JP3276836B2 - 半導体導波路型受光器 - Google Patents
半導体導波路型受光器Info
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- JP3276836B2 JP3276836B2 JP02915496A JP2915496A JP3276836B2 JP 3276836 B2 JP3276836 B2 JP 3276836B2 JP 02915496 A JP02915496 A JP 02915496A JP 2915496 A JP2915496 A JP 2915496A JP 3276836 B2 JP3276836 B2 JP 3276836B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体内にＰＩＮ
構造を有する半導体受光素子に係り、特に不純物拡散に
より形成した半導体導波路型受光器に関する。
構造を有する半導体受光素子に係り、特に不純物拡散に
より形成した半導体導波路型受光器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の半導体導波路型受光器を
例示する。すなわち３０１は半絶縁性ＩｎＰ基板、３０
２は厚さ０．６μｍでバンドギャップ波長１．３μｍの
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層、３０３は厚さ０．６μｍのｎ型
低キャリア濃度ＩｎＧａＡｓ光吸収層、３０４は厚さ
０．６μｍでバンドギャップ波長１．３μｍのｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層、３０５は厚さ０．５μｍのｐ型ＩｎＰ
層、３０６はｎ型オーミック電極、３０７はｐ型オーミ
ック電極である。（K.Kato他、「A high-efficiency50
GHz InGaAs ultimode waveguide photodetector」IEEE
Lournal of QuantumElectronics 第２８巻第１２号２７
２８頁１９９２年）。この図３の例では、波長１．５５
μｍの光を劈開端面より入射させ、各層３０２，３０
３，３０４，３０５からなる光導波路内を導波させる。
このとき、光は、光吸収層３０３にて吸収され電子とホ
ールに変換され、いわゆる光電変換が行なわれる。この
光電変換によって生じた電子及びホールは、電極３０
６，３０７間すなわちｐｎ接合に印加された逆バイアス
電圧によって生じる電界にて、それぞれｎ型およびｐ型
の半導体層側に走行するので、信号電流として素子外部
に取り出されることになる。
例示する。すなわち３０１は半絶縁性ＩｎＰ基板、３０
２は厚さ０．６μｍでバンドギャップ波長１．３μｍの
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層、３０３は厚さ０．６μｍのｎ型
低キャリア濃度ＩｎＧａＡｓ光吸収層、３０４は厚さ
０．６μｍでバンドギャップ波長１．３μｍのｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層、３０５は厚さ０．５μｍのｐ型ＩｎＰ
層、３０６はｎ型オーミック電極、３０７はｐ型オーミ
ック電極である。（K.Kato他、「A high-efficiency50
GHz InGaAs ultimode waveguide photodetector」IEEE
Lournal of QuantumElectronics 第２８巻第１２号２７
２８頁１９９２年）。この図３の例では、波長１．５５
μｍの光を劈開端面より入射させ、各層３０２，３０
３，３０４，３０５からなる光導波路内を導波させる。
このとき、光は、光吸収層３０３にて吸収され電子とホ
ールに変換され、いわゆる光電変換が行なわれる。この
光電変換によって生じた電子及びホールは、電極３０
６，３０７間すなわちｐｎ接合に印加された逆バイアス
電圧によって生じる電界にて、それぞれｎ型およびｐ型
の半導体層側に走行するので、信号電流として素子外部
に取り出されることになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のような半導体導
波路型受光器にて高周波光信号を受光しようとする場
合、信号の周波数に十分応答するように半導体導波路型
受光素子のＣＲ時定数を十分小さくする必要がある。具
体的には容量Ｃを小さくする必要がある。一例として５
０Ω系で５ＧＨｚの光信号を受信する場合には、０．６
ＰＦ以下の容量としなければならない、等である。今、
吸収層３０３の厚さが１μｍ程度である通常の半導体導
波路型受光素子の場合、容量を前述のように０．６ＰＦ
以下にするためにはｐｎ接合面積を４０００μｍ2 以下
に抑える必要がある。このため、図３に示すように半導
体層をｐｎ接合面以下まで掘り下げた構造としいわゆる
ハイメサ状に加工して余分な容量を除去し、４０００μ
ｍ2 以下の面積としている。したがって、従来の半導体
導波路型受光器の製造には、ハイメサ状の加工やハイメ
サ状の電極形成などが必要となり、工程数が多く難易度
の高い技術が必要となる。
波路型受光器にて高周波光信号を受光しようとする場
合、信号の周波数に十分応答するように半導体導波路型
受光素子のＣＲ時定数を十分小さくする必要がある。具
体的には容量Ｃを小さくする必要がある。一例として５
０Ω系で５ＧＨｚの光信号を受信する場合には、０．６
ＰＦ以下の容量としなければならない、等である。今、
吸収層３０３の厚さが１μｍ程度である通常の半導体導
波路型受光素子の場合、容量を前述のように０．６ＰＦ
以下にするためにはｐｎ接合面積を４０００μｍ2 以下
に抑える必要がある。このため、図３に示すように半導
体層をｐｎ接合面以下まで掘り下げた構造としいわゆる
ハイメサ状に加工して余分な容量を除去し、４０００μ
ｍ2 以下の面積としている。したがって、従来の半導体
導波路型受光器の製造には、ハイメサ状の加工やハイメ
サ状の電極形成などが必要となり、工程数が多く難易度
の高い技術が必要となる。
【０００４】本発明は、上述の問題に鑑み、工程数が多
く難易度の高いハイメサに係る構造とせず、構造が簡単
で低コストの半導体導波路型受光器の提供を目的とす
る。
く難易度の高いハイメサに係る構造とせず、構造が簡単
で低コストの半導体導波路型受光器の提供を目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成する本
発明は、次の発明特定事項とする。 （１）第１の半導体層と、この第１の半導体層よりも光
の吸収端波長が長く屈折率の大きな第２の半導体層と、
この第２の半導体層より光の吸収端波長が短く屈折率の
小さな第３の半導体層と、を有する半導体導波路型受光
器において、上記第２の半導体層を上記第１の半導体層
上の全面に渡り形成し、上記第３の半導体層の一部に表
面から所定深さにわたり他の領域とは異なる導電形の拡
散領域を光入射端から光の進行方向に沿って次第に拡が
るように形成し、この拡散領域及び上記第２の半導体層
の一面を深さ方向に光入射端として露出させた、ことを
特徴とする。 （２）半導体基板と、この半導体基板よりも光の吸収端
波長が長く屈折率の大きな第２の半導体層と、この第２
の半導体層より光の吸収端波長が短く屈折率の小さな第
３の半導体層と、を有する半導体導波路型受光器におい
て、上記第２の半導体層を上記半導体基板上の全面に渡
り形成し、上記第３の半導体層の一部に表面から所定深
さにわたり他の領域とは異なる導電形の拡散領域を光入
射端から光の進行方向に沿って次第に拡がるように形成
し、この拡散領域及び上記第２の半導体層の一面を深さ
方向に光入射端として露出させた、ことを特徴とする。
発明は、次の発明特定事項とする。 （１）第１の半導体層と、この第１の半導体層よりも光
の吸収端波長が長く屈折率の大きな第２の半導体層と、
この第２の半導体層より光の吸収端波長が短く屈折率の
小さな第３の半導体層と、を有する半導体導波路型受光
器において、上記第２の半導体層を上記第１の半導体層
上の全面に渡り形成し、上記第３の半導体層の一部に表
面から所定深さにわたり他の領域とは異なる導電形の拡
散領域を光入射端から光の進行方向に沿って次第に拡が
るように形成し、この拡散領域及び上記第２の半導体層
の一面を深さ方向に光入射端として露出させた、ことを
特徴とする。 （２）半導体基板と、この半導体基板よりも光の吸収端
波長が長く屈折率の大きな第２の半導体層と、この第２
の半導体層より光の吸収端波長が短く屈折率の小さな第
３の半導体層と、を有する半導体導波路型受光器におい
て、上記第２の半導体層を上記半導体基板上の全面に渡
り形成し、上記第３の半導体層の一部に表面から所定深
さにわたり他の領域とは異なる導電形の拡散領域を光入
射端から光の進行方向に沿って次第に拡がるように形成
し、この拡散領域及び上記第２の半導体層の一面を深さ
方向に光入射端として露出させた、ことを特徴とする。
【０００６】不純物拡散により形成されたｐｎ接合にて
スラブ型の光導波路を形成しているので、接合容量を低
減でき、しかも製造に当り簡単かつ低コストになる。
スラブ型の光導波路を形成しているので、接合容量を低
減でき、しかも製造に当り簡単かつ低コストになる。
【０００７】
【発明の実施の形態】ここで、図１，図２を参照して発
明の実施の形態につき述べる。ｐｎ接合の不純物拡散に
よりその面積を限定してやれば接合容量は低減できる。
本発明はこの思想を前提として導電路型受光器を得るも
のである。図１において、１０１は半絶縁性ＩｎＰ基
板、１０２は厚さ２μｍでバンドギャップ波長１．２μ
ｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層、１０３は厚さ３μｍでバン
ドギャップ波長１．４μｍのｎ型低キャリア濃度ＩｎＧ
ａＡｓＰ光吸収層、１０４は厚さ２μｍでバンドギャッ
プ波長１．２μｍのｎ型低キャリア濃度ＩｎＧａＡｓＰ
層である。
明の実施の形態につき述べる。ｐｎ接合の不純物拡散に
よりその面積を限定してやれば接合容量は低減できる。
本発明はこの思想を前提として導電路型受光器を得るも
のである。図１において、１０１は半絶縁性ＩｎＰ基
板、１０２は厚さ２μｍでバンドギャップ波長１．２μ
ｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層、１０３は厚さ３μｍでバン
ドギャップ波長１．４μｍのｎ型低キャリア濃度ＩｎＧ
ａＡｓＰ光吸収層、１０４は厚さ２μｍでバンドギャッ
プ波長１．２μｍのｎ型低キャリア濃度ＩｎＧａＡｓＰ
層である。
【０００８】この層１０４には、Ｚｎ拡散領域１０５が
部分的に形成されている。この領域は接合容量が一定値
以下例えば前述の４０００μｍ2 以下となる面積に形成
され接合容量が低減される。この場合、Ｚｎ拡散として
はその拡散部分を限定して行なうことは容易にできる。
また、Ｚｎ拡散領域１０５は一例として光入射端にて２
０μｍ、奥行き１００μｍ、奥幅５０μｍに形成され、
導波光の広がりに応じて徐々に光の進行方向に沿って広
げてある。光の変換効率が極めて良好となることによ
る。更に、Ｚｎ拡散領域１０５の深さは、表面（上面）
より３μｍとしてｎ型層１０４の厚さ２μｍ以上で吸収
層１０３にも一部拡散する深さとなっている。この拡散
の深さは好適な値があり、光吸収にて生じた電子やホー
ルが深過ぎる場合速度が速くなって応答悪くなり、また
浅過ぎる場合接合面までの距離が長過ぎるので、これら
を勘案して決定される。製造に当っては、拡散領域端面
より光を入射させるいわゆるスラブ型導波路であるた
め、層１０２，１０３，１０４を含めた基板１０１を劈
開し、又はエッチングすることになるが、この場合の入
射端面、殊に吸収層１０３やＺｎ拡散領域１０５端面の
状態としては光入射にとり良好である。なお、上述では
Ｚｎ拡散を述べたが、Ｂｅ拡散等他の物質の拡散も当て
はめることができる。図において、１０６はｎ型オーミ
ック電極、１０７はｐ型オーミック電極である。
部分的に形成されている。この領域は接合容量が一定値
以下例えば前述の４０００μｍ2 以下となる面積に形成
され接合容量が低減される。この場合、Ｚｎ拡散として
はその拡散部分を限定して行なうことは容易にできる。
また、Ｚｎ拡散領域１０５は一例として光入射端にて２
０μｍ、奥行き１００μｍ、奥幅５０μｍに形成され、
導波光の広がりに応じて徐々に光の進行方向に沿って広
げてある。光の変換効率が極めて良好となることによ
る。更に、Ｚｎ拡散領域１０５の深さは、表面（上面）
より３μｍとしてｎ型層１０４の厚さ２μｍ以上で吸収
層１０３にも一部拡散する深さとなっている。この拡散
の深さは好適な値があり、光吸収にて生じた電子やホー
ルが深過ぎる場合速度が速くなって応答悪くなり、また
浅過ぎる場合接合面までの距離が長過ぎるので、これら
を勘案して決定される。製造に当っては、拡散領域端面
より光を入射させるいわゆるスラブ型導波路であるた
め、層１０２，１０３，１０４を含めた基板１０１を劈
開し、又はエッチングすることになるが、この場合の入
射端面、殊に吸収層１０３やＺｎ拡散領域１０５端面の
状態としては光入射にとり良好である。なお、上述では
Ｚｎ拡散を述べたが、Ｂｅ拡散等他の物質の拡散も当て
はめることができる。図において、１０６はｎ型オーミ
ック電極、１０７はｐ型オーミック電極である。
【０００９】図２は、第２例の構造を示す。図２におい
て、２０１は半絶縁性ＩｎＰ基板、２０３は厚さ３μｍ
でバンドギャップ波長１．４μｍのｎ型低キャリア濃度
ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層、２０４は厚さ２μｍでバンド
ギャップ波長１．２μｍのｎ型低キャリア濃度ＩｎＧａ
ＡｓＰ層、２０５は図１と同様の深さ３μｍ、長さ１０
０μｍのＺｎ拡散領域で幅は光入射端で２０μｍであ
り、光の進行方向に沿って徐々に５０μｍまで広がって
いる。２０６はｎ型オーミック電極、２０７はｐ型オー
ミック電極である。
て、２０１は半絶縁性ＩｎＰ基板、２０３は厚さ３μｍ
でバンドギャップ波長１．４μｍのｎ型低キャリア濃度
ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層、２０４は厚さ２μｍでバンド
ギャップ波長１．２μｍのｎ型低キャリア濃度ＩｎＧａ
ＡｓＰ層、２０５は図１と同様の深さ３μｍ、長さ１０
０μｍのＺｎ拡散領域で幅は光入射端で２０μｍであ
り、光の進行方向に沿って徐々に５０μｍまで広がって
いる。２０６はｎ型オーミック電極、２０７はｐ型オー
ミック電極である。
【００１０】図１及び図２に示す半導体導波路型受光素
子は吸収層１０３及び２０３をコア層とする光導波路構
造であり、入射光の広がりに応じて拡散領域が広がって
おり、波長１．３μｍの光はすべてｐｎ接合領域で吸収
されて光信号として取り出すことができる。ちなみに、
本例でのｐｎ接合面積はＺｎ拡散面積に等しく３５００
μｍ2 となって５ＧＨｚ程度の光信号の受信が十分可能
となる。また、本例では半導体基板として半絶縁性もし
くは導電性いずれの基板を用いても同様の効果を期待で
きる。また、一方の電極を半導体基板の裏面に形成して
も同様の効果が期待できる。
子は吸収層１０３及び２０３をコア層とする光導波路構
造であり、入射光の広がりに応じて拡散領域が広がって
おり、波長１．３μｍの光はすべてｐｎ接合領域で吸収
されて光信号として取り出すことができる。ちなみに、
本例でのｐｎ接合面積はＺｎ拡散面積に等しく３５００
μｍ2 となって５ＧＨｚ程度の光信号の受信が十分可能
となる。また、本例では半導体基板として半絶縁性もし
くは導電性いずれの基板を用いても同様の効果を期待で
きる。また、一方の電極を半導体基板の裏面に形成して
も同様の効果が期待できる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体導波路型受光素子のｐｎ接合を不純物拡散により
形成するため、ハイメサ加工をしなくても接合容量を低
減することができ、構造が簡略で低コストな半導体導波
路型受光器を実現することができる。
半導体導波路型受光素子のｐｎ接合を不純物拡散により
形成するため、ハイメサ加工をしなくても接合容量を低
減することができ、構造が簡略で低コストな半導体導波
路型受光器を実現することができる。
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す構造図。
【図２】本発明の実施の形態の他の例を示す構造図。
【図３】従来例の構造図。
１０１，２０１ ＩｎＰ基板 １０２ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層 １０３，２０３ 光吸収層 １０４，２０４ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層 １０５，２０５ 拡散領域
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−283080（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−224252（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−189982（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−38269（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−183185（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/10 - 31/119
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の半導体層と、 この第１の半導体層よりも光の吸収端波長が長く屈折率
の大きな第２の半導体層と、 この第２の半導体層より光の吸収端波長が短く屈折率の
小さな第３の半導体層と、 を有する半導体導波路型受光器において、 上記第２の半導体層を上記第１の半導体層上の全面に渡
り形成し、 上記第３の半導体層の一部に表面から所定深さにわたり
他の領域とは異なる導電形の拡散領域を光入射端から光
の進行方向に沿って次第に拡がるように形成し、 この拡散領域及び上記第２の半導体層の一面を深さ方向
に光入射端として露出させた、 ことを特徴とする半導体導波路型受光器。 - 【請求項２】 半導体基板と、 この半導体基板よりも光の吸収端波長が長く屈折率の大
きな第２の半導体層と、 この第２の半導体層より光の吸収端波長が短く屈折率の
小さな第３の半導体層と、 を有する半導体導波路型受光器において、 上記第２の半導体層を上記半導体基板上の全面に渡り形
成し、 上記第３の半導体層の一部に表面から所定深さにわたり
他の領域とは異なる導電形の拡散領域を光入射端から光
の進行方向に沿って次第に拡がるように形成し、 この拡散領域及び上記第２の半導体層の一面を深さ方向
に光入射端として露出させた、 ことを特徴とする半導体導波路型受光器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02915496A JP3276836B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 半導体導波路型受光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02915496A JP3276836B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 半導体導波路型受光器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223805A JPH09223805A (ja) | 1997-08-26 |
| JP3276836B2 true JP3276836B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=12268356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02915496A Expired - Lifetime JP3276836B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 半導体導波路型受光器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3276836B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112011102929B4 (de) | 2010-09-03 | 2023-04-27 | Yazaki Corporation | Fahrzeug-Anzeigevorrichtung und Fahrzeug-Anzeigesystem |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6064782A (en) * | 1998-05-22 | 2000-05-16 | Lucent Technologies Inc. | Edge receptive photodetector devices |
| JP2001189468A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
| JP2001223369A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Opnext Japan Inc | 端面入射導波路型半導体受光素子およびそれを用いた光受信モジュール |
| JP5181749B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2013-04-10 | 日本電気株式会社 | 端面入射型受光素子、その光結合方法及び光結合構造 |
| JP5747592B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-07-15 | 富士通株式会社 | 受光装置 |
-
1996
- 1996-02-16 JP JP02915496A patent/JP3276836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112011102929B4 (de) | 2010-09-03 | 2023-04-27 | Yazaki Corporation | Fahrzeug-Anzeigevorrichtung und Fahrzeug-Anzeigesystem |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09223805A (ja) | 1997-08-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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