JPH05198786A - クリアモールドｃｃｄ固体撮像素子 - Google Patents

クリアモールドｃｃｄ固体撮像素子

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JPH05198786A
JPH05198786A JP4009335A JP933592A JPH05198786A JP H05198786 A JPH05198786 A JP H05198786A JP 4009335 A JP4009335 A JP 4009335A JP 933592 A JP933592 A JP 933592A JP H05198786 A JPH05198786 A JP H05198786A
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movable
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Shunichi Naka
俊一 仲
Takayoshi Ishida
孝芳 石田
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高温条件下で長時間動作させる場合にも黒点
不良を生じることがなく、撮像デバイスの信頼性を格段
に向上できるクリアモールドＣＣＤ固体撮像素子を実現
する。 【構成】 メタル配線１６の保護層となるＣＶＤ膜１７
の上に、所定厚みのポリスチレン又はアクリルからなる
可動イオン阻止層１８を形成し、その上から透明樹脂２
０でＣＣＤ固体撮像チップ１０をパッケージングしてク
リアモールドＣＣＤ固体撮像素子を作製する。可動イオ
ン阻止層１８を設けたことにより、透明樹脂２０内の可
動イオンの移動が該可動イオン阻止層１８で阻止される
ので、高温動作時において、可動イオンがＣＣＤ固体撮
像チップ１０の表面に近接して黒点不良を発生すること
がない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ固体撮像素子を
透明樹脂でパッケージングしたクリアモールドＣＣＤ固
体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ固体撮像素子の一例として、最近
ではクリアモールドと称せられる透明樹脂で該ＣＣＤ固
体撮像素子をモールドしたクリアモールドＣＣＤ固体撮
像素子の開発が進められている。
【０００３】図２はこの種のクリアモールドＣＣＤ固体
撮像素子の一従来例を示す。このクリアモールドＣＣＤ
固体撮像素子は、予め表面（上面）にＳｉＯ2膜やＳｉ
Ｎ膜等の保護膜が形成されたＣＣＤ固体撮像チップ１０
を、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂からなる透明樹
脂２０でモールドして作製される。なお、図中３０は端
子である。
【０００４】図３は上記のクリアモールドＣＣＤ固体撮
像素子の具体的な構造を示す。半導体基板１１上には受
光部となるフォトダイオード１２が複数列配設され、各
フォトダイオード１２に隣接して垂直転送部を形成する
ＣＣＤ１３が複数列配設されている。ＣＣＤ１３および
フォトダイオード１２の上には酸化シリコン絶縁膜１４
が積層形成され、該酸化シリコン絶縁膜１４のＣＣＤ１
３の上方に相当する部分に２つのポリシリコン電極１
５、１５が内蔵されている。このようにして形成された
垂直転送部は、入射光量を光電変換するフォトダイオー
ド１２の信号電荷を図示しない水平転送部に垂直転送す
る。
【０００５】また、ポリシリコン電極１５の上方に相当
する酸化シリコン絶縁膜１４の上表面には、例えばアル
ミニウムからなるメタル配線１６が形成される。該メタ
ル配線１６は、酸化シリコン絶縁膜１４上に積層形成さ
れたＣＶＤ膜１７により保護されている。
【０００６】以上の構成によりＣＣＤ固体撮像チップ１
０が作製され、該ＣＣＤ固体撮像チップ１０に透明樹脂
２０をモールドしてクリアモールドＣＣＤ固体撮像素子
が作製される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者等
が上記構成のクリアモールドＣＣＤ固体撮像素子を撮像
デバイスとしてのカメラに実装し、相対湿度３０％以下
で６０℃〜９０℃の高温動作テストを実施したところ、
約７０〜１００時間で透明樹脂２０内の可動イオンの影
響でＣＣＤの画像に黒点不良が発生することが判明し
た。
【０００８】その原因は、上記構成のクリアモールドＣ
ＣＤ固体撮像素子にあっては、透明樹脂２０がＣＶＤ膜
１７膜に接してモールドされるため、ＣＣＤ固体撮像チ
ップ１０の表面に可動イオンが近接するためであると推
察される。
【０００９】なお、撮像デバイスへの通電をストップ
し、該撮像デバイスが動作していない状態で、７０℃〜
８０℃の高温雰囲気下に放置すると、可動イオンが分散
されるため、該黒点不良が消失することを併せて確認で
きた。
【００１０】本発明は、このような従来技術の問題点を
解決するものであり、高温条件下で長時間動作させる場
合にも黒点不良を生じることがなく、撮像デバイスの信
頼性を格段に向上できるクリアモールドＣＣＤ固体撮像
素子を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のクリアモールド
ＣＣＤ固体撮像素子は、ＣＣＤ固体撮像素子を透明樹脂
でパッケージングしたクリアモールドＣＣＤ固体撮像素
子において、該ＣＣＤ固体撮像素子のメタル配線を保護
するカバー膜の上に可動イオン阻止層を形成し、該可動
イオン阻止層の上から該透明樹脂で該ＣＣＤ固体撮像素
子をパッケージングしてなり、そのことにより上記目的
が達成される。
【００１２】好ましくは、前記可動イオン阻止層を厚さ
１．５μｍ以上のアクリル又は厚さ３．０μｍ以上のポ
リスチレンで形成する。
【００１３】
【作用】上記のように、メタル配線を保護するカバー膜
の上に可動イオン阻止層を形成し、その上から透明樹脂
でＣＣＤ固体撮像素子をパッケージングする構造による
場合、すなわちカバー膜に続いて可動イオン阻止層を形
成し、その後に透明樹脂でＣＣＤ固体撮像素子をモール
ドする構造による場合は、透明樹脂内の可動イオンの移
動が該可動イオン阻止層で阻止されるので、高温動作時
において、可動イオンがＣＣＤ固体撮像素子の表面に近
接して黒点不良を発生するのを確実に防止できる。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。
【００１５】図１は本発明クリアモールドＣＣＤ固体撮
像素子の構造を示す。半導体基板１１上には受光部とな
るフォトダイオード１２が複数列配設され、各フォトダ
イオード１２に隣接して垂直転送部を形成するＣＣＤ１
３が複数列配設されている。ＣＣＤ１３およびフォトダ
イオード１２の上には酸化シリコン絶縁膜１４が積層形
成され、該酸化シリコン絶縁膜１４のＣＣＤ１３の上方
に相当する部分に２つのポリシリコン電極１５、１５が
内蔵されている。このようにして形成された垂直転送部
は、入射光量を光電変換するフォトダイオード１２の信
号電荷を図示しない水平転送部に垂直転送する。
【００１６】また、ポリシリコン電極１５の上方に相当
する酸化シリコン絶縁膜１４の上表面には、例えばアル
ミニウムからなるメタル配線１６が形成される。該メタ
ル配線１６は、酸化シリコン絶縁膜１４上に積層形成さ
れたＣＶＤ膜１７により保護されている。
【００１７】加えて、ＣＶＤ膜１７の上表面には所定厚
みの可動イオン阻止層１８が形成され、これでＣＣＤ固
体撮像チップ１０が作製される。そして、この状態のＣ
ＣＤ固体撮像チップ１０に透明樹脂２０をモールドして
本発明クリアモールドＣＣＤ固体撮像素子が作製され
る。
【００１８】上記のような可動イオン阻止層１８を設け
ると、該可動イオン阻止層１８により透明樹脂２０内の
図示する可動イオンがＣＣＤ固体撮像チップ１０の表面
に近接するのが防止されるので、黒点不良を生じること
がない。
【００１９】上記の構成において、可動イオン阻止層１
８として性能の秀れた材料を選択するために、種々の実
験を行ったところ、アクリル又はポリスチレンが好まし
く、この２種の材料について実験、比較したところ、特
に、ポリスチレンを用いると、クリアモールドＣＣＤ固
体撮像素子が組み込まれた撮像デバイスの高温動作テス
トにおいて上記の黒点不良を確実に防止できることが確
認できた。
【００２０】また、ポリスチレンを用いる場合の可動イ
オン阻止層１８の厚みとしては、３．０μｍ以上で黒点
不良を確実に防止できることが確認できた。従って、実
施する上では、厚みが３．０μｍ以上のポリスチレンで
可動イオン阻止層１８を形成すると、好ましいものにな
る。
【００２１】これに対して、アクリルを用いる場合は、
１．５μｍ以上の厚みで黒点不良の防止効果を奏するこ
とが確認できた。但し、厚さが１．５μｍの場合は、黒
点の薄いものが認められた。
【００２２】なお、高温動作テストは、６０℃〜９０℃
の高温動作を７０〜１００時間続けて行った。
【００２３】
【発明の効果】以上の本発明クリアモールドＣＣＤ固体
撮像素子は、可動イオン阻止層を有し、該可動イオン阻
止層の上から透明樹脂をモールドする構成をとるので、
透明樹脂内の可動イオンの移動が該可動イオン阻止層で
阻止される。従って、高温動作時において、可動イオン
がＣＣＤ固体撮像素子の表面に近接して黒点不良を発生
するのを確実に防止できる。それ故、本発明クリアモー
ルドＣＣＤ固体撮像素子を撮像デバイスに組み込むと、
該撮像デバイスの信頼性を格段に向上できる利点があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明クリアモールドＣＣＤ固体撮像素子の要
部断面図。
【図２】クリアモールドＣＣＤ固体撮像素子の一従来例
を示す模式的正面図。
【図３】図２に示すクリアモールドＣＣＤ固体撮像素子
の要部断面図。
【符号の説明】
１０ ＣＣＤ固体撮像チップ １１ 半導体基板 １２ フォトダイオード １３ ＣＣＤ １６ メタル配線 １７ ＣＶＤ膜 １８ 可動イオン阻止層 ２０ 透明樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 8617−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｄ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ＣＣＤ固体撮像素子を透明樹脂でパッケー
    ジングしたクリアモールドＣＣＤ固体撮像素子におい
    て、 該ＣＣＤ固体撮像素子のメタル配線を保護するカバー膜
    の上に可動イオン阻止層を形成し、該可動イオン阻止層
    の上から該透明樹脂で該ＣＣＤ固体撮像素子をパッケー
    ジングしたクリアモールドＣＣＤ固体撮像素子。
  2. 【請求項２】前記可動イオン阻止層が厚さ１．５μｍ以
    上のアクリル又は厚さ３．０μｍ以上のポリスチレンで
    形成されている請求項１記載のクリアモールドＣＣＤ固
    体撮像素子。
JP4009335A 1992-01-22 1992-01-22 クリアモールドｃｃｄ固体撮像素子 Pending JPH05198786A (ja)

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