JP2013539235A - 封止を備えたオールスプレー式シースルー型有機ソーラアレイ - Google Patents

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Abstract

【課題】 セルの様々な層を塗布するために、スプレー式技術を用いて、剛性または可撓性基板上に形成される逆型有機太陽電池を提供する。
【解決手段】 炭酸セシウム薄層を備えたインジウムスズ酸化物は、新規の逆型セルのカソードとして機能する。200nm〜600nm程度の厚みを有するポリ3(ヘキシルチオフェン)および(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステルの活性層は、セルを通る高レベルの光透過を促す。変性PEDOT:PSSは導電性高分子にジメチルスルフォキシド(DMSO)をドープすることにより作られ、アノードとして機能する。薄層を得るためにガス促進式スプレー法を用いる逆型有機太陽電池の形成方法も記載する。層が形成された後に、セルは真空および温度に基づくアニールおよび紫外線硬化エポキシ樹脂での封止により密封される。
【選択図】図1

Description

本発明は有機太陽電池に関する。とりわけ、本発明はスプレー法を用いて作製される逆型有機太陽電池である。
近年、エネルギ消費は劇的に高まっており、その要因の一部には、世界中での工業の著しい発展がある。増大するエネルギ消費は、石油燃料のような天然資源を使い過ぎてしまい、また、これらの資源の消費の副産物に対処することの地球規模の限界に耐えている。また、エネルギに対する今後の要求は、人口増加に伴い、また発展途上国がより多くのエネルギを要求するに伴い、大きく増大することが予想される。これらの要因により、経済的であり、有用で、且つ地球環境に最小限の影響を及ぼすのみである新規のクリーンなエネルギ源を開発することが必要とされる。
太陽電池は1970年代以降、それまでのエネルギ源の代替物として使用されている。太陽電池は太陽光からの既存のエネルギを使用するので、太陽光発電からの環境への影響は、従来型の発電よりもはるかに小さい。商品化された太陽電池の殆どは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンを使用する無機太陽電池である。しかしながら、これらの無機シリコンベースの太陽電池は、複雑な工程を経て、高コストで製造されるので、太陽電池の使用には限界があった。これらのシリコンウェハベースの電池は脆く不透明な物質であるので、透明性が重要となる窓の技術等において、使用が制限されてしまう。また、これらの太陽電池モジュールは重量が大きく脆いので、取り付けが問題となる。加えて、屋根上などの取り付け位置は、一般的なビルの窓部分に比較して制限され、超高層ビルではなおさらである。このような欠点を解消するために、有機材料を使用した太陽電池が積極的に研究されている。
OPVでの太陽光発電工程は、先ず、主に高分子による光の吸収から始まり、次に、励起子の形成が続く。次に励起子は供与体(高分子)/受容体(フラーレン)の干渉へ移動し分離する。分離した電子および空孔は、ホッピングを介して逆方向の電極へ移動し、電極で回収されることにより、開路電圧(Voc)が得られる。電極の接続の際に、光電流(短絡回路電流,Isc)が生じる。
π結合高分子に基づく有機太陽電池は、高分子および炭素C60の間における高速電荷移動の発見以降、集中的に研究されている。従来型の有機太陽電池デバイスは、インジウムスズ酸化物(ITO)またはIZOのような酸化インジウム等、透明な基板をアノードとして、またアルミウムや他の金属をカソードとして使用している。電子供与体材料および電子受容体材料を含む光活性材料は、アノードとカソードの間に挟まれる。従来デバイスの供与体材料はポリ(3ヘキシルチオフェン)(P3HT)であり、これは共役高分子である。従来の受容体材料は(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステル(PCBM)であり、これはフラーレン誘導体である。ITOおよびアルミニウム接点の両方ともがスパッタリングおよび熱蒸着を使用しており、いずれも高価な高真空技術である。これらの太陽電池では、光は典型的には基板の側面に入射するので、透明な基板と透明な電極が必要となる。しかしながら、これにより基板や電極に選択され得る材料が制限されてしまう。また、導電性を高めるために30〜500nmの最小厚が必要とされる。さらに、有機光電変換層は、酸素や湿度の影響を受けやすく、エネルギ変換効率が低下すると共に、有機太陽電池のライフサイクルが短くなってしまう。有機太陽電池の開発は、3.6%の変換効率を達成した(非特許文献1)。
これらの高分子OPAは溶液処理が可能であるので、費用効果的な太陽光発電の可能性を期待できる。大面積のOPVは印刷法(非特許文献2乃至6)、スピンコートおよびレーザスクライビング法(非特許文献7乃至9)、およびローラ印刷法(非特許文献10)を用いて実証された。ITO即ち透明導電体は、OPVにおいて空孔収集電極(アノード)として一般的に使用され、正常な形状のOPVはITOアノードから始まり、通常はアルミニウムまたはカルシウムなどの低仕事関数金属である電子受容電極(カソード)が熱蒸着加工を介して付加される。
また、有機薄膜太陽電池の効率を高めるために、光活性層は低分子重量有機材料を用いて成長させられ、層は積層されると共に、層ごとに独立して機能するものであった(非特許文献11)。或いは、開放端電圧(Voc)を二倍にするために、光活性層は積み重ねられ、約0.5から5nmの金属層が間に置かれていた(非特許文献12)。上述したように、光活性層の積み重ねは、有機薄膜太陽電池の効率を改善する最も有効な技術の一つである。しかしながら、光活性層を積み重ねると、異なる層からの溶液の生成により、層が溶解しかねない。また、積み重ねにより、太陽電池の透明度が制限されてしまう。金属層を光活性層の間に置くと、ある光活性層からの溶液が別の光活性層に浸透するのを妨げると共に、他の光活性層への影響を阻止する。しかしながら、金属層はまた光の透過率を低下させてしまい、太陽電池のエネルギ変換効率に影響を及ぼす。
しかしながら、太陽電池が窓に適用可能であるために、太陽電池の透明度に関する問題は最初に解消されなければならない。別の課題としては、有機太陽電池が商業的に実行可能であるために、大規模生産での費用を、現用の太陽光発電製品よりも低い効率を補償するべく、かなり低い製造コストに低減させることである。例えば、溶液ベースのオールスプレー式デバイスは不透明であったが、0.42%もの高いPCEを示した(非特許文献13)。印刷法などの大規模生産技術により生産コストは低下するが、金属を特定の方法で使用することから、太陽電池の透明度が影響を受けてしまう。
P. Peumans and S.R.Forrest, Appl. Phys. Lett.79, 126 (2001) Krebs and Norrman,Using light-induced thermocleavage in a roll-to-rollprocess for polymer solar cells, ACS Appl. Mater. Interfaces 2 (2010) 877-887 Krebs, et al., A roll-to-roll process toflexible polymer solar cells: model studies, manufacture and operationalstability studies, J. Mater. Chem. 19 (2009) 5442-5451 Krebs, et al., Large area plastic solar cellmodules, Mater. Sci. Eng. B 138 (2007) 106-111 Steim, et al., Flexible polymer Photovoltaic modules with incorporatedorganic bypass diodes to address module shading effects, Sol. Energy Mater.Sol. Cells 93 (2009) 1963-1967 Blankenburg, et al., Reel to reel wet coating as an efficient up-scalingtechnique for the production of bulk heterojunctionpolymer solar cells, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93 (2009) 476-483 Niggemann, et al., Organic solar cell modules for specific applications-fromenergy autonomous systems to large area photovoltaics,Thin Solid Films 516 (2008) 7181-7187 Tipnis, et al., Largte-area organic photovoltaicmodule-fabrication and performance, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93 (2009)442-446 Lugenschmied, et al., Flexible, long-lived, large-area, organic solar cells,Sol. Energy Mater. Sol. Cells 91 (2007) 379-384 Jung and Jo, Annealing-free high efficiencyand large area polymer solar cells fabricated by a roller painting process,Adv. Func. Mater. 20 (2010) 2355-2363 P. Peumans, V. Bulovic and S. R. Firrest, Appl.Phys. Lett. 76, 2650 (2000) A. Yakimov and S.R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 80, 1667 (2002) Lim, et al., Spray-depositedpoly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate)top electrode for organic solar cells, Appl. Phys. Lett.93 (2008) 193301-193304
従って、金属を使用することなく、透明度が高められた新規の太陽電池を可能にする新しい有機太陽電池製造方法が必要とされる。当該技術分野では、本発明が得られた時点で、透明度が高められたより安価でより単純なデバイスの製造という上記の目的をいかにして達成するかを記載していなかった。
スピンコート法に基づき、金属をカソード接点として使用する従来技術では、太陽電池の透明度が大きく制限されてしまい、また、大規模生産を困難にしている。本発明は、レイヤーバイレイヤースプレー技術により塗布される薄膜有機層を用いて、上記2つの問題を同時に解決する新しいスプレー技術を提供する。逆型有機太陽電池は、剛性および可撓性のいずれであっても、殆どの任意の所望される基板の上に形成される。基板の例としては、布、ガラスおよびプラスチックが挙げられる。例えば、基板は低アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラスである。
パターン加工が施されたITO層は基板の一方の面に形成され、基板上に第1方向で配向される一連の接点として構成される。パターン加工が施されたCSCOの界面バッファ層がITO層の上に重ねられると共に、逆型セルのカソードとしてITOの機能を補佐する。CSCO層は、ITOカソードを形成するのに有用であるように、当該技術分野において周知である任意の厚みで重ねられてよい。5Åから15Åの間の厚みが特に有用であることが分かっている。ポリ(3ヘキシルチオフェン)および(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステルの活性層が、CSCO層の上に重ねられる。活性層の厚みは変えられてもよいが、試験によれば、活性層は約200nmから約500nmの厚みであると、更に具体的に言うと約200から約300nmの厚みであると特に有用である。ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン:ポリ(スチレンスルフォネート)および5体積%のジメチルスルフォキシドを含むアノード層が活性層の上に重なり、約100nmから約1μmの厚みを備える。本発明の詳細な変形例において、アノード層の厚みは約100nmから約600nmであり、より具体的には約100nmである。逆型セルは紫外線硬化エポキシ樹脂封止材または銀色塗料を用いて封止される。完成した逆型有機太陽電池は、一実施形態において、200nmの活性層の厚みと、600nmのアノード層の厚みを備える。
逆型有機太陽電池はアレイ状に構成されてよく、例えば、60mmの活性面積を有し連続する50個の独立した電池である。幾つかの変形例において、アレイは一列に10個の電池が直列に載置され、5列が平行に接続されるように配向される。
逆型有機太陽電池の作製方法も提供する。インジウムスズ酸化物が被覆された透明な圧電材料を含む基板が得られている。幾つかの変形例において、ポジ型フォトレジストは約4500rpmでスピンコート加工が施された後、90℃でソフトベークされ、インジウムスズ酸化物をパターン加工した。ベークされたポジ型フォトレジストは次に、約25ワットに設定された一定の強度モードで紫外線照射で露光して成長し、約145℃でハードベイクされた。余分なフォトレジストはアセトンおよびコットンを用いた洗浄により余剰分が取り除かれ、次に、100℃のHCl20%−HNO7%の溶液でエッチングが施された。逆型有機太陽電池は次に任意で、アセトンを用いて、その次にイソプロパノールを用いて洗浄され、次に少なくとも15分間UVオゾン洗浄が行われた。カソードは、インジウムスズ酸化物被膜の上に炭酸セシウム層をスプレーコートすることにより形成された。炭酸セシウムは任意で、当該技術分野において周知のとおりに作製された。有用な作製方法は、0.2%重量(2mg/ml)のCSCOを含む2エトキシエタノール溶液を作製し、1時間攪拌することであった。次に溶液は、カソードに塗布するために、N促進剤を入れた噴霧装置に置かれた。
その後、CSCO層の上に載置されたポリ(3ヘキシルチオフェン)および(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステルの層をスプレーコートすることにより、活性層が形成され、活性層は約200nmの厚みから約500nmの厚みであった。活性層は任意で、当該技術分野において通常の知識を有する者が利用可能な方法を用いて作製された。有用な作製は、20mg/mLのポリ(3ヘキシルチオフェン)のジクロロベンゼン溶液を60℃で24時間、20mg/mLの(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステルのジクロロベンゼン溶液を60℃で24時間、夫々別々の容器で混合することにより生じた。ポリ(3ヘキシルチオフェン)溶液および(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステル溶液は次に、1:1の比率で組み合わされ、60℃で24時間攪拌され、次に、溶液はN促進剤を入れた噴霧装置に置かれ、逆型有機太陽電池に塗布された。逆型有機太陽電池の作製変形例では、複数の薄層が最初に、一般的には600−900μmを塗布するように噴霧された。次に、最終的な連続厚状被膜が、活性層被膜を完成させるように塗布された。
次に、5体積%のジメチルスルフォキシドがドープされたポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルフォネートを活性層に噴霧することにより、活性層はアノード層と重ねられ、アノード層は約100nmから約1μmの厚みである。次に、逆型有機太陽電池は、紫外線硬化エポキシ樹脂封止材または銀色塗料をセルの端縁に塗布することにより封止された。アノードは任意で、当該技術分野に属する通常の知識を有する者が利用可能な方法を用いて作製された。しかし、有用な作製は、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェンおよびポリ(スチレンスルフォネート)溶液を0.45μmのフィルタでろ過すると共に、ろ過された溶液をジメチルスルフォキシド溶液と混合して最終濃度の5体積%のジメチルスルフォキシドを生じさせ、続いて、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン‐ポリ(スチレンスルフォネート)‐ジメチルスルフォキシドの溶液を室温で攪拌した。次に、溶液は1時間音波処理されると共に、塗布のためにN促進剤を入れた噴霧装置に置かれた。
次に、逆型有機太陽電池の層は任意で、逆型有機太陽電池を10−6Torrの真空下に置いた後、次に逆型有機太陽電池を120℃でアニールすることにより合わせてアニールされた。加えて、逆型有機太陽電池は、基板を10−6Torrの真空下にもう一度1時間置き、逆型有機太陽電池を160℃でアニールすることを含む2ステップアニールが施されてもよい。
逆型有機太陽電池の層が塗布および任意のアニールを含み作製されると、逆型有機太陽電池は、銀色塗料を基板上の少なくとも1個の接点に塗布すると共に、塗料を乾燥させることにより封止される。次に、封止基板は、アセトンおよびイソプロパノールを用いて、ノッチ加工されると共に洗浄された。封止基板は、基板を形成するために使用される材料など、当該技術分野において周知である任意の透明材料であってよい。次に、任意でUVオゾン洗浄が行われた。逆型有機太陽電池および封止基板は、紫外線硬化エポキシ樹脂を備えたグローブボックス内に置かれ、紫外線硬化エポキシ樹脂は封止ガラスの端縁に塗布され、また、逆型有機太陽電池基板は封止ガラス上に置かれた。次に、電池は紫外線オゾンで露光された。
結果的に得られた逆型有機太陽電池は、透明な接点を備えた溶液処理可能な有機太陽光層を使用しており、逆型有機太陽電池の光の透過が改善する。目下、4平方ミリメートル(4mm)の活性面積を備えた単一のセルに対して−1.3%のエネルギ変換効率が達成されると共に、0.39ボルトの開路電圧および0.46mAの短絡回路電流が得られる。
本発明をより十分に理解するために、以下の詳細な説明を、添付の図面と合わせて参照されたい。
エアブラシを用いてスンテンレス鋼シャドーマスクを介して基板へ噴霧される変性PEDOT:PSSを示す図。窒素が20psiの圧力のキャリアガスとして使用される。 スプレー層を含む新規の逆型OPVセルを示す斜視図。 新規の逆型OPVおよび従来の積み上げ構造によって構成された制御デバイスの電圧−電流プロットを比較するグラフ。 エネルギhvを有する光子を受光する新規の有機太陽電池を示す図。 CSCO層を備えておらず、或いはCSCO層を異なるスピン速度で備えた場合に、どのようにしてCSCO層が逆型セルの性能に影響を及ぼすかを示す電圧‐電流グラフ。 5%のDMSOを含むPEDOT:PSSの指示されるような異なる噴霧厚みでの透過スペクトラを示すグラフ。500nmから1μmの厚み範囲であり、550nmでは60〜60%の透過率である。 ITOおよび厚みが異なるm−PEDOT(変性PEDOT:PSS)のスプレー式アノードの透過率の比較を示すグラフ。 ITOおよび厚みが異なるm−PEDOT(変性PEDOT:PSS)のスプレー式アノードのシート抵抗の比較を示すグラフ。 200nmの活性層(P3HT:PCBM)(黒色線および塗りつぶされた四角)と600nmのm−PEDOT:PSS層(灰色線および塗りつぶされた円)の透過スペクトラを示すグラフ。 異なるm−PEDOT層組成が逆型太陽電池の性能にどのように影響を与えるかを示す電圧‐電流グラフ。 異なるアニール条件下においてAM1.5の太陽光照射で測定された3個のテストセルのI‐V特性を示すグラフ。120℃(明るい灰色円)または160℃(黒塗り四角)のいずれかで10分間の1ステップアニールと、120℃で10分間アニールした後、高真空に1時間置き、160℃で10分間アニールする2ステップアニール(中間の灰色三角)を含む。 タングステンランプ照射下での図5aの3個のテストセルのIPCEを示すグラフ。異なるアニール条件は、120℃(明るい灰色の円)または160℃(黒塗りの四角)のいずれかでの10分間の1ステップアニールと、120℃で10分間アニールした後、高真空に1時間置き、160℃で10分間アニールする2ステップアニール(中間の灰色三角)を含む。 直列接続を示す逆型ソーラアレイのデバイス構成を示す断面図。 様々なアニール条件下においてAM1.5の太陽光照射で測定された4個の逆型スプレー式ソーラアレイのI−V特性を示すグラフ。120℃(点線)または160℃(薄い灰色線)での1ステップアニールと、2ステップアニール(黒塗り四角)を含む。これらの3個のアレイはm−PEDOT750をアノードとして使用する。4個めのアレイ(濃い黒線)はm−PEDOT500をアノードとして使用すると共に、160℃でアニールされた。 AM1.5の連続太陽光照射下での逆型ソーラアレイのI−V特性を示すグラフ。第1測定(黒色点線)はアレイが形成されて封止された直後に行われた。挿入図は、(封止されていない)スプレー式テスト用セルのI−V特性の時間依存性を示す。
逆型配置には2つの手法がある。一方の手法は完全にITOが存在しないものであり、ジマーマン(Zimmermann)等によるラップスルー法(Zimmermann, et al.,
ITO-free wrap through organic solar cells-a module concept for cost-efficient
reel-to-reel production, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 91 (2007) 374-378)または電子接点としてカプトン箔およびアルミニウム/クロミウム2層システムの使用(Manceau, et al.,
ITO-free flexible polymer solar cells: from small model devices to roll-to-roll
processed large modules, Org. Electron. 12 (2011) 566-574)、およびクレブス(Krebs)等による130μmの厚みのポリエチレンテレナフタレート(PEN)基板への銀色ナノ粒子を含む底面電極の形成(Krebs, All solution roll-to-roll processed polymer solar cells free
from indium-tin-oxide and vacuum coating steps, Org. Electron. 10 (2009)
761-768)を用いる。別の手法としては、ITO上に電子伝達層を加えて、カソードとして機能させることである。デバイスが最初にカソードとして変性ITOから作られる逆型配置OPVは、単一セル(Huang, et al., A Semi-transparent plastic solar cell fabricated by a
lamination process, Adv. Mater. 20 (2008) 415-419、Yu,
et al., Efficient inverted solar cells using TiO2 nanotube
arrays, Nanotechnology 19 (2008) 255202-255207、Li, et
al., Efficient inverted polymer solar cells, Appl. Phys. Lett.
88 (2006) 253503-253506、Zou, et al., Metal grid/conducting polymer hybrid transparent electrode
for inverted polymer solar cells, Appl. Phys. Lett.
96 (2010) 203301-203304、Waldauf, et al., High efficient inverted organic photovoltaics
using solution based titanium oxide as electron selective contact, Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 233517-233520、Zhou,
et al., Inverted and transparent polymer solar cells prepared with vacuum-free
processing, Sol. Eng. Sol. Cells 93 (2009) 497-500)と、ソーラモジュール(Krebs and Norrman, Using light-induced thermocleavage in a roll-to-roll process for polymer solar
cells, ACS Appl. Mater. Interfaces 2 (2010) 877-887、Krebs,
et al., A roll-to-roll process to flexible polymer solar cells: model studies,
manufacture and operational stability studies, J. Mater. Chem. 19 (2009)
5442-5451、Krebs, et al., Large area plastic solar cell
modules, Mater. Sci. Eng. B 138 (2007) 106-111)の両方で研究されてきた。
スプレー技術を利用するOPV単一セルはこれまでにも報告されている(Weickert, et al., Spray-deposited PEDOT:PSS for inverted organic solar
cells, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 94 (2010) 2371-2374、Kim, et al., Performance optimization of polymer solar cells using electrostatically sprayed photoactive layers, Adv. Funct. Mater. 20 (2010) 3538-3546、Kim,
et al., Substrate heated spray-deposition method for high efficient organic
solar cell: morphology inspection, Jap. J. Appl. Phys. 49 (2010) 01800-01804)。しかしながら、これらの研究全てが高真空蒸着およびスピンコート法の少なくともいずれかを用いる。本発明は、スプレー法により形成された最初の逆型ソーラアレイである。スピンコートに基づき、また金属をカソード接点として使用するため、太陽電池の透明度が大きく制限されると共に、大規模生産が困難となる従来の技術と比べて、新規のスプレー技術はこれらの2つの問題を同時に解決する。薄膜有機ソーラアレイは、このレイヤーバイレイヤースプレー技術を利用して、所望の基板(硬質、可撓のいずれであってもよい)上に形成される。この技術により、高真空や高温が必要なくなり、また、現用のシリコンや無機薄膜太陽光製品に関連する低生産率や高コスト製造が解消される。更に、この技術は、布やプラスチックを含むあらゆる種類の基板に用いることができる。
本明細書で使用される“約”という用語は、数値と関連しておおよそまたは略を意味し、または数値のプラスマイナス15%に設定される範囲を意味する。
本明細書で使用される“実質的に”という用語は、完全に特定されるそのものではなくても、極めて近くて違いが僅かであることを概して意味する。
本明細書で説明される全てのスプレー用マスクは、タウンテクノロジーズ社(Towne Technologies, Inc.)により特注生産された。
モノクロメータ(Newport Oriel Cornerstone 1/4m)と結合された250Wのタングステンハロゲンランプを用いて、デバイスの光電変換効率(IPCE)または外部量子効率(EQE)が測定された。
ケースレー(Keithley)2000マルチメータと接続されたUV増大シリコン検出器によって、光電流が検出された。活性層の透過スペクトラムは、同じ光学セットアップで行われた。
コーニング(Corning)(登録商標)低アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス基板(デルタ・テクノロジー社(Delta Technology, inc.)を備え、4〜10Ω/平方の公称シート抵抗を有するインジウムスズ酸化物(ITO)は、4”×4”に予め切断されると共に、ポジ型フォトレジスト,シプレイ(Shipley)1813を用いてパターン加工され、4500rpmでスピンコートされ、且つ90℃のホットプレートで3分間ソフトベークされた。次にこの構造体は、25ワットに設定された一定強度モードを使用して、紫外線ランプで1.4秒間露光された。構造体はシプレイMF319を用いて約2.5分間成長させられ、水ですすいだ後、145℃で4分間ハードベークされた。余分なフォトレジストは、アセトンおよびコットンで洗浄して取り除かれた。基板は、100℃のHCl20%およびHNO7%溶液で5〜11分間エッチングが施された。構造体はエッチャントから取り出されると共に、アセトン次にイソプロパノールを用いて手で洗浄された。構造体は更にUVオゾンを用いて少なくとも15分間洗浄された。
CSCO界面バッファ層は、0.2%wt(2mg/mL)のCSCO(アルドリッチ)の2エトキシエタノール溶液を作り、且つ溶液を一時間攪拌することにより作製された。CSCOは、ITOの仕事関数を、カソードとして利用するべく、略4.0eVまで減少させるために選択された。層は約7〜10センチメートルの距離から、20psiに設定されたNを使用して、スプレーコートにより基板に塗布された。次に生成物は、Nグローブボックス(MBraun MOD-01)内において、150℃で10分間アニールされた。
活性層溶液は、ポリ(3ヘキシルチオフェン)溶液(P3HT;リーキ・メタルズ・インコーポレイテッド(Riekie Metals, Inc.,),ネブラスカ州リンカーン、NE; 42Kの平均分子重量と99%以上の位置規則性)および(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステル(PCBM;C60,ナノCインコーポレイテッド(Nano-C, Inc.,),マサチューセッツ州ウェストウッド、MA;純度99.5%)のジクロロベンゼン溶液20mg/mL夫々を混合することにより作製された。2つの溶液は、60℃のホットプレート上で24時間攪拌され、次に溶液は、1対1の比率で混合された。混合物は60℃で更に24時間攪拌され、最終的に10mg/mLの溶液が生成された。
活性被膜は、30psiに設定されたNを用いて、約7〜10センチメートルの距離からスプレーコートすることにより作製される。複数の薄層が最初に、噴霧毎に約600〜900μmで構造体にスプレーされた。次に、約200〜300nmの最終的な厚みを有する活性層被膜を完成させるために、最後の厚状連続被膜が塗布された。DCBを備えた綿布を用いて、余剰分を基板から拭き取った。次に構造体は、イソプロパノールに入れられた綿布で拭き取られた。次に基板は真空の前室内で少なくとも12時間乾燥させられた。
コバールシャドウマスクが所定位置に合わせられると共に、基板上にテープで止められた。次に、木製のダボを用いて、直列接続位置が拭かれた。
変性ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン(PEDOT)およびポリ(スチレンスルフォネート)(PSS)溶液(PEDOT:PSS;ベイトロン(Baytron)500および750;H.C.スターク・クゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクター・ハフトゥン(Starck GmbH.,)、ドイツ国ミュンヘン)を用いて、アノードバッファ層が作製された。PEDOT:PSSは希釈されると共に、0.45μmのフィルタをろ過させられた。このPEDOT:PSSろ過溶液は、5体積%のジメチルスルフォキシドと混合されると共に、室温で攪拌された後、1時間音波処理されて、変性PEDOT:PSS(mPED)が生じた。PEDOT:PSS溶液は、単独で使用される時には、導電性が相対的に低く、デバイスの性能が低下する。PEDOT:PSSの導電性は、ジメチルスルフォキシドでドープさせることにより増大する。
マスク2はアノード10、界面層40、および活性層30を含むセル上に置かれた。mPED被膜は、基板/マスクを90℃のホットプレート上におくことにより作製された。図1に示すように、基板/マスクは、噴霧装置3により、30psiに設定された窒素(N)をキャリアガスとして用いて、約7〜10センチメートルの距離からスプレーコートされた。最終的な厚みに達するまで、複数のスプレー薄層4が塗布された。次に基板がホットプレートから取り出され、マスクが取り除かれる。マスクでmPEDが取り除かれることがないように注意を払う必要があった。
次に基板は1時間、高真空(10−6Torr)に置かれることにより、スプレーされた活性層を備えたデバイスの性能が向上した(Lim, et al.,
Spray-deposited poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)
top electrode for organic solar cells, Appl. Phys. Lett.
93 (2008) 193301-193304)。真空後に、デバイスは120℃で10分間アニールされた。次に真空およびアニール工程は、同じ条件で二回目が繰り返された。基板は最後に、銀色塗料をデバイスの接点にまたは紫外線硬化封止材(EPO-TEK OG142-12;エポキシ・テクノロジー・インコーポレイテッド(Epoxy Technology, Inc.,)マサチューセッツ州ビレリカ)を塗布し、塗料を乾燥させることにより封止された。次に、封止されたガラスがノッチ加工されると共に、手によりアセトンおよびイソパノールを用いて洗浄され、続いて、少なくとも15分間UVオゾン洗浄が行われた。次に封止されたガラスがグローブボックス内に、少量の紫外線硬化エポキシ樹脂およびペイントブラシと共に置かれた。紫外線硬化エポキシ樹脂はペイントブラシで封止ガラスの端縁に塗布された。次にデバイスは逆さにされると共に、封止ガラスの上に置かれた。次にデバイスはUVオゾンで15分間露光され、封止エポキシ樹脂を硬化させた。
図2に分解された状態で示す逆型有機太陽電池1は、上述の方法を用いて製造された。逆型太陽電池1は、基板5上に形成される様々な活性材料および端子(アノードおよびカソード)層から構成される。アノード10は、本例ではITOから構成されており、基板5上にスプレーされることにより、基板5の第1端縁組から延出する
Figure 2013539235
パターンが形成される。界面バッファ層40は、図2に示すように、最外縁を除きアノード10を被覆する。界面バッファ層の成分は、界面を横切る電荷に勾配がもたらされて、従来の有機半導体とのp−n接合に近づくように選択されることにより、ヘテロ接合の効率が一層高められた。一例となる界面層は、CO2Co3、ZnO、または酸化チタンから構成される。活性層30は界面バッファ層40の上部に直接的に載置されると共に、ポリ(3ヘキシルチオフェン)および(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステルを用いて調合された。アノード20は、カソードと同様に、しかしカソードと直交するように、活性層の上にパターンをなして載置された。一例となるアノード材料には、ジメチルスルフォキシドがドープされたPEDOT:PSSを含む。完全に封止された4μm×4μmのアレイは、30%以上の透明度を有することが分かっている。
デバイスは、金属カソードを用いて熱蒸着により、従来の積み上げ構造により形成される制御デバイスに対して分析された。この段階では、新規の逆型セルは、図3に示すように、制御デバイス(3.5%)よりも小さいPCE(1.3%)を有する。
太陽電池は光電生成を判定するためにテストされた。有機太陽電池は、図4に示すように、エネルギhvを有する光子で露光された。エネルギ変換効率(PCE)の算出において、標準的な太陽光スペクトラムに対するスペクトラムの不一致は訂正されなかった。
ソーラアレイの電流‐電圧(I−V)特性評価は、ニューポート(Newport)1.6KWソーラシミュレータを用いて、100mW/cmのAM1.5放射照度で行われた。マルチセルアレイに対して良好な基準点を有するために、逆型単一セルテストデバイスは、1”×1”の基板上の4個の同一の小型セル(4mm)からなり、m−PEDOT500をアノードとして用いた。図5は、CSCO層がどのようにして逆型セルの性能に影響を与えるかを示す。CSCOを有さない制御セル(黒丸)は、レジスタと略同様に作動すると共に、極僅かなVOC(0.03V)を有した。より低い性能は、カソードとのΩの法則に基づいていない接触に起因しており、活性層全体での組み込み式電場は減少する。厚みをより良好に制御するために、CSCOは、これらのデバイス内において、洗浄されたITO基板上にスピンコートされた。図5に示すように、CSCO層の最適な厚みは、5000rpmのスピン速度で得られた。7000rpmなどのより高速では、デバイスは、非連続的なCSCO層のためにあまり有用ではなかった。更に注目することとして、最適な厚みは、AFMトポグラフィによって測定されると、10〜15Åであった。
ITOは通常、〜4.9eVの仕事関数を有し、これまでは一般的なOPVデバイスにおいてアノードとして使用されている。逆型OPV単一セルにZnO(Zou, et al., Metal grid/conducting polymer hybrid transparent electrode
for inverted polymer solar cells, Appl. Phys. Lett.
96 (2010) 203301-203304)、TiO(Huang, et al.,
A Semi-transparent plastic solar cell fabricated by a lamination process, Adv.
Mater. 20 (2008) 415-419; Yu, et al., Efficient inverted solar cells using TiO2
nanotube arrays, Nanotechnology 19 (2008)
255202-255207; Li, et al., Efficient inverted polymer solar cells, Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 253503-253506)、PEO(Zhou,
et al., Inverted and transparent polymer solar cells prepared with vaccum-free processing, Sol. Eng. Sol. Cells 93 (2009)
497-500)、およびCSCO(Huang, et al.,
A Semi-transparent plastic solar cell fabricated by a lamination process, Adv.
Mater. 20 (2008) 415-419; Yu, et al., Efficient inverted solar cells using TiO2
nanotube arrays, Nanotechnology 19 (2008)
255202-255207; Li, et al., Efficient inverted polymer solar cells, Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 253503-253506)などの電子伝達層を追加することにより、ITOの仕事関数を調整することが以前に報告されている。先の報告によれば、CSCOはITOの仕事関数を3.3eV程度まで低下させ得ることが示されている。0.2%のCSCOを含む2エトキシエタノール溶液を5000rpmで60秒間スピンコートすることにより、極めて薄いCS2CO3層(〜10Å)がITOの上に形成される。双極子層がCSCOおよびITOの間に形成される可能性があることが報告された。双極子モーメントはITOの仕事関数を減らすのを助け、ITOがカソードとして作用するのを可能にした。
ITO/CSCOカソードの有効仕事関数を推定するために、100nmのアルミニウムカソードがガラス基板上に蒸着させられ、活性層およびm−PEDOT層が上述のITO/CSCOカソード形態の時と同様にして形成されるように、制御デバイスは製造された。アルミニウムは透明ではないので、両方のデバイスにおいて、I−Vは、アルミニウム制御およびITO/CSCOカソードデバイスに対して同じ照射条件で、m−PEDOT側からの照射により測定された。図5に示すように、アルミニウムカソード制御デバイスのVocは0.24Vである一方、7000rpmでスピンさせられたITO/CSCOカソードデバイスのVocは0.36Vであった。アルミニウムは4.2eVの仕事関数を有することから、ITO/CSCOの有効仕事関数は4.1eVに近いことが示されている。
最適な活性層の構成要素を決定するために、PEDOT:PSSの様々な組成物が分析された。太陽電池は、PH−500変性5%DMSOを用いて、実施例1に記載する方法と同様にして作製された。スプレー式mPEDOTの透過スペクトラは、図6に示すように、異なる厚みの活性層を用いて、様々な波長について測定された。図7および図8は、どのようにしてスプレー式m−PEDOT層の厚みがその透過率およびシート抵抗に影響を与えるかを示す。透過率は、モノクロメータ(Newport Oriel Cornerstone
1/4m)と結合された250Wのタングステンハロゲンランプを用いて測定された。ITOは比較の基準として選択された。約100nmの厚みでは、図7に示すように、ITOと比べて、m−PEDOTの透過率は約80%である。m−PEDOTのシート抵抗は、標準的な4箇所プローブ測定(Van Zant, Microchip Fabrication, MaGraw-Hill, New York, ISBN 0-07-135636-3, 2000, pp.431-2、van der Pauw, A
method of measuring the resistivity
and Hall coefficient on lamellae of arbitrary shape, Philips Tech. Rev. 20
(1958) 220-224)を用いて測定された。予想通り、図8に示すように、抵抗は厚みが増すにつれて減少し、これはバルクモデルと一致する。
これらの2つのパラメータ(透過率およびシート抵抗)は、従来の金属接点に代わる接点としてm−PEDOTが使用されるのを可能にするために重要である。透明度および抵抗の間の妥協は、別の重要な製造パラメータである。現用のアレイは約600nmの厚みとなるように形成されており、70Ω/平方の中程度の抵抗と約50%の透過率を有する。
図9に示すように、活性層(P3HT:PCBM、200nm)および600nmのm−PEDOTアノードの透過スペクトラを比較した。図示するスペクトラ範囲全体での合計透過率は、m−PEDOTアノードへのスプレー後には、73%から31%に減少する。
太陽電池は、5%のDMSOで変性された異なるPEDOT組成物(PH−500およびPH−750)を用いて製造された。残りの手順については、実施例1において提供されたように従い、また性能は上述のように測定された。図10に示すように、PH−750の性能は、初期の強電流を示しており、電圧の上昇に伴い減少した。反対に、PH−500は、より低い電圧では動作が不十分であったが、より高い電圧ではPH―750よりも良好に動作した。
アニールは、有機太陽電池の性能を改善するために、最も重要な要因であることが分かっている。太陽電池は、120℃で10分間の1ステップ、160℃で10分間の1ステップ、または120℃で10分間アニールした後、1時間の高真空に続き、160℃で10分間の2ステップでアニールが生じることを除き、上述のように作製された。図11および図12は、異なるアニール条件での3個の逆型テストセルの電流‐電圧(I−V)および光電変換効率(IPCE)または外部量子効率(EQE)の比較を示す。このようなアニール条件の選択の根拠としては、アニール温度および温度プロフィールの両方を実験するためであった。図11によれば、120℃の1ステップアニールは、テストセルで最良の結果をもたらしており、100mV/cmのAM1.5放射照度の強度で、Voc=0.48V、Isc=0.23mA、FF=0.44、および1.2%のエネルギ変換効率であった。160℃での2番目のアニール工程はデバイスの性能をより低下させており、それは主に膜形態の好ましくない変化に起因するものであり、AFM画像で確認されているがデータは示されていない。160℃での1ステップアニールのPCEは、120℃での1ステップアニールおよび2ステップアニールの中間であったが、デバイスは最悪のFFを有するものであった。表1は、この3個のテストセルのI−V特性の詳細を示す。
Figure 2013539235
図12において、IPCE測定によれば、2ステップアニールは1ステップアニールよりも悪く、これは図示されていないI−V測定値と一致していた。160℃と120℃でアニールされたセルでは、PCEとIPCEの間には一致していない部分があり、160℃でアニールされたセルは、120℃でアニールされたセルよりもIPCEは高いがPCEは低いようである。IPCE測定は、タングステンランプからの照射下で行われる一方、I−Vはソーラシミュレータで行われており、タングステンランプと異なるスペクトラムを有するものである。それでも、IPCEの積分はIscと比例するべきである。160℃の1ステップで製造されたデバイスは、エネルギ変換効率がより低いが、実際のところIscは、120℃のもの(0.23mA)より大きい(0.28mA)。160℃対120℃でのIPCEの積分の比率は約1.3であり、同じデバイスでのIscの比率は1.2であった。いかなる論理にも拘束されるものではないが、僅かな不一致は、セルは強い(IV)照射と弱い(IPCE)照射では異なって作用するという事実から生じているのかもしれない。通常、双分子(BM)再結合は、高光強度(ソーラシミュレータ)で始まり(Shaheen, et al.,
2.5% efficient organic plastic solar cells, Appl. Phys. Lett.
78 (2001) 841-843)、より顕著なBM再結合を有するセルは、ソーラシミュレータからのような高強度照射では良好に作用しない。160℃でアニールされたセルは、データを示していないが、再結合中心として作用するより荒い形態に関連するより多くのトラップに起因して、120℃でアニールされたセルよりもBM再結合の影響を多く受けるからかもしれない。同じ作用は、160℃でアニールされるデバイスおよび2ステップアニールのデバイスにおいて、図11と図12に示すIscの差よりも、IPCEでのより大きな差を説明するために適用され得る。
120℃での1ステップアニール(b)は、膜粗さの改善およびP3HTとPCBMの最良の相分離を示しており、図11および図12に示すように、このアニールプロフィールを用いて、デバイスの高性能が説明される。2ステップアニールによるデバイスは、最も滑らかな膜を有するが、相分離はそれほど明確ではなかった。即ち、P3HT鎖およびPCBM分子は、160℃の2回目のアニール後に、互いにより多く貫通すると共に、かなり小さいナノ領域を形成するものであり、これは領域間の電荷移動に好ましい(Kline and McGehee, Morphology and charge
transport in conjugated polymers, J Macromol. Sci. C:
Poly. Rev. 46 (2006) 27-45)。しかしながら、光生成キャリアの再結合は、電子サンドホールに対する別々の経路の欠如に起因して増大し、それにより、図11および図12に示すように、デバイスは2ステップアニール後に、120℃での1回目のアニール後よりも動作が悪化した。160℃のより高温での1ステップアニールによれば、より粗い膜(出来上がった状態のままのデバイスよりも粗い)が得られると共に、P3HT相およびPCBM相は殆ど区別がつかない。この粗い膜はまた、活性層とm−PEDOTの界面にも影響を及ぼし、図11および図12に示すように、デバイスのFFはより悪い。
太陽光の照射は、ソーラアレイの効率を250%まで向上させるために実施された。1.80%のデバイスの効率は、AM1.5の放射照度でのアレイを用いて観察された。我々の予備データによれば、照射での性能の向上は、スプレーされたデバイスでのみ生じ、スピンコートにより作られたデバイスでは生じないことを示した。即ち、我々のスプレー技術によって製造された太陽電池は、太陽光ではより良好に動作するものであり、これは太陽光エネルギの用途では有益である。
ソーラアレイは、50個の独立した逆型セルを形成することにより作製され、各々は60mmの活性面積を備えると共に、m−PEDOT750またはm−PEDOT500のいずれかを半透明アノードとして使用した。アレイは、電圧を高めるために、一列に10個のセルを直列に備えるように構成されており、また、電流を高めるために、5列が平列接続された。隣り合うセルは、図13の断面図に示すように、有機層形態を用いて連結された。
アレイの特性は、上述のようにテストされた。上記の実施例4に説明する異なるアニール条件を用いて作製された4個のアレイのI−Vは、図14に示すように、AM1.5太陽光照射で測定された。低温(120℃)での1ステップアニールは最悪の結果をもたらし、2ステップアニールは、160℃の第2高温アニール後に、I−V特性(Voc,Jsc,FF,PCE)の改善を示した。高温(160℃)での1ステップアニールは最良のVocをもたらし、また、2ステップアニールは最も高いJscを生じさせる。アノードに関して、表2に示すように、m−PEDOT500はPEDOT750よりも高いVocをもたらすようである。しかしながら、2ステップアニールおよび160℃での1ステップアニールでは、PCEに大きな差はなく、図11および図12に示すテストデバイスの結果とは対照的である。おそらく、アレイは面積が大き過ぎ、また多くの材料を含むことから、アニール継続時間がアレイに対して短過ぎると考えられる。また、アニールの温度、継続時間、および温度プロフィールの間における相互作用の調査は、最適なデバイス形成条件を見出すために継続している。
Figure 2013539235
逆型有機太陽電池では、興味深い状況が観察されており、図15に示すように、これは「フォトアニール」と呼ばれる。ソーラシミュレータからの一定照射状態では、I−V特性の突然の変化が、デバイスに応じて10分から数時間の後に生じている。例えば、図15に示すソーラアレイは、「フォトアニール」するために約15分を要しており、照射状態で2.5時間後に最大PCEに達した。最も大きな変化はIscに生じており、2.5時間後には、17から35mAまで2倍以上となった。Vocの変化は、4.0から4.2Vとごく僅かであり、アレイの最大PCEは1.80%であった。表3は、他のI‐V特性の変化を挙げた。
Figure 2013539235
また注目すべきこととして、Iscのこのような突然の増加は、I−V曲線での特徴的な「小刻みな揺れ」に付随して生じた。いかなる特定の理論に拘束されるものではないが、幾つかの作用により、このような観測が説明される。第1の作用は、活性層内での光強度の再分散を生じさせる光学干渉によるものである。シーラントエポキシ樹脂は加熱されて柔らかくなるので、封止ガラスとデバイスの間の距離が変化してしまい、結果的に光学損失がより少なくなる。その結果、短絡電流Iscは増加する。この作用は、図15の挿入図によって支持されており、図15は、封止がないスプレー式テストセルの高速減衰を示す。封止は、酸化を最小限にすると共に、有機太陽電池の効率減衰の速度を落とすのにも役立つ。第2の作用としては、活性層のフォトアニールがデバイスの形態を改善すると共に、幾つかの弱点(切れた短絡)を直すことにより、IscおよびFFが改善した。また、PCBMが高分子鎖の間の空隙を貫通することにより、より良好な相分離を生じさせることも可能である(Geiser,
et al., Poly(3-hexylthiophene)/C60 heterojunction
solar cells: implication of morphology on performance and ambipolar
charge collection, Sol. Eng. Sol. Cells 92 (2008) 464-473)。温度低下に従い、高分子鎖は元の形態に戻り、またI−V曲線は元の曲線に戻り、ある種の温度ヒステリシスを明示している。第3の作用は、先に完全に捕獲されたキャリア(即ちポーラロン)の温度活性に起因するものであり、より高い温度でより多くの光電流が結果的に得られる(Graupner,
et al., Shallow and deep traps in conjugated polymers of high intrachain order, Phys. Rev. B 54 (1996) 7610-7613、Nelson, Organic
photovoltaic films, Curr. Opinion Solid State Mater.
Sci. 6 (2002) 87-95)。I−Vデータの小刻みな揺れは、フィルム形態の不均一性を表しており、またデバイス性能の全体的な向上は、活性層で先に捕獲された電荷の開放によるものである。この観察は、太陽光照射状態では通常は悪化を示す有機太陽電池の従来の概念を覆すものである(Dennler,
et al., A new encapsulation solution for flexible organic solar cells, Thin
Solid Films 511-512 (2006) 349-353)。驚いたことに、照射状態でのこの性能の向上は、スプレー式デバイスでのみ生じており、スピンコートによって作られたデバイスでは生じなかった。そのため、スプレー技術を用いて作製された太陽電池は、太陽光ではより良好に作用しており、これは太陽光エネルギの用途では明らかに有益である。熱アニールは、デバイスPCEの改良では重要であった。また、最適なアニール条件は、小型の単一セルと50個のセルから成る大型ソーラアレイでは同じではない。デバイスの光学的、電子的、形態特性の体系的な研究によれば、デバイスのエネルギ変換効率に対するナノ形態の影響が明らかになった。また、フォトアニール、即ち太陽光照射状況において、ヒステリシスパターンを伴う太陽電池PCEの2倍以上の増加は、太陽光の下での有機太陽電池の悪化という通常の理解と対照的である。フォトアニールはスプレー式太陽電池またはアレイでのみ観察されたという事実は、大規模且つ低コストである溶液ベースの太陽光エネルギの用途に有利な解決策をもたらすものである。
開示される先の明細書、全ての文献、行為、または情報は、それらの任意に組み合わせられた文献、行為又は情報が、公的に利用可能であり、周知であり、当該技術分野における一般的な知識の一部であり、または優先時点において任意の問題を解決するのに関連することが知られていることを容認するものではない。
上記に引用される全ての出版物の開示は、個々に参照されることにより各々が援用される範囲で、各々の全体が、参照により明らかに本明細書に援用される。
有機太陽電池および太陽電池の製造方法の実施形態が記載および例証されているが、本発明の大まかな主旨および原則から逸脱することなく、変形および変更が可能であることは、当該技術分野に属する者であれば理解できる。また当然のことながら、以下の請求の範囲は、本明細書に記載される本発明の一般的且つ特定の特徴全て、及び言語上の問題として、含まれるといえる本発明の範囲の全ての提示を網羅するものである。
1 逆型有機太陽電池
2 マスク
3 噴霧装置
4 スプレー薄層
5 基板
10 アノード
30 活性層
40 界面バッファ層

Claims (22)

  1. 第1面および第2面を有する基板と、前記基板はガラス、プラスチック又は布であり、
    前記ガラスの第1面上に載置されるパターン加工が施されたITO層と、前記ITO層は前記ガラス基板上において第1方向に置かれる複数の接点として載置され、
    前記ITO層上に載置されるCSCOのパターン加工が施された界面バッファ層と、
    前記CSCO層上に載置されるポリ(3ヘキシルチオフェン)および(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステルの活性層と、前記活性層は約200nmから約500nmの厚みであり、
    前記活性層上に載置されるポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルフォネートと5体積%のジメチルスルフォキシドを含むアノード層と、前記アノード層は約100nmから約1μmの厚みであり、
    封止層と、前記封止層はガラス、プラスチック、または布であり、
    前記層の間に気密シールを形成するために載置される紫外線硬化エポキシ樹脂封止材または銀色塗料と
    を含む有機太陽電池。
  2. 前記ガラスは低アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラスである請求項1の有機太陽電池。
  3. 前記ガラスは4〜10Ohm/平方の公称シート抵抗を有する請求項2の有機太陽電池。
  4. 前記CSCO層は5Åから15Åの厚みである請求項1の有機太陽電池。
  5. 前記活性層は約200から約300nmのおおよその最終層厚みの層厚を有する請求項1の有機太陽電池。
  6. 前記活性層の厚みは約200nmである請求項5の有機太陽電池。
  7. 前記アノード層の厚みは約100nmから約600nmである請求項1の有機太陽電池。
  8. 前記アノード層の厚みは約100nmである請求項7の有機太陽電池。
  9. 前記活性層の厚みは200nmであり、前記アノード層の厚みは600nmである請求項6の有機太陽電池。
  10. 60nmの活性面積を有する50個の独立セルのアレイとなるように載置される一連の有機太陽電池を更に含む請求項1の有機太陽電池。
  11. 10個のセルが連続して一列に載置されており、5列が並列接続される請求項10の有機太陽電池。
  12. インジウムスズ酸化物が被覆される透明圧電材料を含む基板を得る工程と、
    前記インジウムスズ酸化物被膜の上に炭酸セシウム層をスプレーコートすることによりカソードを形成する工程と、
    前記CSCO層上に載置されるポリ(3ヘキシルチオフェン)および(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステルの層をスプレーコートすることにより活性層を形成する工程と、前記活性層は約200nmから約500nmの厚みであり、
    前記活性層上に載置される5体積%のジメチルスルフォキシドがドープされたポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルフォネート含むアノード層を形成する工程と、前記アノード層は約100nmから約1μmの厚みであり、
    紫外線硬化エポキシ樹脂封止材または銀色塗料を前記セルの端縁に塗布することにより、前記有機逆型太陽電池を封止する工程と
    を含む有機逆型太陽電池の製造方法。
  13. カソード層用基板を作製する工程を更に含み、前記工程は、
    ポジ型フォトレジストを約4500rpmでスピンコートする工程と、
    前記インジウムスズ酸化物をパターン加工するために前記ポジ型フォトレジストを90℃でソフトベークする工程と、
    前記ベークされたポジ型フォトレジストを約25ワットに設定された一定強度モードの紫外線照射で露光させる工程と、
    前記露光されたポジ型フォトレジストを成長させる工程と、
    前記露光されたポジ型フォトレジストを約145℃でハードベークする工程と、
    アセトンおよびコットンを用いて余分なフォトレジストを洗い流す工程と、
    100℃の20%HCl−7%HNO溶液で前記基板をエッチングする工程と
    を含む請求項12の方法。
  14. アセトンおよびイソプロパノールを順に用いて手により前記基板を洗浄し、続いてUVオゾン洗浄を行う工程を更に含む請求項13の方法。
  15. 0.2%重量(2mg/mL)のCSCOの2エトキシエタノール溶液を作る工程と、
    前記溶液を一時間攪拌する工程と、
    前記溶液をN促進剤を入れたスプレー装置に置く工程と
    によりセシウム層を作製する工程を更に含む
    請求項12の方法。
  16. 20mg/mLのポリ(3ヘキシルチオフェン)のジクロロベンゼン溶液を60℃で24時間混合する工程と、
    20mg/mLの(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステルのジクロロベンゼン溶液を60℃で24時間混合する工程と、
    前記ポリ(3ヘキシルチオフェン)溶液および前記(6,6)フェニルC61ブチル酸メチルエステル溶液を1対1の比率で組み合わせると共に、60℃で24時間攪拌する工程と、
    前記溶液をN促進剤を入れたスプレー装置に置く工程と
    により前記活性層を作製する工程を更に含む
    請求項12の方法。
  17. ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェンおよびポリ(スチレンスルフォネート)の溶液を0.45μmフィルタでろ過する工程と、
    前記ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェンおよびポリ(スチレンスルフォネート)の溶液をジメチルスルフォキシド溶液と混合して、5体積%の最終濃度のジメチルスルフォキシドを生じさせる工程と
    前記ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン‐ポリ(スチレンスルフォネート)‐ジメチルスルフォキシド溶液を室温で攪拌する工程と、
    前記ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン‐ポリ(スチレンスルフォネート)‐ジメチルスルフォキシド溶液を1時間音波処理する工程と、
    前記溶液をN促進剤を入れたスプレー装置に置く工程と
    によりアノードバッファ層を作製する工程を更に含む
    請求項12の方法。
  18. 前記有機逆型太陽電池の活性層にマスクを適用する工程と、
    前記有機逆型太陽電池およびマスクを90℃のホットプレート上に置く工程と、
    前記ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン‐ポリ(スチレンスルフォネート)‐ジメチルスルフォキシド溶液を前記活性層にスプレーコートする工程と、
    前記有機逆型太陽電池およびマスクを前記ホットプレートから取り出す工程と、
    前記マスクを前記有機逆型太陽電池から外す工程と
    を更に含む請求項17の方法。
  19. 前記アノード層が塗布された後に前記層を合わせてアニールする工程を更に含み、前記工程は、
    前記有機逆型太陽電池を10−6Torrの真空に置く工程と、
    前記有機逆型太陽電池を120℃でアニールする工程と
    を含む請求項12の方法。
  20. 前記基板を高真空(106)Torrにもう一度1時間置く工程と、
    前記有機逆型太陽電池を160℃でアニールする工程と
    を更に含む請求項8の方法。
  21. 前記基板は低アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス基板である請求項12の方法。
  22. 前記有機逆型太陽電池を封止する工程は更に、
    銀色塗料を用いて前記ガラス基板を封止すると共に、前記銀色塗料を前記ガラス基板上の少なくとも1個の接点に塗布する工程と、
    前記銀色塗料を乾燥させる工程と、
    封止ガラスにノッチ加工を施す工程と、
    アセトンおよびイソプロパノールを用いて前記封止ガラスを洗浄する工程と、
    UVオゾンを用いて前記ガラス基板を洗浄する工程と、
    前記封止ガラスを紫外線硬化エポキシ樹脂を備えたグローブボックスに置く工程と、
    前記紫外線硬化エポキシ樹脂を前記封止ガラスの端縁に塗布する工程と、
    前記基板を逆にすると共に、該基板を前記封止ガラス上に置く工程と、
    前記基板をUVオゾンで露光させる工程と
    を含む請求項21の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016167555A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社東芝 光電変換素子および太陽電池

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2671270A2 (en) 2011-02-01 2013-12-11 University Of South Florida A partially-sprayed layer organic solar photovoltaic cell using a self-assembled monolayer and method of manufacture
JP2014505378A (ja) * 2011-02-14 2014-02-27 ユニバーシティー オブ サウス フロリダ 有機太陽電池アレイおよび製造方法
EP2684232A4 (en) 2011-03-08 2015-05-20 Univ South Florida ORGANIC INVERTED SOLAR MICROARRAY FOR APPLICATIONS IN MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS
WO2012132828A1 (ja) * 2011-03-29 2012-10-04 住友化学株式会社 有機光電変換素子の製造方法
WO2014145609A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 University Of South Florida Mask-stack-shift method to fabricate organic solar array by spray

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8022A (en) * 1851-04-08 Sawing-machine
US9022A (en) * 1852-06-15 Organ
JPS60219522A (ja) * 1984-04-16 1985-11-02 Canon Inc フオトセンサ
JP2006511073A (ja) * 2002-12-20 2006-03-30 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 光学装置の電気接続
JP2008272649A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Toppan Printing Co Ltd 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JP2010059417A (ja) * 2008-08-07 2010-03-18 Mitsubishi Chemicals Corp 重合体、発光層材料、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、これらを利用した有機電界発光素子、有機太陽電池素子、有機el表示装置、及び有機el照明
WO2010054891A1 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 Imec Solution processing method for forming electrical contacts of organic devices
WO2010102178A2 (en) * 2009-03-06 2010-09-10 University Of Florida Research Foundation, Inc. Air stable organic-inorganic nanoparticles hybrid solar cells

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6524990B2 (en) * 2001-02-15 2003-02-25 Air Products And Chemicals, Inc. Active fluoride catalysts for fluorination reactions
EP1644989B9 (en) * 2003-07-07 2012-04-04 Dow Corning Corporation Encapsulation of solar cells
GB0315846D0 (en) * 2003-07-07 2003-08-13 Dow Corning Solar cells and encapsulation thereof
US20050062174A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulated organic electronic device
US20080149178A1 (en) * 2006-06-27 2008-06-26 Marisol Reyes-Reyes Composite organic materials and applications thereof
WO2009017700A1 (en) * 2007-07-27 2009-02-05 The Regents Of The University Of California Polymer electronic devices by all-solution process
KR20090064863A (ko) * 2007-12-17 2009-06-22 광주과학기술원 스프레이 코팅을 이용한 유기태양전지 제조방법
KR20090081950A (ko) * 2008-01-25 2009-07-29 삼성전자주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
WO2009094663A2 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 University Of Washington Photovoltaic devices having metal oxide electron-transport layers
US20090229667A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Solarmer Energy, Inc. Translucent solar cell
DE102008039337A1 (de) * 2008-03-20 2009-09-24 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zum Besprühen, Verfahren dazu sowie organisches elektronisches Bauelement
EP2263240A1 (en) * 2008-04-15 2010-12-22 E. I. du Pont de Nemours and Company Aluminum pastes and use thereof in the production of silicon solar cells
US9371247B2 (en) * 2009-05-29 2016-06-21 Corsam Technologies Llc Fusion formable sodium free glass
CN101661994B (zh) * 2009-09-29 2011-12-28 吉林大学 一种无需真空过程制备有机聚合物太阳能电池的方法
JP4612731B1 (ja) * 2009-09-29 2011-01-12 富士フイルム株式会社 太陽電池モジュール
US20120211083A1 (en) * 2009-10-29 2012-08-23 Takahiro Seike Method for manufacturing organic thin film solar cell module
KR101101479B1 (ko) * 2010-05-07 2012-01-03 한밭대학교 산학협력단 전하 주입성을 향상시킨 유기박막트랜지스터 및 이의 제조방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8022A (en) * 1851-04-08 Sawing-machine
US9022A (en) * 1852-06-15 Organ
JPS60219522A (ja) * 1984-04-16 1985-11-02 Canon Inc フオトセンサ
JP2006511073A (ja) * 2002-12-20 2006-03-30 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 光学装置の電気接続
JP2008272649A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Toppan Printing Co Ltd 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JP2010059417A (ja) * 2008-08-07 2010-03-18 Mitsubishi Chemicals Corp 重合体、発光層材料、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、これらを利用した有機電界発光素子、有機太陽電池素子、有機el表示装置、及び有機el照明
WO2010054891A1 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 Imec Solution processing method for forming electrical contacts of organic devices
WO2010102178A2 (en) * 2009-03-06 2010-09-10 University Of Florida Research Foundation, Inc. Air stable organic-inorganic nanoparticles hybrid solar cells

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6014011057; APPLIED PHYSICS LETTER: 'Spray-deposited poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) top electrode for organic so' Yee-Fun LIM, Sungsoo LEE, David J. HERMAN, Matthew T. LLOYD, John E. ANTHONY and George G. MALLIARAS Volume 93, Issue 19, 20081110, Page 19&#xFF1 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016167555A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社東芝 光電変換素子および太陽電池

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