JPS61168956A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS61168956A JPS61168956A JP897285A JP897285A JPS61168956A JP S61168956 A JPS61168956 A JP S61168956A JP 897285 A JP897285 A JP 897285A JP 897285 A JP897285 A JP 897285A JP S61168956 A JPS61168956 A JP S61168956A
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- semiconductor device
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- conductive film
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光を利用した半導体装置に関するものである。
従来、光半導体装置は第１図に示す様な光透過性の絶縁
キャップ（例えばソーダガラス板、石英ガラス板）を持
つパッケージに組み込まれている。
キャップ（例えばソーダガラス板、石英ガラス板）を持
つパッケージに組み込まれている。
１はｐ形Ｓｉ基板、２〜５はｎ形波散層、６，７はＨＯ
５Ｔのゲート、１３はＨＯ３Ｔ分離用絶縁膜、８はパッ
シベーション用、絶縁層である。２と１，４と１とでホ
トダイオードを構成する光検知用半導体回路素子である
。９はパッケージ、１０．１１はビン端子、１２は光透
過性の絶縁板（ソーダガラス板等）である、近年このよ
うな半導体装置は。
５Ｔのゲート、１３はＨＯ３Ｔ分離用絶縁膜、８はパッ
シベーション用、絶縁層である。２と１，４と１とでホ
トダイオードを構成する光検知用半導体回路素子である
。９はパッケージ、１０．１１はビン端子、１２は光透
過性の絶縁板（ソーダガラス板等）である、近年このよ
うな半導体装置は。
高集積化、小型化技術の進歩に伴ない、パッケージも小
型化が進んできた。そのため、ガラスキャップと半導体
回路素子との物理的な距離が小さくなってきており、外
部からの静電気による帯電が素子の誤動作を誘発し問題
である。
型化が進んできた。そのため、ガラスキャップと半導体
回路素子との物理的な距離が小さくなってきており、外
部からの静電気による帯電が素子の誤動作を誘発し問題
である。
すなわち、静電気によりガラス板が帯電するとある部分
に集中して正電荷Ｑ、＋が蓄積する。そのため、ガラス
の裏面の対応した部分に負電荷Ｑ、−が誘発される。続
いて、半導体回路素子上の絶縁層８上の対応した部分に
局所的に正電荷Ｑ、、′が誘起される。その結果、絶縁
膜１３下部の半導体表面に負電荷Ｑ、″が局所的に誘起
され、拡散層３とホトダイオード４が電気的に導通し、
ホトダイオード４の機能が失われ、素子の動作が劣化す
る事となる。
に集中して正電荷Ｑ、＋が蓄積する。そのため、ガラス
の裏面の対応した部分に負電荷Ｑ、−が誘発される。続
いて、半導体回路素子上の絶縁層８上の対応した部分に
局所的に正電荷Ｑ、、′が誘起される。その結果、絶縁
膜１３下部の半導体表面に負電荷Ｑ、″が局所的に誘起
され、拡散層３とホトダイオード４が電気的に導通し、
ホトダイオード４の機能が失われ、素子の動作が劣化す
る事となる。
本発明は静電気による素子の帯電を防止し、素子動作の
劣化を防ぐ光半導体装置を提供することにある。
劣化を防ぐ光半導体装置を提供することにある。
本発明は光素子を有する半導体装置上に光透過性の導電
性膜を設けたものである。
性膜を設けたものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。１〜
８，１３は第１図の１〜８．１３と同じである。１４は
本発明の光透過性の導電膜（例えば、透明膜の場合はＳ
ｎＯ，膜、Ｉｎｋ、膜、半透明膜の場合は１０ ｏ”Ｑ
■以下の多結晶Ｓｉ膜を使用すればよい、）であり、こ
の素子を９．１０゜１１．１２からなるパッケージに実
装した時、静電気等により誘起される素子上の電荷Ｑ、
＋は局在できず、導電膜１４内に分散する。その結果、
この分散した電荷によるＳｉ基板表面への電界は極端に
小さくなり、影響を及ぼさなくなる。その結果、素子動
作の劣化はなくなる。この実施例の光透過性の導電膜１
４の上にパッシベーション用の絶縁膜を設けた構造の素
子においても本発明の効果は変わらない。
８，１３は第１図の１〜８．１３と同じである。１４は
本発明の光透過性の導電膜（例えば、透明膜の場合はＳ
ｎＯ，膜、Ｉｎｋ、膜、半透明膜の場合は１０ ｏ”Ｑ
■以下の多結晶Ｓｉ膜を使用すればよい、）であり、こ
の素子を９．１０゜１１．１２からなるパッケージに実
装した時、静電気等により誘起される素子上の電荷Ｑ、
＋は局在できず、導電膜１４内に分散する。その結果、
この分散した電荷によるＳｉ基板表面への電界は極端に
小さくなり、影響を及ぼさなくなる。その結果、素子動
作の劣化はなくなる。この実施例の光透過性の導電膜１
４の上にパッシベーション用の絶縁膜を設けた構造の素
子においても本発明の効果は変わらない。
第３図は別の実施例である。２２の領域は光検知用素子
アレ一部であり、２３はアレーを走査する回路等の光検
知領域以外の漏洩光入射防止領域である。２４は漏洩光
入射防止膜であり、この素子表面に本発明の光透過性の
導電膜１４を設けている。この素子においても本発明の
効果は第２図のものと変わらない。
アレ一部であり、２３はアレーを走査する回路等の光検
知領域以外の漏洩光入射防止領域である。２４は漏洩光
入射防止膜であり、この素子表面に本発明の光透過性の
導電膜１４を設けている。この素子においても本発明の
効果は第２図のものと変わらない。
第４図は第３図の漏洩光入射防止膜２４を導電性物質（
例えばＡΩ）で形成した防止膜２５を設けたものである
。
例えばＡΩ）で形成した防止膜２５を設けたものである
。
以上の実施例においては光透過性の導電性膜により、誘
起された電荷を分散する事により電界を弱め、素子劣化
を防ぐものである。別の方法として１本発明の導電性膜
を介して外部に誘起電荷を排除し、完全に素子劣化を防
ぐ事ができる。以下に実施例で示す、第５図、第６図、
第７図は各々第２図、第３図、第４図の実施例における
、本発明の光透過性の導電性膜を所定の電位（例えば、
アース電位）に固定した実施例である。これらになシー
ルド効果をもたせる事ができる６例えば光信号に雑音と
して重畳する駆動回路系からのパルス性の飛び込み雑音
を抑圧できる。又素子外部からの飛び込み雑音に対して
も有効である。また、第７図の実施例では２５と１４と
の重なり部で電気的に接続できるため、アースは防止膜
２５がらとり出している。その結果、光透過性導電膜１
４は素子表面に形成するだけでよく、１４からアース電
極を取り出す工程は不要となる利点がある。
起された電荷を分散する事により電界を弱め、素子劣化
を防ぐものである。別の方法として１本発明の導電性膜
を介して外部に誘起電荷を排除し、完全に素子劣化を防
ぐ事ができる。以下に実施例で示す、第５図、第６図、
第７図は各々第２図、第３図、第４図の実施例における
、本発明の光透過性の導電性膜を所定の電位（例えば、
アース電位）に固定した実施例である。これらになシー
ルド効果をもたせる事ができる６例えば光信号に雑音と
して重畳する駆動回路系からのパルス性の飛び込み雑音
を抑圧できる。又素子外部からの飛び込み雑音に対して
も有効である。また、第７図の実施例では２５と１４と
の重なり部で電気的に接続できるため、アースは防止膜
２５がらとり出している。その結果、光透過性導電膜１
４は素子表面に形成するだけでよく、１４からアース電
極を取り出す工程は不要となる利点がある。
以上１本発明をＭＯ３Ｔを用いた光検知用半導体回路素
子上に適用した実施例で説明したが、本発明の効果は光
半導体装置がバイポーラＭＯ５）−ランジスタあるいは
電荷移送素子を用いた素子、光により消去可能な半導体
メモリ、であっても変わらない、又、半導体回路素子の
構造にも依らず、本発明の効果は変わらない。
子上に適用した実施例で説明したが、本発明の効果は光
半導体装置がバイポーラＭＯ５）−ランジスタあるいは
電荷移送素子を用いた素子、光により消去可能な半導体
メモリ、であっても変わらない、又、半導体回路素子の
構造にも依らず、本発明の効果は変わらない。
本発明によればパッケージキャップの静電気の帯電によ
る素子動作劣化を防止できる。
る素子動作劣化を防止できる。
第１図は従来技術の説明図、第２図は本発明の実施例を
示す図、第３図〜第７図は本発明の他のゝこ−、／ 茅 １ 口 第２０ 第３図
示す図、第３図〜第７図は本発明の他のゝこ−、／ 茅 １ 口 第２０ 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、同一結晶基板上に製作した多数の半導体素子の一部
が光素子部分である半導体集積回路において、該半導体
集積回路上に光透過性の導電性膜を設けたことを特徴と
する光半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記光素子部分以
外の前記半導体集積回路上に漏洩光入射防止膜を設けた
ことを特徴とする光半導体装置。 ３、特許請求の範囲第２項において、前記漏洩光入射防
止膜が導電性物質からなり、前記導電性膜と接続される
ことを特徴とする光半導体装置。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記導電性膜を所
定電位とすることを特徴とする光半導体装置。 ５、特許請求の範囲第４項において、前記所定電位をア
ース電位とすることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP897285A JPS61168956A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP897285A JPS61168956A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168956A true JPS61168956A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11707597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP897285A Pending JPS61168956A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168956A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05322653A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
| US6294665B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-09-25 | Fuji Oil Co., Ltd. | Process for producing water-soluble polysaccharide |
-
1985
- 1985-01-23 JP JP897285A patent/JPS61168956A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05322653A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
| US6294665B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-09-25 | Fuji Oil Co., Ltd. | Process for producing water-soluble polysaccharide |
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