JPS62102575A - 保護膜により被覆された薄膜パタ−ンを備えた素子の製作法 - Google Patents

保護膜により被覆された薄膜パタ−ンを備えた素子の製作法

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JPS62102575A
JPS62102575A JP60242437A JP24243785A JPS62102575A JP S62102575 A JPS62102575 A JP S62102575A JP 60242437 A JP60242437 A JP 60242437A JP 24243785 A JP24243785 A JP 24243785A JP S62102575 A JPS62102575 A JP S62102575A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
protective film
pattern
moisture
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP60242437A
Other languages
English (en)
Inventor
Masami Kinoshita
木下 雅己
Hirofumi Imaoka
今岡 裕文
Toshihisa Moriyama
森山 敏尚
Michiaki Shinozuka
道明 篠塚
Yoshimasa Tanaka
義昌 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は保護膜により被覆された薄膜パターンを備えた
素子の製作法に関するものである。
(従来の技術) 例えば、磁気抵抗効果素子のように、それに用いられる
薄膜パターンが、酸化や湿気によって薄膜パターンの特
性が劣化してしまうような薄膜パターンを備えて構成さ
れている素子においては、耐湿性を有する基板上に付着
形成された所要の物質による所定の薄膜パターン上に保
護膜を形成させるようにしている。
第3図は保護膜により被覆された薄膜パターンを備えた
素子の従来例の構成を説明するための平面図であって、
この第3図に示されている保護膜により被覆された被覆
された薄膜パターンを備えた素子Aにおいて、1は例え
ばガラスのような耐湿性を有する基板であり、また2は
例えば磁気抵抗効果を有する磁性物質(例えば、ニッケ
ル83〜85重量%で残部が鉄であるようなニッケル鉄
合金)の薄膜によって形成されている磁気検出部、3゜
4は導電性物質の薄II!(例えば、金の薄Ia)によ
って形成されている電極部(外部端子)であり、さらに
、5は前記した1を極部3,4の一部を除き、前記した
各薄膜パターン2,3.4を被覆するような態様で基板
1の全面に付着されている保護膜(例えば、5i02に
よる薄膜、あるいはSiNによる薄膜)である。
そして、前記のような従来構成の素子Aは、耐湿性を有
する基板1上に保護膜5によって被覆された薄膜パター
ン2〜4を備えている素子A、A・・・の多数のものに
それぞれ対応している如き多数の薄膜パターンが所定の
配列態様に従って第2図示のように付着形成させたもの
に、前記の薄膜パターンを保護するための保護膜を、前
記した各素子に対応して基板1上に付着形成させた各薄
膜パターンにおける電極部3,4の一部を除く全面に付
着形成させた状態のものに構成した耐湿性を有する基板
の素材Bを、第2図中の点線図示の位置で切断すること
によって、それぞれ耐湿性を有する基板1上に保護膜5
によって被覆された薄膜パターン2〜4を備えている素
子が製作されるようになされていた。
(発明が解決しようとする問題点) ところが、前記した従来の製作法に従って耐湿性を有す
る基板1上に保護膜5によって被覆された薄膜パターン
2〜4を備えている素子が製作された場合には、耐湿性
を有する基板の素材Bを第2図中の点線図示の位置で切
断する際に、保護膜に割れやクラックが生じたり、保護
膜に剥離が生じるために、従来法では耐湿性能の点で不
良とされる製品が大きなウェイトを占める結果と6って
製品の歩留まりが悪いために、それの改善が求められた
(問題点を解決するための手段) 本発明は耐湿性を有する基板上に保護膜によって被覆さ
れた薄膜パターンを備えている素子の多数のものにそれ
ぞれ対応している如き多数の薄膜パターンが所定の配列
態様に従って付着形成されているとともに、前記の薄膜
パターンを保護するための保護膜も付着形成されている
如き耐湿性を有する基板の素材を切断することによって
、耐湿性を有する基板上に保M膜によって被覆された薄
膜パターンを備えている素子を製作する際に、前記した
耐湿性を有する基板の素材から前記した個々の素子を得
る際に切断が予定されている前記した基板の素材の部分
には、前記の保護膜が欠除されているようなパターンの
保護膜が施こさ九でいる如き耐湿性を有する基板の素材
を用いて基板上に薄膜パターンを備えてい:5素子を製
作するようにした保護膜により被覆された薄膜パターン
を備えた素子の製作法を提供するものである。
(実施例) 以下1本発明の保護膜により被覆さ九た薄膜パターンを
備えた素子の製作法の具体的な内容を添付図面を参照し
ながら詳細に説明する。第1図は本発明の保護膜により
被覆された薄膜パターンを備えた素子の製作法、すなわ
ち、耐湿性を有する基板上に保護膜によって被覆された
薄膜パターンを備えている素子の多数のものにそれぞれ
対応している如き多数の薄膜パターンが所定の配列態様
に従って付着形成されているとともに、前記の薄膜パタ
ーンを保護するための保護膜も付着形成されている如き
耐湿性を有する基板の素材を切断することによって、耐
湿性を有する基板上に保護膜によって被覆された薄膜パ
ターンを備えている素子を製作する際に、前記した耐湿
性を有する基板の素材から前記した個々の素子を得る際
に切断が予定されている前記した基板の素材の部分には
、前記の保護膜が欠除されているようなパターンの保護
膜が施こされている如き耐湿性を有する基板の素材を用
いて基板上に薄膜パターンを備えている素子を製作する
ようにした保護膜により被覆された薄膜パターンを備え
た素子の製作法に従って製作された素子Cの一例のもの
の平面図であり、この第1図においては保護膜により被
覆された薄膜パターンを備えた素子が磁気抵抗効果素子
であるとして示されている。
本発明の保護膜により被覆された薄膜パターンを備えた
素子の製作法に従って製作された素子Cを示している第
1図において、1は例えばガラスの」基板、またはアル
ミナを主材料として構成されたセラミックスの基板のよ
うに、耐湿性を有している非磁性体の絶縁体基板であり
、この耐湿性を有する基板1の表面は鏡面研磨によって
鏡面状に仕上げられているものであり、前記した耐湿性
を有する基板1における鏡面状に仕上げられた表面状態
となされている基板1の表面には、磁気抵抗効果を有す
る磁性物質(例えば、ニッケルが83〜85重量%で残
部が鉄であるようなニッケル鉄合金)による所定のパタ
ーンの磁性薄膜が付着形成されることにより構成されて
いる磁気検出部2と、前記した磁気検出部2を構成して
いる磁気抵抗効果を有する磁性物質による所定のパター
ンの磁性薄膜の端部に対して重なり合う部分と接続端子
の部分とが連続している状態の所定のパターンを有して
いる如き個別の導電性物質(例えば、金)による薄膜が
前記した耐湿性の基板1における鏡面仕上げされた状態
の表面に付着形成されることにより構成されている接続
端子として用いられる2個の電極部3,4とが構成され
ている。
前記のように、耐湿性の基板1上に付着形成されている
所要の磁性物質の薄膜パターンによる磁気検出部2の上
面と、所要の導電性物質の薄膜パターンによる電極部3
,4の一部の上面と、耐湿性の基板1の一部の上面には
、保護膜5が付着形成されている。
すなわち、本発明の保護膜により被覆された薄膜パター
ンを備えた素子の製作法に従って製作された保護膜によ
り被覆された薄膜パターンを備えた素子Cにおいては、
第1図に示されているところから明らかなように、保護
膜により被覆された薄膜パターンを備えた素子Cの基板
1の輪郭に近い領域の部分には保護膜が存在していない
状態となされているのであり、前記のような構成を有し
ている素子Cは基板の素材における保護膜が付着されて
いない部分において切断されることによって得られたも
のであるから、本発明の製作法によって製作された保護
膜により被覆された薄膜パターンを備えた素子において
は、それの保護膜にクラックや割れが生じることがなく
、また保護膜が剥離するようなこともない。
さて、本発明の保護膜により被覆された薄膜パターンを
備えた素子の製作法は、耐湿性を有する基板1上に保護
膜5によって被覆された薄膜パターン2〜4を備えてい
る素子C9C・・・の多数のものにそれぞれ対応してい
る如き多数の薄膜パターンが所定の配列態様に従って第
2図示のように付着形成させたものに、前記の薄膜パタ
ーンを保護するための保護膜を、前記した各素子に対応
して基板1上に付着形成させた各薄膜パターンにおける
電極部3,4の一部と、各素子における輪郭付近の領域
とを除く全面に付着形成させた状態のものに構成した耐
湿性を有する基板の素材Bを、第2図中の点線図示の位
置で切断するようにして、それぞれ耐湿性を有する基板
1上に保護膜5によって被覆された薄膜パターン2〜4
を備えている素子Cを製作するものであるが、次に、本
発明の一実施例について説明する。
まず、多数の素子C2C・・・の多数のものにそれぞれ
対応している如き多数の薄膜パターンが所定の配列態様
に従って第2図示のように付着形成させれるべき耐湿性
を有する基板としてガラスの基板1を用い、その基板1
における鏡面状の表面に、蒸着法またはスパッタリング
法により、適当な組成比のニッケル鉄合金(例えば、ニ
ッケルが83〜85%で残部が鉄であるようなニッケル
鉄合金)の所定の厚さの薄膜(例えば、厚さが250オ
ングストロームの磁性薄膜)を付着成し、次いで、前記
したニッケル鉄合金の薄膜上にフォトレジスト層をつけ
てから、そのフォトレジスト層に多数の素子C1C・・
・のそれぞれにおける磁気検出部2の薄膜パターンが所
定の配列態様に従って第2図示のように付着形成させう
るような所定のパターンを有するマスクを通して露光し
た後に現像する。
次に前記のような露光現像工程によって、各素子におけ
る磁気検出部2で必要とされている所定のパターンの部
分だけにフォトレジスト層が残されている状態のフォト
レジスト層によるマスクパターンが形成されているもの
を腐蝕液を用いて湿式エツチングを行なったり、あるい
はドライ・エツチングを行なってから、前記したフォト
レジスト層によるマスクパターンを除去して、基板1上
に各素子における磁気検出部2で必要とされている所定
のパターンを有するニッケル鉄合金の薄膜が付着形成さ
れている状態のものを得る。
それから、基板1上に再び一様な厚さのフォトレジスト
層を形成させた後に、そのフォトレジスト層に各素子に
おける電極部3,4で必要とされる所定のパターンを有
するマスクを通して露光し、現像することにより各素子
における電極部3,4と対応する部分が除去された状態
のフォトレジスト層によるマスクパターンを得る。
次いで、前記したフォトレジスト層によるマスクパター
ンを用いて1例えば蒸着法またはスパッタリング法の適
用により所定の厚さの導電性物質による薄膜を付着形成
させたる。前記した導電性物質による薄膜としては、例
えば金の薄膜が用いられたり、あるいは基板1との付着
力の高いクロムの薄膜と金の薄膜とが積層された構造の
薄膜が用いられたりする。
次に、フォトレジスト層によるマスクパターンを除去し
た後に、所定のパターンを有する二酸化シリコンまたは
窒化シリコンによる保護膜5を付着させる。
前記した所定のパターンを有する保護膜5を付着形成さ
せるのには、例えば、蒸着法またはスパッタリング法の
適用により、基板の素材の全体に二酸化シリコンの薄膜
(あるいは窒化シリコン)の簿膜を所定の厚さに付着さ
せた後に、そのE面にフォトレジスト層による所定のマ
スクパターンを構成して、基板の素材に形成されている
各素子毎の電極部の一部、及び各素子の輪郭に近い領域
に対応している部分の二酸化シリコンの薄膜(あるいは
窒化シリコン)の薄膜が湿式エツチング法またはドライ
エツチング法の適用によった除去されるようにしたり、
もしくは、基板の素材に形成されている各素子毎の電極
部の一部、及び各素子の輪郭に近い領域に対応している
部分が被覆されるようなマスクパターンを通して、蒸着
法またはスパッタリング法の適用によって二酸化シリコ
ンの薄膜(あるいは窒化シリコン)の薄膜を所定の厚さ
に付着させるようにすればよい。
次いで、基板の素材における各素子C,C・・・の輪郭
の部分、すなわち、第2図中で点線で示されている個所
において機械的に切断することにより、第1図に示され
ている構成を有する保護膜により被覆された薄膜パター
ンを備えた素子が得られるのである。
(効果) 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の保護膜により被覆された薄膜パターンを備えた素子
の製作法は、耐湿性を有する基板上に保護膜によって被
覆された薄膜パターンを備えている素子の多数のものに
それぞれ対応している如き多数の薄膜パターンが所定の
配列態様に従って付着形成されているとともに、前記の
薄膜パターンを保護するための保護膜も付着形成されて
いる如き耐湿性を有する基板の素材を切断することによ
って、耐湿性を有する基板上に保護膜によって被検され
た薄膜パターンを備えている素子を製作する際に、前記
した耐湿性を有する基板の素材から前記した個々の素子
を得る際に切断が予定されている前記した基板の素材の
部分には、前記の保護膜が欠除されているようなパター
ンの保護膜が施こされている如き耐湿性を有する基板の
素材を用いて基板上に薄膜パターンを備えている素子を
製作するようにした保護膜により被覆された薄膜パター
ンを備えた素子の製作法によれば、多数の素子が形成さ
れた基板の素材から、基板の素材を切断することによっ
て個々の素子を得るようにする際に、基板の素材におけ
る切断個所には保護膜が存在していないから、本発明の
素子の製作法によって製作された耐湿性を有する基板上
に保護膜によって被覆された薄膜パターンを備えている
素子では、それの保護膜にクランクや割れが生じること
がなく、また保護膜が剥離するようなこともないのであ
り、本発明によれば高い歩留りで耐湿性を有する基板上
に保護膜によって被覆された4v1膜パターンを備えて
いる素子を製作することができ、本発明の製作法を実施
すれば、既述した従来の諸問題点はすべて良好に解決す
ることができるのである。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の保護膜により被覆された薄膜パターン
を備えた素子の製作法に従って製作された耐湿性を有す
る基板上に保護膜によって被覆された薄膜パターンを備
えている素子の平面図、第2図は基板の素材の一部の斜
視図、第3図は保護膜により被覆された薄膜パターンを
備えた素手の従来例の構成を説明するための平面図であ
る。 1・・・基板、2・・・磁気検出部、3,4・・・電極
部、5 ・・・イ4舐庄4、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 耐湿性を有する基板上に保護膜によって被覆された薄膜
    パターンを備えている素子の多数のものにそれぞれ対応
    している如き多数の薄膜パターンが所定の配列態様に従
    って付着形成されているとともに、前記の薄膜パターン
    を保護するための保護膜も付着形成されている如き耐湿
    性を有する基板の素材を切断することによって、耐湿性
    を有する基板上に保護膜によって被覆された薄膜パター
    ンを備えている素子を製作する際に、前記した耐湿性を
    有する基板の素材から前記した個々の素子を得る際に切
    断が予定されている前記した基板の素材の部分には、前
    記の保護膜が欠除されているようなパターンの保護膜が
    施こされている如き耐湿性を有する基板の素材を用いて
    基板上に薄膜パターンを備えている素子を製作するよう
    にした保護膜により被覆された薄膜パターンを備えた素
    子の製作法
JP60242437A 1985-10-29 1985-10-29 保護膜により被覆された薄膜パタ−ンを備えた素子の製作法 Pending JPS62102575A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5377462A (en) * 1976-12-21 1978-07-08 Nec Corp Production of semiconductor device
JPS55118683A (en) * 1979-03-08 1980-09-11 Toshiba Corp Manufacture of pellet
JPS5943550A (ja) * 1982-09-02 1984-03-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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