KR20000055883A - 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광 감지소자에 관한 것으로, 광 감지소자에 있어서 빛을 받아들이는 면적을 크게 함으로써 광 감지소자의 빛 감지 시간을 빠르게 하여 동작 수행능력을 향상시키는데 그 목적이 있다.
본 발명은 빛을 발산하는 광원과; 상기 광원의 빛을 투과시키는 윈도우와; 상기 윈도우로부터 투과된 빛의 세기에 따라 광전류를 생성하는 센서 박막 트랜지스터와; 상기 센서 박막 트랜지스터에서 생성된 광전류를 전하의 형태로 저장하는스토리지 캐패시터와; 스위치 게이트 전극, 스위치 반도체층, 스위치 소스/드레인전극, 상기 스위치 반도체층으로 입사되는 빛을 차광하고 상기 스위치 게이트 전극과 전기적으로 연결된 차광막을 포함하며, 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전하의 방출을 제어하는 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자에 있어서, 상기 차광막을 제 2 스위치 게이트로 활용함으로써 동작속도를 개선하고, 윈도우 및 스토리지 캐패시터의 용량을 최대화하는 방법과 그 구조에 관해 개시하고 있다.

Description

박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법{METHOD FOR FABRICATING THE THIN FILM TRANSISTOR TYPE PHOTO SENSOR}
본 발명은 박막 트랜지스터를 이용한 광 감지소자에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 박막 트랜지스터형 광 감지소자에서 차광막으로 쓰이는 금속층을 이용하여광 감지소자의 동작 속도를 개선하는데 그 목적이 있다.
일반적으로 광 감지소자(photo sensor)는 팩시밀리(facsimile) 또는 디지털복사기(digital copying machine)등의 영상처리 장치에서 영상 판독기(image reader)로 사용된다. 또한, 정보화 시대로 발전함에 따라 개인을 식별하는 인식장치인 지문 감식기에도 적용되고 있다. 이러한 영상 판독기로 사용되는 광 감지소자는 내부 광원으로부터 빛을 받아 피사체에 반사된 빛의 세기에 따라 전하를 저장하고, 저장된 전하를 구동회로를 통해서 외부로 출력하는 장치이다.
특히, 광 감지소자를 구성하는 패널의 제조 공정은 매우 복잡한 여러 가지 단계들이 복합적으로 이루어져 있으며, 광 감지 소자의 일부분인 박막 트랜지스터가 형성되는 부분은 여러 번의 마스크 공정을 거쳐야 한다. 또한 광 감지소자는 두개 이상의 박막 트랜지스터가 배열 되여 있고 빛을 받아들이는 윈도우로 구성되어있다.
상술한바와 같이 빛을 받아 동작하는 광 감지소자는 일반적으로 다이오드와같은 2 단자 소자가 쓰였으나, 근래 들어 반도체 산업의 발전에 따라 3 단자 소자인 박막 트랜지스터가 사용된다. 특히 광 감지소자의 감지부는 액티브층이 비정질실리콘인 박막 트랜지스터가 사용되는데, 이는 비정질 실리콘이 빛에 민감한 성질을 띠고있기 때문이다. 즉 비정질 실리콘 박막이 빛에 노출되면 그의 전기 전도도크게 변함으로 인해 저항이 암상태와 비교해서 작아지게 된다.
전술한바와 같이 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 암상태와 광 상태에서의전기적 특성이 변화되는데, 이러한 특성을 이용한 장치가 박막 트랜지스터형 광 감지소자이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 일반적인 박막 트랜지스터형 광 감지소자의 구성과 작용을 상세히 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 상에 하부 광원으로부터 빛을 받아들이는 윈도우(24, C, window)가 구성되어있고, 윈도우(8)를 통해서 들어온 빛을 반사시키는피사체가 광 감지소자(100) 상에 위치한다.
상기 피사체에 반사되는 빛을 감지하여 전류를 생성하는 광 감지용 박막 트랜지스터(A)는 1 게이트 전극(10, 이하 센서 게이트라 한다)과 비정질 실리콘의 액티브층(22), 드레인 배선(16)에 연결된 드레인 전극(18), 화소 전극(8)에 연결된 소스 전극(20)과 함께 형성된다.
상기 광 감지용 박막 트랜지스터(A, 이하 센서 박막 트랜지스터라 칭한다)에의해 흐르는 광전류는 전하 축적수단(B, 이하 스토리지 캐패시터라 칭한다)에 축적되고, 스토리지 캐패시터(B)에 축적된 전하는 스위칭 역할을 하는 박막트랜지스터(D, 이하 스위칭 박막 트랜지스터라 칭한다)에 의해 외부의 구동회로(미도시)로 보내어 진다. 상기 센서 박막 트랜지스터(A)에서 생성되는 광전류는 빛의세기가 크면 클수록, 센서 박막 트랜지스터(A)의 채널 길이(channel width)가 클수록 많은 양이 생성된다.
또한, 박막 트랜지스터형 광 감지소자(100)의 감지 속도는 상기 스위칭 박막트랜지스터(D)의 소자 특성에 따라 좌우된다. 즉, 스토리지 캐패시터(B)에 저장된피사체의 영상정보를 스위칭 하는 상기 스위칭 박막 트랜지스터(D)는 스위칭 속도,즉, 온(on) 상태에서의 전류가 커야한다.
일반적으로 광 감지소자(100)는 빛을 받아 피사체에 반사시키는 구조를 취하고 있기 때문에, 소정의 크기 이상의 면적을 차지하는 윈도우(C)는 필수적이다. 또한, 피사체에 반사된 빛에 의해 생기는 광전류를 전하의 형태로 저장하는 수단인 스토리지 캐패시터(B)도 일정한 용량을 유지해야 하기 때문에, 이 또한 소정의 면적을 차지하고 있다. 그리고 상기 스위칭 박막 트랜지스터(D)에 빛이 입사되는 것을 방지하기 위한 차광막(미도시)은 스위칭 박막 트랜지스터(D)의 채널 영역 상에위치해서 빛에 의한 스위칭 박막 트랜지스터(D)의 오동작을 방지한다.
도 1의 스위칭 박막 트랜지스터(D)와 그 주변 부의 관계를 나타내는 도 2에서 자세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 스위치 게이트(14) 상에 액티브층(22)이 위치하고 소스 배선(2) 상에 스위치 소스 전극(4)이 형성되어 있다. 또한, 스토리지 캐패시터(B)와 연결된 스위치 드레인 전극(6)이 형성되어 있다. 그리고 상기 액티브층(22)을 차광하기 위한블랙 매트릭스(black matrix, 30)가 상기 스위치 게이트 전극(14)과 나란히 형성되어 있다.
상기 블랙 매트릭스(30)는 접지를 위해서 어레이(array) 외부에서 별도의 접지 배선을 통해 접지되는 구조로 되어 있다.
상술한바와 같이 광 감지소자(100)의 원활한 동작을 위해서는 스위칭 박막 트랜지스터(D)의 스위칭 동작이 빨라야 한다.
그러나, 도 2와 같이 종래의 구조로 광 감지소자를 형성할 경우에는해상도(resolution)가 증가할수록 한 픽셀의 크기는 작아지고 이에 따라 윈도우의확보가 어려울 수 있으며, 광원으로부터 입사되는 빛의 양이 작아 감지 능력에 문제가 생길 수 있다.
다시 말해, 고 해상도(high resolution)의 광 감지소자는 한 픽셀의 크기가작아지게 되고, 이에 따라 스토리지 캐패시터의 면적 및 윈도우의 크기가 작아지게된다.
또한, 차광막으로 사용하는 블랙 매트릭스의 배선으로 인해 픽셀 내에 많은공간을 차지하게 되어 스토리지 캐패시터 또는 윈도우의 면적이 잠식될 우려가 있으며, 따라서, 스토리지 캐패시터의 면적 확보를 위해서는 윈도우의 면적이 상대적으로 작아지게된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 도 3에 도시된 바와 같은 방법으로 광감지소자를 설계할 수 있다. 즉, 도 3에서 보는 바와 같이 상기 게이트 배선(14')과 상기 블랙 매트릭스(30')를 겹치게 형성함으로서, 도 2의 상기 블랙 매트릭스(30)와 게이트 배선(14')이 이격되어 생기는 공간을 최소화 할 수 있다.
그러나, 상기 게이트 배선(14')과 상기 블랙 매트릭스(30')가 오버랩 됨에따라 생기는 기생 충전용량(parasitic capacitance)에 의해 신호 지연으로 인한 광감지소자의 동작속도가 떨어질 수 있다.
또한, 기존 광 감지소자의 등가회로를 나타내는 도 4에서 보면 스위칭 박막트랜지스터(D) 상에 형성된 차광막(14)은 접지를 위해 별도의 접지 배선(E)을 따라접지 되고 있다.
따라서, 광 감지소자가 효율적인 감지와 동작을 하기 위해서는 픽셀내의 공간을 차지하는 상기 블랙 매트릭스 또는 차광막의 설계를 효율적으로 해야 한다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 블랙 매트릭스를 새로운 개념의 설계를 도입하여 픽셀내의 공간 활용을 최대화하는데 그 목적이 있다.
또한, 스토리지 캐패시터 및 윈도우의 면적을 증가하는데 그 목적이 있다.
게다가, 블랙 매트릭스를 이용하여 스위칭 박막 트랜지스터의 온 전류(on current)를 향상하여 광 감지소자의 동작속도를 개선하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 광 감지소자의 한 픽셀을 나타내는 평면도.
도 2는 도 1의 스위칭 박막 트랜지스터부분을 확대한 평면도.
도 3은 도 1의 스위칭 박막 트랜지스터 부분을 개량한 평면도.
도 4는 도 1의 등가회로를 나타내는 등가회로도.
도 5는 본 발명에 따라 제작된 광 감지소자의 스위칭 박막 트랜지스터 부분을 확대한 평면도.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 실시예에 따른 제작공정을 나타내는 공정도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 제작된 광 감지소자의 등가회로를 나타내는등가회로도.
도 8은 기존의 역 스태거드형 박막 트랜지스터와 이중 게이트 전극형 박막 트랜지스터의 전이특성을 비교한 전이특성도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 기판 (Glass) 52 : 스위치 게이트 전극
54 : 차광막 56 : 콘택홀
86a : 스위치 액티브층 60 : 스위치 소스 배선
62 : 스위치 소스 전극 70 : 제 2 스토리지 전극
72 : 스위치 드레인 전극 80 : 제 1 스토리지 전극
82 : 센서 게이트 전극 84 : 제 1 절연막
94 : 센서 소스 전극 96 : 센서 드레인 전극
D : 스위칭 박막 트랜지스터 S : 스토리지 캐패시터
A : 센서 박막 트랜지스터
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 빛을 발산하는 광원과; 상기 광원의 빛을 투과시키는 윈도우와; 상기 윈도우로부터 투과된 빛의 세기에 따라 광전류를 생성하는 센서 박막 트랜지스터와; 상기 센서 박막 트랜지스터에서 생성된 광전류를 전하의 형태로 저장하는 스토리지 캐패시터와; 스위치 게이트 전극과 상기 스위치 게이트 전극의 상부에 위치하며, 상기 게이트 전극의 소정의 위치에서 상기 스위치 게이트 전극과 전기적으로 접촉된 차광막을 포함하며, 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전하의 방출을 제어하는 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자를 개시하고 있다.
또한, 본 발명은 빛을 발산하는 광원과; 픽셀 내에 위치하며 상기 광원의 빛을 투과시키는 윈도우와; 상기 윈도우로부터 투과된 빛의 세기에 따라 광전류를 생성하는 센서 박막 트랜지스터와; 상기 센서 박막 트랜지스터에서 생성된 광전류를전하의 형태로 저장하는 스토리지 캐패시터와; 스위치 게이트 배선과 상기 스위치게이트 배선의 일측에 형성된 게이트 전극과, 상기 스위치 게이트 전극의 상부에 위치하며, 상기 스위치 게이트 배선의 소정의 위치에서 상기 스위치 게이트 배선과전기적으로 접촉된 접지 배선을 포함하는 차광막과, 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전하의 방출을 제어하는 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자를 개시하고 있다.
게다가, 본 발명은 기판을 구비하는 단계와; 상기 기판 상에 제 1 금속층을증착하고 패터닝하여 게이트 배선과 게이트 전극을 포함하는 스위치 게이트 패턴과, 제 1 스토리지 전극과, 게이트 배선과 게이트 전극을 포함하는 센서 게이트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 스위치 게이트 패턴과 상기 센서 게이트 패턴 및 상기제 1 스토리지 전극이 형성된 기판상의 전면에 제 1 절연막을 증착하는 단계와; 상기 스위치 및 센서 게이트 전극 상부의 제 1 절연막 상에 각각 센서 액티브층 및 스위치 액티브층을 형성하는 단계와; 제 2 금속층으로 상기 센서 액티브층상에 센서 드레인 전극 및 센서 소스 전극과, 상기 스위치 액티브층 상에 스위치 드레인 전극 및 스위치 소스 전극과, 상기 제 1 스토리지 전극 상부의 제 1 절연막 상에 제 2 스토리지 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 2 금속층 상의 전면에 제 2 절연막을 형성하는 단계와; 상기 스위치 게이트 패턴 상의 소정의 위치에 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 스위치 액티브층의 상기 제 2 절연막 위에 상기 콘택홀을 통해 상기 스위치 게이트 패턴과 전기적으로 접촉하는 접지 배선을 포함하는 제 3 금속층의 차광막을 형성하는 단계와; 상기 제 3 금속층의 전면에 걸쳐 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법을 개시하고 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 구성과 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 제작된 박막 트랜지스터형 광 감지소자의스위칭 박막 트랜지스터부분에 해당하는 도면으로서, 스토리지 캐패시터(S)가 형성되어 있고, 제 2 스토리지 전극(70)과 그의 일측에 스위치 드레인 전극(72)이 형성되어 있다. 그리고, 스위치 게이트 배선(50)과 그의 일측에 스위치 게이트전극(52)이 형성되어 있고, 상기 스위치 게이트 전극 상에 스위치 반도체층(58)이형성되어 있다. 또한, 스위치 소스 배선(60)과 스위치 소스 전극(62)이 형성되어있다.
게다가, 상기 스위치 반도체층(86a)을 빛으로부터 보호하는 차광막(54)이 상기 스위치 반도체층(86a) 상부에 위치하고 있다. 또한, 상기 차광막(54)은 콘택홀(56)을 통해 상기 스위치 게이트 전극(54)과 전기적으로 접촉하고 있다. 즉,상기 차광막(54)은 상기 스위치 게이트 전극(52)과 접속함으로써, 전위 차가 상기스위치 게이트 전극(52)과 같게 된다. 이로 인한 이중 게이트 효과에 의해 스위칭박막 트랜지스터(D)는 온 상태(on state)에서 전류가 크게 된다. 따라서, 상기 스토리지 캐패시터(S)에 저장된 전하의 방출을 신속하게 제어할 수 있기 때문에 광감지소자의 동작속도를 개선하는 효과가 있다.
또한, 상기 차광막(54)에 접지 배선(미도시)을 형성하여 상기 스위치 게이트배선(50)의 임의의 위치와 접촉할 수도 있다. 즉, 광 감지소자의 소자 가 배열된 부분이 아닌 어레이(array) 외곽에서 접촉할 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예에 따른 광 감지소자의 더욱더 자세한 설명을 위해공정도인 도 6a 내지 6f로 설명하면 다음과 같다.
먼저 제 1 금속층을 증착하고 패터닝 하는 단계로 도 6a에서 보듯이 스위치게이트 전극(52)과 제 1 스토리지 전극(80), 센서 게이트 전극(82)을 형성한다.
다음에는 제 1 금속층의 상부에 제 1 절연층(84)을 형성하는 단계로 도 6b와같이 형성한다.
도 6c는 액티브층을 형성하는 단계로 상기 스위치 게이트 전극(52) 상의 제 1 절연층 상에 스위치 액티브층(86a)과 상기 센서 게이트 전극(82) 상의 제 1 절연층(84) 상에 센서 액티브층(86b)을 형성한다. 상기 액티브층은 비정질 실리콘(a-Si:H)을 화학 기상 증착법(CVD)으로 증착해서 패터닝 한다. 또한, 상기 스위치 액티브층은 추후에 형성될 콘택홀을 고려해 상기 스위치 게이트 전극(52) 보다 작게 형성한다.
이후, 스위치 소스/드레인 전극(62, 72), 제 2 스토리지 전극(70), 센서 소스/드레인 전극(94,96)을 형성하는 단계로 제 2 금속층을 증차하고 패터닝하여 형성한다(도 6d 참조).
도 6e는 제 2 절연막을 증착하는 단계로 상기 액티브층(86a, 86b)을 외부의 불순물이나 습기로부터 보호를 목적으로 한다.
상기 제 2 절연막 증착 후에 상기 스위치 게이트 전극(52) 상의 제 1 및 제 2 절연막 상의 소정의 위치에 콘택홀(56)을 형성한다. 상기 콘택홀(56)은 추후 공정에서 생성될 차광막과 상기 스위치 게이트 전극(52)의 접촉을 위해 형성한다.
최종적으로 제 3 금속층을 증착하고 패터닝하여 차광막(54)을 형성한다. 이때 상기 차광막(54)은 상기 콘택홀(56)을 통하여 상기 스위치 게이트 전극(52)과 전기적으로 접촉한다(도 6f 참조).
상술한바와 같이 스위치 액티브층 상에 형성된 차광막(54)은 스위치 게이트전극(52)과 전기적인 접촉으로 인해 그 전위가 상기 스위치 게이트 전극(52)과 같게되어, 이중 게이트 효과로 스위칭 박막 트랜지스터의 전기적인 특성이 향상되게된다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 제작된 박막 트랜지스터형 광 감지소자의 등가회로를 나타낸 도면으로, 스위칭 박막 트랜지스터 부분인 D는 차광막(54)을 포함하며, 스위치 게이트 전극 또는 스위치 게이트 배선에 공통 접속하고 있다.
즉, 다시 말해, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(D)의 동작은 상기 스위치 게이트 전극(52) 뿐만 아니라, 상기 차광막(54) 또한 상부 게이트 전극의 역할을 하게되어 스위칭 박막 트랜지스터(D)의 동작수행 시간을 현저히 줄일 수 있다.
도 8은 이중 게이트 전극을 사용한 박막 트랜지스터의 전이특성 도면으로, 실험 조건은 채널 너비 대 채널 길이(W/L)는 16/8 이고 드레인 전압은 10 V 이다.
도면에서 보듯이 일반적인 광 감지소자에 쓰이는 역 스태거드형 박막 트랜지스터와 본 발명에 따른 이중 게이트 전극의 박막 트랜지스터를 비교해보면 본 발명에 따른 이중 게이트 전극의 박막 트랜지스터가 전기적 특성이 우수하게 나타났다.
또한, 게이트 전압 20 V 에서 비교해보면 본 발명의 박막 트랜지스터가 기존의 박막 트랜지스터보다 약 2배 이상의 온 전류증가를 보였다. 게다가, 온/오프(on/off) 특성을 좌우하는 게이트 전압 스윙(gate voltage swing) 또한 기존의 박막 트랜지스터보다 작게 측정되어, 스위칭 특성 면에서도 우수한 특성을 보였다.
상술한바와 같은 본 발명에 따른 실시예로 박막 트랜지스터형 광 감지소자를제작하면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 차광막을 스위치 게이트 패턴에 접속함으로써 이중 게이트 효과로 인한 스위칭 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상할 수 있는 장점이 있다.
둘째, 이중 게이트 효과로 인해 광 감지소자의 동작속도가 증가하는 장점이있다.
셋째, 차광막 접지선의 영향을 배제할 수 있기 때문에, 어레이 기판내의 공간활용도가 증가하여, 스토리지 캐패시터 및 윈도우의 면적이 증가하는 장점이 있다.

Claims (9)

  1. 빛을 발산하는 광원과;
    상기 광원의 빛을 투과시키는 윈도우와;
    상기 윈도우로부터 투과된 빛의 세기에 따라 광전류를 생성하는 센서 박막 트랜지스터와;
    상기 센서 박막 트랜지스터에서 생성된 광전류를 전하의 형태로 저장하는 스토리지 캐패시터와;
    스위치 게이트 전극, 스위치 반도체층, 스위치 소스/드레인 전극, 상기 스위치 반도체층으로 입사되는 빛을 차광하고 상기 스위치 게이트 전극과 전기적으로 연결된 차광막을 포함하며, 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전하의 방출을 제어하는 스위칭 박막 트랜지스터
    를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 차광막은 상기 스위치 소스/드레인 전극 상부에 형성된 절연막의 콘택홀을 통해 상기 스위치 게이트 전극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 콘택홀은 상기 스위치 게이트 전극 상부까지 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 김지소자.
  4. 빛을 발산하는 광원과;
    픽셀 내에 위치하며 상기 광원의 빛을 투과시키는 원도우와;
    상기 윈도우로부터 투과된 빛의 세기에 따라 광전류를 생성하는 센서 박막 트랜지스터와;
    상기 센서 박막 트랜지스터에서 생성된 광전류를 전하의 형태로 저장하는 스토리지 캐패시터와;
    스위치 게이트 배선 및 그 일측에 형성된 스위치 게이트 전극, 스위치 반도체층, 스위치 소스/드레인 전극, 상기 스위치 반도체층으로 입사되는 빛을 차광하고 상기 스위치 게이트 배선과 전기적으로 연결된 차광막을 포함하며, 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전하의 방출을 제어하는 스위칭 박막 트랜지스터
    를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 차광막은 상기 스위치 소스/드레인 전극 상부에 형성된 절연막의 콘택홀을 통해 상기 스위치 게이트 배선과 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 콘택홀은 상기 스위치 게이트 배선 상부까지 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자.
  7. 기판을 구비하는 단계와,
    상기 기판 상에 제 1 금속층을 증착하고 패터닝하여 게이트 배선과 게이트 전극을 포함하는 스위치 게이트 패턴과, 제 1 스토리지 전극과, 게이트 배선과 게이트 전극을 포함하는 센서 게이트 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 스위치 게이트 패턴과 상기 센서 게이트 패턴 및 상기 제 1 스토리지 전극이 형성된 기판상의 전면에 제 1 절연막을 증착하는 단계와;
    상기 스위치 및 센서 게이트 전극 상부의 제 1 절연막 상에 각각 스위치 액티브층 및 센서 액티브층을 형성하는 단계와;
    제 2 금속층으로 상기 스위치 액티브층 상에 스위치 드레인 전극 및 스위치소스 전극과, 상기 센서 액티브층상에 센서 드레인 전극 및 센서 소스 전극과, 상기 제 1 스토리지 전극 상부의 제 1 절연막 상에 제 2 스토리지 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 금속층 상의 전면에 제 2 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 스위치 게이트 패턴 상의 소정의 위치에 콘택홀을 형성하는 단계와;
    제 3 금속층을 증착하고 패터닝하여 상기 스위치 액티브층의 상기 제 2 절연막 위에 상기 콘택홀을 통해 상기 스위치 게이트 패턴과 전기적으로 접촉하는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계
    를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 상기 스위치 게이트 전극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 상기 스위치 게이트 배선과 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법.
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