JPS59231855A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法Info
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- JPS59231855A JPS59231855A JP58106131A JP10613183A JPS59231855A JP S59231855 A JPS59231855 A JP S59231855A JP 58106131 A JP58106131 A JP 58106131A JP 10613183 A JP10613183 A JP 10613183A JP S59231855 A JPS59231855 A JP S59231855A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フッフシ江りの送信側に用いる原稿と１＝１
に対応する大きさの光電変換装置の製造方法に関するも
のである。
に対応する大きさの光電変換装置の製造方法に関するも
のである。
従来例の構成とその問題点
従来、この種の光電変換装置の製造方法は、第１図ａ
−ｄの副走査方向の部分拡大図および第２図の」二面拡
大図に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１−４−
に、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ、Ｃｄ５−ＣｄＴｅ 等の光導電
膜２を真空蒸着、スパッタ法等により全ｍ１ＶｃＵ着し
、次に第１図すに示すように主走査方向に一列に島状に
レジス＋−パターン３を形成しＩＣ後、臭素等のエツチ
ング液で光導電膜２をエツチングｊ〜、島状の光導電膜
群２を形成する。その後、第１図Ｃに示す」；つに光導
電膜ｒｒｒ ２上のレジストパターン３を、リムーバ等
のレジスト除去液に漬して除去する。この島状の光導電
膜群２を、例えばＣｄＣｌ２等のＣｄのハロゲン化物の
−ｑ小以上の蒸気を含む雰囲気中で、ＣｃｌＳ−ＣｄＳ
ｅ又Ｕ１、Ｃｄ５−ＣｄＴｅとＣｄのハロゲン化物との
共晶温度以」二の温度、例えは５００〜６００℃の温度
で活性化熱処理し、固溶化再結晶によって増感作用を持
／こせる。
−ｄの副走査方向の部分拡大図および第２図の」二面拡
大図に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１−４−
に、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ、Ｃｄ５−ＣｄＴｅ 等の光導電
膜２を真空蒸着、スパッタ法等により全ｍ１ＶｃＵ着し
、次に第１図すに示すように主走査方向に一列に島状に
レジス＋−パターン３を形成しＩＣ後、臭素等のエツチ
ング液で光導電膜２をエツチングｊ〜、島状の光導電膜
群２を形成する。その後、第１図Ｃに示す」；つに光導
電膜ｒｒｒ ２上のレジストパターン３を、リムーバ等
のレジスト除去液に漬して除去する。この島状の光導電
膜群２を、例えばＣｄＣｌ２等のＣｄのハロゲン化物の
−ｑ小以上の蒸気を含む雰囲気中で、ＣｃｌＳ−ＣｄＳ
ｅ又Ｕ１、Ｃｄ５−ＣｄＴｅとＣｄのハロゲン化物との
共晶温度以」二の温度、例えは５００〜６００℃の温度
で活性化熱処理し、固溶化再結晶によって増感作用を持
／こせる。
次に第１図ｄに示すように島状の光導電膜群２に対応さ
せて、一定単位数毎に共通に接続され／こ共通電極群４
と一定単位数毎にグループ化された個別電極群４′ヲリ
フトオフ法により形成する１、さらに第２図に示すよう
にフィルムリード５，６の接続部７で前記個別電極群４
′とボンディングすることにより、マトリックス結線し
て個別電極側取出し端子とする。
せて、一定単位数毎に共通に接続され／こ共通電極群４
と一定単位数毎にグループ化された個別電極群４′ヲリ
フトオフ法により形成する１、さらに第２図に示すよう
にフィルムリード５，６の接続部７で前記個別電極群４
′とボンディングすることにより、マトリックス結線し
て個別電極側取出し端子とする。
次に第３図に示すように、上記方法で得られた光電変換
装置８と、照明光源９．セルフォックレンズアレー１０
．送信原稿１１を図のように配置し、照明光源９で照明
された送信原稿１１からの反射光をセルフォックレンズ
アレー１０で集光し、光電変換装置８」二に結像して、
前記光導電膜２の抵抗変化を電気信号として取出してい
る。
装置８と、照明光源９．セルフォックレンズアレー１０
．送信原稿１１を図のように配置し、照明光源９で照明
された送信原稿１１からの反射光をセルフォックレンズ
アレー１０で集光し、光電変換装置８」二に結像して、
前記光導電膜２の抵抗変化を電気信号として取出してい
る。
ところが、前述のような光電変換装置の製造方法におい
て以下の問題点を有している。
て以下の問題点を有している。
捷ず第１に、第１図ｂ −ｃにおける光導電膜２」二の
レジストパターン３の除去工程において、臭素等のウェ
ット方式のエツチングで臭素によりレジスト表面が変質
し、リムーバ等による除去が困難となり、その後の活性
化熱処理工程において、残存するレジストや臭素が光導
電膜２に影響を与えてビットダウンが確率的に発生し歩
留りを低下させる。
レジストパターン３の除去工程において、臭素等のウェ
ット方式のエツチングで臭素によりレジスト表面が変質
し、リムーバ等による除去が困難となり、その後の活性
化熱処理工程において、残存するレジストや臭素が光導
電膜２に影響を与えてビットダウンが確率的に発生し歩
留りを低下させる。
第２に、第４図に示すように臭素等のエツチングによる
、レジストパターン下の光導電膜２のサイドエツチング
が発生し光導電膜２が周辺部１２゜１２′で逆テーパ状
となり、電極群４，４′の形成において、光導電膜２の
逆テーパ部１２ 、１２’で電極の段切れを生じ、信頼
性、特性のバラツキ等が問題となっている。この対策と
しては、光導電膜２の膜厚と同程度の電極膜厚とすれは
段切れは防止できるが、電極４，４′の歪等により光導
電膜２と電極４，４′との密着が弱くなり接触不良金引
き起こし特性上好ましくない。例えば光導電膜２の膜厚
３０００〜１００００／ｌ、に対して電極膜厚は１００
０人程度が好捷しいのであるから段切れを防ぐことがで
きない。
、レジストパターン下の光導電膜２のサイドエツチング
が発生し光導電膜２が周辺部１２゜１２′で逆テーパ状
となり、電極群４，４′の形成において、光導電膜２の
逆テーパ部１２ 、１２’で電極の段切れを生じ、信頼
性、特性のバラツキ等が問題となっている。この対策と
しては、光導電膜２の膜厚と同程度の電極膜厚とすれは
段切れは防止できるが、電極４，４′の歪等により光導
電膜２と電極４，４′との密着が弱くなり接触不良金引
き起こし特性上好ましくない。例えば光導電膜２の膜厚
３０００〜１００００／ｌ、に対して電極膜厚は１００
０人程度が好捷しいのであるから段切れを防ぐことがで
きない。
第３に：、臭素等のエツチング時に、臭素等がガラス基
板１と光導電膜２の間に浸漬し、光導電膜２の膜剥離が
多く発生し、密着性に対して問題が起る可能性が残され
ていた。
板１と光導電膜２の間に浸漬し、光導電膜２の膜剥離が
多く発生し、密着性に対して問題が起る可能性が残され
ていた。
第４に、第１図すの工程において、レジストパターン３
をマスクとして光導電膜２をウェットエツチングする際
、主走査方向に解像度８鳥価で１７２８ビツトが一列に
並んでいるので、主走査方向において光導電膜２の形状
が、エツチング時間の差で変形し受光面積が場所依存性
を示し、出力特性におけるバラツキの原因や再現性にお
いて問題となっている。
をマスクとして光導電膜２をウェットエツチングする際
、主走査方向に解像度８鳥価で１７２８ビツトが一列に
並んでいるので、主走査方向において光導電膜２の形状
が、エツチング時間の差で変形し受光面積が場所依存性
を示し、出力特性におけるバラツキの原因や再現性にお
いて問題となっている。
発明の目的
本発明ｄ１、従来のよつな上記問題点ｆ：ｗＩ決するも
のであり、ファクタ、？ リの送信側等に用いる原稿面
と１：１に対応する大きさの光電変換装置の出力特性の
バラツキ要因の減少と歩留り、信頼性。
のであり、ファクタ、？ リの送信側等に用いる原稿面
と１：１に対応する大きさの光電変換装置の出力特性の
バラツキ要因の減少と歩留り、信頼性。
［ＴＴ現性向−」二を得るための光電変換装置の製造方
法を提供する事を目的とするものである。
法を提供する事を目的とするものである。
発明の構成
本発明における光電変換装置の製造方法は、ガラス等の
透光性絶縁基板上に、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ 、Ｃｄ５−Ｃ
ｄＴｅ等の光導電膜を被着し、その上部に島状にレジス
トパターンを形成した後、光導電膜をレジストをマスク
としてドライエツチングにより光導電膜を分離形成し、
その後レジストを除去し電極を形成するものである。こ
の製造方法でに、従来のウェットエツチング方式に比較
して、光導電膜の形状の変形１ｒｉｌ＜レジストパター
ン通りの形状で形成できる。寸だ、光導電膜の断面形状
は、逆テーパ形状でなく垂直もしくは順テーパにエツチ
ングできる。さらにドライエツチングによるレジスト表
面の変質は、エツチング条件の選択により起こりにくく
レジストの残存は皆無となる。最後に、ウェットエツチ
ングではないのでガラスとミ灸 光導電膜との卑情は存在せず、膜剥離が起こらない。
透光性絶縁基板上に、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ 、Ｃｄ５−Ｃ
ｄＴｅ等の光導電膜を被着し、その上部に島状にレジス
トパターンを形成した後、光導電膜をレジストをマスク
としてドライエツチングにより光導電膜を分離形成し、
その後レジストを除去し電極を形成するものである。こ
の製造方法でに、従来のウェットエツチング方式に比較
して、光導電膜の形状の変形１ｒｉｌ＜レジストパター
ン通りの形状で形成できる。寸だ、光導電膜の断面形状
は、逆テーパ形状でなく垂直もしくは順テーパにエツチ
ングできる。さらにドライエツチングによるレジスト表
面の変質は、エツチング条件の選択により起こりにくく
レジストの残存は皆無となる。最後に、ウェットエツチ
ングではないのでガラスとミ灸 光導電膜との卑情は存在せず、膜剥離が起こらない。
実施例の説明
以下に、本発明による光電変換装置の製造方法の実施例
を図を用いて詳細に説明する。
を図を用いて詳細に説明する。
捷ず、従来例と同様に第１図ａ −ｄに示すように、コ
ーニング７ｏ５９ガラス基板１を洗滌、乾燥し、ガラス
基板１を収縮による光導電膜２と電極４，４′とのピン
チずれを防ぐために６００’Ｃ以上の熱処理を経験させ
たのち、さらに洗滌、乾燥を行う。その後、第１図ａの
様に、光導電膜２、例工ば、Ｃｄ ５−Ｃｄ Ｓ ｅ
又１４ Ｃｄ ５−ＣｄＴ ｅ等ノ固溶体を真空蒸着又
はスパックリング法により前記ガラス基板１」二に、全
面もしくはメタルマスクを用いて帯状に被着する。光導
電膜２を帯状に被着させる場合、帯の幅は副走査方向の
レジストパターン３の長さよりも充分長く被着させる必
要がある。
ーニング７ｏ５９ガラス基板１を洗滌、乾燥し、ガラス
基板１を収縮による光導電膜２と電極４，４′とのピン
チずれを防ぐために６００’Ｃ以上の熱処理を経験させ
たのち、さらに洗滌、乾燥を行う。その後、第１図ａの
様に、光導電膜２、例工ば、Ｃｄ ５−Ｃｄ Ｓ ｅ
又１４ Ｃｄ ５−ＣｄＴ ｅ等ノ固溶体を真空蒸着又
はスパックリング法により前記ガラス基板１」二に、全
面もしくはメタルマスクを用いて帯状に被着する。光導
電膜２を帯状に被着させる場合、帯の幅は副走査方向の
レジストパターン３の長さよりも充分長く被着させる必
要がある。
なぜなら帯状の幅方向端部はメタルマスクの陰となり、
帯中央に比べて光導電膜２の膜厚が薄く形成されるから
である。
帯中央に比べて光導電膜２の膜厚が薄く形成されるから
である。
次に第１図すに示すように光導電膜２上にレジストパタ
ーン３を形成しドライエツチング方式により、所望の形
状の光導電膜２を形成する分離工程を行う。この場合、
ドライエツチング方式の条件を具体的に記述すれば、エ
ツチングガスとしてＡｒと０２ガスを用い、流量比とし
てＡｒに対して０．１〜５％の０２含有とするが、好ま
しくは０．５〜２％０２含有が良好である。真空度は、
一端１０−６Ｔｏｒｒ台に引いた後、ガス導入により５
×１０４−６ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒの圧力好ましくは
８ Ｘ １０−” 〜３ｘ１０ Ｔｏｒｒが良い。投
入電力は、例えば直径３゜ｍターゲツト面の場合、３０
０〜２０ＯＯＷ好ましくは３００〜１０００Ｗが良好で
ある。第６図にドライエツチングの概略図を示す。２０
はアノード、２１はカソード、２２は排気方向である。
ーン３を形成しドライエツチング方式により、所望の形
状の光導電膜２を形成する分離工程を行う。この場合、
ドライエツチング方式の条件を具体的に記述すれば、エ
ツチングガスとしてＡｒと０２ガスを用い、流量比とし
てＡｒに対して０．１〜５％の０２含有とするが、好ま
しくは０．５〜２％０２含有が良好である。真空度は、
一端１０−６Ｔｏｒｒ台に引いた後、ガス導入により５
×１０４−６ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒの圧力好ましくは
８ Ｘ １０−” 〜３ｘ１０ Ｔｏｒｒが良い。投
入電力は、例えば直径３゜ｍターゲツト面の場合、３０
０〜２０ＯＯＷ好ましくは３００〜１０００Ｗが良好で
ある。第６図にドライエツチングの概略図を示す。２０
はアノード、２１はカソード、２２は排気方向である。
上記エツチング条件により光導電膜２の分離が容易に行
われる。
われる。
次に第１図Ｃに示すように分離形成した光導電膜２上の
レジストパターン３をリムーバ等のレジスト除去液で除
く。除去工程は、ドライエツチング条件を適当に選択す
ることによりレジストの残存はなく除去できる。
レジストパターン３をリムーバ等のレジスト除去液で除
く。除去工程は、ドライエツチング条件を適当に選択す
ることによりレジストの残存はなく除去できる。
さらに、光導電膜２をＣｄＣｌ２等のＣｄのハロゲン化
物の一種以」−の蒸気を含む雰囲気中で、Ｃｄ５−Ｃｄ
Ｓｅ又はＣｄ５−ＣｄＴｅ 等とハロゲン化物との共晶
温度以上の温度、例えば５ｏ○〜６００℃で活性化熱処
理を行い、増感させる。
物の一種以」−の蒸気を含む雰囲気中で、Ｃｄ５−Ｃｄ
Ｓｅ又はＣｄ５−ＣｄＴｅ 等とハロゲン化物との共晶
温度以上の温度、例えば５ｏ○〜６００℃で活性化熱処
理を行い、増感させる。
そして、第１図ｄに示すように、リフトオフ法で電極形
成を行うために、全面にレジストを塗布し、露光、現像
後、所望の電極パターンにＮ ｉ Ｃｒ・Ａｕ電極を真
空蒸着又はスパッタリング法にょって全面に蒸着し、ア
セトン等のレジスト溶解液てレジス］・と共にレジスト
上のＮｉＣｒ−Ａｕ電極をリフトオフする。これによっ
て第２図に示すように、共通電極群４と個別電極群４′
が形成され、個別電極群４とフィルムリード５，６」二
の接続部７がボンディングされる。
成を行うために、全面にレジストを塗布し、露光、現像
後、所望の電極パターンにＮ ｉ Ｃｒ・Ａｕ電極を真
空蒸着又はスパッタリング法にょって全面に蒸着し、ア
セトン等のレジスト溶解液てレジス］・と共にレジスト
上のＮｉＣｒ−Ａｕ電極をリフトオフする。これによっ
て第２図に示すように、共通電極群４と個別電極群４′
が形成され、個別電極群４とフィルムリード５，６」二
の接続部７がボンディングされる。
この」：つにして、透光性絶縁基板上に、島状の光轡電
素子群と、この素子群を一定単位毎のグループとしグル
ープごとに一方の端部に共通電極群。
素子群と、この素子群を一定単位毎のグループとしグル
ープごとに一方の端部に共通電極群。
他方の端部に個別電極群とを有する大面積の光電変換装
置を得ることができる。
置を得ることができる。
なお、光導電膜２０分前工程を、活性化熱処理工程、電
極形成後にレジストパターンをマスクとして分離１゛る
ことは、以１この理由により好捷しくない。
極形成後にレジストパターンをマスクとして分離１゛る
ことは、以１この理由により好捷しくない。
光導電膜２の分離工Ｊ、Ｋｒ′ｆ、、最後にドライエツ
チングで分離する場合、光導電膜エツチング断面にレジ
ストで覆われていないＮｉＣｒ−Ａｕ電極のエツチング
物が付着したり、Ａｒと０２イオン衝撃等により光導電
膜２に悪影９を与え、漏れ電流による暗電流の増加や光
応答速度か遅いといつ欠点をイｊしている。本発明によ
る方法では、ドライエツチング方式で島状に光導電膜２
を形成後に活性化熱処理工程を経るので、」二記欠点が
再結晶化により除かれるどいつ利点がある。
チングで分離する場合、光導電膜エツチング断面にレジ
ストで覆われていないＮｉＣｒ−Ａｕ電極のエツチング
物が付着したり、Ａｒと０２イオン衝撃等により光導電
膜２に悪影９を与え、漏れ電流による暗電流の増加や光
応答速度か遅いといつ欠点をイｊしている。本発明によ
る方法では、ドライエツチング方式で島状に光導電膜２
を形成後に活性化熱処理工程を経るので、」二記欠点が
再結晶化により除かれるどいつ利点がある。
発明の効果
以」−説明した様に、本発明の光導電膜の製造方法によ
れば、島状の光導電膜形成にドライエツチング方式を用
いることにより、従来のウェットエツチングの場合の光
導電膜の変形はなく、レジストパターン形状の光導電膜
が形成できるので、受光面積が均一で出力特性に対する
バラツキの減少および再現性も良好である。
れば、島状の光導電膜形成にドライエツチング方式を用
いることにより、従来のウェットエツチングの場合の光
導電膜の変形はなく、レジストパターン形状の光導電膜
が形成できるので、受光面積が均一で出力特性に対する
バラツキの減少および再現性も良好である。
寸だ本発明によれば、臭素等のエツチング物に依るレジ
ストの変質がドライエツチング条件の選択により存在し
なくなるので、活性化熱処理時にウェットエツチング時
に残存しだレジストの光導。
ストの変質がドライエツチング条件の選択により存在し
なくなるので、活性化熱処理時にウェットエツチング時
に残存しだレジストの光導。
電膜中への影響を除く事ができ、確率的に発生ずるビッ
トダウン等を無くする事ができる。これは、エツチング
ガスとしてＡｒと０２であり、０２ ガスはレジストと
反応して除去し、Ａｒ１％よる物ス独イオン衝撃をレジ
スト上で相殺していると考えられる。
トダウン等を無くする事ができる。これは、エツチング
ガスとしてＡｒと０２であり、０２ ガスはレジストと
反応して除去し、Ａｒ１％よる物ス独イオン衝撃をレジ
スト上で相殺していると考えられる。
さらに本発明によれは、ウェットエツチング時に光導電
膜の逆テーバ状のザイドエノチングによる電極の段切れ
が防止できる。すなわちドライエツチング方式によると
たとえばＡｒと０２イオンの平均自由工程をエツチング
条件等で変化させる事により、異方的もしくは等方的に
エツチングが制御可能で、第５図に示すごとく光導電膜
２の断面形状を垂直から順テーパ状とする事ができ、光
力″電膜周辺部１３ 、１３′での電極の段切れを防止
でき、信頼性の向」−が得られるので工業上の利用価値
がきわめて高い。
膜の逆テーバ状のザイドエノチングによる電極の段切れ
が防止できる。すなわちドライエツチング方式によると
たとえばＡｒと０２イオンの平均自由工程をエツチング
条件等で変化させる事により、異方的もしくは等方的に
エツチングが制御可能で、第５図に示すごとく光導電膜
２の断面形状を垂直から順テーパ状とする事ができ、光
力″電膜周辺部１３ 、１３′での電極の段切れを防止
でき、信頼性の向」−が得られるので工業上の利用価値
がきわめて高い。
そして、臭素等のウェットエツチングでは、光導電膜と
ガラス界面への浸透が起こり、膜剥離と１
なっていたが、本発明の方法によれば膜剥離は皆無
となる。
ガラス界面への浸透が起こり、膜剥離と１
なっていたが、本発明の方法によれば膜剥離は皆無
となる。
最後に」二記実施例において述べたように、暗電流の減
少や光応答速度の向上という点においても利点を有して
いる。
少や光応答速度の向上という点においても利点を有して
いる。
第１図ａ −ｄは光電変換装置の製造方法の各工程にお
ける断面図、第２図は光電変換装置の上面部分拡大図、
第３図は光電変換装置を原稿読取りセンサとして用いる
場合の概略配置図、第４図は従来の光電変換装置におけ
る電極の段切を示す図、第５図は本発明の方法により作
成された光電変換装置の光電変換膜と電極との断面を示
す図、第６図はドライエツチングの概略図である。 １・・・・・ガラス基板、２・・・・・光導電膜、３
レジストパターン、４・・・・・・共通側電極、４′
・・・・・・個別側電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ７６．５ 第３図 第４図 第５図 第６図 ？θ
ける断面図、第２図は光電変換装置の上面部分拡大図、
第３図は光電変換装置を原稿読取りセンサとして用いる
場合の概略配置図、第４図は従来の光電変換装置におけ
る電極の段切を示す図、第５図は本発明の方法により作
成された光電変換装置の光電変換膜と電極との断面を示
す図、第６図はドライエツチングの概略図である。 １・・・・・ガラス基板、２・・・・・光導電膜、３
レジストパターン、４・・・・・・共通側電極、４′
・・・・・・個別側電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ７６．５ 第３図 第４図 第５図 第６図 ？θ
Claims (1)
- 透光性基板上に、光導電膜全形成する工程と、前記光導
電膜をドライエツチングにより選択的に除去し島状に分
離する工程と、前記島状の光導電膜を固溶化再結晶化す
る活性化熱処理工程と、前記基板ならびに光導電膜上に
前記個別電極群および共通電極群を形成する工程とを有
することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58106131A JPS59231855A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | 光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58106131A JPS59231855A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231855A true JPS59231855A (ja) | 1984-12-26 |
| JPH0251264B2 JPH0251264B2 (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14425844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58106131A Granted JPS59231855A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231855A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194538A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ＣｄＳＳｅ系薄膜とその製造方法 |
| EP0473439A2 (en) * | 1990-08-31 | 1992-03-04 | Cooper Industries, Inc. | Electronic switch comprising a photosensitive semiconductor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769783A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of multilayer thin film pattern |
-
1983
- 1983-06-14 JP JP58106131A patent/JPS59231855A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769783A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of multilayer thin film pattern |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194538A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ＣｄＳＳｅ系薄膜とその製造方法 |
| EP0473439A2 (en) * | 1990-08-31 | 1992-03-04 | Cooper Industries, Inc. | Electronic switch comprising a photosensitive semiconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0251264B2 (ja) | 1990-11-06 |
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