JPS60218886A - フオトセンサ - Google Patents
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- JPS60218886A JPS60218886A JP59074938A JP7493884A JPS60218886A JP S60218886 A JPS60218886 A JP S60218886A JP 59074938 A JP59074938 A JP 59074938A JP 7493884 A JP7493884 A JP 7493884A JP S60218886 A JPS60218886 A JP S60218886A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Radiation Pyrometers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は画像情報処理装置の読取部としてｍ−られる光
電変換装置にお込て光信号の取出しのために用いられる
フォトセンサに関する。
電変換装置にお込て光信号の取出しのために用いられる
フォトセンサに関する。
従来、ファクシミＩＪやデジタル複写機や文字読取装置
等の画像情報処理装置の光入力部として用−られる光電
変換装置にお−て、光電変換素子としてフォトセンサが
利用されることは一般に良く知られている。特に、近年
においてはフォトセンサを一次元に配列して長尺ライン
センサを形成し、これを用いて高感度な画像処理装置を
構成することも行なわれている。この様な長尺ラインセ
ンサを構成するフォトセンサの一例としては、光導電材
料として非晶質シリコン（以下ａ−３ｉと記す）、カル
コゲナイド、Ｃｄ５− ＣｄＳ −Ｓｅ等を含む光導電
層上に受光部となる間隙を形成する様に対向して設けら
れた一対の金属等からなる電極が設けられて騒るプレナ
ー型の光導電型７オトセンサを挙げることができる。
等の画像情報処理装置の光入力部として用−られる光電
変換装置にお−て、光電変換素子としてフォトセンサが
利用されることは一般に良く知られている。特に、近年
においてはフォトセンサを一次元に配列して長尺ライン
センサを形成し、これを用いて高感度な画像処理装置を
構成することも行なわれている。この様な長尺ラインセ
ンサを構成するフォトセンサの一例としては、光導電材
料として非晶質シリコン（以下ａ−３ｉと記す）、カル
コゲナイド、Ｃｄ５− ＣｄＳ −Ｓｅ等を含む光導電
層上に受光部となる間隙を形成する様に対向して設けら
れた一対の金属等からなる電極が設けられて騒るプレナ
ー型の光導電型７オトセンサを挙げることができる。
第１図（ａ）はこの様なプレナー型フォトセンサアレイ
の概略部分平面図であシ、第１図（ｂ）はそのＸ−Ｘ／
断面図であシ、第１図（Ｃ）はそのＹ −Ｙ’断面図で
ある。図において、１は基板、２は光導電層、３はオー
ミックコンタクト層、４，５は夫々電極である。
の概略部分平面図であシ、第１図（ｂ）はそのＸ−Ｘ／
断面図であシ、第１図（Ｃ）はそのＹ −Ｙ’断面図で
ある。図において、１は基板、２は光導電層、３はオー
ミックコンタクト層、４，５は夫々電極である。
このフォトセンサアレイは次の様にして作製された。尚
、ここでは光導電Ｎ２としてａ−８ｉ’ｉ用いたものを
例にとシ説明する。
、ここでは光導電Ｎ２としてａ−８ｉ’ｉ用いたものを
例にとシ説明する。
先ず、ガラス基板１上にＳ ｉＨ４ガスのグロー放電分
解によって光導電層２となるａ−８１層が１μｍ厚に形
成された。続いて、５ＩＨ４ガスでＰＨ３が５００ ｐ
ｐｍに稀釈された混合ガスを用いてグロー放電分解し、
オーミックコンタクト層１３となるＰドープａ−８ｔ層
が１０“ＯＯＸ厚に形成された。
解によって光導電層２となるａ−８１層が１μｍ厚に形
成された。続いて、５ＩＨ４ガスでＰＨ３が５００ ｐ
ｐｍに稀釈された混合ガスを用いてグロー放電分解し、
オーミックコンタクト層１３となるＰドープａ−８ｔ層
が１０“ＯＯＸ厚に形成された。
こうして得られたａ＝ｓｉ層上に１０μｍ巾の光電変換
部を形成する様に１対の電極４，５がフォトリソグラフ
ィ一工程によシ形成された。続いて、ドライエツチング
装置内でＣＦ４ガスを用いて光電変換部のＰドープａ−
８ｉ層が除去された。
部を形成する様に１対の電極４，５がフォトリソグラフ
ィ一工程によシ形成された。続いて、ドライエツチング
装置内でＣＦ４ガスを用いて光電変換部のＰドープａ−
８ｉ層が除去された。
以上の如きフォトセンサアレイの作製の際には、電極形
成のためのフォトリングラフイ一工程におｈて光電変換
部の電極間ギャップに欠陥を生ずることがある。第２図
はこの様なギャップ欠陥を生じた場合の７オトセンサア
レイの概略平面図を示す。即ち、電極４と５との間のギ
ャップにお騒てａ−８ｉ光導電層２の上に導電層６が残
留して電極４．５間を短絡せしめている。この様な欠陥
が１ケ所でも発生した場合にはフォトセンサアレイは不
良品となるが、これを廃棄したのでは歩留シが極めて低
くなるので、欠陥部分の修正を行なうことが望まれる。
成のためのフォトリングラフイ一工程におｈて光電変換
部の電極間ギャップに欠陥を生ずることがある。第２図
はこの様なギャップ欠陥を生じた場合の７オトセンサア
レイの概略平面図を示す。即ち、電極４と５との間のギ
ャップにお騒てａ−８ｉ光導電層２の上に導電層６が残
留して電極４．５間を短絡せしめている。この様な欠陥
が１ケ所でも発生した場合にはフォトセンサアレイは不
良品となるが、これを廃棄したのでは歩留シが極めて低
くなるので、欠陥部分の修正を行なうことが望まれる。
との修正法としてはレーザを用いて欠陥部分の導電層６
を除去する方法や一旦電極４．５を含む全導電層を剥離
し再度電極形成のフォトリソグラフィ一工程を行なう方
法がある。しかし、レーデを用いて修正する方法は、欠
陥部分の導電層と基板との間に光導電層が存在するため
に、欠陥部分にレーザを当てた場合、光導電層も一緒に
除去されてしまい、センサ特性を劣化させてしまう。一
方、再度電極を形成する方法は、工程数が増加するばか
シでなく、光導電層の熱履歴が本来の工程よシも多くな
ルセンサ特性に影響を与えてしまう。
を除去する方法や一旦電極４．５を含む全導電層を剥離
し再度電極形成のフォトリソグラフィ一工程を行なう方
法がある。しかし、レーデを用いて修正する方法は、欠
陥部分の導電層と基板との間に光導電層が存在するため
に、欠陥部分にレーザを当てた場合、光導電層も一緒に
除去されてしまい、センサ特性を劣化させてしまう。一
方、再度電極を形成する方法は、工程数が増加するばか
シでなく、光導電層の熱履歴が本来の工程よシも多くな
ルセンサ特性に影響を与えてしまう。
以上の様に、従来のフォトセンサアレイの作製において
電極間ギャップに欠陥が生じた場合には、それを修正す
る仁とによ）センサ特性が変わってしまうという欠点が
あシ、従って従来のフォトセンサにおいては均一なセン
サ特性のものを高騒歩留シにて得ることは困難であった
。
電極間ギャップに欠陥が生じた場合には、それを修正す
る仁とによ）センサ特性が変わってしまうという欠点が
あシ、従って従来のフォトセンサにおいては均一なセン
サ特性のものを高騒歩留シにて得ることは困難であった
。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、フォトセンサ作
製工程中に発生する電極間ギヤ、ゾの欠陥を容易に修正
し且つ該修正によってもセンサ特性を損なうことがなく
、従って均一々センサ特性の７オトセンサを高い歩留ル
にて提供することを目的とする。
製工程中に発生する電極間ギヤ、ゾの欠陥を容易に修正
し且つ該修正によってもセンサ特性を損なうことがなく
、従って均一々センサ特性の７オトセンサを高い歩留ル
にて提供することを目的とする。
本発明によれば、以上の如き目的は、フォトセンサの基
板と光導電層との間に一対の電極の対向部分近傍を位置
せしめることによル達成される。
板と光導電層との間に一対の電極の対向部分近傍を位置
せしめることによル達成される。
以下、本発明フォトセンサの実施例を説明する。
尚、以下の実施例においては、光導電層が水素及びハロ
ゲン元素の少なくともいづれか一方を含むａ−８１から
なる例を示すが、もちろん本発明フォトセンサにおける
光導電層はａ−８１以外の例えばＣｄＳ −Ｃｄ −Ｔ
ｅ ｓ非晶質Ｂｅｓ非晶質５ｓ−Ｔｅ等の薄膜あるいは
厚膜から構成することもできる。
ゲン元素の少なくともいづれか一方を含むａ−８１から
なる例を示すが、もちろん本発明フォトセンサにおける
光導電層はａ−８１以外の例えばＣｄＳ −Ｃｄ −Ｔ
ｅ ｓ非晶質Ｂｅｓ非晶質５ｓ−Ｔｅ等の薄膜あるいは
厚膜から構成することもできる。
実施例１：
第３図（ａ）は本発明によるフォトセンサアレイの実施
例を示す概略部分平面図であシ、第３図（ｂ）及び第３
図（ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’断面図及びＹ−Ｙ′
断面図である。図にお−て、１１は基板、１２は共通電
極、１３は個別電極、１４はオーミックコンタクトを取
るためのｎ層、１５は光導電層である。電極材料は、た
とえばアルミニウム（Ａｔ）等の導電膜から成る。
例を示す概略部分平面図であシ、第３図（ｂ）及び第３
図（ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’断面図及びＹ−Ｙ′
断面図である。図にお−て、１１は基板、１２は共通電
極、１３は個別電極、１４はオーミックコンタクトを取
るためのｎ層、１５は光導電層である。電極材料は、た
とえばアルミニウム（Ａｔ）等の導電膜から成る。
本実施例フォトセンサアレイは次の様にして作製された
。
。
先ず、ガラス基板１１上にスフ９．タ、法でＡｔを１５
００１厚堆積させ、導電膜を形成した。
００１厚堆積させ、導電膜を形成した。
次にポジ型の０ＦＰＲ−８００（商品名：東京応化社製
）フォトレジストを用いて所望の形状にフォトレジスト
ノ臂ターンを形成した後、リン酸（８５容量チ水溶液）
、硝酸（６０容量チ水溶液）、氷酢酸、水を２５：１：
５：４の容積比で混合した液で露出部の導電層を除去し
、共通電極１２と個別電極１３を形成した。その後、０
ＦＰＲ−８００フオトレジストを剥離した。
）フォトレジストを用いて所望の形状にフォトレジスト
ノ臂ターンを形成した後、リン酸（８５容量チ水溶液）
、硝酸（６０容量チ水溶液）、氷酢酸、水を２５：１：
５：４の容積比で混合した液で露出部の導電層を除去し
、共通電極１２と個別電極１３を形成した。その後、０
ＦＰＲ−８００フオトレジストを剥離した。
次に、グロー放電法でｎ層を堆積させた。即ち、具体的
にはＨ２で１０容量係に稀釈された５ｉＨ４（以下Ｓ
１Ｈ４（４）／Ｈ２と記す）とＨ２で１００ ｐｐｍに
稀釈されたＰＨ，との混合比を１：１０としたガスを原
料に用い、ガス圧０．５０ Ｔｏｒｒ 、 ＲＦ （Ｒ
ａｄｉ。
にはＨ２で１０容量係に稀釈された５ｉＨ４（以下Ｓ
１Ｈ４（４）／Ｈ２と記す）とＨ２で１００ ｐｐｍに
稀釈されたＰＨ，との混合比を１：１０としたガスを原
料に用い、ガス圧０．５０ Ｔｏｒｒ 、 ＲＦ （Ｒ
ａｄｉ。
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ） ／’クワ−０Ｗ、基板温度２５
０℃で１時間堆積させることによって、０．１μ厚のｎ
層層を得た。更に、ポジ型の０ＦＰＲ−８００フオトレ
ジス）を用いて・母ターン形成し、つｂで平行平板屋の
装置を用すたプラズマエツチング法で、ＲＦノ４ワー１
２０Ｗ、ガス圧７ Ｘ １０ ＴｏｒｒでＣＦ４ガスに
よるプラズマエツチングを行なって露出部の＋ ｎ層を除去し、オーミックコンタクトのだめの？層１４
を形成した。その後、０ＦＰＲ−８００ホトレジストを
剥離した。
０℃で１時間堆積させることによって、０．１μ厚のｎ
層層を得た。更に、ポジ型の０ＦＰＲ−８００フオトレ
ジス）を用いて・母ターン形成し、つｂで平行平板屋の
装置を用すたプラズマエツチング法で、ＲＦノ４ワー１
２０Ｗ、ガス圧７ Ｘ １０ ＴｏｒｒでＣＦ４ガスに
よるプラズマエツチングを行なって露出部の＋ ｎ層を除去し、オーミックコンタクトのだめの？層１４
を形成した。その後、０ＦＰＲ−８００ホトレジストを
剥離した。
次に５ｉＨ４（１０）／Ｍ２を用いて、ガス圧０．５０
ＴｏｒｒＲＦパワー１０Ｗ１基板温度２５０℃で３時
間堆積させることによって０．７μ厚の光導電層１５を
得た。
ＴｏｒｒＲＦパワー１０Ｗ１基板温度２５０℃で３時
間堆積させることによって０．７μ厚の光導電層１５を
得た。
本実施例の７オトセンサアレイに於いてハ、先ず電極１
２．１３が基板ｌｌ上に形成される構成になっているた
めに、該電極を形成するフォトリングラフイ一工程中に
発生する欠陥の修正が容易であった。なぜならば、フォ
トリソグラフィー直後の基板１１上には電極１２，１３
Ｌか形成されて込ないためにレーデによる修正が可能と
なったからである。これによシ、欠陥のなし電極１２゜
１３０上にｎ層１４と光導電層１５を形成でき、このた
めに歩留シが向上した。更に、前記修正が計上及び光導
電層の形成前に実施されるために、センサ特性に影響を
与えずに修正が可能となった。
２．１３が基板ｌｌ上に形成される構成になっているた
めに、該電極を形成するフォトリングラフイ一工程中に
発生する欠陥の修正が容易であった。なぜならば、フォ
トリソグラフィー直後の基板１１上には電極１２，１３
Ｌか形成されて込ないためにレーデによる修正が可能と
なったからである。これによシ、欠陥のなし電極１２゜
１３０上にｎ層１４と光導電層１５を形成でき、このた
めに歩留シが向上した。更に、前記修正が計上及び光導
電層の形成前に実施されるために、センサ特性に影響を
与えずに修正が可能となった。
又、電極１２．１３が平面基板１１上に直接形成される
ために断切れの々い電極が形成できた。
ために断切れの々い電極が形成できた。
本実施例のフォトセンサアレイは、基板１１側から光信
号を入射させた場合、光導電層１５に対して電極１２．
１３が光入射側に位置している構造のため、光が光導電
層で吸収され最も低抵抗化して込る層側（即ち基板ｌｌ
側）に電極１２゜１３が位置するので、電流が低抵抗層
を流れ、電極が反対側に形成されてｈる場合よシ、よ）
多くの光電流が得られた。尚、暗電流は光入射のどちら
の側に電極が形成されてｈるかに関係せず、従ってＳＮ
比が向上したフォトセンサが得られた。
号を入射させた場合、光導電層１５に対して電極１２．
１３が光入射側に位置している構造のため、光が光導電
層で吸収され最も低抵抗化して込る層側（即ち基板ｌｌ
側）に電極１２゜１３が位置するので、電流が低抵抗層
を流れ、電極が反対側に形成されてｈる場合よシ、よ）
多くの光電流が得られた。尚、暗電流は光入射のどちら
の側に電極が形成されてｈるかに関係せず、従ってＳＮ
比が向上したフォトセンサが得られた。
実施例２：
第４図（ａ）は本発明の７オトセンサアレイの実施例を
示す概略平面図であシ、第４図（ｂ）はそのＸ−ｒ断面
図であシ、第４図（ｃ）はそのＹ −Ｙ’断面図である
。本実施例は、基板上に駆動回路接続用多層配線部を有
臥該多層配線部の配線がセンナ部の個別電極と一体化さ
れてｂるフォトセンサアレイを示す。図において、１１
は基板、１２は共通電極、１３は個別電極、１４はｎ層
、１５は光導電層、１６は絶縁層、１７は多層配線部の
共通電極である。
示す概略平面図であシ、第４図（ｂ）はそのＸ−ｒ断面
図であシ、第４図（ｃ）はそのＹ −Ｙ’断面図である
。本実施例は、基板上に駆動回路接続用多層配線部を有
臥該多層配線部の配線がセンナ部の個別電極と一体化さ
れてｂるフォトセンサアレイを示す。図において、１１
は基板、１２は共通電極、１３は個別電極、１４はｎ層
、１５は光導電層、１６は絶縁層、１７は多層配線部の
共通電極である。
絶縁層としては有機絶縁樹脂の中でも耐熱性のあるポリ
イミド系樹脂ＰＩＱ （商品名：日立化成社！１１り′
ｔ−用いることができるが、その他の有機絶縁材料を用
いてもかまわなＬｎ。
イミド系樹脂ＰＩＱ （商品名：日立化成社！１１り′
ｔ−用いることができるが、その他の有機絶縁材料を用
いてもかまわなＬｎ。
本実施例フォトセンサアレイは次の様にして作製された
。
。
先ず、実施例１と同様な手法にょ多電極１２゜１３を形
成した後、ＰＩＱをスクリーン印刷で所定の位置に塗布
し、３５０℃で１１時間硬化させて多層配線の層間絶縁
層１６を形成した。その後、多層配線の共通電極１７を
形成し、更に実施例１と同様な手法によｊｌｎ＋層１４
と光導電層１５ｔ−形成した。
成した後、ＰＩＱをスクリーン印刷で所定の位置に塗布
し、３５０℃で１１時間硬化させて多層配線の層間絶縁
層１６を形成した。その後、多層配線の共通電極１７を
形成し、更に実施例１と同様な手法によｊｌｎ＋層１４
と光導電層１５ｔ−形成した。
本実施例の７オトセンサアレイに於いては光導電層１５
が一番最後に形成されるために、該光導電層に何らの影
響を及はすことなくセンサ部の電極間のショートや多層
配線部のショート、断線などの欠陥が容易に修正できる
。しかも、有機絶縁樹脂を硬化させる温度に制約がなく
十分に硬化させることが出来る。これに対し、従来のフ
ォトセンサアレイでは、光導電層が先ず始めに基板上に
形成されるので、その後に有機絶縁樹脂の硬化のため２
５０℃以上の熱処理を施すとａ−８ｔ光導電層も加熱さ
れセンサ特性が変化してしまうため、２５０℃以上の熱
処理は不可能であった。従って、従来の７オトセンサア
レイでは絶縁膜の硬化が不十分となル多層配線部の信頼
性に問題があった。
が一番最後に形成されるために、該光導電層に何らの影
響を及はすことなくセンサ部の電極間のショートや多層
配線部のショート、断線などの欠陥が容易に修正できる
。しかも、有機絶縁樹脂を硬化させる温度に制約がなく
十分に硬化させることが出来る。これに対し、従来のフ
ォトセンサアレイでは、光導電層が先ず始めに基板上に
形成されるので、その後に有機絶縁樹脂の硬化のため２
５０℃以上の熱処理を施すとａ−８ｔ光導電層も加熱さ
れセンサ特性が変化してしまうため、２５０℃以上の熱
処理は不可能であった。従って、従来の７オトセンサア
レイでは絶縁膜の硬化が不十分となル多層配線部の信頼
性に問題があった。
本実施例のフォトセンサアレイの多層配線部の信頼性は
十分であった。
十分であった。
以上の如き、本発明フォトセンサによれば、作製工程中
において先ず電極が始めに形成されるために、作製工程
中で発生する電極ギャップ間のシ目−ト、アレイのビッ
ト間のシ冒−トなどの修正がセンサ特性に影響を与える
ことなく容易に行なわれる。
において先ず電極が始めに形成されるために、作製工程
中で発生する電極ギャップ間のシ目−ト、アレイのビッ
ト間のシ冒−トなどの修正がセンサ特性に影響を与える
ことなく容易に行なわれる。
又、本発明によれば、電極が平面基板上に直接形成され
ているために、断切れのない電極の形成が可能となる。
ているために、断切れのない電極の形成が可能となる。
又、本発明によれば、光信号を基板側から入射させる場
合、電極が光導電層の光入射側に位置しているため、暗
電流を増加させることなく光電流を増加させることがで
き８Ｎ比が向上する。
合、電極が光導電層の光入射側に位置しているため、暗
電流を増加させることなく光電流を増加させることがで
き８Ｎ比が向上する。
又、本発明によれば、センサ部と多層配線部とが同一基
板上に形成でき、しかも光導電層の特性を変化させずに
絶縁層を加熱できるので、絶縁層を十分に硬化させるこ
とができ多層配線部の信頼性が向上する。
板上に形成でき、しかも光導電層の特性を変化させずに
絶縁層を加熱できるので、絶縁層を十分に硬化させるこ
とができ多層配線部の信頼性が向上する。
第１図（ａ）は従来の７オトセンサアレイの平面図であ
り、第１図（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’
断面図及びＹ −Ｙ’断面図である。第２図はフォトセ
ンサの電極間ギヤ、プに欠陥を有する状態を示す平面図
である。第３図（ａ）は本発明によるフォトセンサアレ
イの平面図であシ、第３図（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ
そのｘ −ｘ’断面図及びＹ −Ｙ’断面図である。 第４図（、）は本発明によるフォトセンサアレイの平面
図であ）、第４図（ｂ）及び（ｅ）はそれぞれそのＸ−
Ｘ／断面図及びＹ −Ｙ’断面図である。 １１：基板、１２：共通電極、１３：個別電極、１４：
ｎ＋層、１５：光導電層。 第１図（０） ＩＩＩ 図（ｂ） ＩＩ Ｉ 図（ｃ）ＩＮ ２ 図
り、第１図（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれそのｘ −ｘ’
断面図及びＹ −Ｙ’断面図である。第２図はフォトセ
ンサの電極間ギヤ、プに欠陥を有する状態を示す平面図
である。第３図（ａ）は本発明によるフォトセンサアレ
イの平面図であシ、第３図（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ
そのｘ −ｘ’断面図及びＹ −Ｙ’断面図である。 第４図（、）は本発明によるフォトセンサアレイの平面
図であ）、第４図（ｂ）及び（ｅ）はそれぞれそのＸ−
Ｘ／断面図及びＹ −Ｙ’断面図である。 １１：基板、１２：共通電極、１３：個別電極、１４：
ｎ＋層、１５：光導電層。 第１図（０） ＩＩＩ 図（ｂ） ＩＩ Ｉ 図（ｃ）ＩＮ ２ 図
Claims (2)
- （１）基板上に光導電層と該光導電層に電気的に接触し
て光電変換部の少なくとも一部を構成する間隔を設けて
配設された一対の電極とを有するフォトセンサにおいて
、一対の電極の対向部分近傍が基板と光導電層との間に
位置することを特徴とする、フォトセンサ。 - （２）光導電層がシリコンを母体とし水素及びハロダン
元素の少なくとも一方を含有する非晶質材料からなる、
第１項の７オトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074938A JPS60218886A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074938A JPS60218886A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218886A true JPS60218886A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13561785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074938A Pending JPS60218886A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218886A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766665A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-22 | Ricoh Co Ltd | Image sensor |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59074938A patent/JPS60218886A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766665A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-22 | Ricoh Co Ltd | Image sensor |
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