JPS63237484A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63237484A JPS63237484A JP62072815A JP7281587A JPS63237484A JP S63237484 A JPS63237484 A JP S63237484A JP 62072815 A JP62072815 A JP 62072815A JP 7281587 A JP7281587 A JP 7281587A JP S63237484 A JPS63237484 A JP S63237484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- impurity
- layer
- compound semiconductor
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 42
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、特にリーク電流の少ない
ダイオードの構造に関するものである。
ダイオードの構造に関するものである。
第５図は例えば特開昭５７−１０７０８２号公報に示さ
れた従来の半導体装置を説明するための断面図であり、
図において１は禁制帯幅の小なる化合物半導体基板、２
は化合物半導体基板１と同じ導電型で、禁制帯幅の大な
る化合物半導体層、３は上記化合物半導体基板１′と異
なる導電型の不純物ドープ層、４はｐｎ接合面、５は保
護膜を兼ねた絶縁膜、６はオーミック電極、７はｐｎ接
合面４の表面ｉ山部である。
れた従来の半導体装置を説明するための断面図であり、
図において１は禁制帯幅の小なる化合物半導体基板、２
は化合物半導体基板１と同じ導電型で、禁制帯幅の大な
る化合物半導体層、３は上記化合物半導体基板１′と異
なる導電型の不純物ドープ層、４はｐｎ接合面、５は保
護膜を兼ねた絶縁膜、６はオーミック電極、７はｐｎ接
合面４の表面ｉ山部である。
この構造のダイオードを例えば赤外線検知器として用い
た場合、°性能を左右するのはゼロバイアス状態での該
検知器のインピーダンスで、該インピーダンスは主に外
部回路への信号読み出し効率を支配するため、該インピ
ーダンスが高い程効率良く信号を読み出せ高性能の赤外
線検知器を得ることができる。
た場合、°性能を左右するのはゼロバイアス状態での該
検知器のインピーダンスで、該インピーダンスは主に外
部回路への信号読み出し効率を支配するため、該インピ
ーダンスが高い程効率良く信号を読み出せ高性能の赤外
線検知器を得ることができる。
ところで該インピーダンスを左右するものには大きく分
けて、バルク内でのリーク電流と、ｐｎ接合面４の表面
露出部７での表面リーク電流とがあるが、表面部ではバ
ルク部に比べて表面準位や表面電荷などの影響を受けや
すく、そのためにリーク電流も生じやすい。従って従来
の半導体装置は、上記理由による表面リーク電流を減少
させるために表面部に禁制帯幅の大なる表面層を用いて
いる。こうすることにより表面部の真性キャリヤ濃度が
下がり、表面準位を介したキャリヤの励起及び再結合の
確率も少なくなり、表面リークがバルク部でのリーク電
流に比べて無視できる程度の素子を安定して作ることが
できる。
けて、バルク内でのリーク電流と、ｐｎ接合面４の表面
露出部７での表面リーク電流とがあるが、表面部ではバ
ルク部に比べて表面準位や表面電荷などの影響を受けや
すく、そのためにリーク電流も生じやすい。従って従来
の半導体装置は、上記理由による表面リーク電流を減少
させるために表面部に禁制帯幅の大なる表面層を用いて
いる。こうすることにより表面部の真性キャリヤ濃度が
下がり、表面準位を介したキャリヤの励起及び再結合の
確率も少なくなり、表面リークがバルク部でのリーク電
流に比べて無視できる程度の素子を安定して作ることが
できる。
また従来の半導体装置を赤外線検知器として用いる場合
、たとえば１０μｍの赤外線を検知するためには、上記
化合物半導体基板１の禁制帯幅を０．１２ｅＶ以下にし
、化合物半導体層２の禁制帯幅を基板１の禁制帯幅より
ある程度大きくする。化金物半導体結晶として、例えば
Ｈｇ＋−＋ｃ ＣｄｘＴｅ結晶を用いればＨｇ ＋−ヨ
Ｃｄ、Ｔｅ結晶は組成Ｘを変化させることにより禁制帯
幅を０から１．６ｅＶまで連続的に変化できるため、禁
制帯幅の異なる層を容易に得られる。また不純物ドープ
層３については化合物半導体基板１まで達するように形
成する。このように上記各層を形成することにより表面
リーク電流が無視できる１０μｍの赤外線検知器を安定
性良く得ることができる。
、たとえば１０μｍの赤外線を検知するためには、上記
化合物半導体基板１の禁制帯幅を０．１２ｅＶ以下にし
、化合物半導体層２の禁制帯幅を基板１の禁制帯幅より
ある程度大きくする。化金物半導体結晶として、例えば
Ｈｇ＋−＋ｃ ＣｄｘＴｅ結晶を用いればＨｇ ＋−ヨ
Ｃｄ、Ｔｅ結晶は組成Ｘを変化させることにより禁制帯
幅を０から１．６ｅＶまで連続的に変化できるため、禁
制帯幅の異なる層を容易に得られる。また不純物ドープ
層３については化合物半導体基板１まで達するように形
成する。このように上記各層を形成することにより表面
リーク電流が無視できる１０μｍの赤外線検知器を安定
性良く得ることができる。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
不純物ドープＮ３を禁制帯幅の大きい化合物半導体層２
より深く形成しなければならず、このためたとえばイオ
ン注入法により不純物ドープＮ３を形成する場合、禁制
帯幅の大きい半導体層２を数千Å以下にする必要があり
、該半導体層２の形成法が困難でかつ限定されるなどの
問題があった。
不純物ドープＮ３を禁制帯幅の大きい化合物半導体層２
より深く形成しなければならず、このためたとえばイオ
ン注入法により不純物ドープＮ３を形成する場合、禁制
帯幅の大きい半導体層２を数千Å以下にする必要があり
、該半導体層２の形成法が困難でかつ限定されるなどの
問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、禁制帯幅の大きい半導体層の 、層厚を極
端に薄くせずともイオン注入法などにより不純物ドープ
層を形成でき、かつ性能の劣化がない半導体装置を得る
ことを目的とする。
たもので、禁制帯幅の大きい半導体層の 、層厚を極
端に薄くせずともイオン注入法などにより不純物ドープ
層を形成でき、かつ性能の劣化がない半導体装置を得る
ことを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、第１導電型半導体基板上
に形成され、部分的にエツチングされた部分を有し、該
基板よりその禁制帯幅が大なる第１１電型半導体層と、
該第１導電型半導体層のエツチング部及びその周辺部に
第２導電型不純物を、該エツチング部ではこれが上記基
板に達するようドープしてなる第２導電型不純物ドープ
層とを備えたものである。
に形成され、部分的にエツチングされた部分を有し、該
基板よりその禁制帯幅が大なる第１１電型半導体層と、
該第１導電型半導体層のエツチング部及びその周辺部に
第２導電型不純物を、該エツチング部ではこれが上記基
板に達するようドープしてなる第２導電型不純物ドープ
層とを備えたものである。
この発明においては禁制帯幅の大きい半導体層の一部が
エツチングされているから、該半導体層の層厚を考慮せ
ずに、イオン注入など任意の方法で不純物をドープして
ｐｎ接合面を形成できる。
エツチングされているから、該半導体層の層厚を考慮せ
ずに、イオン注入など任意の方法で不純物をドープして
ｐｎ接合面を形成できる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の断面構造
を示し、図において、１は禁制帯幅の小なる化合物半導
体基板、２は禁制帯幅の大なる該基板１と同一導電型の
化合物半導体層、３は上記基板１とは異なる導電型の不
純物ドープ層、４はｐｎ接合面、５は保ｒｌＩＰａを兼
ねた絶縁膜、６は電極であり、ここでｐｎ接合面４の表
面露出部７付近以外の化合物半導体Ｎ２は除去されてい
る。
を示し、図において、１は禁制帯幅の小なる化合物半導
体基板、２は禁制帯幅の大なる該基板１と同一導電型の
化合物半導体層、３は上記基板１とは異なる導電型の不
純物ドープ層、４はｐｎ接合面、５は保ｒｌＩＰａを兼
ねた絶縁膜、６は電極であり、ここでｐｎ接合面４の表
面露出部７付近以外の化合物半導体Ｎ２は除去されてい
る。
上記のように構成された半導体装置の製造方法を第２図
（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
まず第２図（ａ）に示すように禁制帯幅の小なる化合物
−半導体基板１の上に禁制帯幅の大なる化合物半導体層
２を成長させる。このとき膜厚を厳密にコントロールす
る必要はないので、分子線エピタキシャル成長法などの
特殊な方法を用いる必要はなく、容易に高品質の結晶が
得られる液相成長法を用いることができる０次に第２図
（ｂ）のように上記化合物半導体層２を部分的に除去し
、第２図（Ｃ）に示すように化合物半導体層２の除去部
分及びその周辺部に不純物をドープして不純物ドープ層
３を形成すると共にｐｎ接合面４を形成する。このとき
化合物半４体層２の一部が予め除去されているため、不
純物ドープ層３の深さを極端に深くする必要はなく、よ
って不純物ドープにイオン注入法を用いる場合注入エネ
ルギーは任意の値で良く、注入時のダメージも少なくで
き、又不純物の深さ方向分布も、所望の分布にできる。
−半導体基板１の上に禁制帯幅の大なる化合物半導体層
２を成長させる。このとき膜厚を厳密にコントロールす
る必要はないので、分子線エピタキシャル成長法などの
特殊な方法を用いる必要はなく、容易に高品質の結晶が
得られる液相成長法を用いることができる０次に第２図
（ｂ）のように上記化合物半導体層２を部分的に除去し
、第２図（Ｃ）に示すように化合物半導体層２の除去部
分及びその周辺部に不純物をドープして不純物ドープ層
３を形成すると共にｐｎ接合面４を形成する。このとき
化合物半４体層２の一部が予め除去されているため、不
純物ドープ層３の深さを極端に深くする必要はなく、よ
って不純物ドープにイオン注入法を用いる場合注入エネ
ルギーは任意の値で良く、注入時のダメージも少なくで
き、又不純物の深さ方向分布も、所望の分布にできる。
さらに不純物ドープに拡散法を用いる場合も拡散深さは
任意の値で良く、また拡散時間を短縮でき、横方向拡散
による拡散層面積の増大は無視できる。最後に第２図（
ｄ）のように保護膜を兼ねた絶縁膜５と電極６とを形成
して素子が完成する。
任意の値で良く、また拡散時間を短縮でき、横方向拡散
による拡散層面積の増大は無視できる。最後に第２図（
ｄ）のように保護膜を兼ねた絶縁膜５と電極６とを形成
して素子が完成する。
このようにして作製された本実施例の半導体装置では、
従来の半導体装置と同様の表面リーク電流低減の効果が
得られ、かつ化合物半導体層２の成長を容易に行なうこ
とができ、さらに不純物ドープは任意の方法及び任意の
条件で行なうことができる。
従来の半導体装置と同様の表面リーク電流低減の効果が
得られ、かつ化合物半導体層２の成長を容易に行なうこ
とができ、さらに不純物ドープは任意の方法及び任意の
条件で行なうことができる。
次に上記構造とした場合の他の利点について述べる。例
えば第３図は光通信などに用いられている従来のフォト
ダイオードの構造で１１は禁制帯幅の大なる化合物半導
体基板、２２は禁制帯幅の小なる化合物半導体層、３は
不純物ドープ層、４はｐｎ接合面であり、このｐｎ接合
面４の表面露出部７は禁制帯幅の大なる化合物半導体基
板１１内に有り、ｐｎ接合面の入射光を感じる部分は禁
制帯幅の小なる化合物半導体７１２２内に有る。
えば第３図は光通信などに用いられている従来のフォト
ダイオードの構造で１１は禁制帯幅の大なる化合物半導
体基板、２２は禁制帯幅の小なる化合物半導体層、３は
不純物ドープ層、４はｐｎ接合面であり、このｐｎ接合
面４の表面露出部７は禁制帯幅の大なる化合物半導体基
板１１内に有り、ｐｎ接合面の入射光を感じる部分は禁
制帯幅の小なる化合物半導体７１２２内に有る。
この場合例えば禁制帯幅の小なる化合物半導体１１２２
にＨｇ、−ｘＣｄｘＴｅ結晶を用いて、１０μｍの波長
の赤外線を検知するとすれば、吸収係数が１０３Ｃ！１
１であるから、光感度を高めるために、禁制帯幅の小な
る化合物半導体Ｎ２２の厚みを１０μｍ以上とする必要
があり、さらに長い波長の赤外線を検知するためには波
長に比例して化合物半導体層２２の厚みを厚くしなけれ
ばならない。
にＨｇ、−ｘＣｄｘＴｅ結晶を用いて、１０μｍの波長
の赤外線を検知するとすれば、吸収係数が１０３Ｃ！１
１であるから、光感度を高めるために、禁制帯幅の小な
る化合物半導体Ｎ２２の厚みを１０μｍ以上とする必要
があり、さらに長い波長の赤外線を検知するためには波
長に比例して化合物半導体層２２の厚みを厚くしなけれ
ばならない。
そうする場合１０μｍ以上の段差の存在は、ウェハプロ
セス時に種々の問題を生じさせる。
セス時に種々の問題を生じさせる。
たとえば写真製版工程では、現像時に段差部に゛レジス
ト切れが起きる。それを防ぐにはレジスト厚を厚くすれ
ば良いがそれは同時に微細パターンの形成を困難にする
。又別工程での表面保護膜形成時には、段差部の膜厚が
薄くなり保護膜上に電極を形成する場合、段差部での電
流リークが起きる可能性が高くなる。またこれ以外にも
さまざまな問題が生じることが予想でき、例えば、禁制
帯幅の大なる化合物半導体基板１１の禁制帯幅が化合物
半導体層２２のそれに比べて、極めて大きい場合とか、
化合物半導体基板１１において所望の導電型で低抵抗の
ものが得難いたとえばＣｄＴｅなどを用いた場合では、
化合物半導体基板１１側でのオーミック電極形成が不可
能となる。
ト切れが起きる。それを防ぐにはレジスト厚を厚くすれ
ば良いがそれは同時に微細パターンの形成を困難にする
。又別工程での表面保護膜形成時には、段差部の膜厚が
薄くなり保護膜上に電極を形成する場合、段差部での電
流リークが起きる可能性が高くなる。またこれ以外にも
さまざまな問題が生じることが予想でき、例えば、禁制
帯幅の大なる化合物半導体基板１１の禁制帯幅が化合物
半導体層２２のそれに比べて、極めて大きい場合とか、
化合物半導体基板１１において所望の導電型で低抵抗の
ものが得難いたとえばＣｄＴｅなどを用いた場合では、
化合物半導体基板１１側でのオーミック電極形成が不可
能となる。
しかしながら本発明の実施例による半導体装置の構造で
は、第１図に示すように、ｐｎ接合面４の、受光部とな
る部分が禁制帯幅の小なる化合物半導体基板１内に有る
ため、化合物半導体基板１の厚みを任意の厚みにするこ
とができる。また、第１図の構造の場合にも段差はでき
るのであるが禁制帯幅の大なる化合物半導体層２の厚み
を、例えは２〜３μｍ程度にした場合ウェハプロセス時
にもほとんど問題は生じない。
は、第１図に示すように、ｐｎ接合面４の、受光部とな
る部分が禁制帯幅の小なる化合物半導体基板１内に有る
ため、化合物半導体基板１の厚みを任意の厚みにするこ
とができる。また、第１図の構造の場合にも段差はでき
るのであるが禁制帯幅の大なる化合物半導体層２の厚み
を、例えは２〜３μｍ程度にした場合ウェハプロセス時
にもほとんど問題は生じない。
なお、上記実施例では化合物半導体層２はそのエツチン
グ部の深さが禁制帯幅の小なる化合物半導体基板ｌまで
達しているが、これはその深さが禁制帯幅の小なる化合
物半導体基板１まで達していない第４図のような構造と
してもよい。この場合不純物ドープ層３の表面露出部が
すべて禁制帯幅の大きい化合物半導体１１２内に有るた
め表面再結合の影響が小さくなる。
グ部の深さが禁制帯幅の小なる化合物半導体基板ｌまで
達しているが、これはその深さが禁制帯幅の小なる化合
物半導体基板１まで達していない第４図のような構造と
してもよい。この場合不純物ドープ層３の表面露出部が
すべて禁制帯幅の大きい化合物半導体１１２内に有るた
め表面再結合の影響が小さくなる。
また、上記実施例では赤外線検知器の場合について説明
したが、これは他の半導体装置であってもよく、この場
合も同様の効果を奏する。
したが、これは他の半導体装置であってもよく、この場
合も同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、第１導電型半導体基
板上の、該基板より禁制帯幅の大きい第１導電型半導体
層にエツチング部を設けたので、ｐｎ接合面の形成が容
易で、かつ精度が高く、安価な半導体装置が得られる効
果がある。
板上の、該基板より禁制帯幅の大きい第１導電型半導体
層にエツチング部を設けたので、ｐｎ接合面の形成が容
易で、かつ精度が高く、安価な半導体装置が得られる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面側面図、第２図は該半導体装置の製１１工程を示す図
、第３図は従来のフォトダイオードの構造を示す断面図
、第４図は本発明の他の実施例による半導体装置を示す
図、第５図は従来の半導体装置を説明するための図であ
る。 図において、■は禁制帯幅の小なる化合物半導体基板、
２は禁制帯幅の大なる化合物半導体層、３は不純物ドー
プ層、４はｐｎ接合面、５は保８Ｗ膜を兼ねた絶縁膜、
６はオーミック電極、７はｐｎ接合面の表面露出部、１
１は禁制帯幅の大なる化合物半導体基板、２２は禁制帯
幅の小なる化合物半導体層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面側面図、第２図は該半導体装置の製１１工程を示す図
、第３図は従来のフォトダイオードの構造を示す断面図
、第４図は本発明の他の実施例による半導体装置を示す
図、第５図は従来の半導体装置を説明するための図であ
る。 図において、■は禁制帯幅の小なる化合物半導体基板、
２は禁制帯幅の大なる化合物半導体層、３は不純物ドー
プ層、４はｐｎ接合面、５は保８Ｗ膜を兼ねた絶縁膜、
６はオーミック電極、７はｐｎ接合面の表面露出部、１
１は禁制帯幅の大なる化合物半導体基板、２２は禁制帯
幅の小なる化合物半導体層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）ｐｎ接合面を有する半導体装置において、第１導
電型半導体基板上に形成され、部分的にエッチングされ
た部分を有し、該基板よりその禁制帯幅が大なる第１導
電型半導体層と、 該第１導電型半導体層のエッチング部及びその周辺部に
第２導電型不純物を、該エッチング部ではこれが上記基
板に達するようドープしてなる第２導電型不純物ドープ
層とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - （２）上記第１導電型半導体層はそのエッチング部の深
さが上記基板表面に達するものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 - （３）上記第１導電型半導体層は、そのエッチング部の
深さが上記基板表面に達しないものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62072815A JPS63237484A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62072815A JPS63237484A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237484A true JPS63237484A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13500287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62072815A Pending JPS63237484A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63237484A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245567A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Toshiba Corp | 半導体受光装置及びその製造方法 |
| JPH0521449A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置，およびその製造方法 |
| FR2683391A1 (fr) * | 1991-11-06 | 1993-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Capteur d'images infrarouge. |
| JP2015504607A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-02-12 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | Ｈｇｃｄｔｅ上に自己配置された、制御されたヘテロ構造を有する赤外線撮像器用ｐ−ｎダイオード |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP62072815A patent/JPS63237484A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245567A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Toshiba Corp | 半導体受光装置及びその製造方法 |
| JPH0521449A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置，およびその製造方法 |
| FR2683391A1 (fr) * | 1991-11-06 | 1993-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Capteur d'images infrarouge. |
| US5410168A (en) * | 1991-11-06 | 1995-04-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared imaging device |
| JP2015504607A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-02-12 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | Ｈｇｃｄｔｅ上に自己配置された、制御されたヘテロ構造を有する赤外線撮像器用ｐ−ｎダイオード |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5144381A (en) | Semiconductor light detector utilizing an avalanche effect and having an improved guard ring structure | |
| JP3010389B2 (ja) | 集積光ガイド／検出器構造の形成方法 | |
| KR100306414B1 (ko) | 광검출기 | |
| JP2000156520A (ja) | 受光素子およびその製造方法 | |
| US4794439A (en) | Rear entry photodiode with three contacts | |
| KR100203307B1 (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPS63237484A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3276836B2 (ja) | 半導体導波路型受光器 | |
| JP3074574B2 (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| JP3238823B2 (ja) | 受光素子 | |
| JPS6180875A (ja) | 半導体装置 | |
| CA1298640C (en) | Avalanche photodiodes and methods for their manufacture | |
| JP2645460B2 (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| JPH02226777A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| JPH0316275A (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| KR970009732B1 (ko) | 평면형 광검출기의 제조방법 | |
| JPS6244433B2 (ja) | ||
| JPH01196182A (ja) | フォトダイオード | |
| JP2711055B2 (ja) | 半導体光検出器およびその製造方法 | |
| JP2742358B2 (ja) | 半導体光検出器およびその製造方法 | |
| JP2766761B2 (ja) | 半導体光検出器およびその製造方法 | |
| JP2004179404A (ja) | 半導体受光装置およびその製造方法 | |
| JPH0758309A (ja) | 光電子集積回路 | |
| JP2671554B2 (ja) | 赤外線検知器の製造方法 | |
| JPH0410233B2 (ja) |