JPS60227467A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS60227467A JPS60227467A JP59084594A JP8459484A JPS60227467A JP S60227467 A JPS60227467 A JP S60227467A JP 59084594 A JP59084594 A JP 59084594A JP 8459484 A JP8459484 A JP 8459484A JP S60227467 A JPS60227467 A JP S60227467A
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- amorphous silicon
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は非晶質シリコンを用いたイメージセンサに関す
る。さらに詳しくは、非晶質シリコンを使った薄膜トラ
ンジスタをスイッチング素子とするイメージセンサに関
する。
る。さらに詳しくは、非晶質シリコンを使った薄膜トラ
ンジスタをスイッチング素子とするイメージセンサに関
する。
ファクシミリやＯＣＲ等の光学読取系に使われるイメー
ジセンサには、現在主にＣＣＤ （電荷結合デバイス）
やＭＯＳ型のＩＣセンサがある。しかし、ＩＣセンサは
小型であるため原稿を縮小投影する丸めの大きな光学系
が必要である点で、装置の小型化に対する大きな障害と
なっている。
ジセンサには、現在主にＣＣＤ （電荷結合デバイス）
やＭＯＳ型のＩＣセンサがある。しかし、ＩＣセンサは
小型であるため原稿を縮小投影する丸めの大きな光学系
が必要である点で、装置の小型化に対する大きな障害と
なっている。
この問題を解決するために原稿と同一サイズの密着型イ
メージセンサが開発されている。密着型イメージセンサ
は原稿に密着させて用いるためセンサ自体は大きいが装
置は小型になる。この密着型イメージセンサに使われる
材料は非晶質シリコンが主流となっている。その理由は
高速動作に必要な速い光応答速度を持っている点にある
。しかしながら、非晶質シリコンを使ったイメージセン
サは電荷蓄積型であるから１つ１つの素子にスイッチン
グ素子が必要である。スイッチング素子に通常のＩＣア
ナログスイッチを用いた場合ＩＣの数はＡ４判で数十個
〜百個以上となる。しかもＩＣとセンサとの間に膨大な
数のポンディングが必要となる。このことはセンサユニ
ットのコストの増大及び歩留シの低下につながる。
メージセンサが開発されている。密着型イメージセンサ
は原稿に密着させて用いるためセンサ自体は大きいが装
置は小型になる。この密着型イメージセンサに使われる
材料は非晶質シリコンが主流となっている。その理由は
高速動作に必要な速い光応答速度を持っている点にある
。しかしながら、非晶質シリコンを使ったイメージセン
サは電荷蓄積型であるから１つ１つの素子にスイッチン
グ素子が必要である。スイッチング素子に通常のＩＣア
ナログスイッチを用いた場合ＩＣの数はＡ４判で数十個
〜百個以上となる。しかもＩＣとセンサとの間に膨大な
数のポンディングが必要となる。このことはセンサユニ
ットのコストの増大及び歩留シの低下につながる。
これに対し、同一基板上に薄膜のスイッチング素子を形
成する試みがなされている。その１つはブロッキングダ
イオードで、もう１つは薄膜トランジスタである。薄膜
トランジスタを使ったイメージセンサの従来例を第１図
に示す。図において、ｌはガラス基板、２はＣｒからな
るゲート電極、８は厚さ０．８μｍのＳｉＮｘからなる
ゲート絶縁膜、４は０．８μｍのノンドープ非晶質シリ
コン、５は非晶質シリコン４と金属後述の６．７との間
にオーミック接触を持たせるためにｎ半型とした非晶質
シリコン、６はＡＩからなるソース電極、７はフォトダ
イオードの個別電極と薄膜トランジスタのドレイン電極
とを兼るＡｌ電極、８はインジウム酸化スズからなる透
明電極、９は厚さ３００ＸのＳ＋Ｎｚ膜、１０は高抵抗
化するため３−５ ｐｐｍ程度のＢ２Ｈ１をドープした
厚さ２．５μｍの非晶質シリコン膜、１１は厚さ０．２
μｍのｐ型非晶質シリコン膜、１２は信号光である。薄
膜トランジスタを使ったイメージセンサは以上のような
構成で充分な明暗比及び動作速度を得ているが、この構
造には以下に述る欠点がある。すなわち、このイメージ
センサでは薄膜トランジスタとフォトダイオードの半導
体部分の構造とが異なるため、薄膜トランジスタとフォ
トダイオードの非晶質シリコンとは別１々に形成しなく
てはならない。従って、近接した場所に素子を形成する
場合、後から形成する素子の不要な部分を、先に形成し
た素子を傷つけることなくエツチングしなくてはならな
い。これは非常に難しいプロセスである。
成する試みがなされている。その１つはブロッキングダ
イオードで、もう１つは薄膜トランジスタである。薄膜
トランジスタを使ったイメージセンサの従来例を第１図
に示す。図において、ｌはガラス基板、２はＣｒからな
るゲート電極、８は厚さ０．８μｍのＳｉＮｘからなる
ゲート絶縁膜、４は０．８μｍのノンドープ非晶質シリ
コン、５は非晶質シリコン４と金属後述の６．７との間
にオーミック接触を持たせるためにｎ半型とした非晶質
シリコン、６はＡＩからなるソース電極、７はフォトダ
イオードの個別電極と薄膜トランジスタのドレイン電極
とを兼るＡｌ電極、８はインジウム酸化スズからなる透
明電極、９は厚さ３００ＸのＳ＋Ｎｚ膜、１０は高抵抗
化するため３−５ ｐｐｍ程度のＢ２Ｈ１をドープした
厚さ２．５μｍの非晶質シリコン膜、１１は厚さ０．２
μｍのｐ型非晶質シリコン膜、１２は信号光である。薄
膜トランジスタを使ったイメージセンサは以上のような
構成で充分な明暗比及び動作速度を得ているが、この構
造には以下に述る欠点がある。すなわち、このイメージ
センサでは薄膜トランジスタとフォトダイオードの半導
体部分の構造とが異なるため、薄膜トランジスタとフォ
トダイオードの非晶質シリコンとは別１々に形成しなく
てはならない。従って、近接した場所に素子を形成する
場合、後から形成する素子の不要な部分を、先に形成し
た素子を傷つけることなくエツチングしなくてはならな
い。これは非常に難しいプロセスである。
このためこの従来はフォトダイオードと薄膜トランジス
タとの間を長くとシ、メタルマスクを用いて両者を別々
に形成し、それぞれの半導体膜が重なシ合わないように
していた。しかしこのような方法によれば素子の高密度
化や２次元化は困難である。
タとの間を長くとシ、メタルマスクを用いて両者を別々
に形成し、それぞれの半導体膜が重なシ合わないように
していた。しかしこのような方法によれば素子の高密度
化や２次元化は困難である。
本発明の目的は上記従来型イメージセンサの欠点を除去
せしめプロセスが簡単でしかも高密度化が可能なイメー
ジセンサを提供することにある〇〔発明の構成〕 本発明は、絶縁基板上に一体化され九ショツ）キダイオ
ードと薄膜トランジスタとを有し、ショットキダイオー
ドは非晶質シリコンとショットキ接合をなす島状の第１
のショットキ電極と、該第１のＶヨットキ電極をおおう
ように形成した非晶質シリコン膜と、該非晶質シリコン
の上面に該第１のショットキ電極と交差するように形成
した第２のショットキ電極からなル、薄膜トランジスタ
は、該非晶質シリコンの上面に非晶質シリコンとオーミ
ック接触をなす金属かあるいはｎ＋型非晶質シリコンを
介して接続した金属からなるソース。
せしめプロセスが簡単でしかも高密度化が可能なイメー
ジセンサを提供することにある〇〔発明の構成〕 本発明は、絶縁基板上に一体化され九ショツ）キダイオ
ードと薄膜トランジスタとを有し、ショットキダイオー
ドは非晶質シリコンとショットキ接合をなす島状の第１
のショットキ電極と、該第１のＶヨットキ電極をおおう
ように形成した非晶質シリコン膜と、該非晶質シリコン
の上面に該第１のショットキ電極と交差するように形成
した第２のショットキ電極からなル、薄膜トランジスタ
は、該非晶質シリコンの上面に非晶質シリコンとオーミ
ック接触をなす金属かあるいはｎ＋型非晶質シリコンを
介して接続した金属からなるソース。
ドレイン電極と、この上に形成した絶縁膜と、ゲート電
極からなシ、該薄膜トランジスタのソース。
極からなシ、該薄膜トランジスタのソース。
ドレイン電極のいずれか一方を該ショットキダイオード
の第１あるいは第２のショットキ電極に接続したことを
特徴とするイメージセンサが得られる。
の第１あるいは第２のショットキ電極に接続したことを
特徴とするイメージセンサが得られる。
以下いくつかの実施例を示しつつ本発明のイメージセン
サについて説明する。第２図は本発明の一実施例の形成
プロセスを示している。ガラス基板１８の上にショット
キ型のフォトダイオードの第１のショットキ型ＩｒＡｌ
４と配線用電極１５となるＣｒを０．２μｍ蒸着しパタ
ーンニングする（第２図（ａ））。
サについて説明する。第２図は本発明の一実施例の形成
プロセスを示している。ガラス基板１８の上にショット
キ型のフォトダイオードの第１のショットキ型ＩｒＡｌ
４と配線用電極１５となるＣｒを０．２μｍ蒸着しパタ
ーンニングする（第２図（ａ））。
次に基板温度２５０℃、圧力０．３ Ｔｏｒｒの条件下
でＳｉＨ４のグロー放電分解によりノンドープの非晶質
シリコン膜１６を１〜２μｍ堆積させ、連続してＰＨｓ
を５ｉｎ４に対し１０００〜ｇ０００ｐｐｍ程度加えた
ｎ＋型の非晶質シリコン膜１７を５００Ｘ堆積させる（
第２図（ｂ））。
でＳｉＨ４のグロー放電分解によりノンドープの非晶質
シリコン膜１６を１〜２μｍ堆積させ、連続してＰＨｓ
を５ｉｎ４に対し１０００〜ｇ０００ｐｐｍ程度加えた
ｎ＋型の非晶質シリコン膜１７を５００Ｘ堆積させる（
第２図（ｂ））。
薄膜トランジスタのソース、ドレインに必要な部分以外
の？非晶質シリコン膜１７を第２図（ｃ）に示すように
エツチングで除去する。エツチングの深さはｎ十型を完
全に取除くため約０．１μｍとする。この上に第２のシ
ョットキ電極となるインジウム酸化スズの透明電極１８
を蒸着しパターンニングする（第２図（ｄ））。次Ｋ、
先に述べたグロー放電法で５ｉＨ４ｒ Ｎｓ 、 ＮＨ
３の混合ガスを分解してゲート絶縁膜となる０、８μｍ
のｓ ｔＮｘＮｘ膜上９積させる（第２図（ｅ））。最
後に第２図（ｆ）に示すようにゲート電極２０となる局
を蒸着し、パターンニングする。この場合薄膜トランジ
スタのソース、ドレイン電極はインジウム酸化スズで兼
ねている。以上のプロセスで非晶質シリコンをＶヨット
キ電極１４．１８ではさ／ｖだショットキ型のフォトダ
イオードと薄膜トランジスタとを一体化したイメージセ
ンサが得られる。なお、この場合は信号光２１を図に示
す方向から入射させるため透明電極１８が上側にあるが
ガラス基板１８側から入れる場合は電極１４１８を逆に
してもさしつかえない。第２図（ｆ）を見れば明らかな
ように本発明のイメージセンサはフォトダイオードと薄
膜トランジスタとが一体となっており高密度化が可能で
ある。また、プロセスの数は従来のものと同じか又はそ
れ以下であって、高密度化に伴うプロセスの増加はない
。
の？非晶質シリコン膜１７を第２図（ｃ）に示すように
エツチングで除去する。エツチングの深さはｎ十型を完
全に取除くため約０．１μｍとする。この上に第２のシ
ョットキ電極となるインジウム酸化スズの透明電極１８
を蒸着しパターンニングする（第２図（ｄ））。次Ｋ、
先に述べたグロー放電法で５ｉＨ４ｒ Ｎｓ 、 ＮＨ
３の混合ガスを分解してゲート絶縁膜となる０、８μｍ
のｓ ｔＮｘＮｘ膜上９積させる（第２図（ｅ））。最
後に第２図（ｆ）に示すようにゲート電極２０となる局
を蒸着し、パターンニングする。この場合薄膜トランジ
スタのソース、ドレイン電極はインジウム酸化スズで兼
ねている。以上のプロセスで非晶質シリコンをＶヨット
キ電極１４．１８ではさ／ｖだショットキ型のフォトダ
イオードと薄膜トランジスタとを一体化したイメージセ
ンサが得られる。なお、この場合は信号光２１を図に示
す方向から入射させるため透明電極１８が上側にあるが
ガラス基板１８側から入れる場合は電極１４１８を逆に
してもさしつかえない。第２図（ｆ）を見れば明らかな
ように本発明のイメージセンサはフォトダイオードと薄
膜トランジスタとが一体となっており高密度化が可能で
ある。また、プロセスの数は従来のものと同じか又はそ
れ以下であって、高密度化に伴うプロセスの増加はない
。
第２図（ｆ）の基本素子を１次元のイメージセンサに適
用した例を示す。第３図はその等何回路である。第３図
において、２２ 、２３は前記プロセスで形成されたフ
ォトダイオードおよび薄膜トランジスタ、２４は薄膜ト
ランジスタ２３から検出回路へ至る配線、２５は共通電
極、２６は電源である。第４図はフォトダイオード２２
および薄膜トランジスタ２８を含む第３図の点線で囲ん
だ部分の一部断面斜視図である。この図から分るように
本発明のイメージセンサによれば非常に小さなスペース
に高密度な１次元センサを作ることができる。
用した例を示す。第３図はその等何回路である。第３図
において、２２ 、２３は前記プロセスで形成されたフ
ォトダイオードおよび薄膜トランジスタ、２４は薄膜ト
ランジスタ２３から検出回路へ至る配線、２５は共通電
極、２６は電源である。第４図はフォトダイオード２２
および薄膜トランジスタ２８を含む第３図の点線で囲ん
だ部分の一部断面斜視図である。この図から分るように
本発明のイメージセンサによれば非常に小さなスペース
に高密度な１次元センサを作ることができる。
第５図の本発明のイメージセンサの他の実施例を示す。
図において、２７は局のソース、ドレイン電極である。
第２図と同一構成部分には同一番号が付しである。この
例は７オトグイオードアレイの共通電極と個別電極とを
第２図に示した実施例と逆にしたもので、構造上フオイ
ダイオードと薄膜トランジスタは分離されている。形成
プロセスは先の実施例とほぼ同じである。使用する金属
によってはこのほうがショットキ接合がとシやすい場合
がある。第６図にもう一つの他の実施例を示す。図にお
いて２８は非晶質シリコンと比較的オーミック接触をと
りやすいＡＩのソース、ドレイン電極であり、ｎ′＋非
晶質シリコンを用いない簡単な構造罠なっている。この
ためプロセスも少なくできる。
例は７オトグイオードアレイの共通電極と個別電極とを
第２図に示した実施例と逆にしたもので、構造上フオイ
ダイオードと薄膜トランジスタは分離されている。形成
プロセスは先の実施例とほぼ同じである。使用する金属
によってはこのほうがショットキ接合がとシやすい場合
がある。第６図にもう一つの他の実施例を示す。図にお
いて２８は非晶質シリコンと比較的オーミック接触をと
りやすいＡＩのソース、ドレイン電極であり、ｎ′＋非
晶質シリコンを用いない簡単な構造罠なっている。この
ためプロセスも少なくできる。
上記実施例で説明したように本発明のイメージセンサで
はフォトダイオードと薄膜トランジスタとを一体化して
いるため、従来のものに比べ高密度なイメージセンサを
得ることができる。例えば従来例ではグロー放電法で非
晶質シリコンを形成する際メタルマスクを用いてフォト
ダイオードと薄膜トランジスタの部分を別々に形成して
いたため、フォトダイオードと薄膜トランジスタとの間
は少なくとも５〜１５ｍ程度離さなくてはならなかった
。しかし、本発明のイメージセンサでは両者を合せても
数百μ消以内におさめることができる。
はフォトダイオードと薄膜トランジスタとを一体化して
いるため、従来のものに比べ高密度なイメージセンサを
得ることができる。例えば従来例ではグロー放電法で非
晶質シリコンを形成する際メタルマスクを用いてフォト
ダイオードと薄膜トランジスタの部分を別々に形成して
いたため、フォトダイオードと薄膜トランジスタとの間
は少なくとも５〜１５ｍ程度離さなくてはならなかった
。しかし、本発明のイメージセンサでは両者を合せても
数百μ消以内におさめることができる。
従って密着型イメージセンサ−のようなラインセンサの
場合、その副走査方向の長さを少なくとも１１短くする
ことができる。量産性を考えるとこの差は大である。ま
た、この構造にすることにより従来型では−しかった２
次元化も容易に行うことができる。
場合、その副走査方向の長さを少なくとも１１短くする
ことができる。量産性を考えるとこの差は大である。ま
た、この構造にすることにより従来型では−しかった２
次元化も容易に行うことができる。
第１図は従来型のイメージセンサの断面図、第２図（ａ
）〜（ｆ）は本発明のイメージセンサの一実施例の形成
プロセスを示す断面図、第３図は１次元のイメージセン
サの等価回路図、第４図は第３図の等何回路を持つイメ
ージセンサの実施例の一部断面斜視図、第５図、第６図
はそれぞれ本発明のイメージセンサの他の実施例の断面
図である。 １３・・・ガラス基板、１４．１５・・・Ｃｒ電極、１
６・・・非晶質晶質シリコン膜、１７・・・ｎ＋型非晶
質シリコン膜、１８・・・インジウム酸化スズ電極、１
９・・・５ｉＮｚ膜、２０・・・陽電極、２１・・・信
号光、２２・・・フォトダイオード、２８・・・薄膜ト
ランジスタ、２４・・・配線、２５・・・共通電極、２
６・・・電源、２７・・・陽電極、９８・・・ＡＩ電極
。 第１図 第２図 第５図 第６図
）〜（ｆ）は本発明のイメージセンサの一実施例の形成
プロセスを示す断面図、第３図は１次元のイメージセン
サの等価回路図、第４図は第３図の等何回路を持つイメ
ージセンサの実施例の一部断面斜視図、第５図、第６図
はそれぞれ本発明のイメージセンサの他の実施例の断面
図である。 １３・・・ガラス基板、１４．１５・・・Ｃｒ電極、１
６・・・非晶質晶質シリコン膜、１７・・・ｎ＋型非晶
質シリコン膜、１８・・・インジウム酸化スズ電極、１
９・・・５ｉＮｚ膜、２０・・・陽電極、２１・・・信
号光、２２・・・フォトダイオード、２８・・・薄膜ト
ランジスタ、２４・・・配線、２５・・・共通電極、２
６・・・電源、２７・・・陽電極、９８・・・ＡＩ電極
。 第１図 第２図 第５図 第６図
Claims (1)
- （１）絶縁基板上に一体化されたショットキダイオード
と、薄膜トランジスタとを有し、ショットキダイオード
は非晶質シリコンとショットキ接合をなす島状の第１の
ショットキ電極と、該第１のショットキ電極をおおうよ
うに形成した非晶質シリコン膜と、該非晶質シリコンの
上面に該第１のショットキ電極と交差するように形成し
た第２のショットキ電極からなプ、薄膜トランジスタは
、該非晶質シリコンの上面に非晶質シリコンとオーミッ
ク接触をなす金属かあるいはｎ＋型非晶質シリコンを介
して接続した金属からなるソ「ス・ドレイン電極と、こ
の上に形成した絶縁膜と、ゲート電極からなシ、該薄膜
トランジスタのソース、ドレイン電極のいずれか一方を
該ショットキダイオードの第１あるいは第２のショット
キ電極に接続したことを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084594A JPS60227467A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084594A JPS60227467A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227467A true JPS60227467A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13835005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59084594A Pending JPS60227467A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60227467A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171154A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Canon Inc | フオトセンサ |
| JPS62171155A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Canon Inc | フオトセンサの製造方法 |
| US5440149A (en) * | 1993-04-28 | 1995-08-08 | Nec Corporation | Planar type image sensor having electrodes on a photoelectric conversion layer |
| WO2002050921A1 (de) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Stmicroelectronics N.V. | Optoelektronisches bauelement zur umwandlung elektromagnetischer strahlung in einen intensitätsabhängigen fotostrom |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP59084594A patent/JPS60227467A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171154A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Canon Inc | フオトセンサ |
| JPS62171155A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Canon Inc | フオトセンサの製造方法 |
| US5440149A (en) * | 1993-04-28 | 1995-08-08 | Nec Corporation | Planar type image sensor having electrodes on a photoelectric conversion layer |
| WO2002050921A1 (de) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Stmicroelectronics N.V. | Optoelektronisches bauelement zur umwandlung elektromagnetischer strahlung in einen intensitätsabhängigen fotostrom |
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