-02-05 Festkörperbildaufnahmeelement mit Mikrolinsen
EP91300933A EP0441594B1 (en) 1990-02-05 1991-02-05 Solid image pickup device having microlenses
EP94202306A EP0627637B1 (en) 1990-02-05 1991-02-05 Method of forming microlenses

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2025788A JPH03230567A (ja) 1990-02-05 1990-02-05 固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03230567A true JPH03230567A (ja) 1991-10-14

Family

ID=12175572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2025788A Pending JPH03230567A (ja) 1990-02-05 1990-02-05 固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03230567A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198786A (ja) * 1992-01-22 1993-08-06 Sharp Corp クリアモールドccd固体撮像素子
EP0658779A2 (en) * 1993-12-16 1995-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Microlens substrate
US5479049A (en) * 1993-02-01 1995-12-26 Sharp Kabushiki Kaisha Solid state image sensor provided with a transparent resin layer having water repellency and oil repellency and flattening a surface thereof
KR20030042305A (ko) * 2001-11-22 2003-05-28 주식회사 하이닉스반도체 시모스 이미지센서의 제조방법
US8143084B2 (en) * 2005-09-27 2012-03-27 Visera Technologies Company Ltd. Image sensing device and manufacture method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6450157A (en) * 1987-08-20 1989-02-27 Fujitsu Ltd Multi-processor control system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6450157A (en) * 1987-08-20 1989-02-27 Fujitsu Ltd Multi-processor control system

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198786A (ja) * 1992-01-22 1993-08-06 Sharp Corp クリアモールドccd固体撮像素子
US5479049A (en) * 1993-02-01 1995-12-26 Sharp Kabushiki Kaisha Solid state image sensor provided with a transparent resin layer having water repellency and oil repellency and flattening a surface thereof
EP0658779A2 (en) * 1993-12-16 1995-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Microlens substrate
EP0658779A3 (en) * 1993-12-16 1995-10-25 Sharp Kk Microlens substrate.
US5543942A (en) * 1993-12-16 1996-08-06 Sharp Kabushiki Kaisha LCD microlens substrate with a lens array and a uniform material bonding member, each having a thermal resistance not lower than 150°C
KR20030042305A (ko) * 2001-11-22 2003-05-28 주식회사 하이닉스반도체 시모스 이미지센서의 제조방법
US8143084B2 (en) * 2005-09-27 2012-03-27 Visera Technologies Company Ltd. Image sensing device and manufacture method thereof
US8507936B2 (en) 2005-09-27 2013-08-13 Visera Technologies Company Ltd. Image sensing device and manufacture method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0441594B1 (en) Solid image pickup device having microlenses
US7329856B2 (en) Image sensor having integrated infrared-filtering optical device and related method
US6362498B2 (en) Color image sensor with embedded microlens array
CN100474603C (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
US20050041296A1 (en) High transmittance overcoat for microlens arrays in semiconductor color imagers
US7646076B2 (en) Method of fabricating CMOS image sensor
US20130228888A1 (en) Method for manufacturing solid state image forming device, and solid state image forming device
JP2776810B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
KR100628235B1 (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JPH05167054A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH03230567A (ja) 固体撮像装置
KR100886567B1 (ko) 이미지 센서의 마이크로 렌즈 패턴 형성용 마스크
JPH01270362A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH04343470A (ja) 固体撮像装置
JP3747682B2 (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
WO2022050345A1 (ja) 固体撮像素子および製造方法
JPH03190167A (ja) 固体撮像素子
JP2988556B2 (ja) マイクロレンズの製造方法および半導体装置の製造方法
CN100499144C (zh) 用于形成具有凹状微透镜的图象传感器的方法
US20070291156A1 (en) Method of manufacturing lenses, in particular for an integrated imager
JP2000260969A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP2000260970A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JPH03192204A (ja) カラー固体撮像素子の製法
JP2823726B2 (ja) クリアモールド固体撮像素子
JP2518955B2 (ja) 固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法