JPH0763097B2 - フオトセンサの作製法 - Google Patents
フオトセンサの作製法Info
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- JPH0763097B2 JPH0763097B2 JP59021930A JP2193084A JPH0763097B2 JP H0763097 B2 JPH0763097 B2 JP H0763097B2 JP 59021930 A JP59021930 A JP 59021930A JP 2193084 A JP2193084 A JP 2193084A JP H0763097 B2 JPH0763097 B2 JP H0763097B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
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- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は画像情報処理用光電変換装置において光信号の
取出しのために用いられるフォトセンサに関する。
取出しのために用いられるフォトセンサに関する。
ファクシミリやデジタルコピー等の画像読取部を構成す
る光電変換手段としてフォトセンサが用いられることは
一般に良く知られている。このフォトセンサとしては、
カルコゲナイド、CdS、CdS-Se、非晶質シリコン（以下a
-Siと記す）等からなる光導電層上に受光部となる間隙
を形成する様に対向して一対の金属電極層を付与するこ
とにより作製されるプレナー型の光導電型フォトセンサ
が例示できる。光導電型フォトセンサは容易に長尺ライ
ンセンサアレイを形成し得るので、近年特にその研究が
行なわれている。なかでもa-Si光導電層を用いたフォト
センサは特に光応答性に優れており、高速読取が可能な
フォトセンサとして期待されている。
る光電変換手段としてフォトセンサが用いられることは
一般に良く知られている。このフォトセンサとしては、
カルコゲナイド、CdS、CdS-Se、非晶質シリコン（以下a
-Siと記す）等からなる光導電層上に受光部となる間隙
を形成する様に対向して一対の金属電極層を付与するこ
とにより作製されるプレナー型の光導電型フォトセンサ
が例示できる。光導電型フォトセンサは容易に長尺ライ
ンセンサアレイを形成し得るので、近年特にその研究が
行なわれている。なかでもa-Si光導電層を用いたフォト
センサは特に光応答性に優れており、高速読取が可能な
フォトセンサとして期待されている。
第１図は従来のプレナー型フォトセンサの作製法の一例
を示す断面概略図である。ガラス基板たとえばコーニン
グ社製#7059ガラス基板11上にPCVD（Plasma Chemical V
apor Deposition）法を用いてa-Siの光導電層（イント
リンジック層）12を堆積し、その上に全面一様にAl層13
を形成し、次に不要部のAlを除去して光電変換部となる
センサギャップ14を生ぜしめ、一対の電極15及び16を形
成する。センサギャップ幅が200μであるフォトセンサ
における光照射時のV-I特性の一例を第２図に示す。こ
れによれば、電界強度が約50V/cmを越えると、電極15及
び16と光導電層12との界面に存在する逆方向のダイオー
ドが支配的となりオーミック特性を示さなくなる（非オ
ーミック領域）。同時に、この領域では光点滅時のフォ
トセンサの応答が極めて遅くなるため高い性能は得られ
ない。そこで光導電性を有する非晶質シリコン層12と電
極15及び16との界面にオーミックコンタクト層であるn+
層を介在させ、高電界下においてもオーミック特性を示
す様にすることが行なわれる。この様なn+層を有するフ
ォトセンサの光照射時のＶ−Ｉ特性の一例を第３図に示
す。
を示す断面概略図である。ガラス基板たとえばコーニン
グ社製#7059ガラス基板11上にPCVD（Plasma Chemical V
apor Deposition）法を用いてa-Siの光導電層（イント
リンジック層）12を堆積し、その上に全面一様にAl層13
を形成し、次に不要部のAlを除去して光電変換部となる
センサギャップ14を生ぜしめ、一対の電極15及び16を形
成する。センサギャップ幅が200μであるフォトセンサ
における光照射時のV-I特性の一例を第２図に示す。こ
れによれば、電界強度が約50V/cmを越えると、電極15及
び16と光導電層12との界面に存在する逆方向のダイオー
ドが支配的となりオーミック特性を示さなくなる（非オ
ーミック領域）。同時に、この領域では光点滅時のフォ
トセンサの応答が極めて遅くなるため高い性能は得られ
ない。そこで光導電性を有する非晶質シリコン層12と電
極15及び16との界面にオーミックコンタクト層であるn+
層を介在させ、高電界下においてもオーミック特性を示
す様にすることが行なわれる。この様なn+層を有するフ
ォトセンサの光照射時のＶ−Ｉ特性の一例を第３図に示
す。
ところで、非晶質シリコン層は結晶シリコンに比べて耐
熱性が低いため、n+層形成のためのドーピングの手段と
してイオンプランテーションや熱拡散を用いることはで
きない。従って、PCVDの原料ガスにPH3、AsH3等のドー
ピングガスを混入してPCVD法によりオーミックコンタク
ト層であるn+層を形成するのが一般的である。かくして
n+層は全面一様に堆積されるので、続いてセンサギャッ
プに相当する部分のn+層を除去する必要があり、長尺ラ
インセンサアレイを作製する場合には隣接ビット間のn+
層をも併せて除去する必要がある。n+層の除去手段とし
てはフッ酸・硝酸・酢酸の混合液でエッチングする方法
（ウェットエッチング法）及びハロゲン化カーボンを主
成分とするガスのプラズマ放電でエッチングする方法
（プラズマエッチング法）がある。しかしながら、従来
知られているこれらエッチング法には以下に示す欠点が
ある。
熱性が低いため、n+層形成のためのドーピングの手段と
してイオンプランテーションや熱拡散を用いることはで
きない。従って、PCVDの原料ガスにPH3、AsH3等のドー
ピングガスを混入してPCVD法によりオーミックコンタク
ト層であるn+層を形成するのが一般的である。かくして
n+層は全面一様に堆積されるので、続いてセンサギャッ
プに相当する部分のn+層を除去する必要があり、長尺ラ
インセンサアレイを作製する場合には隣接ビット間のn+
層をも併せて除去する必要がある。n+層の除去手段とし
てはフッ酸・硝酸・酢酸の混合液でエッチングする方法
（ウェットエッチング法）及びハロゲン化カーボンを主
成分とするガスのプラズマ放電でエッチングする方法
（プラズマエッチング法）がある。しかしながら、従来
知られているこれらエッチング法には以下に示す欠点が
ある。
（Ａ）ウェットエッチング法の欠点 （１）エッチングされた表面はダングリングボンドが増
加し、ノイズ成分である暗電流が増大する。
加し、ノイズ成分である暗電流が増大する。
（２）エッチングレート100Å/secのエッチング液を用
いてさえ、表面にエッチピットが発生する。
いてさえ、表面にエッチピットが発生する。
（３）上記エッチング液ではn+層及び光導電層の選択性
が大き過ぎ、n+層と光導電層の界面に存在するn-層が除
去できず、暗電流の増加や特性のばらつきの増大をまね
く。
が大き過ぎ、n+層と光導電層の界面に存在するn-層が除
去できず、暗電流の増加や特性のばらつきの増大をまね
く。
（４）エッチング液にフッ酸を含むため、ガラス基板表
面が荒れる。従って、ガラス基板側から光を入射する形
態のフォトセンサでは光電変換部に到達する光量が減少
する。
面が荒れる。従って、ガラス基板側から光を入射する形
態のフォトセンサでは光電変換部に到達する光量が減少
する。
（Ｂ）プラズマエッチング法の欠点 （１）エッチングされた表面はダングリングボンドが増
加し、ノイズ成分である暗電流が増大する。
加し、ノイズ成分である暗電流が増大する。
（２）カソード材料たとえばSUSのインプランテーショ
ンが発生する。
ンが発生する。
従って、ウェットエッチング法及びプラズマエッチング
法のいづれを用いてもS/Nが悪く且つ性能のばらつきの
大きなフォトセンサしか作製できなかった。
法のいづれを用いてもS/Nが悪く且つ性能のばらつきの
大きなフォトセンサしか作製できなかった。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、S/Nが高く且つ
均一性に優れたフォトセンサを提供することを目的とす
る。
均一性に優れたフォトセンサを提供することを目的とす
る。
［本発明の概要］ 以上の如き目的は、 非晶質シリコンと、該非晶質シリコンの同一平面上に形
成された一対のn+部と、を有し該非晶質シリコンを介し
て前記一対のn+部間に電流を流すフォトセンサの作製法
において、 基板上に非晶質シリコン層を形成する工程と、 該非晶質シリコン層上にシランガスとドーピングガスと
の混合ガスを用いてPCVD法によりn+層を形成する工程
と、 該n+層をプラズマエッチング法により部分的に除去して
前記非晶質シリコン層を露出させ前記n+部と前記非晶質
シリコンの露出部とを形成する工程と、 350℃以下で熱処理する工程と、 を有するフォトセンサの作製法、 により達成される。
成された一対のn+部と、を有し該非晶質シリコンを介し
て前記一対のn+部間に電流を流すフォトセンサの作製法
において、 基板上に非晶質シリコン層を形成する工程と、 該非晶質シリコン層上にシランガスとドーピングガスと
の混合ガスを用いてPCVD法によりn+層を形成する工程
と、 該n+層をプラズマエッチング法により部分的に除去して
前記非晶質シリコン層を露出させ前記n+部と前記非晶質
シリコンの露出部とを形成する工程と、 350℃以下で熱処理する工程と、 を有するフォトセンサの作製法、 により達成される。
本発明によれば、膜の応力緩和により、得られる膜の特
性を向上させることができ、かくして高S/Nで均一性に
優れ高速読取りが可能なフォトセンサが提供される。
性を向上させることができ、かくして高S/Nで均一性に
優れ高速読取りが可能なフォトセンサが提供される。
以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明する。
第４図は本発明によるフォトセンサ作製法の好適な実施
例を説明するための断面概略図であり、第５図は本発明
作製法により得られた長尺ラインセンサアレイの部分平
面概略図である。
例を説明するための断面概略図であり、第５図は本発明
作製法により得られた長尺ラインセンサアレイの部分平
面概略図である。
先ず、ガラス基板（コーニング社製#7059）21の上にグ
ロー放電法によって光導電性を有する非晶質シリコン層
からなる光導電層（イントリンシック層）22を設けた。
即ち、H2で10容量％に稀釈されたSiH4（シランガス）を
ガス圧0.50Torr、RF（Radio Frequency）パワー10W、基
板温度250℃で２時間堆積させることによって0.7μ厚の
光導電層22を得た。同様にグロー放電法によりn+層23を
設けた。即ち、H2で10容量％に稀釈されたSiH4とH2で10
0ppmに稀釈されたPH3とを混合比1:10で混合したガスを
原料として用い、その他は光導電層22の堆積条件と同様
にして光導電層22に連続して0.1μ厚のn+層23を設け
た。次に、電子ビーム蒸着法でAlを0.3μ厚に堆積させ
て導電層24を形成した。続いて、光電変換部となる部分
の導電層24を除去した。即ち、ポジ型のマイクロポジッ
ト1300-27（商品名:Shipley社製）フォトレジストを用
いて所望の形状にフォトレジストパターンを形成した
後、リン酸（85容量％水溶液）、硝酸（60容量％水溶
液）、氷酢酸及び水を16:1:2:1の容積比で混合したエッ
チング液を用いて露出部の導電層24を除去し、共通電極
25及び個別電極26を形成した。次に、光電変換部となる
部分のn+層23を除去した。即ち、上記マイクロポジット
1300-27フォトレジストを剥離した後、平行平板型プラ
ズマエッチング装置（日電アネルバ社製DEM-451）を用
いてプラズマエッチング法（別名リアクティブイオンエ
ッチング法）でRFパワー120W、ガス圧0.1TorrでCF4ガス
によるドライエッチングを５分間行ない、露出部のn+層
23及び光導電層22の表面層の一部を除去した。かくし
て、n+層の除去された部分に非晶質シリコンの露出部が
形成され、n+層の除去されなかった部分にn+部が形成さ
れた。尚、本実施例では、エッチング装置のカソード材
料のインプランテーションを防止するために、カソード
上にポリシリコンのスパッタ用ターゲット（８インチ
φ、純度99.999％）を置き、その上に試料をのせ、カソ
ード材料のSUSが露出する部分はドーナツ状に切抜いた
テフロンシートでカバーし、SUS面が殆どプラズマにさ
らされない状態でエッチングを行なった。その後、窒素
を3l/min流したオーブン内で200℃、60分の熱処理を行
なった。
ロー放電法によって光導電性を有する非晶質シリコン層
からなる光導電層（イントリンシック層）22を設けた。
即ち、H2で10容量％に稀釈されたSiH4（シランガス）を
ガス圧0.50Torr、RF（Radio Frequency）パワー10W、基
板温度250℃で２時間堆積させることによって0.7μ厚の
光導電層22を得た。同様にグロー放電法によりn+層23を
設けた。即ち、H2で10容量％に稀釈されたSiH4とH2で10
0ppmに稀釈されたPH3とを混合比1:10で混合したガスを
原料として用い、その他は光導電層22の堆積条件と同様
にして光導電層22に連続して0.1μ厚のn+層23を設け
た。次に、電子ビーム蒸着法でAlを0.3μ厚に堆積させ
て導電層24を形成した。続いて、光電変換部となる部分
の導電層24を除去した。即ち、ポジ型のマイクロポジッ
ト1300-27（商品名:Shipley社製）フォトレジストを用
いて所望の形状にフォトレジストパターンを形成した
後、リン酸（85容量％水溶液）、硝酸（60容量％水溶
液）、氷酢酸及び水を16:1:2:1の容積比で混合したエッ
チング液を用いて露出部の導電層24を除去し、共通電極
25及び個別電極26を形成した。次に、光電変換部となる
部分のn+層23を除去した。即ち、上記マイクロポジット
1300-27フォトレジストを剥離した後、平行平板型プラ
ズマエッチング装置（日電アネルバ社製DEM-451）を用
いてプラズマエッチング法（別名リアクティブイオンエ
ッチング法）でRFパワー120W、ガス圧0.1TorrでCF4ガス
によるドライエッチングを５分間行ない、露出部のn+層
23及び光導電層22の表面層の一部を除去した。かくし
て、n+層の除去された部分に非晶質シリコンの露出部が
形成され、n+層の除去されなかった部分にn+部が形成さ
れた。尚、本実施例では、エッチング装置のカソード材
料のインプランテーションを防止するために、カソード
上にポリシリコンのスパッタ用ターゲット（８インチ
φ、純度99.999％）を置き、その上に試料をのせ、カソ
ード材料のSUSが露出する部分はドーナツ状に切抜いた
テフロンシートでカバーし、SUS面が殆どプラズマにさ
らされない状態でエッチングを行なった。その後、窒素
を3l/min流したオーブン内で200℃、60分の熱処理を行
なった。
かくして作製された第５図に示される如き長尺フォトセ
ンサアレイの32個の各フォトセンサに均一照度となる様
に光を入射させた時の光電流の均一性のデータを第６図
に示す。このデータは第５図における共通電極25と個別
電極26との間のギャップ幅10μ、共通電極25と個別電極
26の間の印加電圧10V、光電変換部における照度1001x及
び101xの場合の光電流を示すものである。また、上記フ
ォトセンサアレイの光応答時間（τ）のデータを第１表
に示す。
ンサアレイの32個の各フォトセンサに均一照度となる様
に光を入射させた時の光電流の均一性のデータを第６図
に示す。このデータは第５図における共通電極25と個別
電極26との間のギャップ幅10μ、共通電極25と個別電極
26の間の印加電圧10V、光電変換部における照度1001x及
び101xの場合の光電流を示すものである。また、上記フ
ォトセンサアレイの光応答時間（τ）のデータを第１表
に示す。
尚、ここでτon及びτoffはそれぞれ照度が101xから100
1xへ及び1001xから101xへとパルス的に増加及び減少し
た際に光電流が1001xの飽和値−10％及び−90％に達す
るまでの時間を示す。一般に読取速度にかかわる光応答
速度はτon及びτoffのうちいづれか一方の遅い方が支
配する。
1xへ及び1001xから101xへとパルス的に増加及び減少し
た際に光電流が1001xの飽和値−10％及び−90％に達す
るまでの時間を示す。一般に読取速度にかかわる光応答
速度はτon及びτoffのうちいづれか一方の遅い方が支
配する。
比較のために、上記実施例の作製工程中の熱処理を行な
わないことを除いて全く同様にして作製されたフォトセ
ンサアレイについても同様にして光電流の均一性を測定
した。そのデータを第７図に示す。また、同様にして光
応答時間（τ）を測定した。そのデータを第２表に示
す。
わないことを除いて全く同様にして作製されたフォトセ
ンサアレイについても同様にして光電流の均一性を測定
した。そのデータを第７図に示す。また、同様にして光
応答時間（τ）を測定した。そのデータを第２表に示
す。
以上から、プラズマエッチング後に熱処理を行なうこと
により次の利点が得られることが判る。
により次の利点が得られることが判る。
（１）均一性が著しく向上する。
（２）光量増加に伴なう光電流の増加率であるγ値（I
photo-2／Iphoto-1）＝(F2／F1)γが向上し１を越える
値を示す。
photo-2／Iphoto-1）＝(F2／F1)γが向上し１を越える
値を示す。
（３）光応答時間τon及びτoffのバランスがとれ、特
にτoffが著しく短縮される。
にτoffが著しく短縮される。
この結果、高S/Nで且つ均一性に優れ高速読取が可能な
フォトセンサアレイを得ることができた。
フォトセンサアレイを得ることができた。
次に、フォトセンサ性能の熱処理の温度、時間依存性を
調べた。その結果を第８図及び第９図に示す。第８図は
γ値のデータであり、第９図は照度1001x下における光
電流の値のデータである。高温、長時間になる程γ値は
増大するが同時に光電流が減少する。特に、150〜200℃
の雰囲気で30分以上、200〜250℃で20分以上、250〜300
℃で10〜60分、300〜350℃で５〜30分行なうのが好まし
い。
調べた。その結果を第８図及び第９図に示す。第８図は
γ値のデータであり、第９図は照度1001x下における光
電流の値のデータである。高温、長時間になる程γ値は
増大するが同時に光電流が減少する。特に、150〜200℃
の雰囲気で30分以上、200〜250℃で20分以上、250〜300
℃で10〜60分、300〜350℃で５〜30分行なうのが好まし
い。
本発明作製法におけるプラズマエッチング工程において
用いられるガスとしてはCF4に限らず、ハロゲン化炭化
水素を主成分とするガス、たとえばCHF3、CCl2F2、CF3B
r、CF4＋Cl2、CF4＋O2、CF4＋H2を用いることができ、
この場合にも同様な結果が得られた。
用いられるガスとしてはCF4に限らず、ハロゲン化炭化
水素を主成分とするガス、たとえばCHF3、CCl2F2、CF3B
r、CF4＋Cl2、CF4＋O2、CF4＋H2を用いることができ、
この場合にも同様な結果が得られた。
また、本発明作製法における熱処理の雰囲気はN2に限ら
ずH2、Ar、乾燥空気及び真空でもよい。
ずH2、Ar、乾燥空気及び真空でもよい。
本発明作製法における熱処理によるフォトセンサの特性
向上の原因としては、膜の応力の緩和、及びプラズマエ
ッチング時にa-Si光導電層の表面に残留したＦ等のハロ
ゲン原子によるダングリングボンドのターミネート等が
考えられる。
向上の原因としては、膜の応力の緩和、及びプラズマエ
ッチング時にa-Si光導電層の表面に残留したＦ等のハロ
ゲン原子によるダングリングボンドのターミネート等が
考えられる。
尚、ウェットエッチング法でn+層を除去して作製された
フォトセンサにおいても熱処理によって若干の特性向上
が認められるが、そもそも暗電流が著しく大きいために
実用的なものは得られないことが判った。
フォトセンサにおいても熱処理によって若干の特性向上
が認められるが、そもそも暗電流が著しく大きいために
実用的なものは得られないことが判った。
以上の如き本発明のフォトセンサの作製法によれば高S/
Nで均一性に優れ高速読取の可能なフォトセンサが提供
される。
Nで均一性に優れ高速読取の可能なフォトセンサが提供
される。
第１図は従来のフォトセンサの作製法を示す断面図であ
り、第２図及び第３図はフォトセンサにおけるＶ−Ｉ特
性のグラフであり、第４図は本発明フォトセンサ作製法
を示す断面図であり、第５図は本発明作製法により得ら
れたフォトセンサアレイの部分平面図であり、第６図及
び第７図はフォトセンサの均一性を示すグラフであり、
第８図及び第９図は本発明作製法における熱処理の温
度、時間依存のフォトセンサ性能特性を示すグラフであ
る。 21…基板、22…光導電層、23…n+層、24…導電層、25…
共通電極、26…個別電極。
り、第２図及び第３図はフォトセンサにおけるＶ−Ｉ特
性のグラフであり、第４図は本発明フォトセンサ作製法
を示す断面図であり、第５図は本発明作製法により得ら
れたフォトセンサアレイの部分平面図であり、第６図及
び第７図はフォトセンサの均一性を示すグラフであり、
第８図及び第９図は本発明作製法における熱処理の温
度、時間依存のフォトセンサ性能特性を示すグラフであ
る。 21…基板、22…光導電層、23…n+層、24…導電層、25…
共通電極、26…個別電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柿本 誠治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−97862（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−162055（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】非晶質シリコンと、該非晶質シリコンの同
一平面上に形成された一対のn+部と、を有し該非晶質シ
リコンを介して前記一対のn+部間に電流を流すフォトセ
ンサの作製法において、 基板上に非晶質シリコン層を形成する工程と、 該非晶質シリコン層上にシランガスとドーピングガスと
の混合ガスを用いてPCVD法によりn+層を形成する工程
と、 該n+層をプラズマエッチング法により部分的に除去して
前記非晶質シリコン層を露出させ前記n+部と前記非晶質
シリコンの露出部とを形成する工程と、 350℃以下で熱処理する工程と、 を有するフォトセンサの作製法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021930A JPH0763097B2 (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | フオトセンサの作製法 |
| DE19853504369 DE3504369A1 (de) | 1984-02-10 | 1985-02-08 | Verfahren zur herstellung eines fotosensors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021930A JPH0763097B2 (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | フオトセンサの作製法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3355045A Division JPH0541530A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | フオトセンサの作製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167478A JPS60167478A (ja) | 1985-08-30 |
| JPH0763097B2 true JPH0763097B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=12068771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021930A Expired - Lifetime JPH0763097B2 (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | フオトセンサの作製法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0763097B2 (ja) |
| DE (1) | DE3504369A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0812932B2 (ja) * | 1985-12-06 | 1996-02-07 | キヤノン株式会社 | フォトセンサアレイ |
| JPS62136871A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Canon Inc | 光センサ−、その製造方法及びその製造装置 |
| EP0228023B1 (en) * | 1985-12-27 | 1993-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor with amorphous semiconductor photoconductive cell array |
| JPS62172755A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Canon Inc | フオトセンサの作製方法 |
| JPH0541530A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-02-19 | Canon Inc | フオトセンサの作製法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897862A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS58162055A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-26 | Nec Corp | 薄膜形光電変換素子 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021930A patent/JPH0763097B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-02-08 DE DE19853504369 patent/DE3504369A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3504369A1 (de) | 1985-08-14 |
| JPS60167478A (ja) | 1985-08-30 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |