JPS60219522A - フオトセンサ - Google Patents
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- JPS60219522A JPS60219522A JP59074904A JP7490484A JPS60219522A JP S60219522 A JPS60219522 A JP S60219522A JP 59074904 A JP59074904 A JP 59074904A JP 7490484 A JP7490484 A JP 7490484A JP S60219522 A JPS60219522 A JP S60219522A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は画像情報処理装置の読取部として用いられる光
電変換装置において光信号の取出しのために用いられる
フォトセンサに関する。
電変換装置において光信号の取出しのために用いられる
フォトセンサに関する。
従来、たとえばデジタルコピーやファクシミリ等の画像
情報処理装置の読取部を構成する光電変換手段として、
シリコンフォトダイオード型の１次元フォトセンサアレ
ーが一般に知られている。
情報処理装置の読取部を構成する光電変換手段として、
シリコンフォトダイオード型の１次元フォトセンサアレ
ーが一般に知られている。
しかし、上記フォトセンサアレーに於いては作製し得る
シリコン単結晶の大きさに限度がある為長尺化には作製
上の制限があシ、原稿を読取るためには光学的に原稿を
縮小する必要が生じ、このため装置は大型化する傾向が
あった。
シリコン単結晶の大きさに限度がある為長尺化には作製
上の制限があシ、原稿を読取るためには光学的に原稿を
縮小する必要が生じ、このため装置は大型化する傾向が
あった。
これに対し、近年、薄膜形成法の発展や結着樹脂と半導
体材料とを混合して塗布する力性等の開発が進められ、
この技術を利用して長尺化及び大面積化されたフォトセ
ンサが提供される様になった。この様なフォトセンサの
従来例を図面に基づき説明する。
体材料とを混合して塗布する力性等の開発が進められ、
この技術を利用して長尺化及び大面積化されたフォトセ
ンサが提供される様になった。この様なフォトセンサの
従来例を図面に基づき説明する。
第１図（、）はフォトセンサアレーの部分平面概略図で
あシ、第１図（ｂ）及び第１図（、）はそれぞれそのｘ
−ｘ’断面図及びＹ −Ｙ’断面図である。図におい
て、１は光電変換部である光導電層であシ、たとえば非
晶質シリコン（ａ−３ｔ）からなる。２は層層でらシ、
３は共通電極層であり、４は個別電極層である。そして
、５は基板である。
あシ、第１図（ｂ）及び第１図（、）はそれぞれそのｘ
−ｘ’断面図及びＹ −Ｙ’断面図である。図におい
て、１は光電変換部である光導電層であシ、たとえば非
晶質シリコン（ａ−３ｔ）からなる。２は層層でらシ、
３は共通電極層であり、４は個別電極層である。そして
、５は基板である。
ところで、従来のこの種の７オトセンサにおいては、基
板として低アルカリのバリウムホウケイ酸ガラス（たと
えばコーニング社製す７０５９ ）が用いられていた。
板として低アルカリのバリウムホウケイ酸ガラス（たと
えばコーニング社製す７０５９ ）が用いられていた。
しかしながら、この種のガラスは高価でしかもセンサア
レーの長さが約２５０ ｃｍにも及ぶ場合には基板自体
の゛反り”、”ねじれ″などが大きくなシ、研磨を施さ
ないと光電変換部の形成や電極層の形成が困難であシ、
基板のコストが大幅に上昇する。
レーの長さが約２５０ ｃｍにも及ぶ場合には基板自体
の゛反り”、”ねじれ″などが大きくなシ、研磨を施さ
ないと光電変換部の形成や電極層の形成が困難であシ、
基板のコストが大幅に上昇する。
一方、基板のコストを下けるために、ソーダーライム系
のガラス基板を用いると、第１図の様な構成のフォトセ
ンサアレーに於いては、第２図に示される如く、電圧が
基板に対して平行に印加され電気力線６が基板中にも及
ぶために、ノーグーライムガラス中のアルカリイオンが
移動して暗電流が特に増加し、ＳＮ比が悪くなルセンサ
として機能しなくなる。また、アルカリイオンの移動を
防止するためにソーダーライムガラスの表面に、ＳｉＯ
２などをコートしても、アルカリイオンの移動を完全に
は防止することが出来ずソーダーライムガラス中でもア
ルカリイオンが移動し、センサ特性が悪くなる。
のガラス基板を用いると、第１図の様な構成のフォトセ
ンサアレーに於いては、第２図に示される如く、電圧が
基板に対して平行に印加され電気力線６が基板中にも及
ぶために、ノーグーライムガラス中のアルカリイオンが
移動して暗電流が特に増加し、ＳＮ比が悪くなルセンサ
として機能しなくなる。また、アルカリイオンの移動を
防止するためにソーダーライムガラスの表面に、ＳｉＯ
２などをコートしても、アルカリイオンの移動を完全に
は防止することが出来ずソーダーライムガラス中でもア
ルカリイオンが移動し、センサ特性が悪くなる。
本発明は、以上の如き従来技術に泥み、安価で且つセン
サ特性の良好なフォトセンサを提供することを目的とす
る。
サ特性の良好なフォトセンサを提供することを目的とす
る。
本発明によれば、以上の目的は、フォトセンサの基板と
してアルミナホウケイ酸ガラスを用いることによル達成
される。
してアルミナホウケイ酸ガラスを用いることによル達成
される。
以下、本発明フォトセンサの実施例を説明する。
尚、以下の実施例においては、光導電層が水素及びハロ
ゲン元素の少なくともいづれか一方を含む非晶質シリコ
ンからなる例を示すが、もちろん本発明フォトセンサに
おける光導電層性非晶質シリコン以外の例えばＣｄＳ
ＸＣｄ−Ｔｅ 、非晶質Ｓｅ、非晶質５ｅ−Ｔｅ等の薄
膜あるいは厚膜から構成することもできる。
ゲン元素の少なくともいづれか一方を含む非晶質シリコ
ンからなる例を示すが、もちろん本発明フォトセンサに
おける光導電層性非晶質シリコン以外の例えばＣｄＳ
ＸＣｄ−Ｔｅ 、非晶質Ｓｅ、非晶質５ｅ−Ｔｅ等の薄
膜あるいは厚膜から構成することもできる。
実施例１：
第３図（、）は本発明によるフォトセンサアレーの実施
例を示す部分平面概略図であり、第３図（ｂ）及び第３
図（ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’及びＹ −Ｙ’断面
概略図である。図において、２１は光導電層であシ、２
２はｎ層である。２３は共通電極層であシ、２４は個別
電極層であシ、これらはたとえばアルミニウム（ｈｔ
）等の導電膜からなる。２５は光透過性のガラス基板で
あシ、コーニング社製す７７４０を用いた。このガラス
はアルミナホウケイ酸ガラスである。
例を示す部分平面概略図であり、第３図（ｂ）及び第３
図（ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’及びＹ −Ｙ’断面
概略図である。図において、２１は光導電層であシ、２
２はｎ層である。２３は共通電極層であシ、２４は個別
電極層であシ、これらはたとえばアルミニウム（ｈｔ
）等の導電膜からなる。２５は光透過性のガラス基板で
あシ、コーニング社製す７７４０を用いた。このガラス
はアルミナホウケイ酸ガラスである。
以下、本実施例フォトセンサアレーの製造工程を説明す
る。
る。
Ｈ２でｌＯ容容量例希釈されたＳｉＨ４をガス圧０．５
０Ｔｏｒｒ ＊ ＲＦ （Ｒａｄｌｏ Ｆｒｅｑｕｅｎ
ｃｙ ）パワー１０Ｗ、基板温度２５０℃で２時間グロ
ー放電法によシ堆私させることによって基板２５上に０
．７μ厚の光導電層２１を得、次にＨ２で１０容量％に
希釈されたＳｉＨ４とＨ２で１１００ｐｐに希釈された
ＰＨ３との混合比１：１０のガスを原料として用い、そ
の他は光導電層２１の堆積条件と同様な条件で光導電層
２１に連続してｎ層を０．１μ厚得たところで堆積をや
めた。
０Ｔｏｒｒ ＊ ＲＦ （Ｒａｄｌｏ Ｆｒｅｑｕｅｎ
ｃｙ ）パワー１０Ｗ、基板温度２５０℃で２時間グロ
ー放電法によシ堆私させることによって基板２５上に０
．７μ厚の光導電層２１を得、次にＨ２で１０容量％に
希釈されたＳｉＨ４とＨ２で１１００ｐｐに希釈された
ＰＨ３との混合比１：１０のガスを原料として用い、そ
の他は光導電層２１の堆積条件と同様な条件で光導電層
２１に連続してｎ層を０．１μ厚得たところで堆積をや
めた。
次に、電子ビーム蒸着法でＡｔを０３μ厚堆積させ導電
層を形成した。
層を形成した。
次に、ポジ型の７オトレジスト（シグレー社製ＡＺ−１
３７０）を用いて所望の形状にフォトレジストパターン
を形成した後、リン酸（８５容量％水溶液）、硝酸（６
０容量％水溶液）、氷酢酸、水を２５：１：５：４の容
蓋比で混合した液で導電層の電量部分を除去し、共通電
極層２３及び個別電極層２４を形成した。
３７０）を用いて所望の形状にフォトレジストパターン
を形成した後、リン酸（８５容量％水溶液）、硝酸（６
０容量％水溶液）、氷酢酸、水を２５：１：５：４の容
蓋比で混合した液で導電層の電量部分を除去し、共通電
極層２３及び個別電極層２４を形成した。
その後、フォトレジストを剥離し、仄いて平行平板型の
装置を用いたプラズマエツチング法でＲＦパワー１２０
Ｗ、ガス圧７Ｘ１０ ＴｏｒｒでＣＦ４ガスによるプラ
ズマエツチングを行なってｎ層の露出部を除去し、光電
変換部を得た。
装置を用いたプラズマエツチング法でＲＦパワー１２０
Ｗ、ガス圧７Ｘ１０ ＴｏｒｒでＣＦ４ガスによるプラ
ズマエツチングを行なってｎ層の露出部を除去し、光電
変換部を得た。
本実施例のフォトセンサアレーにおいては、基板にアル
ミナを含んだホウケイ酸ガラスを用いているため、ホウ
ケイ酸ガラス基板２５中のアルミすが、信号を読み出す
ために共通電極２３と個別電極２４の間に電圧を印加し
た場合、ガラス基板２５中のアルカリイオン例えばナト
リウムイオン（Ｎａ）が電場によシ移動するのを阻止す
るため、基板２５を流れる暗電流の上昇が阻止され、Ｓ
Ｎ比が向上した。
ミナを含んだホウケイ酸ガラスを用いているため、ホウ
ケイ酸ガラス基板２５中のアルミすが、信号を読み出す
ために共通電極２３と個別電極２４の間に電圧を印加し
た場合、ガラス基板２５中のアルカリイオン例えばナト
リウムイオン（Ｎａ）が電場によシ移動するのを阻止す
るため、基板２５を流れる暗電流の上昇が阻止され、Ｓ
Ｎ比が向上した。
また、本実施例の７オトセンサアレーにおいては、基板
として平面性の良好なホウケイ酸ガラスを用いたために
、フォトセンサアレーの作製工程におけるフォトリソグ
ラフィ一工程で露光を行なう場合、位置による露光むら
がすくなく、このため寸法のバラツキの少ない光電変換
部のギャップを形成することが出来た。この様に、セン
サビット間のバラツキが少ないために、センサ長２５６
ｃＩｎ１センサビット数２０４８ビットに渡って、バラ
ツキの少ないセ／す信号を得ることができ歩留りが向上
した。
として平面性の良好なホウケイ酸ガラスを用いたために
、フォトセンサアレーの作製工程におけるフォトリソグ
ラフィ一工程で露光を行なう場合、位置による露光むら
がすくなく、このため寸法のバラツキの少ない光電変換
部のギャップを形成することが出来た。この様に、セン
サビット間のバラツキが少ないために、センサ長２５６
ｃＩｎ１センサビット数２０４８ビットに渡って、バラ
ツキの少ないセ／す信号を得ることができ歩留りが向上
した。
更に、本実施例では、ガラス基板が安価であるためにセ
ンサユニットとしてのコストが大幅に低下した。
ンサユニットとしてのコストが大幅に低下した。
以上の様に、従来、平面性が良好で安価なガラス基板と
して用いられているソーダーライム系ガラスでは暗電流
が電圧印加とともに上昇しγ特性（Ｉ ｏｃＦｒ： Ｉ
ｐ：素子の光電流、Ｆ：照度）が０５以下と低下した。
して用いられているソーダーライム系ガラスでは暗電流
が電圧印加とともに上昇しγ特性（Ｉ ｏｃＦｒ： Ｉ
ｐ：素子の光電流、Ｆ：照度）が０５以下と低下した。
これに対して、本実施例ではγ＝０．９と良好な結果を
得た。
得た。
実施例２：
第４図（ａ）は本発明によるフォトセンサアレーの第２
の実施例を示す部分平面概略図であシ、第４図（ｂ）及
び第４図（ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’断面図及びＹ
−Ｙ’断面概略図である。図において、３１は光導電
層であシ、３２はｎ＋層、３３は共通電極層、３４は個
別電極層、３５はガラス基板である。但し、本実施例に
おいては、共通電極層３３、個別電極層３４と光導電層
３１．１層３２の構成は第１の実施例と逆の構成となり
、基板３５上に電極層３３．３４が形成され、更に１層
３２、光導電層３１が形成されている。ガラス基板３５
は実施例１と同様のアルミナホウケイ酸ガラスを用いた
。
の実施例を示す部分平面概略図であシ、第４図（ｂ）及
び第４図（ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’断面図及びＹ
−Ｙ’断面概略図である。図において、３１は光導電
層であシ、３２はｎ＋層、３３は共通電極層、３４は個
別電極層、３５はガラス基板である。但し、本実施例に
おいては、共通電極層３３、個別電極層３４と光導電層
３１．１層３２の構成は第１の実施例と逆の構成となり
、基板３５上に電極層３３．３４が形成され、更に１層
３２、光導電層３１が形成されている。ガラス基板３５
は実施例１と同様のアルミナホウケイ酸ガラスを用いた
。
本実施例の７オトセンサアレーにおいては、ガラス基板
３５上に電極３３．３４が直接形成されるため上記実施
例１におけるよシも基板３５に印加される電場が強くな
るにもかかわらず、γ＝０９と良好なセ／す特性を得る
ことができた。
３５上に電極３３．３４が直接形成されるため上記実施
例１におけるよシも基板３５に印加される電場が強くな
るにもかかわらず、γ＝０９と良好なセ／す特性を得る
ことができた。
以上の如き本発明のフォトセンサによれば、光導電層以
外の基板表面及び基板中を流れる電流（アルカリイオン
の移動）をアルミナが阻止するため、暗電流の上昇が阻
止きれＳＮ比が向上したフォトセンサが得られる。
外の基板表面及び基板中を流れる電流（アルカリイオン
の移動）をアルミナが阻止するため、暗電流の上昇が阻
止きれＳＮ比が向上したフォトセンサが得られる。
又、基板に平面性の良いアルミナホウケイ酸ガラスを用
いることによ）フォトリングラフイ一工程の精度が向上
し、ビット間のバラツキの少くないフォトセンサアレー
が得られる。
いることによ）フォトリングラフイ一工程の精度が向上
し、ビット間のバラツキの少くないフォトセンサアレー
が得られる。
又、アルミナホウケイ酸ガラスは含有アルカリ量の少な
いバリウムホウケイ酸ガラスよシも安価であるため、安
価なフォトセンサが得られる。
いバリウムホウケイ酸ガラスよシも安価であるため、安
価なフォトセンサが得られる。
第１図（、）は従来の７オトセンサアレーの平面図であ
り、第１図（ｂ）及び（ｅ）はそれぞれそのｘ−ｘ’断
面図及びＹ−Ｙ’断面図である。第２図はフォトセンサ
中の電界の状態を示す断面図である。第３図（、）は本
発明によるフォトセンサアレーの平面図であり、第３図
（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’断面図及び
Ｙ −Ｙ’断面図である。第４図（ａ）は本発明による
フォトセンサアレーの平面図であシ、第４図（ｂ）及び
（ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’断面図及びＹ −Ｙ’
断面図である。 ＠２図 第 １ 図（ｂ） 第 １図（Ｃ） 第３図（０） 第３図（１）） 笛３図（ｃ）
り、第１図（ｂ）及び（ｅ）はそれぞれそのｘ−ｘ’断
面図及びＹ−Ｙ’断面図である。第２図はフォトセンサ
中の電界の状態を示す断面図である。第３図（、）は本
発明によるフォトセンサアレーの平面図であり、第３図
（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’断面図及び
Ｙ −Ｙ’断面図である。第４図（ａ）は本発明による
フォトセンサアレーの平面図であシ、第４図（ｂ）及び
（ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’断面図及びＹ −Ｙ’
断面図である。 ＠２図 第 １ 図（ｂ） 第 １図（Ｃ） 第３図（０） 第３図（１）） 笛３図（ｃ）
Claims (2)
- （１）基板上に光導電層と該光導電層に電気的に接触し
て光電変換部の少なくとも一部を構成する間隔を設けて
配設された一対の電極とを有するフォトセンサにおいて
、基板としてアルミナホウケイ酸ガラスを用いたことを
特徴とする、フォトセンサ。 - （２）光導電層がシリコンを母体とし水素及びハロゲン
元素の少なくとも一方を含有する非晶質材料からなる、
第１項の７オトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074904A JPS60219522A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074904A JPS60219522A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219522A true JPS60219522A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13560839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074904A Pending JPS60219522A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219522A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101045339B1 (ko) * | 2008-09-25 | 2011-06-30 | (주) 에스에스피 | 자재 정렬장치 |
| JP2013539235A (ja) * | 2010-09-30 | 2013-10-17 | ユニヴァーシティ オブ サウス フロリダ | 封止を備えたオールスプレー式シースルー型有機ソーラアレイ |
| US9722180B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-08-01 | University Of South Florida | Mask-stack-shift method to fabricate organic solar array by spray |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59074904A patent/JPS60219522A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101045339B1 (ko) * | 2008-09-25 | 2011-06-30 | (주) 에스에스피 | 자재 정렬장치 |
| JP2013539235A (ja) * | 2010-09-30 | 2013-10-17 | ユニヴァーシティ オブ サウス フロリダ | 封止を備えたオールスプレー式シースルー型有機ソーラアレイ |
| US9722180B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-08-01 | University Of South Florida | Mask-stack-shift method to fabricate organic solar array by spray |
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