JPH0436579B2 - - Google Patents
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- JPH0436579B2 JPH0436579B2 JP59207346A JP20734684A JPH0436579B2 JP H0436579 B2 JPH0436579 B2 JP H0436579B2 JP 59207346 A JP59207346 A JP 59207346A JP 20734684 A JP20734684 A JP 20734684A JP H0436579 B2 JPH0436579 B2 JP H0436579B2
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- electrodes
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フアクシミリ等をはじめとする各種
OA機器の画像情報入力装置に用いられる光セン
サアレイとその製造方法に関する。
OA機器の画像情報入力装置に用いられる光セン
サアレイとその製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来、原稿と１対１に対応するイメージセンサ
は、第１図に示すように光導電素子２が１mmあた
りに８素子以上の密度で主走査方向の直線上に配
置され、それらからの信号は、それらの上に形成
された共通電極３及び個別電極４によつて取り出
されている。実際に用いられる光導電素子の材料
としては、−族化合物特にCdSとCdSeの固
溶体を用いることが好適であり、その電極として
は素子とのオーミツク性、ガラス基板との密着性
を考慮してNiCr／Auの材料を用いている。
は、第１図に示すように光導電素子２が１mmあた
りに８素子以上の密度で主走査方向の直線上に配
置され、それらからの信号は、それらの上に形成
された共通電極３及び個別電極４によつて取り出
されている。実際に用いられる光導電素子の材料
としては、−族化合物特にCdSとCdSeの固
溶体を用いることが好適であり、その電極として
は素子とのオーミツク性、ガラス基板との密着性
を考慮してNiCr／Auの材料を用いている。
以上のようなイメージセンサを製造する場合、
次のような問題点がある。第１図に示す破線の部
分は、光導電素子２を形成することによつて、絶
縁基板１上に生じる段差の部分であり、電極３及
び電極４の形成の際にはこの段差を確実に被覆し
なければならない。しかし、光導電素子２の厚さ
に対し、形成する電極の厚さは、 (1) 従来の電極３及び４のパターン形成は、電極
パターンを反転させたフオトレジストパターン
を利用するいわゆるリフトオフ法であるために
フオトレジストの厚さに比べて充分薄くする必
要があること。
次のような問題点がある。第１図に示す破線の部
分は、光導電素子２を形成することによつて、絶
縁基板１上に生じる段差の部分であり、電極３及
び電極４の形成の際にはこの段差を確実に被覆し
なければならない。しかし、光導電素子２の厚さ
に対し、形成する電極の厚さは、 (1) 従来の電極３及び４のパターン形成は、電極
パターンを反転させたフオトレジストパターン
を利用するいわゆるリフトオフ法であるために
フオトレジストの厚さに比べて充分薄くする必
要があること。
(2) 従来の電極材料がNiCr／Auであり、NiCr
蒸着膜の形成時に生じる歪のためにその膜厚を
厚くすると電極の密着性が悪くなり、光センサ
としての特性、信頼性に問題が生じること、 等の理由によつて制限をうけ、実際には、NiCr
とAuの両者をあわせて1000Å程度の薄い膜厚が
要求される。このため、電極形成時に第１図の破
線部が、第２図のＢに示すように基板１上に生じ
ている段差を被覆しきれずに断線し、光導電素子
２からの信号がとり出せないことが生じたり、信
号出力のばらつきの原因となるという構成上及び
製造条件上における問題点があつた。
蒸着膜の形成時に生じる歪のためにその膜厚を
厚くすると電極の密着性が悪くなり、光センサ
としての特性、信頼性に問題が生じること、 等の理由によつて制限をうけ、実際には、NiCr
とAuの両者をあわせて1000Å程度の薄い膜厚が
要求される。このため、電極形成時に第１図の破
線部が、第２図のＢに示すように基板１上に生じ
ている段差を被覆しきれずに断線し、光導電素子
２からの信号がとり出せないことが生じたり、信
号出力のばらつきの原因となるという構成上及び
製造条件上における問題点があつた。
発明の目的
本発明の目的は、以上に述べたような基板上に
光導電素子を形成した際に生じる段差による段切
れ等の不都合をあとで形成する電極が好適な厚さ
を保つたまま除去し、信頼性の高い光センサアレ
イを実現するための構造及びその製造方法を提供
することを目的とする。
光導電素子を形成した際に生じる段差による段切
れ等の不都合をあとで形成する電極が好適な厚さ
を保つたまま除去し、信頼性の高い光センサアレ
イを実現するための構造及びその製造方法を提供
することを目的とする。
発明の構成
本発明は、絶縁性基板上の主走査方向に一列に
形成された、島状であとの工程で電極が形成され
る部分の膜厚が、形成される電極の膜厚程度の厚
さ（1000Å〜2500Å）を有する構造の光導電素子
を配置し、さらにその上に、それらからの信号を
取り出し用の電極を形成することを特徴とする光
センサアレイであつて、かつこのセンサアレイの
製造に好適な製造方法を提供するものである。
形成された、島状であとの工程で電極が形成され
る部分の膜厚が、形成される電極の膜厚程度の厚
さ（1000Å〜2500Å）を有する構造の光導電素子
を配置し、さらにその上に、それらからの信号を
取り出し用の電極を形成することを特徴とする光
センサアレイであつて、かつこのセンサアレイの
製造に好適な製造方法を提供するものである。
実施例の説明
本発明に先立つ従来例を第１図に示しているが
実際には絶縁性基板１としてはガラス基板（コー
ニング社、7059）を、光導電性素子２の薄膜とし
てはCdS0.6Se0.4光導電膜を、電極３，４としては
NiCr／Au蒸着膜を用いて実現した。光導電膜は
CdS0.6Se0.4：CuCl2（0.2％）焼結固溶体を蒸着源
としてガラス基板１上に約4000Å〜5000Åの厚さ
に蒸着したあと、500℃でCdSl2の飽和蒸気中で
加熱処理し活性化したものである。また、電極３
及び４は電極パターンの反転パターンをまずフオ
トレジストで形成し、次にNiCr／Auを1200Åを
全面に真空蒸着したあとフオトレジストを取り去
り形成するいわゆるリフトオフ法を用いている。
本発明の構造は、上記の電極パターンの反転パタ
ーンをフオトレジストで形成した直後に、10％程
度のO2を含んだArプラズマ中に基板をさらして
電極と光導電素子とのコンタクト部を形成する電
極の膜厚1200Å程度までスパツターエツチングす
ることによつて実現でき、その構造の断面図は第
４図に示した。
実際には絶縁性基板１としてはガラス基板（コー
ニング社、7059）を、光導電性素子２の薄膜とし
てはCdS0.6Se0.4光導電膜を、電極３，４としては
NiCr／Au蒸着膜を用いて実現した。光導電膜は
CdS0.6Se0.4：CuCl2（0.2％）焼結固溶体を蒸着源
としてガラス基板１上に約4000Å〜5000Åの厚さ
に蒸着したあと、500℃でCdSl2の飽和蒸気中で
加熱処理し活性化したものである。また、電極３
及び４は電極パターンの反転パターンをまずフオ
トレジストで形成し、次にNiCr／Auを1200Åを
全面に真空蒸着したあとフオトレジストを取り去
り形成するいわゆるリフトオフ法を用いている。
本発明の構造は、上記の電極パターンの反転パタ
ーンをフオトレジストで形成した直後に、10％程
度のO2を含んだArプラズマ中に基板をさらして
電極と光導電素子とのコンタクト部を形成する電
極の膜厚1200Å程度までスパツターエツチングす
ることによつて実現でき、その構造の断面図は第
４図に示した。
以下に第３，４図に示した本発明の製造方法を
図にそつて説明する。
図にそつて説明する。
〔１〕 絶縁性基板１上に、光導電膜を真空蒸着
法によつて蒸着した後、フオトエツチングによ
つて、主走査方向に一列で島状の素子２に形成
し、CdSl2の飽和蒸気中にて500℃１時間程度
熱処理を行う。〔第３図ａ〕 〔２〕 電極パターンの反転パターン５をフオト
レジストで形成する。〔第３図ｂ〕 〔３〕 10％程度のO2を含んだArガスのプラズ
マ中でスパツターエツチングを行ない光導電膜
の断面形状を第３図ｃに示すものとし、エツチ
ング部の光導電膜の膜圧を1000Å〜2500Åとす
る。
法によつて蒸着した後、フオトエツチングによ
つて、主走査方向に一列で島状の素子２に形成
し、CdSl2の飽和蒸気中にて500℃１時間程度
熱処理を行う。〔第３図ａ〕 〔２〕 電極パターンの反転パターン５をフオト
レジストで形成する。〔第３図ｂ〕 〔３〕 10％程度のO2を含んだArガスのプラズ
マ中でスパツターエツチングを行ない光導電膜
の断面形状を第３図ｃに示すものとし、エツチ
ング部の光導電膜の膜圧を1000Å〜2500Åとす
る。
〔４〕 基板全面にNiCr500Å，Au650Åを真空
蒸着法で蒸着する。〔第３図ｄ〕 〔５〕 フオトレジストによつて、電極部以外の
NiCr／Auのリフトオフを行ない電極を形成す
る〔第４図〕。
蒸着法で蒸着する。〔第３図ｄ〕 〔５〕 フオトレジストによつて、電極部以外の
NiCr／Auのリフトオフを行ない電極を形成す
る〔第４図〕。
以上のように、従来工程と比べ本発明は〔３〕に
示した工程を取り入れたことが特徴であり、この
工程を導入することによつて、光導電素子を形成
することによつて生じた基板上に存在する段差を
確実に被覆できるようになつただけでなく、電極
蒸着直前に光導電素子の電極蒸着部をエツチング
するために、クリーンな表面状態の上に電極形成
ができるために電極の光導電素子に対する密着性
及びオーミツク性を向上させる。また電極形成部
の膜厚を1000Å〜2500Åと限定したのは、1000Å
以下では、スパツターエツチングが結晶粒界にお
いて遠いために結晶粒間の電気的接続が不良とな
り、光導電薄膜の光導電特性に影響を与え、2500
Å以上では所期の効果が小さいからである。
示した工程を取り入れたことが特徴であり、この
工程を導入することによつて、光導電素子を形成
することによつて生じた基板上に存在する段差を
確実に被覆できるようになつただけでなく、電極
蒸着直前に光導電素子の電極蒸着部をエツチング
するために、クリーンな表面状態の上に電極形成
ができるために電極の光導電素子に対する密着性
及びオーミツク性を向上させる。また電極形成部
の膜厚を1000Å〜2500Åと限定したのは、1000Å
以下では、スパツターエツチングが結晶粒界にお
いて遠いために結晶粒間の電気的接続が不良とな
り、光導電薄膜の光導電特性に影響を与え、2500
Å以上では所期の効果が小さいからである。
発明の効果
本発明によれば、光導電素子に形成する電極が
被覆しなければならない段差は、たかだか電極自
身の膜厚と同程度となり、段差による断線が確実
に防止できるだけでなく、スパツタ−エツチング
によつて光導電薄膜の電極形成部を清浄化し、電
極の密着性及びオーミツク性を向上させることが
でき、均一性及び信頼性の高い特性のそろつた光
センサアレイの実現に大きく寄与するものであ
る。
被覆しなければならない段差は、たかだか電極自
身の膜厚と同程度となり、段差による断線が確実
に防止できるだけでなく、スパツタ−エツチング
によつて光導電薄膜の電極形成部を清浄化し、電
極の密着性及びオーミツク性を向上させることが
でき、均一性及び信頼性の高い特性のそろつた光
センサアレイの実現に大きく寄与するものであ
る。
第１図は従来の光センサアレイの平面図、第２
図は第１図Ａ−A′線で示す平面で切つた断面図、
第３図は本発明における製造方法の工程断面図、
第４図は本発明による素子の断面図である。 １……絶縁性基板、２……光導電膜、３……個
別電極、４……共通電極、５……フオトレジス
ト。
図は第１図Ａ−A′線で示す平面で切つた断面図、
第３図は本発明における製造方法の工程断面図、
第４図は本発明による素子の断面図である。 １……絶縁性基板、２……光導電膜、３……個
別電極、４……共通電極、５……フオトレジス
ト。
１ 絶縁性透明基板の上に順次形成された光学的
に半透明な材料よりなる遮光層と、この遮光層に
あけた照明用の照明窓と、少なくとも前記遮光層
を覆うように形成された絶縁層と、前記照明窓の
近傍に島状に形成された複数個の光導電素子と、
この複数個の光導電素子を複数のブロツクに分割
し、前記光導電素子の島の片側より引き出された
電極を各ブロツクごとに共通に接続してなる第１
の共通電極群と、前記光導電素子の他方の側より
引き出された個別電極群と、前記各ブロツク内の
同一順番目の光導電素子から引き出された前記個
別電極を多層配線により共通に接続した第２の共
通電極群と、少なくとも前記光導電素子群を覆つ
た透明保護層とを有し、かつ原稿を照射する光源
と、前記光導電素子群を直接照射するバイアス光
源とを具備した光電変換装置において、前記光導
電素子が時間に対する光電流の立上り特性がＳ字
形波形を示す光導電素子であることを特徴とする
光電変換装置。 ２ 光導電素子群を直接照射するバイアス光源
が、各光導電素子と、光学的に不透明な材料より
なる遮光層の間に設けた薄膜光源であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換装
に半透明な材料よりなる遮光層と、この遮光層に
あけた照明用の照明窓と、少なくとも前記遮光層
を覆うように形成された絶縁層と、前記照明窓の
近傍に島状に形成された複数個の光導電素子と、
この複数個の光導電素子を複数のブロツクに分割
し、前記光導電素子の島の片側より引き出された
電極を各ブロツクごとに共通に接続してなる第１
の共通電極群と、前記光導電素子の他方の側より
引き出された個別電極群と、前記各ブロツク内の
同一順番目の光導電素子から引き出された前記個
別電極を多層配線により共通に接続した第２の共
通電極群と、少なくとも前記光導電素子群を覆つ
た透明保護層とを有し、かつ原稿を照射する光源
と、前記光導電素子群を直接照射するバイアス光
源とを具備した光電変換装置において、前記光導
電素子が時間に対する光電流の立上り特性がＳ字
形波形を示す光導電素子であることを特徴とする
光電変換装置。 ２ 光導電素子群を直接照射するバイアス光源
が、各光導電素子と、光学的に不透明な材料より
なる遮光層の間に設けた薄膜光源であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換装
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207346A JPS6184861A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光センサアレイとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207346A JPS6184861A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光センサアレイとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184861A JPS6184861A (ja) | 1986-04-30 |
| JPH0436579B2 true JPH0436579B2 (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=16538213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207346A Granted JPS6184861A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光センサアレイとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184861A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58155758A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
| JPS59125656A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | 光導電素子アレイの製造方法 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59207346A patent/JPS6184861A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58155758A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
| JPS59125656A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | 光導電素子アレイの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6184861A (ja) | 1986-04-30 |
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