JPS6130070A - フオトセンサ - Google Patents
フオトセンサInfo
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- JPS6130070A JPS6130070A JP59151381A JP15138184A JPS6130070A JP S6130070 A JPS6130070 A JP S6130070A JP 59151381 A JP59151381 A JP 59151381A JP 15138184 A JP15138184 A JP 15138184A JP S6130070 A JPS6130070 A JP S6130070A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は基板上に光電変換部を有するフォトセンサに関
する。
する。
本発明によるフォトセンサは、たとえばファクシミリや
画像読取装置等の読取部に広く適用される。
画像読取装置等の読取部に広く適用される。
[従来技術〕
従来のフォトセンサとしては、CODを用いた1次元ア
レイが一般的に知られている。しかし、従来のフォトセ
ンサでは、シリコン単結晶の大きさに限度があるために
、長尺のフォトセンサアレイを製造することは困難であ
った。
レイが一般的に知られている。しかし、従来のフォトセ
ンサでは、シリコン単結晶の大きさに限度があるために
、長尺のフォトセンサアレイを製造することは困難であ
った。
そこで、長尺のフォトセンサを構成するものとして、プ
レナー型の光導電型フォトセンサが注目されている。
レナー型の光導電型フォトセンサが注目されている。
第4図は、従来のプレナー型の光導電型フォトセンサの
一例であり、第4図(A)は平面図、第4図(B)は、
第4図(A)におけるA−A線断面図である。
一例であり、第4図(A)は平面図、第4図(B)は、
第4図(A)におけるA−A線断面図である。
同図において、基板l上には、光導電層2が形成され、
さらにオーミックコンタクト層3を介して電極4および
5が形成されている。
さらにオーミックコンタクト層3を介して電極4および
5が形成されている。
光導電層2の材料は、カルコゲナイド、CdS、Cd5
Se 、非晶質シリコン(以下、a−9iと記す)等で
ある。また、電極4および5の間隙によって受光部6が
形成されている。
Se 、非晶質シリコン(以下、a−9iと記す)等で
ある。また、電極4および5の間隙によって受光部6が
形成されている。
光導電層2は、受光部6からの光の強度によってその抵
抗値が変化する。したがって、電極4および5に所定の
電圧を印加しておけば、受光強度に対応した電流(以下
、光電流とする)を得ることができる。
抗値が変化する。したがって、電極4および5に所定の
電圧を印加しておけば、受光強度に対応した電流(以下
、光電流とする)を得ることができる。
ここで光電流Iは、電極4および5の間隔L、電極4お
よび5の対向している長さWとすると、W/Lに比例す
ることが知られている。したがって、大きな光電流Iを
得るためには、間隔りを小さく、長さWを大きくする必
要がある。そのために、第4図CA)に示されるように
、間隔りをできるだけ小さくするとともに、電極4およ
び5をくし状に形成し、長さWを長くしている。
よび5の対向している長さWとすると、W/Lに比例す
ることが知られている。したがって、大きな光電流Iを
得るためには、間隔りを小さく、長さWを大きくする必
要がある。そのために、第4図CA)に示されるように
、間隔りをできるだけ小さくするとともに、電極4およ
び5をくし状に形成し、長さWを長くしている。
しかしながら、このような従来のフォトセンサでは、間
隔りが小さくなる程、また長さWが長くなる程、ファイ
ンパターンの電極形成が困難となり、十分大きな光電流
を得ることはできなかった。
隔りが小さくなる程、また長さWが長くなる程、ファイ
ンパターンの電極形成が困難となり、十分大きな光電流
を得ることはできなかった。
[発明の目的]
本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的は簡単な構成で十分大きな光電流を得ることが
できるフォトセンサを提供することにある。
その目的は簡単な構成で十分大きな光電流を得ることが
できるフォトセンサを提供することにある。
[発明の概要]
上記目的を達成するために、本発明によるフォトセンサ
は、微小間隔で対向配置されるとともに光電変換部の上
下面に接続された電極を有し、該上下の電極が電気的に
接続されていることを特徴とする。
は、微小間隔で対向配置されるとともに光電変換部の上
下面に接続された電極を有し、該上下の電極が電気的に
接続されていることを特徴とする。
[発明の実施例]
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第1図(A)〜(G)は、本発明によるフォトセンサの
一実施例の製造工程図である。
一実施例の製造工程図である。
まず、十分に洗浄されたガラス基板101の全面に、ス
パッタリングによりアルミニウム(AI)層102を厚
さ約0.51Lm形成する[第1図(A)] 。
パッタリングによりアルミニウム(AI)層102を厚
さ約0.51Lm形成する[第1図(A)] 。
次に、フォトレジストを用いたフォトリングラフィ法に
よって、AIFfj102から下電極103および10
4を形成する[第1図(B)]。ただし、本本実例では
、下電極103と104との間隔は約8ルmである。
よって、AIFfj102から下電極103および10
4を形成する[第1図(B)]。ただし、本本実例では
、下電極103と104との間隔は約8ルmである。
続いて、下電極103および104に渡って厚さ0.8
1Lmのa−5iの光導電層105を形成する[第1図
(C)] 。
1Lmのa−5iの光導電層105を形成する[第1図
(C)] 。
a−Siの光導電層105は、次のようにして形成され
る。まず、基板上に必要部分のみに成膜するマスクを配
置し、グロー放電装置内に設置する。続いて、装置内の
真空度10−6 Torr、温度230℃で5jH4ガ
スを流量1105CC流入させ、ガス圧をQ 、 07
Torrに設定する。そして、13.56MHzの高周
波電源を用い、入力電圧0.3KV、放11力8Wで、
4.5時間のグロー放電を行い、a−3iの光導電層1
05を形成する。
る。まず、基板上に必要部分のみに成膜するマスクを配
置し、グロー放電装置内に設置する。続いて、装置内の
真空度10−6 Torr、温度230℃で5jH4ガ
スを流量1105CC流入させ、ガス圧をQ 、 07
Torrに設定する。そして、13.56MHzの高周
波電源を用い、入力電圧0.3KV、放11力8Wで、
4.5時間のグロー放電を行い、a−3iの光導電層1
05を形成する。
次に、上記装置内において、SiH4をH2で10%に
希釈したガスと、PH3をH2で1100ppに希釈し
たガスとを、1:10の割合で混合した原料ガスを用い
、放電電力30Wでグロー放電を行う。これによって、
光導電層105上にオーミックコンタクト用のn中層1
06が厚さ0.151Lm堆積される[第1図(D)]
。
希釈したガスと、PH3をH2で1100ppに希釈し
たガスとを、1:10の割合で混合した原料ガスを用い
、放電電力30Wでグロー放電を行う。これによって、
光導電層105上にオーミックコンタクト用のn中層1
06が厚さ0.151Lm堆積される[第1図(D)]
。
次に、スパッタリングにより厚さ0 、3 gmのA1
層107が上記基板の全面に形成される[第1図(E)
]。
層107が上記基板の全面に形成される[第1図(E)
]。
続いて、第1図(B)に示されるように、下電極103
および104と同位置且つ同間隔で、AI層107から
上電極108および109を形成する[第1図(F)]
。
および104と同位置且つ同間隔で、AI層107から
上電極108および109を形成する[第1図(F)]
。
そして、プラズマエツチング装置内で、上電極108お
よび109をマスクとして、CF4ガスによるドライエ
ツチング(高周波電力120W、ガス圧Q 、 Q 7
Torr)を行い、n中層ioaを除去し受光部11
0を形成する[第1図(G)] 。
よび109をマスクとして、CF4ガスによるドライエ
ツチング(高周波電力120W、ガス圧Q 、 Q 7
Torr)を行い、n中層ioaを除去し受光部11
0を形成する[第1図(G)] 。
このように、光導電層105を上下両電極によって接続
したフォトセンサでは、従来に比べて4〜5倍の光電流
を得ることができた。
したフォトセンサでは、従来に比べて4〜5倍の光電流
を得ることができた。
第2図は、本発明の第2実施例の断面図である。本実施
例では、下電極103および104の間隔L1を12g
m、上電極108および109の間隔L2を8pLmと
した。
例では、下電極103および104の間隔L1を12g
m、上電極108および109の間隔L2を8pLmと
した。
このように、L、>L2とすることで、L1=L2の場
合よりも同じ光量でより大きな光電流を得ることができ
た。
合よりも同じ光量でより大きな光電流を得ることができ
た。
第3図は、本発明の第3実施例の製造工程図である。
まず、十分に洗浄されたガラス基板201の全 。
面に、スパッタリングによりAI層202を厚さ約0.
5JLm形成する[第3図(A)] 。
5JLm形成する[第3図(A)] 。
次に、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ法に
よって、At層202から下電極203および204を
形成する[第3図(B)] 。
よって、At層202から下電極203および204を
形成する[第3図(B)] 。
続いて、基板上に必要部分のみに成膜するマスクを配置
し、グロー放電装置内に設置し、装置内を真空度10−
’3 Torr、温度230℃とする。そして、5fH
4をH2で10%に希釈したガスと、PH3をH2で1
100ppに希釈したガスとを、1:10の割合で混合
した原料ガスを用い、放電電力30Wでグロー放電を行
う。これによって、下電極203と204に渡ってオー
ミックコンタクト用のn中層205が厚さ0.15JL
m堆積される[第3図(C)]。
し、グロー放電装置内に設置し、装置内を真空度10−
’3 Torr、温度230℃とする。そして、5fH
4をH2で10%に希釈したガスと、PH3をH2で1
100ppに希釈したガスとを、1:10の割合で混合
した原料ガスを用い、放電電力30Wでグロー放電を行
う。これによって、下電極203と204に渡ってオー
ミックコンタクト用のn中層205が厚さ0.15JL
m堆積される[第3図(C)]。
次に、下電極203.204およびn中層205上に、
フォトレジスト206を厚さ1〜2gm塗布して約20
分間プリベークする。そして、下電極203および20
4をマスクとして。
フォトレジスト206を厚さ1〜2gm塗布して約20
分間プリベークする。そして、下電極203および20
4をマスクとして。
基板201の裏面から超高圧水銀灯で40秒間紫外線(
UV)を照射し[第3図(D)] 、下電極203およ
び204上のフォトレジスト207および208を残し
て他を除去する[第3図(E)]。
UV)を照射し[第3図(D)] 、下電極203およ
び204上のフォトレジスト207および208を残し
て他を除去する[第3図(E)]。
続いて、プラズマエツチング装置内で、CF4ガスによ
るドライエツチング(高周波電力120W、ガス圧0
、07 Tart)を行い、下電極203および204
上のn中層205を残して他を除去する[第3図(F)
]。
るドライエツチング(高周波電力120W、ガス圧0
、07 Tart)を行い、下電極203および204
上のn中層205を残して他を除去する[第3図(F)
]。
次に、フォトレジスト207および208を除去した後
[第3図(G)] 、第1図(C)〜(G)と同様に、
a−Siの光導電層209゜オーミックコンタクト用の
n中層210、AI層211から上電極212および2
13が各々形成される[第3図(H)〜(K)] 。
[第3図(G)] 、第1図(C)〜(G)と同様に、
a−Siの光導電層209゜オーミックコンタクト用の
n中層210、AI層211から上電極212および2
13が各々形成される[第3図(H)〜(K)] 。
このようにして形成された本実施例では、下型−極20
3および204にもオーミックコンタクト用のn中層2
05が形成され、第1および第2実施例よりも更に大き
な光電流を得ることができた。
3および204にもオーミックコンタクト用のn中層2
05が形成され、第1および第2実施例よりも更に大き
な光電流を得ることができた。
[発明の効果]
以上詳細に説明したように、本発明によるフォトセンサ
は、a−5i等の光電変換部のト下面に接続された電極
を有し、該上下の電極が電気的に接続されているために
、従来と同様の電極パターンを用いても大きな光電流を
得ることができ、駆動が容易となる。
は、a−5i等の光電変換部のト下面に接続された電極
を有し、該上下の電極が電気的に接続されているために
、従来と同様の電極パターンを用いても大きな光電流を
得ることができ、駆動が容易となる。
また、電極が2層形成されているために、断線等のりベ
アが容易となり、歩留りが大幅に向トする。
アが容易となり、歩留りが大幅に向トする。
さらに、十分に厚い電極を有するために、センサの基板
が強固となり、他の基板の回路との接続の信頼性が向上
する。
が強固となり、他の基板の回路との接続の信頼性が向上
する。
第1図(A)〜(G)は、本発明によるフォトセンサの
一実施例の製造工程図、 第2図は、本発明の第2実施例の断面図、第3図は、本
発明の第3実施例の製造工程図。 第4図は、従来のプレナー型の光′導電型フォトセンサ
の一例であり、第4図(A)は平面図、第4図(B)は
、第4図(A)におけるA−A線断面図である。 iot、201.ガラス基板、 103.104,203,204.下電極108.10
9,212,213H上電極105.209;光導電層 第 (A) 4 μm (B)
一実施例の製造工程図、 第2図は、本発明の第2実施例の断面図、第3図は、本
発明の第3実施例の製造工程図。 第4図は、従来のプレナー型の光′導電型フォトセンサ
の一例であり、第4図(A)は平面図、第4図(B)は
、第4図(A)におけるA−A線断面図である。 iot、201.ガラス基板、 103.104,203,204.下電極108.10
9,212,213H上電極105.209;光導電層 第 (A) 4 μm (B)
Claims (1)
- (1)基板上に光電変換部を有するフォトセンサにおい
て、 微小間隔で対向配置されるとともに前記 光電変換部の上下面に接続された電極を有し、該上下の
電極が電気的に接続されていることを特徴とするフォト
センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59151381A JPS6130070A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | フオトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59151381A JPS6130070A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | フオトセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6130070A true JPS6130070A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15517326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59151381A Pending JPS6130070A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | フオトセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6130070A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6469058A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Alps Electric Co Ltd | Photosensor |
JPH04300354A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Friedrich Dinkelman | 帯状繊維面状物品を連続的に研摩する方法及び装置 |
-
1984
- 1984-07-23 JP JP59151381A patent/JPS6130070A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6469058A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Alps Electric Co Ltd | Photosensor |
JPH04300354A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Friedrich Dinkelman | 帯状繊維面状物品を連続的に研摩する方法及び装置 |
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