KR100225099B1 - 액정표시장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 스위칭영역과 반사영역을 갖는 투명한 절연기판과, 상기 기판 상의 스위칭영역에 형성된 게이트전극과, 상기 기판 상의 스위칭영역 및 반사영역에 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연층과, 상기 게이트절연층 상의 스위칭영역에 불순물이 도핑되지 않은 비성질실리콘으로 이루어져 상기 게이트전극과 중첩되는 도상(島狀)의 활성층과, 상기 활성층 상의 가운데 부분을 제외한 양측 부분에 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 형성된 오믹접촉층과, 상기 오믹접촉층 상에 스위칭영역의 게이트절연층과 접촉되게 형성된 소오스 및 드레인전극과, 상기 스위칭영역에 상기 드레인영역의 소정 부분이 노출되게 형성된 보호막층과, 상기 보호막층 상에 형성된 차광층과, 상기 게이트절연층 상에 상기 보호막층과 차광층을 이루는 물질이 적층되어 원뿔대 형상을 이루도록 형성된 다수 개의 산란돌출부와, 상기 산란돌출부를 포함하는 반사영역에 전기전도성 및 광 반사 특성이 좋은 금속으로 형성되며 상기 소오스 또는 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 화소전극을 포함한다. 따라서, 박막트랜지스터의 활성층과 차광층이 접촉되지 않으므로 박막트랜지스터의 특성 및 신뢰성이 향상되며, 또한, 차광층을 노광 및 현상한 후 이 차광층을 마스크로 사용하여 보호막층을 패터닝하므로 공정이 간단해진다.

Description

액정표시장치 및 그 제조 방법

제1도는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 단면도.

제2도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 평면도.

제3도는 제2도를 I-I 선으로 자른 단면도.

제4도(a) 내지 (e)는 본 발명에 따른 액성표시장치의 제조공정도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

31 : 게이트 버스라인 33 : 데이터 버스라인

41 : 기판 43 : 게이트전극

45 : 게이트절연층 47 : 활성층

49 :오믹접촉층 51 : 소오스전극

52 : 드레인전극 53 : 보호막층

55 : 차광층 57 : 산란돌출부

59 : 화소전극 61 : 배향층

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 개구율을 향상시키기 위해 박막트랜지스터 어레이 상에 차광층을 형성하는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

액성표시장치는 하부 기판 상에 스위칭소자인 박막트랜지스터와 이에 연결된 화소전극으로 구성된 단위 화소가 어레이 상태로 종횡으로 배열되어 있다. 어레이 상태로 배열된 단위 화소들은 종방향(또는 횡방향)을 따라 배열된 각 박막트랜지스터의 게이트전극들이 서로 연결되어 신호를 전달하기 위해 적어도 하나 이상의 게이트 버스라인이 형성되고, 횡방향(또는 종방향)을 따라서 배열된 각 박막트랜지스터의 소오스전극들이 서로 연결되어 신호를 전달하기 위해 적어도 하나 이상의 데이터 버스라인이 게이트 버스라인과 교차되어 형성된다. 이렇게 형성된 기판은 통상 박막트랜지스터 어레이 기판 또는 하부 기판이라고 한다. 또한, 다른 기판 상에는 화소전극을 제외한 영역에 대응하는 위치에 형성된 차광층, 화소전극에 대응하여 공통전압이 인가되는 대응전극 및 컬러디스플레이를 위한 컬러필터가 형성되어 있다. 이렇게 형성된 다른 기판은 통상 대응전극기판 또는 상부 기판이라고 한다. 이와같은 상부 기판 및 하부 기판은 서로 합착되어 그 사이의 공간에 액정이 주입되는데, 합착공정을 진행하기 전에 상부기판 및 하부 기판에 각각 폴리이미드 등을 도포하고 러빙하여 배향층을 형성한다.

상술한 구조의 액정표시장치는 차광층이 상부 기판 상에 형성되므로 상부 기판과 하부 기판을 합착할 때 발생할 수 있는 박막트랜지스터와 차광층이 일치되지 않고 정렬오차가 발생되므로 차광층을 정렬오차에 대한 마진을 계산하여 형성해야 하므로 평면 크기가 커지게 되어 액정표시장치의 개구율이 감소되는 문제점을 갖는다.

그러므로, 박막트랜지스터 어레이 상에 차광층을 형성하여 상부 기판과 하부 기판을 합착시 박막트랜지스터와 차광층 사이에 정렬오차가 발생되는 것을 방지하여 차광층의 펑면 크기를 감소시켜 개구율을 향상시킬 수 있는 구조의 액정표시장치가 개발되었다.

제1도는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 단면도이다.

종래 기술에 따른 액정표시장치는 박막트랜지스터가 형성되는 스위칭영역(s)과 다수 개의 산란돌출부(25) 및 화소전극(28)이 형성되어 광을 산란시켜 반사시키는 반사영역(r)으로 나누어진다.

상기 박막트랜지스터는 투명한 절연기판(11) 상의 스위칭영역(s) 상에 게이트전극(13), 게이트절연층(15), 활성층(l7), 오믹접촉층(19), 소오스 및 드레인전극(21), (22), 차광층(23) 및 보호막층(27)으로 이루어 진다.

게이트전극(13)은 기판(11) 상의 스위칭영역(s)의 소정 부분에 형성되며, 게이트절연층(15)은 게이트전극(13)을 덮도록 스위칭영역(s) 및 반사영역(r)에 형성된다. 활성층(17)은 게이트절연층(15) 상의 스위칭영역(s)에 형성된 게이트전극(l3)과 대응되게 형성되며, 오믹접촉층(19)은 활성층(17) 상의 양측에 형성된다. 오믹접촉층(19) 상에 게이트절연층(15)과 접촉되게 소오스 및 드레인전극(21), (22)이 형성된다. 그리고, 스위칭영역(s)의 활성층(17)의 노출된 부분과 소오스 및 드레인전극(21), (22) 상에 불투명 절연성 수지로 이루어져 광이 투과되는 것을 방지하는 차광층(23)이 형성된다. 상기 차광층(23)은 드레인전극(22)의 소성 부분이 노출되게 형성된다.

산란돌출부(25)는 반사영역(r)의 게이트절연층(15) 상에 소성 경사각을 갖는 원뿔대 형상을 이루며 다수 개가 형성된다. 상기 산란돌출부(25)는 차광층(23)과 동일한 불투명 절연성 수지로 형성되는 것으로 동일한 노광 및 현상 공정에 의해 형성된다.

그리고, 보호막층(27)이 스위칭영역(s)과 반사영역(r)의 상의 전 표면에 드레인전극(22)이 노출되게 고분자 수지 등이 도포되어 형성된다. 화소전극(28)은 반사영역(r)의 보호막층(27) 상에 드레인전극(22)과 접촉되어 전기적으로 연결되게 형성된다. 상기 화소전극(28)은 산란돌출부(25)에 의해 표면이 평탄하지 않도록 형성되므로 상부기판의 칼라 필터를 통해 입사되는 주변광을 산란시키면서 반사시키므로 시야각(view angle)을 좋게 한다. 그리고, 그리고, 보호막층(27) 및 화소전극(28) 상에 폴리이미드 등을 도포하고 러빙하여 배향층(29)을 형성한다.

상술한 종래의 액정표시장치는 차광층이 박막트랜지스터 상에 형성되므로 공통전압이 인가되는 대응전극 및 컬러필더가 형성된 상부 기판과 합착할 때 박막트랜지스터와 차광층이 일치되어 정렬오차가 발생되는 것을 방지하므로 차광층의 평면 크기를 감소시키면서 개구율을 향상시킬 수 있다.

그러나, 상술한 구조의 액장표시장치는 차광층이 채널이 되는 활성층과 접촉되어 드레쉬홀드 전압이 변화시키므로 박막트랜지스터의 특성 및 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다. 또한, 보호막층을 차광층 및 산란돌출부를 노광 및 현상하는 마스크로 다른 별도의 마스크로 패터닝하므로 공정이 복잡해지는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 활성층과 차광층이 접촉되지 앞도록 하여 박막트랜지스터의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 액정표시장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 차광층과 노광 및 현상한 후 차광층을 마스크로 사용하여 보호막층을 패터닝하므로 공정이 간단한 액정표시장치의 제조방법을 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는 스위칭영역과 반사영역을 갖는 투명한 절연기판과, 상기 기판 상의 스위칭영역에 형성된 게이트전극과, 상기 기판 상의 스위칭영역 및 반사영역에 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연층과, 상기 게이트절연층 상의 스위칭영역에 불순물이 도핑되지 앞은 비정질실리콘으로 이루어져 상기 게이트전극과 중첩되는 도상(島狀)의 활성층과, 상기 활성층 상의 가운데 부분을 제외한 양측 부분에 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 형성된 오믹접촉층과, 상기 오믹접촉층 상에 스위칭영역의 게이트절연층과 접촉되게 형성된 소오스 및 드레인전극과 상기 스위칭영역에 상기 드레인영역의 소정 부분이 노출되게 형성된 보호막층과, 상기 보호막층 상에 형성된 차광층과, 상기 게이트절연층 상에 상기 보호막층과 차광층을 이루는 물질이 적층되어 원뿔대 형상을 이루도록 형성된 다수 개의 산란돌출부와, 상기 산란돌출부를 포함하는 반사영역에 전기전도성 및 광 반사 특성이 좋은 금속으로 형성되며 상기 소오스 또는 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 화소전극을 포함한다.

상기 다른 목적을 달성하기 의한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 스위칭영역과 반사영역을 갖는 투명한 절연기판 상의 상기 스위칭영역에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극을 덮도록 상기 기판 상의 스위칭영역과 반사영역에 게이트절연층을 형성하는 공정과, 상기 게이트절연층 상의 상기 게이트전극과 대응하는 부분에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘과 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 도상(島狀)의 활성층과 오믹접촉층을 형성하는 공정고, 상기 오믹접촉층 상의 양측 소정 부분과 게이트절연층 상에 소오스 및 드레인전극을 형성하고 상기 형성된 소오스 및 드레인전극을 마스크로 사용하여 상기 오믹접촉층의 노출된 부분을 상기 활성층이 노출되도록 제거하는 공정과, 상기 스위칭영역의 표면과 상기 반사영역의 상기 게이트절연층 상에 보호막층과 차광층을 형성한 후 동일한 마스크로 상기 스위치영역상에 상기 소오스 또는 드레인전극의 소정 부분이 노출되게 남도록 패터닝함과 동시에 반사영역에 산란돌출부를 형성하는 공정과, 상기 산란돌출부를 포함하는 반사영역에 상기 소오스 또는 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 구비한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세한 설명한다.

제2도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 평면도이다.

본 발명에 따른 액정표시장치는 박막트랜지스터가 형성되는 스위칭영역(S)과 산란돌출부(57)와 화소전극(59)이 형성되어 광을 산란 및 반사시키는 반사영역(R)으로 이루어진다.

상기 스위칭영역(S)에 게이트 버스라인(31)과 데이터 버스라인(33)이 서로 수직하게 교차되어 있다. 게이트 버스라인(31)과 데이터 버스라인(33)이 교차된 부분에 게이트 버스라인(31)으로 부터 연장된 게이트전극(43)과 데이터 버스라인(33)으로부터 연장된 소오스전극(51)이 형성된다. 게이트전극(43)을 중심으로 소오스전극(51)에 대응하는 드레인전극(52)이 형성되며 게이트전극(43)과 중첩되는 도상(島狀)의 불순물이 도핑되지 않은 활성층(47)이 형성된다.

그리고, 게이트 버스라인(31)과 데이터 버스라인(33)의 교차부 사이의 반사영역(R)에 원뿔대 형상의 산란돌출부(57)가 다수 개 형성되며 화소전극(59)이 드레인전극(52)과 전기적으로 연결되게 형성된다. 또한, 게이트전극(43)을 포함하는 게이트 버스라인(31)과 소오스전극(51)을 포함하는 데이터 버스라인(33)이 형성된 스위칭영역(S)에 차광층(55)이 형성된다. 상기에서 차광층(55)은 반사영역(R)의 화소전극(59)의 가장자리와 중첩되게 형성되어 게이트 버스라인(31) 및 데이터 버스라인(33)과 화소전극(59) 사이 영역까지 차광되게 한다.

제3도는 제2도를 I-I 센으로 자른 단면도이다.

상기 본 발명에 따른 박막트랜지스터는 투명하고 절연성을 갖는 물질로 이루어진 기판(41)의 상의 스위칭영역(S)에 게이트전극(43)이 형성되고, 스위칭영역(S) 및 반사영역(R) 상에 게이트전극(43)을 덮는 게이트절연층(45)이 형성된다. 상기에서 게이트전극(43)은 알루미늄(Al), 알루미늄합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴합금, 티타늄(Ti), 티타늄합금, 탄탈륨(Ta), 탄탈륨합금, 코발트(Co) 또는 코발트합금 등의 도전성금속이 2000∼ 3000Å 정도의 두께로 형성된다. 그리고, 게이트절연층(45)은 실리콘산화물(SiO) 또는 실리콘질화물(SiN) 등의 절연물질이 3000∼ 4000Å 정도의 두께로 증착되어 형성된다.

게이트절연층(45) 상의 스위칭영역(S)에 게이트전극(43)과 중첩되게 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘이 1500∼ 2000Å 정도의 두께로 이루어진 채널로 이용되는 활성층(47)이 형성된다. 활성층(47) 상의 양측에 불순물이 도핑된 비정질실리콘이 500∼1000Å 정도의 두께로 이루어진 오믹접촉층(49)이 형성되며, 이 오믹접촉층(49)과 게이트절연층(45) 상에 알루미늄 또는 크롬(C)등의 금속이 2000∼3000Å 정도의 두께로 형성된 소오스 및 드레인전극(51), (52)이 형성된다.

상기에서 오믹접촉층(49)은 인(P) 등의 N형 불순물, 또는, 보론(B) 등의 P형 불순물이 고농도로 도핑되어 활성층(47)을 소오스 및 드레인전극(51), (52)과 오믹접촉시킨다. 그리고, 활성층(47)의 노출된 부분과 소오스 및 드레인전극(5l), (52) 상에 실리콘산화물(SiO) 또는 설리콘질화물(SiN) 등의 절연물질이 3000∼4000Å 정도의 두께로 이루어진 보호막층(53)이 형성되고, 이 보호막층(53) 상에 불투명 절연성 수지가 1.5∼4.5㎛ 정도의 두께로 이루어진 차광층(55)이 형성된다.

게이트절연층(45) 상의 반사영역(R)에 원불형을 이루는 다수개의 산란돌출부(57)들이 형성된다. 산란돌출부(57)들은 박막트랜지스터의 보호막층(53) 및 차광층(55)을 형성하는 물질과 동일한 물질로 형성되는 데, 2∼5㎛ 정도의 높이와 30∼60°정도의 경사각을 가지며 인접하는 산란돌출부(57)와 3∼5㎛ 정도의 이격 거리를 갖는다. 그리고, 산란돌출부(57)의 표면을 포함하는 반사영역(R)의 전 표면에 전기전도성 및 광 반사 특성이 좋은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 1500∼4000Å 정도의 두께로 이루어진 화소전극(59)이 박막트랜지스터의 드레인전극(52)과 1∼3㎛ 정도 접촉되어 전기적으로 연결되게 형성된다. 화소전극(59)은 산란돌출부(57)에 의해 상부 기판(도시되지 않음)의 칼라 필터를 통해 입사되는 주변 광을 산란시키면서 반사시키므로 시야각(view ang1e)을 좋게 한다.

그리고, 스위칭영역(S) 및 반사영역(T)에 각각 형성된 차광층(59)과 보호막층(55)과 화소전극(59) 상에 폴리이미드 등으로 이루어진 배향층(61)이 형성된다. 상기 배향층(6l)은 도포 우에 러빙(rubbing)하여 상부에 놓이는 액정이 원하는 방향으로 배향되도록 한다.

상술한 구조의 액정표시장치는 박막트랜지스터의 보호막층(53) 상에 차광층(55)을 형성하여 광이 스위칭영역(S)으로 입사되는 것을 차단하여 반사영역(T)으로만 입사되게 한다.

제4도(a) 내지 (e)는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조공정도이다.

제4도(a)를 참조하면, 투명한 절연기판(41) 상의 스위칭영역(S)에 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴, 몰리브덴합금, 티타늄, 티타늄합금, 탄탈륨, 티탈륨합금, 코발트또는 코발트합금 등의 양극산화되는 금속을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : 이하, CVD라 칭함) 방법 또는 스퍼터링(sputtering) 방법으로 2000∼ 3000Å 정도의 두께로 증착하고 통상의 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 스위칭영역(S)에 게이트전극(43)을 형성한다.

제4도(b)를 참조하면, 기판(41) 상의 스위칭영역(S) 및 반사영역(R)에 실리콘산화막 또는 실리콘질화막을 CVD 방법으로 3000∼4000Å 정도의 두께로 증착하여 게이트전극(43)을 덮는 게이트절연층(45)을 형성한다. 그리고, 게이트 절연층(45) 상에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리큰과 인(P) 등의 N형 불순물이나 보론(B) 등의 P형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘을 CVD 방법에 의해 증착하여 활성층(47)과 오믹접촉층(49)을 순차적으로 형성한다. 상기에서 활성층(47)은 채널로 이용되는 것으로 1500∼ 2000Å 정도의 두께로 형성되며, 오믹접촉층(49)은 50∼1Å 정도의 두께로 형성된다. 그리고, 활성층(47)과 오믹접촉층(49)을 스위칭영역(S)에만 남겨 게이트전극(43)과 중첩되도록 반사영역(R)에 형성된 것을 포토리쏘그래피 방법으로 제거하여 게이트절연층(45)을 노출시킨다.

제4도(c)를 참조하면, 오믹접촉층(49) 및 절연막(45) 상에 알루미늄 또는 크롬(cr) 등의 도전성금속을 2000∼3000Å 정도의 두께로 증착한 후, 이 도전성금속을 오믹접촉층(49)의 소정 부분과 반사영역(R)의 게이트절연층(45)이 노출되도록 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 소오스 및 드레인전극(51), (52)을 형성한다. 그리고, 소오스 및 드레인전극(51), (52)을 마스크로 이용하여 오믹접촉층(49)의 노출된 부분을 제거하여 활성층(47)을 노출시킨다. 이 때, 활성층(47) 상에 오믹접촉층(49)의 잔유물이 남는 것을 방지하기 위해 활성층(47)도 200∼300Å 정도의 두께가 제거되도록 과도 식각(over etching)한다.

제4도(d)를 참조하면, 상술한 구조의 전 표면, 즉, 스위칭영역(S) 및 반사영역(R)에 형성된 활성층(47)의 노출된 부분과 소오스 및 드레인전극(51), (52)을 포함하는 게이트절연층(45) 상에 CVD 방법으로 실리콘산화막 또는 실리콘질화막을 3000∼ 4000Å 정도의 두께로 증착하여 보호막층(53)을 형성한다. 그리고, 보호막층(53) 상에 불투명 절연성 수지를 1.5∼4.5㎛ 정도의 두께로 도포하여 차광층(55)을 형성한다. 그 다음, 차광층(55)을 노광 및 현상하여 스위칭영역(S)에서 박막트랜지스터를 덮으며 반사영역(R)에서 다수 개의 원뿔대 형상을 이루도록 한다. 이 때, 차광층(55)은 노광량을 조절하여 30∼60°정도의 경사각을 이루도록 한다. 그리고, 잔류하는 원뿔대 형상의 차광층(55)을 마스크로 사용하고 SF₆+ He 등을 식각 가스로 사용하여 게이트절연층(45)이 노출되도록 보호막층(53)을 플라즈마 식각한다. 이 때, 반사영역(R)의 잔류하는 보호막층(53) 및 차광층(55)은 산란돌출부(57)들이 되는데, 이 산란돌출부(57)들은 2∼5㎛ 정도의 높이와 30∼60°정도의 경사각을 가지며 인접하는 산란돌출부(57)와 3∼5㎛ 정도의 이격 거리를 갖도록 형성된다.

제4도(e)를 참조하면, 상술한 구조의 전 표면에 전기전도성 및 광 반사 특성이 좋은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 스퍼터링 등의 방법으로 1500∼4000Å 정도의 두께로 증착한다. 그리고, 스위칭영역(s)의 차광층(55)이 노출되도록 패터닝하여 산란돌출부(57)의 표면을 포함하는 반사영역(R)에 박막트랜지스터의 드레인전극(52)과 l∼3㎛ 정도 접촉되어 전기적으로 연결되는 화소전극(59)를 형성한다. 그 다음, 차광층(55) 및 화소전극(59) 상에 폴리이미드등을 도포하고 러빙하여 배향층(61)을 형성한다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 반사영역에 원뿔대 형상으로 형성되는 산란돌출부에 의해 입사되는 주변 광을 산란시키면서 반사시키므로 시야각을 증가시킬 수 있는 액정표시장치는 박막트랜지스터의 채널이 되는 활성층 상에 보호막층과 차광층을 순차적으로 적층한 후 스위칭영역의 차광층을 노광 및 현상하고 이 차광층을 마스크로 보호막층을 패터닝할 때 반사영역의 차광층을 노광 및 현상하고 보호막층을 패터닝하여 산란돌출부를 형성한다.

따라서, 본 발명에 따른 액정표시장치는 박막트랜지스터의 활성층과 차광층이 접촉되지 앓으므로 박막트랜지스터의 특성 및 신뢰성이 향상되며, 또한, 차광층을 노광 및 현상한 후 이 차광층을 마스크로 사용하여 보호막층을 패터닝하므로 공정이 간단해지는 잇점이 있다.

Claims (13)

1. 스위칭영역과 반사영역을 갖는 투명한 절연기판과, 상기 기판 상의 스위칭영역에 형성된 게이트전극과, 상기 기판 상의 스위칭영역 및 반사영역에 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연층과, 상기 제이트절연층 상의 스위칭영역에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘으로 이루어져 상기 게이트전극과 중첩되는 도상(島狀)의 활성층과, 상기 활성층 상의 가운데 부분을 제외한 양측 부분에 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 형성된 오믹접촉층과, 상기 오믹접촉층 상에 스위칭영역의 게이트절연층과 접촉되게 형성된 소오스 및 드레인전극과, 상기 스위칭영역에 상기 드레인영역의 소정 부분이 노출되게 형성된 보호막층과, 상기 보호막층 상에 형성된 차광층과, 상기 게이트절연층 상에 상기 보호막층과 차광층을 이루는 물질이 적층되어 원뿔대 형상을 이루도록 형성된 다수 개의 산란돌출부와, 상기 산란돌출부를 포함하는 반사영역에 전기전도성 및 광 반사 특성이 좋은 금속으로 형성되며 상기 소오스 또는 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 화소전극을 포함하는 액정표시장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 보호막층은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막이 3000∼ 40000Å의 두께로 형성되는 액정표시장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 차광층은 불투명 절연성 수지가 1.5 ∼ 4.5㎛의 두께로 형성되는 액정표시장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 산란돌출부는 2∼5㎛의 높이와 30∼60°의 경사각을 가지며 형성되는 액정표시장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 산란돌출부는 인접하는 산란돌출부와 3∼5㎛의 이격 거리를 갖는 액정표시장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 화소전극이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되는 액정표시장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 화소전극이 3000∼ 4000Å의 두께로 형성되는 액정표시장치.
8. 스위칭영역과 반사영역을 갖는 투명한 절연기판 상의 상기 스위칭영역에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극을 덮도록 상기 기판 상의 스위칭영역과 반사영역에 게이트절연층을 형성하는 공정과, 상기 게이트절연층 상의 상기 게이트전극과 대응하는 부분에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘과 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 도상(島狀)의 활성층과 오믹접측층을 형성하는 공정과, 상기 오믹접촉층 상의 양측 소성 부분과 게이트절연층 상에 소오스 및 드레인전극을 형성하고 상기 형성된 소오스 및 드레인전극을 마스크로 사용하여 상기 오믹접촉층의 노출된 부분을 상기 활성층이 노출되도록 제거하는 공정과, 상기 스위칭영역의 표면과 상기 반사영역의 상기 게이트절연층 상에 보호막층과 차광층을 형성한 후 동일한 마스크로 상기 스위칭영역 상에 상기 소오스 또는 드레인전극의 소정 부분이 노출되게 남도록 패터닝함과 동시에 반사영역에 산란돌출부를 형성하는 공정과, 상기 산란돌출부를 포함하는 반사영역에 상기 소오스 또는 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 구비하는 액정표시 장치의 제조방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 보호막층을 실리콘질화막을 3000∼4000Å의 두께로 형성하는 액성표시장치의 제조방법.
10. 제8항에 있어서, 상기 차광층을 불투명 절연성 수지를 1.5∼4.5㎛의 두께로 도포하여 형성하는 액정표시장치의 제조방법.
11. 제8항에 있어서, 상기 산란돌출부를 2∼5㎛의 높이와 30∼60°의 경사각을 갖도록 형성하는 액정표시장치의 제조방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 산란돌출부를 인접하는 산란돌출부와 3∼5㎛의 이격 거리를 갖도록 형성하는 액정표시장치의 제조방법.
13. 제8항에 있어서, 상기 차광층과 화소전극 상에 배향층을 형성하는 공정을 더 구비하는 액정표시장치의 제조방법.