JPS60167478A - フオトセンサの作製法 - Google Patents
フオトセンサの作製法Info
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は画像情報処理用光電変換装置において光信号の
取出しのために用いられるフォトセンサに関する。
取出しのために用いられるフォトセンサに関する。
ファクシミリやデジタルコピー等の画像読取部を構成す
る光電変換手段としてフォトセンサが用いられることは
一般に良く知られている。このフォトセンサとしては、
カルコグナイド、Ｃｄ５１ＣｄＳ−８ｅ 、非晶質シリ
コン（以下ａ−８１と記す）等からなる光導電層上に受
光部となる間隙を形成する様に対向して一対の金緘電極
層を付与することによシ作製されるルナ−型の光導電型
７オトセンサが例示できる。光導電型フォトセンサは容
易に長尺ラインセンサアレイを形成し得るので、近年特
にその研究が行なわれている。なかでもａ−８ｔ光導電
層を用いたフォトセンサは特に光応答性に優れてお９、
高速読取が可能なフォトセンサとして期待されている。
る光電変換手段としてフォトセンサが用いられることは
一般に良く知られている。このフォトセンサとしては、
カルコグナイド、Ｃｄ５１ＣｄＳ−８ｅ 、非晶質シリ
コン（以下ａ−８１と記す）等からなる光導電層上に受
光部となる間隙を形成する様に対向して一対の金緘電極
層を付与することによシ作製されるルナ−型の光導電型
７オトセンサが例示できる。光導電型フォトセンサは容
易に長尺ラインセンサアレイを形成し得るので、近年特
にその研究が行なわれている。なかでもａ−８ｔ光導電
層を用いたフォトセンサは特に光応答性に優れてお９、
高速読取が可能なフォトセンサとして期待されている。
第１図は従来のルナ−型フォトセンサの作製法の一例を
示す断面概略図である。ガラス基板たとえばコーニング
社ｉ”７０５９ガラス基板１１上にＰＣＶＤ法を用いて
ａ−８ｔの光導電層（イントリンシック層）１２を堆積
し、その上に全面一様にＡｔ層１３を形成し、次に不要
部のＡｔ’ｉ除去して光電変換部となるセンサギヤツノ
１４を生ぜしめ、一対の電極１５及び１６を形成する。
示す断面概略図である。ガラス基板たとえばコーニング
社ｉ”７０５９ガラス基板１１上にＰＣＶＤ法を用いて
ａ−８ｔの光導電層（イントリンシック層）１２を堆積
し、その上に全面一様にＡｔ層１３を形成し、次に不要
部のＡｔ’ｉ除去して光電変換部となるセンサギヤツノ
１４を生ぜしめ、一対の電極１５及び１６を形成する。
センサギャップ幅が２００μであるフォトセンサにおけ
る光照射時のｖ−１特性の一例を第２図に示す。これに
よれば、′醒界強度が約５０ Ｖ／ｃｒｎｆ越えると、
電極１５及び１６と光導電層１２との界面に存在する逆
方向のダイオードが支配的となりオーミック特性を示さ
なくなる（非オーミツク領域）。同時に、この領域では
光点滅時のフォトセンサの応答が極めて遅くなるため高
い性能は得られない。そこでａ−８１光導電層１２と電
極１５及び１６との界面にオーミックコンタクト層であ
るｎ”Ｎｋ介在させ、高電界下においてもオーミック特
性を示す様にすることが行なわれる。この様なｎ層層を
有するフォトセンサの光照射時のＶ−１特性の一例を第
３図に示す。
る光照射時のｖ−１特性の一例を第２図に示す。これに
よれば、′醒界強度が約５０ Ｖ／ｃｒｎｆ越えると、
電極１５及び１６と光導電層１２との界面に存在する逆
方向のダイオードが支配的となりオーミック特性を示さ
なくなる（非オーミツク領域）。同時に、この領域では
光点滅時のフォトセンサの応答が極めて遅くなるため高
い性能は得られない。そこでａ−８１光導電層１２と電
極１５及び１６との界面にオーミックコンタクト層であ
るｎ”Ｎｋ介在させ、高電界下においてもオーミック特
性を示す様にすることが行なわれる。この様なｎ層層を
有するフォトセンサの光照射時のＶ−１特性の一例を第
３図に示す。
ところで、ａ−８ｉは結晶シリコンに比べて耐熱性が低
いため、ｎ＋層形成のだめのドーピングの手段としてイ
オンプランテーションや熱拡散を用いることはできない
。従って、ＰＣＶＤの原料ガスにＰＨ，、Ａ ｓ Ｈｓ
等のドーピングガスを混入してＰＣＶＤ法によりオーミ
ックコンタクト層であるｎ層を形成するのが一般的であ
る。かくしてｎ層層は全面一様に堆積されるので、続い
てセンサギヤツノに相当する部分のｎ層層を除去する必
要があり、長尺ラインセンサアレイを作製する場合には
隣接ビット間のｎ＋７ｍ ｋも併せて除去する必要があ
る。ｎ層Ｉ−の除去手段としてはフッ酸・硝酸・酢酸の
混合液でエツチングする方法（ウェットエツチング法）
及びハロダン化カーボンを主成分とするガスのプラズマ
放電でエツチングする方法（プラズマエツチング法）が
ある。しかしながら、従来知られているこれらエツチン
グ法には以下に示す欠点がある。
いため、ｎ＋層形成のだめのドーピングの手段としてイ
オンプランテーションや熱拡散を用いることはできない
。従って、ＰＣＶＤの原料ガスにＰＨ，、Ａ ｓ Ｈｓ
等のドーピングガスを混入してＰＣＶＤ法によりオーミ
ックコンタクト層であるｎ層を形成するのが一般的であ
る。かくしてｎ層層は全面一様に堆積されるので、続い
てセンサギヤツノに相当する部分のｎ層層を除去する必
要があり、長尺ラインセンサアレイを作製する場合には
隣接ビット間のｎ＋７ｍ ｋも併せて除去する必要があ
る。ｎ層Ｉ−の除去手段としてはフッ酸・硝酸・酢酸の
混合液でエツチングする方法（ウェットエツチング法）
及びハロダン化カーボンを主成分とするガスのプラズマ
放電でエツチングする方法（プラズマエツチング法）が
ある。しかしながら、従来知られているこれらエツチン
グ法には以下に示す欠点がある。
（Ａ） ウェットエツチング法の欠点
（１） エツチングされた表面はダングリング？ンドが
増加し、ノイズ成分である暗電流が増大する〇 （２） エラチングレー） １００ ｉ／ ｓｅｅのエ
ツチング液を用いてさえ、表面にエッチピットが発生す
る。
増加し、ノイズ成分である暗電流が増大する〇 （２） エラチングレー） １００ ｉ／ ｓｅｅのエ
ツチング液を用いてさえ、表面にエッチピットが発生す
る。
（３）上記エツチング液ではｎ層層及び光導電層の選択
性が大き過ぎ、ｎ層層と光導電層の界面に存在するｎ一
層が除去できず、暗電流の増加や特性のばらつきの増大
をまねく。
性が大き過ぎ、ｎ層層と光導電層の界面に存在するｎ一
層が除去できず、暗電流の増加や特性のばらつきの増大
をまねく。
（４） エツチング液にフッ酸を含むため、ガラス基板
表面が荒ねる。従って、ガラス基板側から光を入射する
形態のフォトセンサでは光電変換部に到達する光量が減
少する。
表面が荒ねる。従って、ガラス基板側から光を入射する
形態のフォトセンサでは光電変換部に到達する光量が減
少する。
０）プラズマエツチング法の欠点
（１） エツチングされた表面はダングリングがンドが
増加し、ノイズ成分である暗電流が増大する。
増加し、ノイズ成分である暗電流が増大する。
（２） カソード材料たとえばＳＵＳのインプランテー
シ、ンが発生する。
シ、ンが発生する。
従って、ウェットエツチング法及びプラズマエツチング
法のいづれ金剛いてもＳ／Ｎ比が悪く且つ性能のばらつ
きの大きなフォトセンサしか作製できなかった。
法のいづれ金剛いてもＳ／Ｎ比が悪く且つ性能のばらつ
きの大きなフォトセンサしか作製できなかった。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、Ｓ／′Ｎ比が高
く且つ均一性に優れたフォトセンサを提供することを目
的とする。
く且つ均一性に優れたフォトセンサを提供することを目
的とする。
以上の如き目的は、フォトセンサ作製時にプラズマエツ
チング法で不要部分のオーミックコンタクト層を除去し
た後に熱処理を施すことにより達成される。
チング法で不要部分のオーミックコンタクト層を除去し
た後に熱処理を施すことにより達成される。
以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明する。
第４図は本発明によるフォトセンサ作製法の好適な実施
例を説明するための断面概略図であり、第５図は本発明
作製法により得られた長尺ラインセンサアレイの部分平
面概略図である。
例を説明するための断面概略図であり、第５図は本発明
作製法により得られた長尺ラインセンサアレイの部分平
面概略図である。
先ず、ガラス基板（コー二７ｆ社ＪＲ”ｒｏ５９）２１
の上にグロー放電法によってａ−８１層からなる光導電
層（イントリンシック層）２２を設けた。
の上にグロー放電法によってａ−８１層からなる光導電
層（イントリンシック層）２２を設けた。
即ち、Ｈ２で１０容量係に稀釈された５ＩＨ４ｆガス圧
０．５０ Ｔｏｒｒ 、ＲＦ （Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑ
ｕｅｎｃｙ ） ノ”ツー１０Ｗ１基板温度２５０℃で
２時間堆積させることによって０．７μ厚の光導電層２
２を得た。同様にグロー放電法によりｎ＋層２３を設け
た。即ち、Ｈ２で１０容量係に稀釈されｆｃＳｉＨ４と
Ｈ２でｉｏ。
０．５０ Ｔｏｒｒ 、ＲＦ （Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑ
ｕｅｎｃｙ ） ノ”ツー１０Ｗ１基板温度２５０℃で
２時間堆積させることによって０．７μ厚の光導電層２
２を得た。同様にグロー放電法によりｎ＋層２３を設け
た。即ち、Ｈ２で１０容量係に稀釈されｆｃＳｉＨ４と
Ｈ２でｉｏ。
ｐｐｍに稀釈されたＰＨ３とを混合比１：１０で混合し
たガスを原料として用い、その他は光導電層２２の堆積
条件と同様にして光導電層２２に連続して０．１μ厚の
ｎ＋層２３を設けた。次に、電子ビーム蒸着法でＡｔｉ
Ｏ，３μ厚に堆積させて導電層２４全形成した。続い
て、光電変換部となる部分の導電層２４を除去した。即
ち、ポジ型のマイクロポジット１３００−２７（商品名
： ５ｈｉｐｌａｙ社製）フォトレジストヲ用いて所望
の形状にフォトレジス） ｉＪ？ターンを形成した後、
リン酸（８５容量係水溶液）、硝酸（６０容量係水溶液
）、氷酢酸及び水を１６：１：２：１の容積比で混合し
たエツチング液を用いて露出部の導電層２４を除去し、
共通電極２５及び個別電極２６全形成した。次に、光電
変換部となる部分のｎ＋層２３を除去した。即ち、上記
マイクロポゾッ） １３００−２７フオトレノストを剥
離した後、平行平板型プラズマエツチング装置（日電ア
ネルパ社製ＤＥＭ −４５１）を用いてグラズブエツチ
ング法（別名リアクティブイオンエツチング法）でＲＦ
ノ９ワー１２０Ｗ、ガス圧０．１ＴｏｒｒでＣＦ４ガス
によるドライエツチングを５分間行ない、露出部のｎ＋
層２３及び光導電層２２０表面層の一部を除去した。尚
、本実施例では、エツチング装置のカソード材料のイン
プランテーションを防止するために、カソード上にポリ
シリコンのス・母ツタ用ターダット（８インチφ、純度
９９．９９９４）を置き、その上に試料をのせ、カソー
ド材料のＳＵＳが露出する部分はドーナツ状に切抜いた
テフロンシートで力・々−シ、ＳＵＳ面が殆どプラズマ
にさらされない状態でエツチングを行なった。その後、
窒素を３７／ｍｉｎ流したオーブン内で２００℃、６０
分の熱処理を行なった。
たガスを原料として用い、その他は光導電層２２の堆積
条件と同様にして光導電層２２に連続して０．１μ厚の
ｎ＋層２３を設けた。次に、電子ビーム蒸着法でＡｔｉ
Ｏ，３μ厚に堆積させて導電層２４全形成した。続い
て、光電変換部となる部分の導電層２４を除去した。即
ち、ポジ型のマイクロポジット１３００−２７（商品名
： ５ｈｉｐｌａｙ社製）フォトレジストヲ用いて所望
の形状にフォトレジス） ｉＪ？ターンを形成した後、
リン酸（８５容量係水溶液）、硝酸（６０容量係水溶液
）、氷酢酸及び水を１６：１：２：１の容積比で混合し
たエツチング液を用いて露出部の導電層２４を除去し、
共通電極２５及び個別電極２６全形成した。次に、光電
変換部となる部分のｎ＋層２３を除去した。即ち、上記
マイクロポゾッ） １３００−２７フオトレノストを剥
離した後、平行平板型プラズマエツチング装置（日電ア
ネルパ社製ＤＥＭ −４５１）を用いてグラズブエツチ
ング法（別名リアクティブイオンエツチング法）でＲＦ
ノ９ワー１２０Ｗ、ガス圧０．１ＴｏｒｒでＣＦ４ガス
によるドライエツチングを５分間行ない、露出部のｎ＋
層２３及び光導電層２２０表面層の一部を除去した。尚
、本実施例では、エツチング装置のカソード材料のイン
プランテーションを防止するために、カソード上にポリ
シリコンのス・母ツタ用ターダット（８インチφ、純度
９９．９９９４）を置き、その上に試料をのせ、カソー
ド材料のＳＵＳが露出する部分はドーナツ状に切抜いた
テフロンシートで力・々−シ、ＳＵＳ面が殆どプラズマ
にさらされない状態でエツチングを行なった。その後、
窒素を３７／ｍｉｎ流したオーブン内で２００℃、６０
分の熱処理を行なった。
かくして作製された第５図に示される如き長尺フォトセ
ンサアレイの３２個の各フォトセンサに均一照度となる
様に光を入射させた時の光電流の均一性のデータを第６
図に示す。このデータは第５図における共通電極２５と
個別電極２６との間のギャップ幅１０μ、共通電極２５
と個別電極２６の間の印加電圧１０ｖ１光電変換部にお
ける照度１００１ｘ及び１０１ｘの場合の光電流を示す
ものである。また、上記フォトセンサアレイの光応答時
間（τ）のデータを第１表に示す。
ンサアレイの３２個の各フォトセンサに均一照度となる
様に光を入射させた時の光電流の均一性のデータを第６
図に示す。このデータは第５図における共通電極２５と
個別電極２６との間のギャップ幅１０μ、共通電極２５
と個別電極２６の間の印加電圧１０ｖ１光電変換部にお
ける照度１００１ｘ及び１０１ｘの場合の光電流を示す
ものである。また、上記フォトセンサアレイの光応答時
間（τ）のデータを第１表に示す。
第１表
尚、ここでτ。。及びτ。ｆｆはそれぞれ照度が１゜ｌ
ｘから１００１ｘへ及び１００１ｘから１０１ｘへと・
９ルス的に増加及び減少した際に光電流が１ｏ。
ｘから１００１ｘへ及び１００１ｘから１０１ｘへと・
９ルス的に増加及び減少した際に光電流が１ｏ。
ＩＸの飽和値−１０係及び−９０優に達するまでの時間
を示す。一般に読取速度にかかわる光応答速度はτ。。
を示す。一般に読取速度にかかわる光応答速度はτ。。
及びτ。、ｆのうちいづれか一方の遅い方が支配する。
比較のために、上記実施例の作製工程中の熱処理を行な
わないことを除いて全く同様にして作製されたフォトセ
ンサアレイについても同様にして光電流の均一性を測定
した。そのデータを第７図に示す。また、同様にして光
応答時間（τ）を測定した。そのデータを第２表に示す
。
わないことを除いて全く同様にして作製されたフォトセ
ンサアレイについても同様にして光電流の均一性を測定
した。そのデータを第７図に示す。また、同様にして光
応答時間（τ）を測定した。そのデータを第２表に示す
。
第２表
以上から、プラズマエツチング後に熱処理を行なうこと
により次の利点が得られることが判る。
により次の利点が得られることが判る。
（１）均一性が著しく向上する。
（２）光量増加に伴なう光電流の増加率であるγ値（Ｉ
ｐｈｏｔ。−２ｐｈｏｔｏ−１） ＝ （Ｆ２ ／Ｆ１
）γ が向上し／■ １を越える値を示す。
ｐｈｏｔ。−２ｐｈｏｔｏ−１） ＝ （Ｆ２ ／Ｆ１
）γ が向上し／■ １を越える値を示す。
（３）光応答時間τ 及びτ。ｆｆのバランスがとれ、
ｎ 特にτ。７．が著しく短縮される。
ｎ 特にτ。７．が著しく短縮される。
この結果、高ＳＡ比で且つ均一性に優れ高速読取が可能
なフォトセンサアレイを得ることができた。
なフォトセンサアレイを得ることができた。
次に、フォトセンサ性能の熱処理の温度、時間依存性を
調べた。その結果を第８図及び第９図に示す。第８図は
γ値のデータであり、第９図は照度１００ ｌｘ下にお
ける光電流の値のデータである。
調べた。その結果を第８図及び第９図に示す。第８図は
γ値のデータであり、第９図は照度１００ ｌｘ下にお
ける光電流の値のデータである。
高温、長時間になる程γ値は増大するが同時に光電流が
減少する。特に、１５０〜２００℃の雰囲気で３０分以
上、２００〜２５０℃で２０分以上、２５０〜３００℃
で１０〜６０分、３００〜３５０℃で５〜３０分行なう
のが好ましい。
減少する。特に、１５０〜２００℃の雰囲気で３０分以
上、２００〜２５０℃で２０分以上、２５０〜３００℃
で１０〜６０分、３００〜３５０℃で５〜３０分行なう
のが好ましい。
本発明作製法におけるプラズマエツチング工程において
用いられるガスとしてはＣＦ４に限らず、ハロゲン化炭
化水素を主成分とするガス、たとえばＣＨＦ 、、ＣＣ
ｌ２Ｆ３、ＣＦ３ＢｒＸＣＦ４＋Ｃｔ２、ＣＦ４＋Ｈ２
、ＣＦ４＋Ｈ２を用いることができ、この場合にも同様
な結果が得られた。
用いられるガスとしてはＣＦ４に限らず、ハロゲン化炭
化水素を主成分とするガス、たとえばＣＨＦ 、、ＣＣ
ｌ２Ｆ３、ＣＦ３ＢｒＸＣＦ４＋Ｃｔ２、ＣＦ４＋Ｈ２
、ＣＦ４＋Ｈ２を用いることができ、この場合にも同様
な結果が得られた。
また、本発明作製法における熱処理の雰囲気はＮ２に限
らずＮ２ 、Ａｒ−、乾燥空気及び真空でもよい。
らずＮ２ 、Ａｒ−、乾燥空気及び真空でもよい。
本発明作製法における熱処理による７オトセンサの特性
向上の原因としては、膜の応力の緩和、及びプラズマエ
ツチング時にａ−８ｌ光導電層の表面に残留したＦ等の
ハロダン原子によるダングリン、グデンドのターミネー
ト等が考えられる。
向上の原因としては、膜の応力の緩和、及びプラズマエ
ツチング時にａ−８ｌ光導電層の表面に残留したＦ等の
ハロダン原子によるダングリン、グデンドのターミネー
ト等が考えられる。
尚、ウェットエツチング法でｎ＋層を除去して作製され
たフォトセンサにおいても熱処理によって若干の特性向
上が認められるが、そもそも暗電流が著しく大きいため
に実用的なものは得られないことが判った。
たフォトセンサにおいても熱処理によって若干の特性向
上が認められるが、そもそも暗電流が著しく大きいため
に実用的なものは得られないことが判った。
以上の如き本発明の７オトセンサアレイの作製法によれ
ば高Ｓ／Ｎ比で均一性に優れ高速読取の可能なフォトセ
ンサが提供される。
ば高Ｓ／Ｎ比で均一性に優れ高速読取の可能なフォトセ
ンサが提供される。
第１図は従来のフォトセンサの作製法を示す断面図であ
り、第２図及び第３図はフォトセンサにおけるＶ−１特
性のグラフであり、第４図は本発明フォトセンサ作製法
を示す断面図であり、第５図は本発明作製法により得ら
れたフォトセンサアレイの部分平面図であり、第６図及
び第７図はフォトセンサの均一性を示すグラフであり、
第８図及び第９図は本発明作製法における熱処理の温度
、時間依存のフォトセンサ性能特性を示すグラフである
。 ２１・・・基板、２２・・・光導電層、２３・・・ｎ＋
層、２４・・・導電層、２５・・・共通電極、２６・・
・個別電極。 ＠ １ 図 ８４ 図
り、第２図及び第３図はフォトセンサにおけるＶ−１特
性のグラフであり、第４図は本発明フォトセンサ作製法
を示す断面図であり、第５図は本発明作製法により得ら
れたフォトセンサアレイの部分平面図であり、第６図及
び第７図はフォトセンサの均一性を示すグラフであり、
第８図及び第９図は本発明作製法における熱処理の温度
、時間依存のフォトセンサ性能特性を示すグラフである
。 ２１・・・基板、２２・・・光導電層、２３・・・ｎ＋
層、２４・・・導電層、２５・・・共通電極、２６・・
・個別電極。 ＠ １ 図 ８４ 図
Claims (5)
- （１）光導電層上にオーミックコンタクト層を介して電
極が形成されているフォトセンサの作製法において、光
導電層上にオーミックコンタクト層を形成し、その上に
所望の形状の電極を形成し、次いでプラズマエツチング
法によシ露出部分のオーミックコンタクト層を除去し、
しかる後に熱処理を施すことを特徴とする、フォトセン
サアレイの作製法。 - （２）光導電層及びオーミックコンタクト層が非晶質シ
リコンを母体とするものである、第１項の作製法。 - （３） プラズマエツチングがハロゲン化カー？ンを主
体としたガスを用いて行なわれる、第１項の作製法。 - （４）熱処理が３５０℃以下の温度で行なわれる、第１
項の作製法。 - （５）熱処理が、１５０〜２００℃の雰囲気で３０分以
上、２００〜２５０℃で２０分以上、２５０〜３００℃
で１０〜６０分、または３００〜３５０℃で５〜３０分
行なわれる、第４項の作製法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021930A JPH0763097B2 (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | フオトセンサの作製法 |
| DE19853504369 DE3504369A1 (de) | 1984-02-10 | 1985-02-08 | Verfahren zur herstellung eines fotosensors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021930A JPH0763097B2 (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | フオトセンサの作製法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3355045A Division JPH0541530A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | フオトセンサの作製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167478A true JPS60167478A (ja) | 1985-08-30 |
| JPH0763097B2 JPH0763097B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=12068771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021930A Expired - Lifetime JPH0763097B2 (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | フオトセンサの作製法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0763097B2 (ja) |
| DE (1) | DE3504369A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541530A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-02-19 | Canon Inc | フオトセンサの作製法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0812932B2 (ja) * | 1985-12-06 | 1996-02-07 | キヤノン株式会社 | フォトセンサアレイ |
| JPS62136871A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Canon Inc | 光センサ−、その製造方法及びその製造装置 |
| EP0228023B1 (en) * | 1985-12-27 | 1993-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor with amorphous semiconductor photoconductive cell array |
| JPS62172755A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Canon Inc | フオトセンサの作製方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897862A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS58162055A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-26 | Nec Corp | 薄膜形光電変換素子 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021930A patent/JPH0763097B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-02-08 DE DE19853504369 patent/DE3504369A1/de not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897862A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS58162055A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-26 | Nec Corp | 薄膜形光電変換素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541530A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-02-19 | Canon Inc | フオトセンサの作製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3504369A1 (de) | 1985-08-14 |
| JPH0763097B2 (ja) | 1995-07-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |