JPS59125656A - 光導電素子アレイの製造方法 - Google Patents
光導電素子アレイの製造方法Info
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- JPS59125656A JPS59125656A JP57230675A JP23067582A JPS59125656A JP S59125656 A JPS59125656 A JP S59125656A JP 57230675 A JP57230675 A JP 57230675A JP 23067582 A JP23067582 A JP 23067582A JP S59125656 A JPS59125656 A JP S59125656A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ＋ 発明の技術分野
本発明は光導電素子アレイの改善された構造に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
例えば、ファクシミリ装置などの原稿を読み取る受光素
子として光導電素子アレイが開発されており、大型イメ
ージセンサと呼ばれている。原稿読み取り系は受光素子
とセルフォックレンズアレイと上記光導電素子アレイか
らなるもので、例えばＡ４サイズの原稿を読み取るアレ
イとなれば幅１００μｍの細長い素子が１２５μｍの間
隔て約２０００個並列に並べられたものである。
子として光導電素子アレイが開発されており、大型イメ
ージセンサと呼ばれている。原稿読み取り系は受光素子
とセルフォックレンズアレイと上記光導電素子アレイか
らなるもので、例えばＡ４サイズの原稿を読み取るアレ
イとなれば幅１００μｍの細長い素子が１２５μｍの間
隔て約２０００個並列に並べられたものである。
このような光導電素子アレイの平面図を第１図に示して
おり、その断面図を第２図を示す。即ち、絶縁基板１上
にカドミニウムセレン（ＣｄＳｅ）あるいはカドミニウ
ムセレナイドザルファ（Ｃｄ Ｓ ｅｊＳ 、−エ）か
らなる光導電膜２が設けられ、その上に窓Ｗをあげた導
体膜３を形成し、更にその上面に引出し電極膜４を設け
た構造で、露出した光導電膜２の窓Ｗが受光面である。
おり、その断面図を第２図を示す。即ち、絶縁基板１上
にカドミニウムセレン（ＣｄＳｅ）あるいはカドミニウ
ムセレナイドザルファ（Ｃｄ Ｓ ｅｊＳ 、−エ）か
らなる光導電膜２が設けられ、その上に窓Ｗをあげた導
体膜３を形成し、更にその上面に引出し電極膜４を設け
た構造で、露出した光導電膜２の窓Ｗが受光面である。
導体膜３は光導電膜２と良好なオーミック接続を（ηる
ための良導電体膜で、光導電膜２と同しくＣｄＳｅ５か
らなる材質であるが、ＣｄＳｅ、Ｓ、−、（ｘ ＞ ｙ
、 ｙ＜８５）として、硫黄（Ｓ）を多くして低抵抗
にしである。また、引出し電極膜４はニクロム（ＮｉＣ
ｒ）膜と金（Ａｕ）膜あるいはクロム（Ｃｒ）膜と金（
八〇）膜との複合稍層股が通常用いられる。
ための良導電体膜で、光導電膜２と同しくＣｄＳｅ５か
らなる材質であるが、ＣｄＳｅ、Ｓ、−、（ｘ ＞ ｙ
、 ｙ＜８５）として、硫黄（Ｓ）を多くして低抵抗
にしである。また、引出し電極膜４はニクロム（ＮｉＣ
ｒ）膜と金（Ａｕ）膜あるいはクロム（Ｃｒ）膜と金（
八〇）膜との複合稍層股が通常用いられる。
ところが、このように作成した後、多数の細長い素子（
エレメント）にプローハ（針）を立てて１個ずつ検査を
行うが、その際プローハを立てた電極膜４に剥離が起こ
る。又、製作工程でもパタ−ン修正の１−リミングを行
うが、その時にも同しく電極膜の剥がれが起きる。これ
らはすべて電極膜４と導体膜３との密着性不良に起因す
るものである。
エレメント）にプローハ（針）を立てて１個ずつ検査を
行うが、その際プローハを立てた電極膜４に剥離が起こ
る。又、製作工程でもパタ−ン修正の１−リミングを行
うが、その時にも同しく電極膜の剥がれが起きる。これ
らはすべて電極膜４と導体膜３との密着性不良に起因す
るものである。
（Ｃン 発明の目的
本発明はこのような電極膜の剥離の起こらない構造の光
導電素子アレイを提案する。
導電素子アレイを提案する。
（ｄ） 発明の構成
その目的は、帯状の光導電膜の両側端面を含む絶縁基板
上に導体膜が設けられ、該導体膜の両側端を含む絶縁基
板上に引出し電極膜が設けられた光導電素子アレイによ
って達成される。
上に導体膜が設けられ、該導体膜の両側端を含む絶縁基
板上に引出し電極膜が設けられた光導電素子アレイによ
って達成される。
（ｅｌ 発明の実施例
以下１図面を参照して詳細に説明する。第３図は本発明
にががる光導電素子アレイの断面図を示しており、厚さ
ｌ ｍ＋ｎ前後の絶縁基板１１上に膜厚１．５ｔｔｍの
帯状の光導電膜１２を形成し、その両側端面を含む絶縁
基板１１上に膜厚２０００人の導体膜１３が机けられて
、更にその導体膜１３のし 両側端を含む絶縁基板１１上に膜厚１３００人の引出し
電極膜１４が設けられた光導電素子アレイ構造である。
にががる光導電素子アレイの断面図を示しており、厚さ
ｌ ｍ＋ｎ前後の絶縁基板１１上に膜厚１．５ｔｔｍの
帯状の光導電膜１２を形成し、その両側端面を含む絶縁
基板１１上に膜厚２０００人の導体膜１３が机けられて
、更にその導体膜１３のし 両側端を含む絶縁基板１１上に膜厚１３００人の引出し
電極膜１４が設けられた光導電素子アレイ構造である。
光導電膜１２の帯状幅は３００ｐｍ程度、露出受光面の
幅は６０μｍである。
幅は６０μｍである。
このような構造にすれば、引出し電極膜１４の殆どの部
分がアルミナなどからなる絶縁基板１１と直接接触する
から極めて良く密着する。なお、電極膜１４ば膜厚３０
０人のニクロム（ＮｉＣｒ） Ｂ’Ａと１受厚１００ｏ
人の金（Ａｕ） Ｈ墓とを積層したもので、金属と絶縁
材との接着は光導電膜（ＣｄＳｅ膜股またはＣｄＳｅ膜
）を挟んだ場合よりはるかに強力になる。
分がアルミナなどからなる絶縁基板１１と直接接触する
から極めて良く密着する。なお、電極膜１４ば膜厚３０
０人のニクロム（ＮｉＣｒ） Ｂ’Ａと１受厚１００ｏ
人の金（Ａｕ） Ｈ墓とを積層したもので、金属と絶縁
材との接着は光導電膜（ＣｄＳｅ膜股またはＣｄＳｅ膜
）を挟んだ場合よりはるかに強力になる。
次ぎに、本発明にががる光導電素子アレイの製法を第４
図〜第６図を示す工程順断面図と、この断面図に関係あ
る第７図〜第９図の平面図によって説明する。まづ、第
４図に示すように絶縁基板１１上にＣｄＳｅ工５１−２
膜（光導電膜）１２を蒸着法又はスパッタ法で被着し、
リフ１−オフ法あるいはコーソチング法で帯状に形成す
る。第７図はその平面図を示している。
図〜第６図を示す工程順断面図と、この断面図に関係あ
る第７図〜第９図の平面図によって説明する。まづ、第
４図に示すように絶縁基板１１上にＣｄＳｅ工５１−２
膜（光導電膜）１２を蒸着法又はスパッタ法で被着し、
リフ１−オフ法あるいはコーソチング法で帯状に形成す
る。第７図はその平面図を示している。
次いで、窒素雰囲気中で６５０〜７００’ｃ、１時間熱
処理して活性化（光導電体化）すると、第５図に示ずよ
うにＣｄＳｅ、Ｓ、−、Ｂ’Ｊ、 １２は側面がだれて
平／埒な面が肯られる。ここで、Ｘ ＝０．９〜１であ
る。
処理して活性化（光導電体化）すると、第５図に示ずよ
うにＣｄＳｅ、Ｓ、−、Ｂ’Ｊ、 １２は側面がだれて
平／埒な面が肯られる。ここで、Ｘ ＝０．９〜１であ
る。
次いて、第６図に示ずようにＣｄＳｅ、Ｓｔ−、（Ｘ＞
ｙ。
ｙ。
ｙ≦８５）膜（導体膜）１３をリフトオフ法でパターン
ニングする。リフトオフ法は周知のようにレジス１−膜
パターンを形成してその上から膜を被着し、レジス）Ｉ
ＩＷ上の被着膜をレジスト膜と共に除去してパターンニ
ングする方法である。このようにして、導体膜を平滑な
光導電膜の側面と絶縁基板との」二に被着させる。第８
図はこの工程における平面図を示している。
ニングする。リフトオフ法は周知のようにレジス１−膜
パターンを形成してその上から膜を被着し、レジス）Ｉ
ＩＷ上の被着膜をレジスト膜と共に除去してパターンニ
ングする方法である。このようにして、導体膜を平滑な
光導電膜の側面と絶縁基板との」二に被着させる。第８
図はこの工程における平面図を示している。
次いで、同様にリフトオフ法により引出し電極膜１４を
形成すると第３図の断面形状が得られ、平面図は第９図
のようになる。次いで、レジスト膜をマスクとしてエツ
チングして細長い素子（第１図参照）に分離し、エツチ
ングの不十分な部分をトリミングして完成する。
形成すると第３図の断面形状が得られ、平面図は第９図
のようになる。次いで、レジスト膜をマスクとしてエツ
チングして細長い素子（第１図参照）に分離し、エツチ
ングの不十分な部分をトリミングして完成する。
かようにすれば、引出し電極膜、１４の大部分が絶縁基
板１１と接着して密着が良いために検査やトリミングの
際に、電極膜の剥がれる障害はなくなる。且つ、導体膜
１３ば光導電膜１２側面の段差ある部分に形成されるが
、なだらかな平滑な面であるから断線の心配はない。ま
た、装造工程では位置合わせマスクなどは余り精度を要
せずに、簡単に作成することが可能である。
板１１と接着して密着が良いために検査やトリミングの
際に、電極膜の剥がれる障害はなくなる。且つ、導体膜
１３ば光導電膜１２側面の段差ある部分に形成されるが
、なだらかな平滑な面であるから断線の心配はない。ま
た、装造工程では位置合わせマスクなどは余り精度を要
せずに、簡単に作成することが可能である。
ｆｆｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる光導電
素子アレイは強い接着力のある引出し電極膜を有するア
レイ構造であるから、本発明は歩留並びに品質を著しく
向上させることができるものである。
素子アレイは強い接着力のある引出し電極膜を有するア
レイ構造であるから、本発明は歩留並びに品質を著しく
向上させることができるものである。
第１図は光導電素子アレイの平面図、第２図は従来のア
レイの構造断面図、第３図は本発明にがかるアレイの構
造断面図、第４図〜第６図は製造工程順断面図、第７図
〜第９図は工程順平面図である。 図中、】、１１は絶縁基板、２．１２は光導電膜、３．
１３は導体Ｈ矧 ４．１４は引出し電極膜を示している
。 第１図 第３図 第４図 １２ 第５図 ２ 第６図 、１２ 第７図 【 ヴＳ８図 干、続 補 正 書：（方式） ’１１１’ ｊ’ｌ’ Ｉ ’Ｉ長宮殿’１ｆｆｊし＋
）人、１． １１、′ＨにＩｌ−７：１１１１酒＋）（ｔ ：；−
ｘ ３ ｏ ｌ ７ｔ ：Ｈ３浦１１／ＩＩ’＋’ｈ古
レイの構造断面図、第３図は本発明にがかるアレイの構
造断面図、第４図〜第６図は製造工程順断面図、第７図
〜第９図は工程順平面図である。 図中、】、１１は絶縁基板、２．１２は光導電膜、３．
１３は導体Ｈ矧 ４．１４は引出し電極膜を示している
。 第１図 第３図 第４図 １２ 第５図 ２ 第６図 、１２ 第７図 【 ヴＳ８図 干、続 補 正 書：（方式） ’１１１’ ｊ’ｌ’ Ｉ ’Ｉ長宮殿’１ｆｆｊし＋
）人、１． １１、′ＨにＩｌ−７：１１１１酒＋）（ｔ ：；−
ｘ ３ ｏ ｌ ７ｔ ：Ｈ３浦１１／ＩＩ’＋’ｈ古
Claims (1)
- 帯状の光導電膜の両側端面を含む絶縁基板上に導体膜が
設けられ、該導電膜の両側端を含む絶縁基板上に引出し
電極膜が設けられたことを特徴とする光導電素子アレイ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57230675A JPS59125656A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 光導電素子アレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57230675A JPS59125656A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 光導電素子アレイの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125656A true JPS59125656A (ja) | 1984-07-20 |
Family
ID=16911535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57230675A Pending JPS59125656A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 光導電素子アレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125656A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184861A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサアレイとその製造方法 |
| JPS6235564A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Sharp Corp | 光電変換素子の作製方法 |
| JPS6439766A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-10 | Fuji Electric Co Ltd | Contact type image sensor |
| JPH02208971A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサ及び光センサアレイ |
| US5338690A (en) * | 1986-01-24 | 1994-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectronic conversion device |
-
1982
- 1982-12-25 JP JP57230675A patent/JPS59125656A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184861A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサアレイとその製造方法 |
| JPH0436579B2 (ja) * | 1984-10-02 | 1992-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS6235564A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Sharp Corp | 光電変換素子の作製方法 |
| US5338690A (en) * | 1986-01-24 | 1994-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectronic conversion device |
| JPS6439766A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-10 | Fuji Electric Co Ltd | Contact type image sensor |
| JPH02208971A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサ及び光センサアレイ |
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