JPH0564468B2 - - Google Patents
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- JPH0564468B2 JPH0564468B2 JP59207348A JP20734884A JPH0564468B2 JP H0564468 B2 JPH0564468 B2 JP H0564468B2 JP 59207348 A JP59207348 A JP 59207348A JP 20734884 A JP20734884 A JP 20734884A JP H0564468 B2 JPH0564468 B2 JP H0564468B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フアクシミリの送信側に用いる原稿
幅と１：１の大きさを有する光電変換装置の製造
方法に関する。
幅と１：１の大きさを有する光電変換装置の製造
方法に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、フアクシミリ等の読み取り系の光電変換
装置として、原稿幅と１：１の大きさを有する装
置が活発に開発されている。
装置として、原稿幅と１：１の大きさを有する装
置が活発に開発されている。
以下に従来の光電変換装置の製造方法について
説明する。第１図は従来の光電変換装置の断面図
である。
説明する。第１図は従来の光電変換装置の断面図
である。
第１図において、ガラス等の透光性絶縁基板１
上に、Cr、Ta、Ｗ、Ti等の高融点で不透明な物
質を真空蒸着法やスパツタリング法等で少なくと
も光電変換素子５の所には存在するように被着し
遮光層２を形成する。そして遮光層２にホトリソ
法などで所定位置に所定形状の照明窓３を形成す
る。その後スパツタリング法等で遮光層２と光電
変換素子５との絶縁を目的とした透光性絶縁層４
を被着し、その上部に光導電性薄膜を全面に真空
蒸着法等で被着した後、ホトリソ法で主走査方向
に島状に並ぶ光電変換素子５を形成する。さらに
光電変換素子５を400〜600℃での活性化熱処理ま
たは高温処理後、第１図では省略してあるが第２
図の平面図に示すように、複数個の光電変換素子
５に接続される共通電極６と各光電変換素子５に
対応する個別電極７を光電変換素子５上で対抗し
て形成し、その上に薄板ガラス等の透明保護層８
を接着などにより形成して光電変換装置を作製す
る。このようにして作製された光電変換装置に透
光性絶縁基板１の裏面から照明窓３を通して光源
から光１０を透明保護層８上に置かれた原稿９面
での散乱光１１を光電変換素子５で電気信号に変
換するものである。
上に、Cr、Ta、Ｗ、Ti等の高融点で不透明な物
質を真空蒸着法やスパツタリング法等で少なくと
も光電変換素子５の所には存在するように被着し
遮光層２を形成する。そして遮光層２にホトリソ
法などで所定位置に所定形状の照明窓３を形成す
る。その後スパツタリング法等で遮光層２と光電
変換素子５との絶縁を目的とした透光性絶縁層４
を被着し、その上部に光導電性薄膜を全面に真空
蒸着法等で被着した後、ホトリソ法で主走査方向
に島状に並ぶ光電変換素子５を形成する。さらに
光電変換素子５を400〜600℃での活性化熱処理ま
たは高温処理後、第１図では省略してあるが第２
図の平面図に示すように、複数個の光電変換素子
５に接続される共通電極６と各光電変換素子５に
対応する個別電極７を光電変換素子５上で対抗し
て形成し、その上に薄板ガラス等の透明保護層８
を接着などにより形成して光電変換装置を作製す
る。このようにして作製された光電変換装置に透
光性絶縁基板１の裏面から照明窓３を通して光源
から光１０を透明保護層８上に置かれた原稿９面
での散乱光１１を光電変換素子５で電気信号に変
換するものである。
しかしながら、上記の従来のように作製された
光電変換装置では、透光性絶縁層４と光電変換素
子５との膨張係数を合わせるために、例えばCdS
−CdSe等の−族化合物の光電変換素子５の
場合、透光性絶縁層４として例えばコーニング
7059等の低軟化点ガラスを用いる必要があり、遮
光層２の物質が透光性絶縁層４中に拡散し絶縁性
の低下や光電変換素子５中へ不純物としてドープ
されるため、光電変換素子５の特性ばらつき、感
度の劣化を招き、生産性が低下するという問題点
を有していた。
光電変換装置では、透光性絶縁層４と光電変換素
子５との膨張係数を合わせるために、例えばCdS
−CdSe等の−族化合物の光電変換素子５の
場合、透光性絶縁層４として例えばコーニング
7059等の低軟化点ガラスを用いる必要があり、遮
光層２の物質が透光性絶縁層４中に拡散し絶縁性
の低下や光電変換素子５中へ不純物としてドープ
されるため、光電変換素子５の特性ばらつき、感
度の劣化を招き、生産性が低下するという問題点
を有していた。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、
遮光層を構成する物質の拡散を防止し、特性のば
らつきを抑え、生産性を向上させることができる
原稿幅と１：１に対応した大きさを有する光電変
換装置の製造方法を提供することを目的とする。
遮光層を構成する物質の拡散を防止し、特性のば
らつきを抑え、生産性を向上させることができる
原稿幅と１：１に対応した大きさを有する光電変
換装置の製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、透光性絶縁基板上に遮光層を形成す
る工程と、その遮光層に照明窓を形成する工程
と、遮光層の構成物質の拡散を防止するために遮
光層の表面を酸化して酸化膜を形成する工程と、
少なくとも酸化膜上にCuを含有する透光性絶縁
層を形成する工程と、その透光性絶縁層上の主走
査方向に島状に並んだ−族化合物からなる光
電変換素子を形成する工程と、透光性絶縁層中に
含まれるCuを光電変換素子中に拡散させるため
に熱処理をする工程と、その各光電変換素子上に
対向して設けられた共通電極と個別電極からなる
対向電極を形成する工程と、その対向電極および
前記光電変換素子の上に透明保護層を形成する工
程とを有する光電変換装置の製造方法により、拡
散防止層とCuを含有した透光性絶縁層の形成に
よつて素子ばらつきの少ない光電特性の安定した
光電変換装置を得んとするものである。
る工程と、その遮光層に照明窓を形成する工程
と、遮光層の構成物質の拡散を防止するために遮
光層の表面を酸化して酸化膜を形成する工程と、
少なくとも酸化膜上にCuを含有する透光性絶縁
層を形成する工程と、その透光性絶縁層上の主走
査方向に島状に並んだ−族化合物からなる光
電変換素子を形成する工程と、透光性絶縁層中に
含まれるCuを光電変換素子中に拡散させるため
に熱処理をする工程と、その各光電変換素子上に
対向して設けられた共通電極と個別電極からなる
対向電極を形成する工程と、その対向電極および
前記光電変換素子の上に透明保護層を形成する工
程とを有する光電変換装置の製造方法により、拡
散防止層とCuを含有した透光性絶縁層の形成に
よつて素子ばらつきの少ない光電特性の安定した
光電変換装置を得んとするものである。
実施例の説明
以下に本発明における光電変換装置の製造方法
を実施例を用いて詳細に説明する。
を実施例を用いて詳細に説明する。
第３図は本発明の製造方法による光電変換装置
の一実施例の断面図を示す。第３図において、ガ
ラス等の透光性絶縁基板１上に、高融点材料であ
るCr、Ta、Ｗ、Ti等のうち少なくとも一つを用
いた、少なくとも可視光を遮光する800〜4000Å
程度の捲厚を有する遮光層２をし空蒸着法やスパ
ツタリング法等で形成する。さらに遮光層２に透
光性絶縁基板１裏面から光源の光を入射させる照
明窓をホトリソ法等で形成する。次に遮光層２を
水蒸気酸化や熱酸化法または陽極酸化法を用いて
例えば遮光層２材料がCr、Ta、Tiの場合、
Cr2O3、Ta2O5、TiO2等を拡散防止層１２として
500〜2000Å程度形成する。その上に例えばCdS
−CdSe等の−族化合物の光電変換素子５と
膨張係数がほぼ等しい、例えば10-2〜10-4mol％
のCuを含み、バンドギヤツプが3eV以上の、例
えばコーニング7059等のターゲツト材を用いてス
パツタリング法で透光性絶縁層４′を500〜10000
Å程度の膜厚に形成する。
の一実施例の断面図を示す。第３図において、ガ
ラス等の透光性絶縁基板１上に、高融点材料であ
るCr、Ta、Ｗ、Ti等のうち少なくとも一つを用
いた、少なくとも可視光を遮光する800〜4000Å
程度の捲厚を有する遮光層２をし空蒸着法やスパ
ツタリング法等で形成する。さらに遮光層２に透
光性絶縁基板１裏面から光源の光を入射させる照
明窓をホトリソ法等で形成する。次に遮光層２を
水蒸気酸化や熱酸化法または陽極酸化法を用いて
例えば遮光層２材料がCr、Ta、Tiの場合、
Cr2O3、Ta2O5、TiO2等を拡散防止層１２として
500〜2000Å程度形成する。その上に例えばCdS
−CdSe等の−族化合物の光電変換素子５と
膨張係数がほぼ等しい、例えば10-2〜10-4mol％
のCuを含み、バンドギヤツプが3eV以上の、例
えばコーニング7059等のターゲツト材を用いてス
パツタリング法で透光性絶縁層４′を500〜10000
Å程度の膜厚に形成する。
次に、CdS−CdSe等の−族化合物を真空
蒸着法等で被着し、ホトリソ法で、主走査方向に
並びかつ照明窓３と平行に島状の光電変換素子５
を形成し、400〜600℃でCdCl2蒸気雰囲気中での
活性化熱処理工程により、光電変換素子５に対し
てドナー不純物となるClを気相拡散により膜中に
導入するとともにアクセプター不純物となるCu
を透光性絶縁層４′からの固相拡散により均一に
かつ一定量の不純物として導入する。さらに各光
電変換素子５に対応して、従来例の第２図に示す
ように、複数個まとめた共通電極６と各光電変換
素子５ごとの個別電極７を、例えば、NiCr−Au
等をリフトオフ法で形成し、最後に薄板ガラスの
貼付けまたはスパツタリング法等でSiO2、Si3N4
等の透明保護層８を形成するものである。
蒸着法等で被着し、ホトリソ法で、主走査方向に
並びかつ照明窓３と平行に島状の光電変換素子５
を形成し、400〜600℃でCdCl2蒸気雰囲気中での
活性化熱処理工程により、光電変換素子５に対し
てドナー不純物となるClを気相拡散により膜中に
導入するとともにアクセプター不純物となるCu
を透光性絶縁層４′からの固相拡散により均一に
かつ一定量の不純物として導入する。さらに各光
電変換素子５に対応して、従来例の第２図に示す
ように、複数個まとめた共通電極６と各光電変換
素子５ごとの個別電極７を、例えば、NiCr−Au
等をリフトオフ法で形成し、最後に薄板ガラスの
貼付けまたはスパツタリング法等でSiO2、Si3N4
等の透明保護層８を形成するものである。
上記方法で作られた光電変換装置で、透光性絶
縁基板１の裏面から照明窓３に入射する光１０を
透明保護層８上に設置された原稿９からの散乱光
１１を光電変換素子５で電気信号に変換するもの
である。
縁基板１の裏面から照明窓３に入射する光１０を
透明保護層８上に設置された原稿９からの散乱光
１１を光電変換素子５で電気信号に変換するもの
である。
以上のように本実施例によれば、遮光層２上に
拡散防止層１２を形成することにより、遮光層２
を構成する物質の光電変換素子５中への拡散がな
く、光電特性のばらつきが非常に少なくなる。さ
らに遮光層２自身が酸化膜であるため、照明窓３
で入射光が、例えば透光性絶縁基板１と透光性絶
縁層４′を同一物質で形成すれば、屈折率が同じ
であるため界面での反射を生じないので、光の利
用効率を高めることができる。
拡散防止層１２を形成することにより、遮光層２
を構成する物質の光電変換素子５中への拡散がな
く、光電特性のばらつきが非常に少なくなる。さ
らに遮光層２自身が酸化膜であるため、照明窓３
で入射光が、例えば透光性絶縁基板１と透光性絶
縁層４′を同一物質で形成すれば、屈折率が同じ
であるため界面での反射を生じないので、光の利
用効率を高めることができる。
また、透光生絶縁層４′に、光電変換素子５の
アクセプター不純物であるCuを例えば10-2〜
10-4mol％程度含んだターゲツト材をスパツタリ
ングして形成することにより、光電変換素子５に
対してCuをドナー不純物として、活性化熱処理
中に固相拡散により微量で均一なドープ制御が可
能となる。従来のように光電変換素子５と同時に
Cuをドープするときの飽和蒸気圧の著しい差に
起因する不均一な分布や微量の制御が困難な製造
方法に比べて、光電特性を大面積にわたつて均一
でばらつきの少ないものとすることができ、生産
性や低コスト化に対して大きな効果を持つてい
る。
アクセプター不純物であるCuを例えば10-2〜
10-4mol％程度含んだターゲツト材をスパツタリ
ングして形成することにより、光電変換素子５に
対してCuをドナー不純物として、活性化熱処理
中に固相拡散により微量で均一なドープ制御が可
能となる。従来のように光電変換素子５と同時に
Cuをドープするときの飽和蒸気圧の著しい差に
起因する不均一な分布や微量の制御が困難な製造
方法に比べて、光電特性を大面積にわたつて均一
でばらつきの少ないものとすることができ、生産
性や低コスト化に対して大きな効果を持つてい
る。
発明の効果
本発明は、遮光層と透光性絶縁層との間に遮光
層構成物質の拡散防止のために遮光層自身の酸化
膜を形成することにより光電変換素子中に遮光層
物質の導入が起こらず各光電変換素子の光電特性
が均一でかつ安定し、高歩留まりによる生産性の
向上が容易に達成できる。また、透光性絶縁層中
に所定量のCuを含有させて形成することにより
光電変換素子への不純物の導入が制御性良く均一
にでき、光電変換素子特性のばらつきを大幅に減
少できる優れた光電変換装置を提供できる。
層構成物質の拡散防止のために遮光層自身の酸化
膜を形成することにより光電変換素子中に遮光層
物質の導入が起こらず各光電変換素子の光電特性
が均一でかつ安定し、高歩留まりによる生産性の
向上が容易に達成できる。また、透光性絶縁層中
に所定量のCuを含有させて形成することにより
光電変換素子への不純物の導入が制御性良く均一
にでき、光電変換素子特性のばらつきを大幅に減
少できる優れた光電変換装置を提供できる。
第１図は従来の光電変換装置の断面図、第２図
は第１図および第３図の光電変換装置の要部概略
平面図、第３図は本発明の製造方法による光電変
換装置の一実施例の断面図である。 １……透光性絶縁基板、２……遮光層、３……
照明窓、４′……Cuを含有した透光性絶縁層、５
……光電変換素子、６……共通電極、７……個別
電極、８……透明保護層、１２……拡散防止層
（酸化膜）。
は第１図および第３図の光電変換装置の要部概略
平面図、第３図は本発明の製造方法による光電変
換装置の一実施例の断面図である。 １……透光性絶縁基板、２……遮光層、３……
照明窓、４′……Cuを含有した透光性絶縁層、５
……光電変換素子、６……共通電極、７……個別
電極、８……透明保護層、１２……拡散防止層
（酸化膜）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性絶縁基板上に遮光層を形成する工程
と、その遮光層に照明窓を形成する工程と、前記
遮光層の構成物質の拡散を防止するために前記遮
光層の表面を酸化して酸化膜を形成する工程と、
少なくとも前記酸化膜上にCuを含有する透光性
絶縁層を形成する工程と、その透光性絶縁層上の
主走査方向に島状に並んだ−族化合物からな
る光電変換素子を形成する工程と、前記透光性絶
縁層中に含まれるCuを前記光電変換素子中に拡
散させるために熱処理をする工程と、その各光電
変換素子上に対向して設けられた共通電極と個別
電極からなる対向電極を形成する工程と、その対
向電極および前記光電変換素子の上に透明保護層
を形成する工程とを有する光電変換装置の製造方
法。 ２ Cuを含有する透光性絶縁層を形成する工程
が、10-2〜10-4mol％のCuを含有し、バンドギヤ
ツプが3eV以上である透光性絶縁層を形成する工
程である特許請求の範囲第１項記載の光電変換装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207348A JPS6184862A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207348A JPS6184862A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184862A JPS6184862A (ja) | 1986-04-30 |
| JPH0564468B2 true JPH0564468B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16538246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207348A Granted JPS6184862A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184862A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128748A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Ricoh Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| US5162644A (en) * | 1988-03-14 | 1992-11-10 | Hitachi, Ltd. | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source |
| JPH088624B2 (ja) * | 1988-03-14 | 1996-01-29 | 株式会社日立製作所 | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
| US6326601B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-12-04 | Agilent Technologies, Inc. | Optical barrier |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840856A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光センサアレイ |
| JPS5856363A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPS59151456A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Nec Corp | 混成集積化光センサ用光電変換素子とその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59207348A patent/JPS6184862A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5840856A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光センサアレイ |
| JPS5856363A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPS59151456A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Nec Corp | 混成集積化光センサ用光電変換素子とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6184862A (ja) | 1986-04-30 |
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