JPH0247110B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0247110B2 JPH0247110B2 JP58242423A JP24242383A JPH0247110B2 JP H0247110 B2 JPH0247110 B2 JP H0247110B2 JP 58242423 A JP58242423 A JP 58242423A JP 24242383 A JP24242383 A JP 24242383A JP H0247110 B2 JPH0247110 B2 JP H0247110B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photoelectric conversion
- conversion device
- conversion element
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フアクシミリの送信側に用いる原稿
と１：１に対応した大きさを有する直接読取型の
光電変換装置の光応答に関するものである。
と１：１に対応した大きさを有する直接読取型の
光電変換装置の光応答に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、この種の光電変換装置は、第１図の構成
図に示す様に、ガラス基板等の絶縁性基板１上に
可視光を厚さ2000Å以上で完全に遮光する遮光膜
２としてCr，Mo，Ｗ等の高融点材料を真空蒸着
法やスパツタリング法等で全面に被着し、フオト
リソ技術により照明窓３を形成した後、全面に
SiO2，Si3N4等の透光性絶縁膜４をスパツタ法や
プラズマCVD法等で付着させる。
図に示す様に、ガラス基板等の絶縁性基板１上に
可視光を厚さ2000Å以上で完全に遮光する遮光膜
２としてCr，Mo，Ｗ等の高融点材料を真空蒸着
法やスパツタリング法等で全面に被着し、フオト
リソ技術により照明窓３を形成した後、全面に
SiO2，Si3N4等の透光性絶縁膜４をスパツタ法や
プラズマCVD法等で付着させる。
次に、CdS−CdSe又はCdS−CdTe等の光導電
膜を全面又は帯状に真空蒸着やスパツタリング法
等により、前記透光性絶縁膜４上に被着し、フオ
トリソ技術で主走査方向に一列に並んだ島状の光
電変換素子５を形成する。さらに、光電変換素子
５を活性化熱処理を行つた後、リフトオフ法によ
り電極６を形成し、透光性絶縁基板１の裏面から
LEDや螢光灯等の光源７の光を遮光膜２に形成
された照明窓３から入射させ、読取原稿８からの
反射光９を光電変換素子２に導き、電気信号とし
て読み出すものであり、第２図の概略図に示す様
な完全密着構成で原稿を読み取るものである。
膜を全面又は帯状に真空蒸着やスパツタリング法
等により、前記透光性絶縁膜４上に被着し、フオ
トリソ技術で主走査方向に一列に並んだ島状の光
電変換素子５を形成する。さらに、光電変換素子
５を活性化熱処理を行つた後、リフトオフ法によ
り電極６を形成し、透光性絶縁基板１の裏面から
LEDや螢光灯等の光源７の光を遮光膜２に形成
された照明窓３から入射させ、読取原稿８からの
反射光９を光電変換素子２に導き、電気信号とし
て読み出すものであり、第２図の概略図に示す様
な完全密着構成で原稿を読み取るものである。
ところが、上記構成の光電変換装置において
は、以下に示す様な問題が生じていた。
は、以下に示す様な問題が生じていた。
つまり、完全な密着読取型光電変換装置では、
セルフオツクレンズアレー等の導光系を用いた光
電変換装置よりも、入射光量が大きく取れるので
光応答の点においてはかなり有利であるが、本質
的にCdS−CdSe又はCdS−CdTe等の−族の
光電変換素子では、波長555nｍの緑色の光
100Luxで、15ｍsec程度でありフアクシミリ等の
高速化において問題であり、光応答の改善が強く
望まれている。
セルフオツクレンズアレー等の導光系を用いた光
電変換装置よりも、入射光量が大きく取れるので
光応答の点においてはかなり有利であるが、本質
的にCdS−CdSe又はCdS−CdTe等の−族の
光電変換素子では、波長555nｍの緑色の光
100Luxで、15ｍsec程度でありフアクシミリ等の
高速化において問題であり、光応答の改善が強く
望まれている。
発明の目的
本発明は、従来のような上記問題点を解決する
ためのものであり、フアクシミリの送信側に用い
られ原稿と１：１に対応する完全密着型の直接読
み取りの光電変換装置の光応答特性の改善を目的
とするものである。
ためのものであり、フアクシミリの送信側に用い
られ原稿と１：１に対応する完全密着型の直接読
み取りの光電変換装置の光応答特性の改善を目的
とするものである。
発明の構成
本発明における光電変換装置は、ガラス基板等
の絶縁性基板上に、たとえば可視光領域において
原稿からの反射光に対して数％程度の透過光を許
す遮光膜を形成し、フオトリソ技術で照明窓を形
成した後、透光性絶縁膜をスパツタリング法等で
付着し、次に光導電膜を被着した後、フオトリソ
法で、島状の光電変換素子を形成する。さらに、
光電変換素子上で対向する電極を形成し、透光性
基板の裏面から光源の光を照明窓から入射させ、
原稿面からの反射光を画像信号とし、それと同時
に光電変換素子裏面へ遮光膜を透過した光をバイ
アス光として光電変換素子に付与することによ
り、簡単な構成で光応答特性が改善されるもので
ある。
の絶縁性基板上に、たとえば可視光領域において
原稿からの反射光に対して数％程度の透過光を許
す遮光膜を形成し、フオトリソ技術で照明窓を形
成した後、透光性絶縁膜をスパツタリング法等で
付着し、次に光導電膜を被着した後、フオトリソ
法で、島状の光電変換素子を形成する。さらに、
光電変換素子上で対向する電極を形成し、透光性
基板の裏面から光源の光を照明窓から入射させ、
原稿面からの反射光を画像信号とし、それと同時
に光電変換素子裏面へ遮光膜を透過した光をバイ
アス光として光電変換素子に付与することによ
り、簡単な構成で光応答特性が改善されるもので
ある。
実施例の説明
以下に本発明による光電変換装置を実施例を用
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
従来例と同様に第３図に本発明の実施例を示
す。まず、ガラス基板１を洗浄、乾燥後、歪を除
くために600〜700℃で熱処理し、再び洗浄、乾燥
する。次に真空蒸着法等により、Cr，Mo，Ｗ等
の高融点でかつパターン形成の可能な材料を遮光
膜として全面に被着させる。この場合、遮光層２
は、バイアス光として、白原稿における反射光量
の0.1〜20％程度、好ましくは３〜10％程度の光
量の透過光１０が得られるように、蒸着条件や膜
厚等を制御する必要がある。
す。まず、ガラス基板１を洗浄、乾燥後、歪を除
くために600〜700℃で熱処理し、再び洗浄、乾燥
する。次に真空蒸着法等により、Cr，Mo，Ｗ等
の高融点でかつパターン形成の可能な材料を遮光
膜として全面に被着させる。この場合、遮光層２
は、バイアス光として、白原稿における反射光量
の0.1〜20％程度、好ましくは３〜10％程度の光
量の透過光１０が得られるように、蒸着条件や膜
厚等を制御する必要がある。
例えば、Crを遮光膜２として用いれば、膜厚
2000Å以上で透過光１０は皆無となるから、膜厚
500〜1300Åを形成すれば、可視領域において数
％の透過光１０を有する遮光膜２が得られる。ま
た可視領域において入射光の波長の変化に対して
透過光１０の変化は小さいので、カラー信号の読
取りの光電変換装置においても、何ら問題となら
ない。
2000Å以上で透過光１０は皆無となるから、膜厚
500〜1300Åを形成すれば、可視領域において数
％の透過光１０を有する遮光膜２が得られる。ま
た可視領域において入射光の波長の変化に対して
透過光１０の変化は小さいので、カラー信号の読
取りの光電変換装置においても、何ら問題となら
ない。
次に全面に被着させた遮光膜２を、フオトリソ
法で、所定の位置に照明窓３を形成し、さらに遮
光膜２と上部電極６との絶縁を得るため、ガラス
基板と同一材料やSiO2，Si3N4等の絶縁膜４をス
パツタリングやプラズマCVD法で、膜厚3000〜
7000Å程度を形成する。膜厚が薄いとピンホール
等により絶縁が得られないし、膜厚1μｍ以上と
なると、下記処理中に膜剥離が起る危険性があ
り、上述の膜厚が好ましい。
法で、所定の位置に照明窓３を形成し、さらに遮
光膜２と上部電極６との絶縁を得るため、ガラス
基板と同一材料やSiO2，Si3N4等の絶縁膜４をス
パツタリングやプラズマCVD法で、膜厚3000〜
7000Å程度を形成する。膜厚が薄いとピンホール
等により絶縁が得られないし、膜厚1μｍ以上と
なると、下記処理中に膜剥離が起る危険性があ
り、上述の膜厚が好ましい。
さらに、絶縁膜４上に、真空蒸着やスパツタリ
ング又は化学析出法等でCdS−CdSeやCdS−
CdTe等を被着し、フオトリソ法により、主走査
方向に一列に並んだ島状のレジストパターンを形
成した後、このレジストをマスクとして臭素等に
よるウエツトエツチングやドライエツチング法等
で島状の光電変換素子５を形成する。そして、上
記光電変換素子５を、半密閉容器で、Cdを含む
ハロゲン化物の蒸気雰囲気中、450〜600℃で活性
化熱処理を行つた後、所望の電極６構成をリフト
オフ法により形成する。
ング又は化学析出法等でCdS−CdSeやCdS−
CdTe等を被着し、フオトリソ法により、主走査
方向に一列に並んだ島状のレジストパターンを形
成した後、このレジストをマスクとして臭素等に
よるウエツトエツチングやドライエツチング法等
で島状の光電変換素子５を形成する。そして、上
記光電変換素子５を、半密閉容器で、Cdを含む
ハロゲン化物の蒸気雰囲気中、450〜600℃で活性
化熱処理を行つた後、所望の電極６構成をリフト
オフ法により形成する。
以上により構成された光電変換装置を、第２図
及び第３図に示す様に、螢光灯やLED等の光源
７の光を、照明窓３を通して、ガラス基板１裏面
から入射させ、原稿面８からの反射光９と共に、
遮光膜２からの透過光１０を一定光量のバイアス
光として光電変換素子５に導くことにより、高速
に原稿信号を読み取るものである。
及び第３図に示す様に、螢光灯やLED等の光源
７の光を、照明窓３を通して、ガラス基板１裏面
から入射させ、原稿面８からの反射光９と共に、
遮光膜２からの透過光１０を一定光量のバイアス
光として光電変換素子５に導くことにより、高速
に原稿信号を読み取るものである。
発明の効果
以上説明したように、本発明の光電変換装置に
よれば、原稿面からの反射光と同時に、遮光膜か
らの透過光が、光電変換素子に対してバイアス光
となり、従来の光応答と比較して1/3〜1/5程度光
応答の減少が得られ、フアクシミリ等の高速化が
可能で実用上の利点が非常に大である。一方、原
稿信号である反射光に対してて、一定光量のバイ
アス光が常に光電変換素子に照射されるため、
Ｓ／Ｎ比の低下を引き起こすが、その比を１／10
以下とすれば、実用上は問題とならない。
よれば、原稿面からの反射光と同時に、遮光膜か
らの透過光が、光電変換素子に対してバイアス光
となり、従来の光応答と比較して1/3〜1/5程度光
応答の減少が得られ、フアクシミリ等の高速化が
可能で実用上の利点が非常に大である。一方、原
稿信号である反射光に対してて、一定光量のバイ
アス光が常に光電変換素子に照射されるため、
Ｓ／Ｎ比の低下を引き起こすが、その比を１／10
以下とすれば、実用上は問題とならない。
また本発明によれば、従来と同一プロセスにも
かかわらず、光応答の著しい改善が得られるので
生産性を損わずに高性能化が達成される。
かかわらず、光応答の著しい改善が得られるので
生産性を損わずに高性能化が達成される。
さらに本発明によれば、用いる光源は、原稿読
取用とバイアス光が同一のもので兼用でき、コス
トダウンや装置が大型化しないという利点があ
る。
取用とバイアス光が同一のもので兼用でき、コス
トダウンや装置が大型化しないという利点があ
る。
最後に本発明の光電変換装置によれば、導光系
を用いる光電変換装置と比較すると、導光系によ
る反射光の減衰がないので、バイアス光も比例し
て増やすことができるため、光量の許容度や光電
変換装置の構成上有利である。
を用いる光電変換装置と比較すると、導光系によ
る反射光の減衰がないので、バイアス光も比例し
て増やすことができるため、光量の許容度や光電
変換装置の構成上有利である。
第１図は従来の光電変換装置の構成断面図、第
２図は光電変換装置を用いた原稿読み取りの概略
図、第３図は本発明の一実施例による光電変換装
置の原理断面図である。 １……ガラス基板、２……遮光膜、５……光電
変換素子、７……光源、８……原稿、９……原稿
からの反射光、１０……遮光膜からの透過光。
２図は光電変換装置を用いた原稿読み取りの概略
図、第３図は本発明の一実施例による光電変換装
置の原理断面図である。 １……ガラス基板、２……遮光膜、５……光電
変換素子、７……光源、８……原稿、９……原稿
からの反射光、１０……遮光膜からの透過光。
Claims (1)
- １ 透光性絶縁基板上に形成された照明窓を有す
る遮光膜と、絶縁膜と光電変換素子からなり、光
源から前記照明窓を通つて照射された読取原稿の
反射光を直接読み取る構成を備え、前記光電変換
素子に前記反射光と共に前記光源で、前記遮光膜
を通して白原稿における反射光量の0.1〜20％の
範囲内の一定光量をバイアス光として、前記光電
変換素子裏面から照射することを特徴とする光電
変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242423A JPS60134486A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242423A JPS60134486A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134486A JPS60134486A (ja) | 1985-07-17 |
| JPH0247110B2 true JPH0247110B2 (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=17088888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58242423A Granted JPS60134486A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134486A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06155118A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-06-03 | Rokuroku Sangyo Kk | マシニングセンタの主軸頭 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07108010B2 (ja) * | 1985-08-09 | 1995-11-15 | 松下電器産業株式会社 | 画像読取装置 |
| JPS62144459A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Ricoh Co Ltd | 完全密着型センサ− |
| JP2706443B2 (ja) * | 1986-03-04 | 1998-01-28 | 松下電器産業株式会社 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5088991A (ja) * | 1973-12-10 | 1975-07-17 | ||
| JPS5441474A (en) * | 1977-09-08 | 1979-04-02 | Fuji Electric Co Ltd | Circuit breaker |
-
1983
- 1983-12-22 JP JP58242423A patent/JPS60134486A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06155118A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-06-03 | Rokuroku Sangyo Kk | マシニングセンタの主軸頭 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60134486A (ja) | 1985-07-17 |
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