JPS62171155A - フオトセンサの製造方法 - Google Patents
フオトセンサの製造方法Info
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- JPS62171155A JPS62171155A JP61011982A JP1198286A JPS62171155A JP S62171155 A JPS62171155 A JP S62171155A JP 61011982 A JP61011982 A JP 61011982A JP 1198286 A JP1198286 A JP 1198286A JP S62171155 A JPS62171155 A JP S62171155A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ファクシミリやデジタル複写機等において使
用される画像読取装置のフォトセンサの製造方法に関す
る。
用される画像読取装置のフォトセンサの製造方法に関す
る。
［従来の技術］
従来ファクシミリ、デジタル複写機や文字読取装置等の
画像情報装置において、光電変換素子としてフォトセン
サが使用されることは一般によく知られている。近年に
おいては、フォトセンサを一次元に配列して長尺ライン
センサを形成し、これを用いて高感度な画像読取を行う
こともなされている。特に高速な画像読取装置を安価に
提供するフォトセンサとして、非晶質シリコンからなる
光電変換部に同じく非晶質シリコンからなる薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＰＴと略す）を接続した方式のセンサが
提案されている。この方式は、アレイ状に形成された光
電変換部から出力されるパラレルな信号をスイッヂング
用ＴＰＴを用いてシリアル信号に変換することにより、
駆動用ＩＣのチップ数を低減し、駆動回路の低コスト化
をはかるものである。
画像情報装置において、光電変換素子としてフォトセン
サが使用されることは一般によく知られている。近年に
おいては、フォトセンサを一次元に配列して長尺ライン
センサを形成し、これを用いて高感度な画像読取を行う
こともなされている。特に高速な画像読取装置を安価に
提供するフォトセンサとして、非晶質シリコンからなる
光電変換部に同じく非晶質シリコンからなる薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＰＴと略す）を接続した方式のセンサが
提案されている。この方式は、アレイ状に形成された光
電変換部から出力されるパラレルな信号をスイッヂング
用ＴＰＴを用いてシリアル信号に変換することにより、
駆動用ＩＣのチップ数を低減し、駆動回路の低コスト化
をはかるものである。
しかしながら、上記のＴＰＴを結合したフォトセンサに
おいては、光電変換部とＴＰＴとを各々独立に作製する
ために工程数が増え、製造コストの増大、歩留りの低減
等の問題が生じ、安価なフォトセンサを提供するのは困
難であった。
おいては、光電変換部とＴＰＴとを各々独立に作製する
ために工程数が増え、製造コストの増大、歩留りの低減
等の問題が生じ、安価なフォトセンサを提供するのは困
難であった。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、ＴＰＴを結合し
たフォトセンサの工程数を大幅に減少させ、安価なフォ
トセンサ提供することを目的とする。
たフォトセンサの工程数を大幅に減少させ、安価なフォ
トセンサ提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明においては、
光電変換部の光導電層と転送用トランジスタの半導体層
の少なくとも一部を同一の非晶質シリコン層で形成し、
その後転送用トランジスタ部の半導体層となる非晶質シ
リコン層をエッチングし、転送用トランジスタ部の半導
体層の膜厚を、光導電層の膜厚に比べて薄くする。
光電変換部の光導電層と転送用トランジスタの半導体層
の少なくとも一部を同一の非晶質シリコン層で形成し、
その後転送用トランジスタ部の半導体層となる非晶質シ
リコン層をエッチングし、転送用トランジスタ部の半導
体層の膜厚を、光導電層の膜厚に比べて薄くする。
［作用］
本発明によれば、フォトセンサの作製工程を短縮でき、
また光導電層とＴＰＴの半導体層の厚さをそれぞれ最適
化できるので、光電変換部の感度向上、ＴＰＴ部のＯＦ
Ｆ抵抗の増大が図られ、高性能のフォトセンサを提供す
ることができる。
また光導電層とＴＰＴの半導体層の厚さをそれぞれ最適
化できるので、光電変換部の感度向上、ＴＰＴ部のＯＦ
Ｆ抵抗の増大が図られ、高性能のフォトセンサを提供す
ることができる。
［実施例］
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図（Ａ）ないしくＦ）は本発明の一実施例における
各工程を説明する断面図であり、第２図は作製されたフ
ォトセンサアレイの部分平面図である。なお第１図は第
２図のＸ−Ｙ線に沿った断面図である。
各工程を説明する断面図であり、第２図は作製されたフ
ォトセンサアレイの部分平面図である。なお第１図は第
２図のＸ−Ｙ線に沿った断面図である。
両面研磨済のガラス基体ｌ （コーニング社製＃７０５
９）に中性洗剤もしくは有機アルカリ系洗剤を用いて通
常の洗浄を施した。次に、電子ビーム蒸着法でＣｒを０
．１５μ厚に堆積せしめ、ポジ型フォトレジスト（シブ
レー社製ＡＺ−１３７０）を用いて所望の形状にフォト
レジストパターンを形成した後、硝酸第２セリウムアン
モニウムおよび過塩素酸の混合水溶液を用いて不要なＯ
ｒを除去し、コンデンサの下層電極２およびゲート電極
３を形成した（第１ 図 （八）） 。
９）に中性洗剤もしくは有機アルカリ系洗剤を用いて通
常の洗浄を施した。次に、電子ビーム蒸着法でＣｒを０
．１５μ厚に堆積せしめ、ポジ型フォトレジスト（シブ
レー社製ＡＺ−１３７０）を用いて所望の形状にフォト
レジストパターンを形成した後、硝酸第２セリウムアン
モニウムおよび過塩素酸の混合水溶液を用いて不要なＯ
ｒを除去し、コンデンサの下層電極２およびゲート電極
３を形成した（第１ 図 （八）） 。
次いで、容量結合型のグロー放電分解装置内にガラス基
体１をセットし、１ ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空中で
２３０℃に維持した。次いで装置内に（１２で１０％に
希釈したＳｉＨ４を５ＳＣＣＭの流量で、またＮＨ３を
２Ｏ５ＣＣ１１１の流量で同時に流入させ、１３．５６
）ＡＨｚの高周波電源を用い、ＲＦ放電電力１５ Ｗで
２時間グロー放電し、窒化シリコンからなる絶縁層４を
０．３μ厚に形成した。次にＳｉＨ４ガスをＩＯ５ＣＣ
Ｍの流量で流入させ、放電電力８Ｗ、ガス圧０．０７Ｔ
ｏｒｒで４．５時間グロー放電し、非晶質シリコンイン
トリンシック層５を０．９０μ厚に形成した。続いてＨ
２で１０％に希釈した５ｉｌ１４と Ｈ２で１１００ｐ
ｐに希釈したＰ１１３とを混合比１：１０で混合したガ
スを原料として用い、放電電力３０Ｗでオーミックコン
タクト層であるｎ十層６を０．１２μ堆積せしめた（第
１図（Ｂ））。
体１をセットし、１ ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空中で
２３０℃に維持した。次いで装置内に（１２で１０％に
希釈したＳｉＨ４を５ＳＣＣＭの流量で、またＮＨ３を
２Ｏ５ＣＣ１１１の流量で同時に流入させ、１３．５６
）ＡＨｚの高周波電源を用い、ＲＦ放電電力１５ Ｗで
２時間グロー放電し、窒化シリコンからなる絶縁層４を
０．３μ厚に形成した。次にＳｉＨ４ガスをＩＯ５ＣＣ
Ｍの流量で流入させ、放電電力８Ｗ、ガス圧０．０７Ｔ
ｏｒｒで４．５時間グロー放電し、非晶質シリコンイン
トリンシック層５を０．９０μ厚に形成した。続いてＨ
２で１０％に希釈した５ｉｌ１４と Ｈ２で１１００ｐ
ｐに希釈したＰ１１３とを混合比１：１０で混合したガ
スを原料として用い、放電電力３０Ｗでオーミックコン
タクト層であるｎ十層６を０．１２μ堆積せしめた（第
１図（Ｂ））。
次にポジ型フォトレジスト（東京応化製０ＦＰＲ−１３
００）を用いて所望パターンを形成し、プラズマエッチ
ング法でＲＦ放電電力１００Ｗ、ガス圧０．３０Ｔｏｒ
ｒでＣＦ４ガスによるドライエッチングを行ってｎ＋層
および非晶質シリコンのイントリンシック層の不要部を
除去し、非晶質Ｓｉ光導電層７および半導体層８を形成
した（第１図（Ｃ））。
００）を用いて所望パターンを形成し、プラズマエッチ
ング法でＲＦ放電電力１００Ｗ、ガス圧０．３０Ｔｏｒ
ｒでＣＦ４ガスによるドライエッチングを行ってｎ＋層
および非晶質シリコンのイントリンシック層の不要部を
除去し、非晶質Ｓｉ光導電層７および半導体層８を形成
した（第１図（Ｃ））。
次に電子ビーム蒸着法でＡｆ！、９を０．５μ厚に堆積
せしめて、導電層を形成した（第１図（Ｄ））。
せしめて、導電層を形成した（第１図（Ｄ））。
続いて所望の形状にフォトレジストパターンを形成した
後、リン酸（８５容量％水溶液）、硝酸（６０容量％水
溶液）、氷酢酸および水を１６：１：２：１の容量比で
混合した液で露出部分の４電層９を除去し、共通電極１
０および信号取出し線１１を形成した。しかる後に先に
述べたプラズマエッチング法でＣＦ４ガスによるドライ
エッチングを行って露出部分のｎ土層を除去し、所望パ
ターンのｎ土層を形成した。次いてフォトレジストを￥
１］１加した（第１図（Ｅ））。
後、リン酸（８５容量％水溶液）、硝酸（６０容量％水
溶液）、氷酢酸および水を１６：１：２：１の容量比で
混合した液で露出部分の４電層９を除去し、共通電極１
０および信号取出し線１１を形成した。しかる後に先に
述べたプラズマエッチング法でＣＦ４ガスによるドライ
エッチングを行って露出部分のｎ土層を除去し、所望パ
ターンのｎ土層を形成した。次いてフォトレジストを￥
１］１加した（第１図（Ｅ））。
しかる後に、所望のパターン形状にフォトレジストを形
成し、プラズマエッチング法でＴＦＴ部の非晶質シリコ
ン半導体層８をエッチングし、０．２μ厚だけ残した（
第１図（Ｆ））。
成し、プラズマエッチング法でＴＦＴ部の非晶質シリコ
ン半導体層８をエッチングし、０．２μ厚だけ残した（
第１図（Ｆ））。
このようにしてフォトセンサアレイが作成された。第２
図はこうして作製されたフォトセンサアレイの部分平面
図である。
図はこうして作製されたフォトセンサアレイの部分平面
図である。
本実施例によれば光導電層とＴＰＴの半導体層を同一の
非晶質シリコンで構成するので、フォトセンサの作製工
程を短縮できる。また本方法で得られたフォトセンサは
非晶質シリコン光導電層７および半導体層８の厚みを各
々最適化できるために、光電変換部の感度向上、ＴＦＴ
部のＯＦＦ抵抗の増大が図られ、高性能のフォトセンサ
を提供できる。さらに、光電変換部とＴＦＴ部を近接し
て形成てきるので、フォトセンサの集積度を向上させ、
基板面積を大幅に縮少できる。
非晶質シリコンで構成するので、フォトセンサの作製工
程を短縮できる。また本方法で得られたフォトセンサは
非晶質シリコン光導電層７および半導体層８の厚みを各
々最適化できるために、光電変換部の感度向上、ＴＦＴ
部のＯＦＦ抵抗の増大が図られ、高性能のフォトセンサ
を提供できる。さらに、光電変換部とＴＦＴ部を近接し
て形成てきるので、フォトセンサの集積度を向上させ、
基板面積を大幅に縮少できる。
実施例２
第３図は本発明の他の実施例によるフォトセンサアレイ
の部分平面図であり、第４図はその八−Ｂ線に沿フた断
面図である。図において１２は遮光膜、１３は光入射膜
であり、その他の記号は第１図（Ａ）ないしくＦ）およ
び第２図と同じである。
の部分平面図であり、第４図はその八−Ｂ線に沿フた断
面図である。図において１２は遮光膜、１３は光入射膜
であり、その他の記号は第１図（Ａ）ないしくＦ）およ
び第２図と同じである。
実施例１と同様にガラス基体１上にＩｆとＣｒの積層膜
を蒸着し、フォトリソグラフィ工程によってコンデンサ
の下層電極２．ゲート電極３および遮光膜１２を形成す
る。以後は実施例１と全く同様の工程によって第３図お
よび第４図に示したフォトセンサアレイを作成できる。
を蒸着し、フォトリソグラフィ工程によってコンデンサ
の下層電極２．ゲート電極３および遮光膜１２を形成す
る。以後は実施例１と全く同様の工程によって第３図お
よび第４図に示したフォトセンサアレイを作成できる。
第３図および第４図に示したフォトセンサは屈折率分布
型ロッドレンズアレイを用いない原稿密着形フォトセン
サの例であって、第４図に示すように、入射光はガラス
基体の下側から人射し、フォトセンサの上部に置かれた
図示しない原稿面から反射して光導電層７に入射する。
型ロッドレンズアレイを用いない原稿密着形フォトセン
サの例であって、第４図に示すように、入射光はガラス
基体の下側から人射し、フォトセンサの上部に置かれた
図示しない原稿面から反射して光導電層７に入射する。
先に述べた遮光膜１２は入射光が下側から光導電層に入
射するのを防ぐためのものである。
射するのを防ぐためのものである。
本実施例に示したフォトセンサの構造は、実施例１で説
明した効果に加え、光導電層に入射し光導電層を通過し
た光が遮、光膜のＡｆｌ上で反射するために、フォトセ
ンサの感度が向上する効果がある。
明した効果に加え、光導電層に入射し光導電層を通過し
た光が遮、光膜のＡｆｌ上で反射するために、フォトセ
ンサの感度が向上する効果がある。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、フォトセンサの
作製工程を短縮でき、また光導電層とＴＰＴの半導体層
の厚さをそれぞれ最適化できるので、光電変換部の感度
向上、ＴＦＴ部のＯＦＦ抵抗の増大が図られ、高性能の
フォトセンサを提供することができる。ざらに光電変換
部とＴＦＴ部を近接して形成できるので、フォトセンサ
の集積度を向上させ、基板面積を大幅に縮少できる。
作製工程を短縮でき、また光導電層とＴＰＴの半導体層
の厚さをそれぞれ最適化できるので、光電変換部の感度
向上、ＴＦＴ部のＯＦＦ抵抗の増大が図られ、高性能の
フォトセンサを提供することができる。ざらに光電変換
部とＴＦＴ部を近接して形成できるので、フォトセンサ
の集積度を向上させ、基板面積を大幅に縮少できる。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）ないしくＦ）は本発明の実施例における各
工程を説明する断面図、 第２図は本発明の方法で得られたフォトセンサアレイの
部分断面図、 第３図および第４図は本発明の他の実施例で得られたフ
ォトセンサアレイの部分平面図およびその断面図である
。 ｌ・・・ガラス基体、 ２・・・コンデンサの下層電極、 ３・・・ゲート電極、 ４・・・絶縁層、 ５・・・非晶質シリコンイントリンシック層、６・・・
ｎ＋オーミックコンタクト層、７・・・非晶質シリコン
光導電層、 ８・・・非晶質シリコン半導体層、 ９・・・アルミニウム層、 １０・・・共通電極、 １１・・・信号取出し線、 １２・・・遮光膜、 １３・・・光入射膜。 ＬＬＪ 頃 ％＋Ｊ リ 第４図
工程を説明する断面図、 第２図は本発明の方法で得られたフォトセンサアレイの
部分断面図、 第３図および第４図は本発明の他の実施例で得られたフ
ォトセンサアレイの部分平面図およびその断面図である
。 ｌ・・・ガラス基体、 ２・・・コンデンサの下層電極、 ３・・・ゲート電極、 ４・・・絶縁層、 ５・・・非晶質シリコンイントリンシック層、６・・・
ｎ＋オーミックコンタクト層、７・・・非晶質シリコン
光導電層、 ８・・・非晶質シリコン半導体層、 ９・・・アルミニウム層、 １０・・・共通電極、 １１・・・信号取出し線、 １２・・・遮光膜、 １３・・・光入射膜。 ＬＬＪ 頃 ％＋Ｊ リ 第４図
Claims (1)
- アレイ状に形成された光電変換部とそれに接続する転送
用トランジスタ部が、共に非晶質シリコンを母体とする
半導体層を有し、かつ同一基板上に形成されてなるフォ
トセンサにおいて、光電変換部の光導電層と転送用トラ
ンジスタの半導体層の少なくとも一部を同一の非晶質シ
リコン層で形成し、その後前記転送用トランジスタ部の
半導体層となる非晶質シリコン層をエッチングし、前記
転送用トランジスタ部の半導体層の膜厚を、前記光導電
層の膜厚に比べて薄くすることを特徴とするフォトセン
サの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011982A JPH0732245B2 (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | フオトセンサの製造方法 |
| DE3751242T DE3751242T2 (de) | 1986-01-24 | 1987-01-22 | Photoelektrischer Wandler. |
| EP87300566A EP0232083B1 (en) | 1986-01-24 | 1987-01-22 | Photoelectric conversion device |
| US07/412,586 US4931661A (en) | 1986-01-24 | 1989-09-25 | Photoelectric conversion device having a common semiconductor layer for a portion of the photoelectric conversion element and a portion of the transfer transistor section |
| US07/907,287 US5306648A (en) | 1986-01-24 | 1992-07-01 | Method of making photoelectric conversion device |
| US07/912,651 US5338690A (en) | 1986-01-24 | 1992-07-09 | Photoelectronic conversion device |
| US08/128,108 US5627088A (en) | 1986-01-24 | 1993-09-29 | Method of making a device having a TFT and a capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011982A JPH0732245B2 (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | フオトセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62171155A true JPS62171155A (ja) | 1987-07-28 |
| JPH0732245B2 JPH0732245B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=11792804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61011982A Expired - Lifetime JPH0732245B2 (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | フオトセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732245B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62209862A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜半導体デバイス |
| JPS6446970A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-21 | Ricoh Kk | Contact type image sensor |
| KR100537376B1 (ko) * | 1998-12-16 | 2006-03-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터 광센서의 제조방법 |
| JP2016092413A (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138968A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS5759377A (en) * | 1980-09-27 | 1982-04-09 | Sony Corp | Line sensor |
| JPS60227467A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-12 | Nec Corp | イメ−ジセンサ |
-
1986
- 1986-01-24 JP JP61011982A patent/JPH0732245B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2016092413A (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732245B2 (ja) | 1995-04-10 |
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