JPS60134486A - 光電変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリの送信側に用いる原稿と１＝１
に対応した大きさを有する直接読取型の光電変換装置の
光応答に関するものである。

従来例の構成とその問題点 従来、この種の光電変換装置は、第１図の構成図に示す
様に、ガラス基板等の絶縁性基板１上に可視光を厚さ２
○００Å以上で完全に遮光する遮光膜２としてＣｒ　、
　Ｍｏ　、Ｗ等の高融点材料を真空）蒸着法やスパッタ
リング法等で全面に被着し、フォトリソ技術により照明
窓３を形成した後、全面にＳ　ｚ　０２　＋　８１３　
Ｎ　４　等の透光性絶縁膜４をスパッタ法やプラズマＣ
ＶＤ法等で付着させる。

次に、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ又はＣｄ５−ＣｄＴｅ　等の光
導電膜を全面又は帯状に真空蒸着やスパッタリング法等
により、前記透光性絶縁膜４」二に被着し、フォトリソ
技術で主走査方向に一列に並んだ島状の光電変換素子５
を形成する。さらに、光電変換素子５を活性化熱処理を
行った後、リフトオフ法により電極６を形成し、透光性
絶縁基板１の裏面からＬＥＤや螢光灯等の光源７の光を
遮光膜２に形成された照明窓３から入射させ、読取原稿
８からの反射光９を光電変換素子２に導き、電気信号と
して読み出すものであり、第２図の概′略図に示す様な
完全密着構成で原稿を読み取るものである。

ところが、上記構成の光電変換装置においては、以下に
示す様な問題が生じていた。

つまり、完全な密着読取型光電変換装置では、セルフォ
ックレンズアレー等の導光系を用いた光電変換装置より
も、入射光量が大きく取れるので光応答の点においては
かなり有利であるが、本質的１／ＣＣｄ５−Ｃｄ５．ｅ
又はＣｄ５−ＣｄＴｅ等のｎ　−ｖ族の光電変換素子で
は、波長５５６　ｎｍの緑色の光１００Ｌｕｘで、１５
ｍ５ｅｃ程度で６’）７ｙクシミリ等の高速化において
問題であり、光応答の改善が強く望まれている。

発明の目的 本発明は、従来のような上記問題点を解決するだめのも
のであり、ファクシミリの送信側に用いられ原稿と１：
１に対応する完全密着型の直接読み取りの光電変換装置
の光応答特性の改善を目的とするものである。

発明の構成 本発明における光電変換装置は、ガラス基板等の絶縁性
基板上に、たとえば可視光領域において原稿からの反射
光に対して数多程度の透過光を許す遮光膜を形成し、フ
ォトリン技術で照明窓を形成した後、透光性絶縁膜をス
パッタリング法等で付着し、次に光導電膜を被着した後
、フォトリン法で、島状の光電変換素子を形成する。さ
らに、光電変換素子上で対向する電極を形成し、透光性
基板の裏面から光源の光を照明窓から入射させ、原稿面
からの反射光を画像信号とし、それと同時に光電変換素
子裏面へ遮光膜を透過した光をバイアス光として光電変
換素子に付与することにより、簡単な構成で光応答特性
が改善されるものである。

実施例の説明 以下に本発明による光電変換装置を実施例を用いて詳細
に説明する。

従来例と同様に第３図に本発明の実施例を示す。

まず、ガラス基板１を洗浄、乾燥後、歪を除くために６
○０〜７００°Ｃで熱処理し、再び洗浄、乾燥する。次
に真壁蒸着法等によｆ）　、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ｗ等の高
融点でかつパターン形成の可能な材料を遮光膜として全
面に被着させる。この場合、遮光膜２は、バイアス光を
得るために透過率がＱ　、　１−２０係程度、好ましく
は、３〜１０係程度の透過光１゜が得られるように蒸着
条件や膜厚等を制御する必要がある。

例えば、Ｃｒを遮光膜２として用いれば、膜厚２０００
八以上で透過光１Ｏは皆無となるから、膜厚５００〜１
３００Ａを形成すれば、可視領域において数多の透過光
１ｏを有する遮光膜２が得られる。また可視領域におい
て入射光の波長の変化に対して透過光１０の変化は小さ
いので、カラー信号の読取りの光電変換装置においても
、何ら問題とならない。

次に全面に被着させた遮光膜２を、フォトリソ法で、所
定の位置に照明窓３を形成し、さらに遮光膜２と上部電
極６との絶縁を得るため、ガラス基板と同一材料やＳｉ
Ｏ２，Ｓｉ３Ｎ４　等の絶縁膜４をスパッタリングやプ
ラズマＣＶＤ法で、膜厚３ｏ○○〜７００○八程度を形
成する０膜厚が薄いとピンホール等により絶縁が得られ
ないし、膜厚１μｍ以上と々ると、下記処理中に膜剥離
が起る危険性があり、上述の膜厚が好ましい。

さらに、絶縁膜４上に、真空蒸着やスパッタリング又は
化学析出法等でＣｄ５−ＣｄＳｅやＣｄ５−ＣｄＴｅ等
を被着し、フォトリン法により、主走査方向に一列に並
んだ島状のレジストパターンを形成した後、このレジス
トをマスクとして臭素等によるウェットエツチングやド
ライエツチング法等で島状の光電変換素子５を形成する
。そして、上記光電変換素子６を、半密閉容器で、ωを
含む・・ロゲン化物の蒸気雰囲黴中、４５０〜ｅ　ｏ　
Ｏ’Ｃで活性化熱処理を行った後、所望の電極６構成を
リフトオフ法により形成する。

以上により構成された光電変製装置を、第２図及び第３
図に示す様に、螢光灯やＬＥＤ等の光源７の光を、照明
窓３を通して、ガラス基板１裏面から入射させ、原稿面
８からの反射光９と共に、遮光膜２からの透過光１ｏを
一定光量のバイアス光として光電変換素子６に導くこと
により、高速に原稿信号を読み取るものである。

発明の詳細 な説明したように、本発明の光電変換装置によれば、原
稿面からの反射光と同時に、遮光膜かイ らの透過光が、光電変換素子に対してバ２アス光となり
、従来の光応答と比較して％〜〆程度光応答の減少が得
られ、ファクシミリ等の高速化が可能で実用上の利点が
非常に犬である。一方、原稿信号である反射光に対して
、一定光量のバイアス光が常に光電変換素子に照射され
るため、Ｓ／Ｎ比の低下を引き起こすが、その比をＺ以
下とすれば、実用上は問題とならない。

まだ本発明によれば、従来と同一プロセスにもかかわら
ず、光応答の著しい改善が得られるので生産性を損わず
に高性能化が達成される。

さらに本発明によれば、用いる光源は、原稿読取用とバ
イアス光が同一のもので兼用でき、コストダウンや装置
が大型化しないという利点がある。

最後に本発明の光電変換装置によれば、導光系を用いる
光電変換装置と比較すると、導光系による反射光の減衰
がないので、バイアス光も比例して増やすことができる
ため、光量の許容度や光電変換装置の構成上有利である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の光電変換装置の構成断面図、第２図は光
電変換装置を用いた原稿読み取りの概略図、第３図は本
発明の一実施例による光電変換装置の原理断面図である
。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・遮光膜、５・・
・・・光電変換素子、７・・・・・・光源、８・・・・
・・原稿、９・・・・・・原稿からの反射光、１ｏ・・
・・・遮光膜からの透過光。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第　
２　図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光源から照射された読取原稿の反射光を、直接読み取る
   構成を備え、光電変換素子に反射光と共に光電変換素子
   裏面から一定光量のバイアス光を同時に照射することを
   特徴とする光電変換装置。