JPS61243910A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS61243910A JPS61243910A JP8476385A JP8476385A JPS61243910A JP S61243910 A JPS61243910 A JP S61243910A JP 8476385 A JP8476385 A JP 8476385A JP 8476385 A JP8476385 A JP 8476385A JP S61243910 A JPS61243910 A JP S61243910A
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- film
- monitor
- magnetic
- conductor
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、薄膜磁気ヘッドに関し、特に、磁気記録媒
体対接面のデプス加工を制御するデプス制御用モニター
を備えたものに関する。
体対接面のデプス加工を制御するデプス制御用モニター
を備えたものに関する。
一般に、薄膜磁気ヘッドは、第９図に示すような構成に
なっており、同図において、（１）は下部磁気コアを構
成する強磁性基板、（２）は絶縁層、（３）は導体層、
１．４）は上部磁気コアを構成する上部磁性層であり、
導体層（３）と、基板（１）および磁性層（４）よりな
る磁気ループとが鎖交されるとともに、絶縁層（２）
Ｋより電気的に絶縁されている。
なっており、同図において、（１）は下部磁気コアを構
成する強磁性基板、（２）は絶縁層、（３）は導体層、
１．４）は上部磁気コアを構成する上部磁性層であり、
導体層（３）と、基板（１）および磁性層（４）よりな
る磁気ループとが鎖交されるとともに、絶縁層（２）
Ｋより電気的に絶縁されている。
そして、この薄膜磁気ヘッドはたとえば第１０図に示す
各工程を経て形成される。すなわち、（１） まず、
同図（ａ）に示すように、フェライト等の強磁性基板（
１］上に膜厚５ＫＡのＳ ｉｏ２膜からなる第１絶縁層
（２ａ）が形成され、 （１０つぎに、同図中）に示すように、絶縁層（２ａ）
上に、上下にそれぞれ膜厚０．５ＫＡのＴｉ膜（接着が
形成され、 （１１Ｄ さらに、同図（Ｃ）に示すように、＠１絶
縁層（２ａ）および導体層（３）上に膜厚７ＫＡの５ｉ
ｎ２膜からな６第２絶縁層（２ｂ）が形成され、 ６Ｖ） その後、同図（ｄ）に示すように、上下磁気
コア接続部、すなわち導体層（３）を挾んだ２位置にそ
れぞれ両絶縁層（２ａ）、（２ｂ）を除去してスルーホ
ール（５ａ）、（５ｂ）が形成され、 （Ｖ）同図（ｅ） ：Ｃ示すように、磁気記録媒体対接
面側のスルーホール（５ａ）を含む第２絶縁層（２ｂ）
の上面に膜厚５ＫＡのＳｉＯ２膜からなるギャップ形成
層（６）が形成され、 位Ｄ さらに、同図（ｆ）に示すように、膜厚７０ＫＡ
のＮｉ −Ｆｅ （パーマロイ）膜からなる上部磁性層
１．４）が、一端および他端をそれぞれスルーホール（
５ａ）、（５ｂ）に埋め込ませて形成され、 （ｖｉｉ） 同図（ｇ）に示すように、上部磁性層１
．４）およびギャップ形成層（６）の上面に膜厚３０Ｋ
ＡのＳｉＯ＋膜からなる保護層（７）が形成される。
各工程を経て形成される。すなわち、（１） まず、
同図（ａ）に示すように、フェライト等の強磁性基板（
１］上に膜厚５ＫＡのＳ ｉｏ２膜からなる第１絶縁層
（２ａ）が形成され、 （１０つぎに、同図中）に示すように、絶縁層（２ａ）
上に、上下にそれぞれ膜厚０．５ＫＡのＴｉ膜（接着が
形成され、 （１１Ｄ さらに、同図（Ｃ）に示すように、＠１絶
縁層（２ａ）および導体層（３）上に膜厚７ＫＡの５ｉ
ｎ２膜からな６第２絶縁層（２ｂ）が形成され、 ６Ｖ） その後、同図（ｄ）に示すように、上下磁気
コア接続部、すなわち導体層（３）を挾んだ２位置にそ
れぞれ両絶縁層（２ａ）、（２ｂ）を除去してスルーホ
ール（５ａ）、（５ｂ）が形成され、 （Ｖ）同図（ｅ） ：Ｃ示すように、磁気記録媒体対接
面側のスルーホール（５ａ）を含む第２絶縁層（２ｂ）
の上面に膜厚５ＫＡのＳｉＯ２膜からなるギャップ形成
層（６）が形成され、 位Ｄ さらに、同図（ｆ）に示すように、膜厚７０ＫＡ
のＮｉ −Ｆｅ （パーマロイ）膜からなる上部磁性層
１．４）が、一端および他端をそれぞれスルーホール（
５ａ）、（５ｂ）に埋め込ませて形成され、 （ｖｉｉ） 同図（ｇ）に示すように、上部磁性層１
．４）およびギャップ形成層（６）の上面に膜厚３０Ｋ
ＡのＳｉＯ＋膜からなる保護層（７）が形成される。
なお、これらの膜形成は真空蒸着、スパッタ等の薄膜形
成技術により行なわれ、パターン化は必要部分をフォト
レジストで覆い不活性ガスあるいは反応性ガスを照射し
て不必要部分の膜を除去することによって行なわれる。
成技術により行なわれ、パターン化は必要部分をフォト
レジストで覆い不活性ガスあるいは反応性ガスを照射し
て不必要部分の膜を除去することによって行なわれる。
そして、このようにして得られた薄膜磁気ヘッドは、切
断工程を経たのち、＠１１図に示すように、保護膜（７
）上に接着剤（８）を介して保護板（９）を接着し、磁
気記録媒体対接面を研摩して仕上げられる。
断工程を経たのち、＠１１図に示すように、保護膜（７
）上に接着剤（８）を介して保護板（９）を接着し、磁
気記録媒体対接面を研摩して仕上げられる。
ところで、前述の研摩工程では、対接面α１とデプスエ
ンドとの距離、すなわちデプス長ｔが５〜１０μｍとさ
れるため、ミクロンオーダのデプス制御が必要となる。
ンドとの距離、すなわちデプス長ｔが５〜１０μｍとさ
れるため、ミクロンオーダのデプス制御が必要となる。
このため、従来より、薄膜磁気ヘッドの薄膜形成工程に
おいて、基板に一体にデプス長測定を行なうためのデプ
ス制御用モニターを作成し、このモニターによるデプス
長測定により研摩量を制御することが行なわれてい乙。
おいて、基板に一体にデプス長測定を行なうためのデプ
ス制御用モニターを作成し、このモニターによるデプス
長測定により研摩量を制御することが行なわれてい乙。
たとえば、特開昭５６−２９８３２号公報においては、
＠１２図に示すように、薄膜磁気ヘッドの下部磁気コア
を構成する基板（１］上に、第１絶縁層（２ａ）を介し
て、くしの歯状の多数の歯Ｃ１１）を有し該各歯αυの
長さがそれぞれ異なるデプス制御用モニター０３を設け
、研摩工程において研摩面から見える歯ａυの数により
研摩量を測定し、デプス制御することが記載されている
。
＠１２図に示すように、薄膜磁気ヘッドの下部磁気コア
を構成する基板（１］上に、第１絶縁層（２ａ）を介し
て、くしの歯状の多数の歯Ｃ１１）を有し該各歯αυの
長さがそれぞれ異なるデプス制御用モニター０３を設け
、研摩工程において研摩面から見える歯ａυの数により
研摩量を測定し、デプス制御することが記載されている
。
しかし、このような光学的モニター＠では、研摩量の測
定を、研摩を中止し研摩面を顕微鏡により観察すること
によって行なう必要があり、工数が大幅シで増大する欠
点がある。
定を、研摩を中止し研摩面を顕微鏡により観察すること
によって行なう必要があり、工数が大幅シで増大する欠
点がある。
そこで、研摩を中止することなく研摩量測定が行なえる
ものとして、電気的モニターがあり、たとえば、特開昭
５７−９４９２３号公報に示されたデプス制御用モニタ
ーは、第１３図に示すように、基板（１〕上に、研摩面
に平行な薄膜抵抗膜α３を研摩進行方向に所定間隔で配
置するとともに、各抵抗膜α３を端子導体層α菊で並列
に接続して構成されている。
ものとして、電気的モニターがあり、たとえば、特開昭
５７−９４９２３号公報に示されたデプス制御用モニタ
ーは、第１３図に示すように、基板（１〕上に、研摩面
に平行な薄膜抵抗膜α３を研摩進行方向に所定間隔で配
置するとともに、各抵抗膜α３を端子導体層α菊で並列
に接続して構成されている。
したがって、研摩の進行に伴なって各抵抗膜α３が順次
研摩、削除されるため、各抵抗膜α３による抵抗回路の
電気抵抗値が研摩量に応じて第１４図に示すように変化
し、この抵抗値変化により研摩量が測定されることにな
る。
研摩、削除されるため、各抵抗膜α３による抵抗回路の
電気抵抗値が研摩量に応じて第１４図に示すように変化
し、この抵抗値変化により研摩量が測定されることにな
る。
しかし、前記した電気的モニターでは、各抵抗膜０３間
の研摩時において抵抗値変化が得られず、研摩量の測定
不可能領域が存在することとなり、しかも、各抵抗膜α
３の研摩時においては抵抗値がなだらかに変化し、抵抗
膜断線位置の検出が困難となり、研摩量測定、すなわち
デプス制御が困難になる欠点を有している。
の研摩時において抵抗値変化が得られず、研摩量の測定
不可能領域が存在することとなり、しかも、各抵抗膜α
３の研摩時においては抵抗値がなだらかに変化し、抵抗
膜断線位置の検出が困難となり、研摩量測定、すなわち
デプス制御が困難になる欠点を有している。
一方、薄膜磁気ヘッドは、第１０図で説明した形成工程
により得られるが、この磁気ヘッドのデプスエンドは、
絶縁層（２）およびそのパターン、すなわちスル−ホー
ル（５ａ） ：でより決定され、これがデプス制御モニ
ターの形成とは別工程になるため、当該モニターと絶縁
ノーパターンとのパターンずれ、パターン形成精度の相
異がデプス測定誤差となり、高精度なデプス制御を阻害
することになる。
により得られるが、この磁気ヘッドのデプスエンドは、
絶縁層（２）およびそのパターン、すなわちスル−ホー
ル（５ａ） ：でより決定され、これがデプス制御モニ
ターの形成とは別工程になるため、当該モニターと絶縁
ノーパターンとのパターンずれ、パターン形成精度の相
異がデプス測定誤差となり、高精度なデプス制御を阻害
することになる。
したがって、この発明においては、研摩量測定を明確化
するとともてデプスエンドの形成工程とのパターンずれ
やパターン形成精度の相異のない電気的なデプス制御用
モニターを備えた薄膜磁気ヘッドを得ることを技術的課
題とする。
するとともてデプスエンドの形成工程とのパターンずれ
やパターン形成精度の相異のない電気的なデプス制御用
モニターを備えた薄膜磁気ヘッドを得ることを技術的課
題とする。
この発明は、下部磁気コア上に第１絶縁層を介して導体
層を形成し、前記導体層を覆う第２絶縁層を形成し、前
記両絶縁層にデプスエンドを決定するスフレ−ホールを
形成し、前記スルーホールの下部磁気コア上にギャップ
形成層を介して対向する上部磁気コアを形成し、前記導
体層を前記両磁気コアからなる磁気ループに鎖交させて
なる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁気コア上に形
成された２個の導体パターンと、前記スルーホールの形
成時に前記両絶縁層に形成された前記導体パターン上の
スルーホールを介して前記側導体ハターンを電気的に接
続する導電性磁性層とからな乙デプス制御用モニターを
備えたことを特徴とするものである。
層を形成し、前記導体層を覆う第２絶縁層を形成し、前
記両絶縁層にデプスエンドを決定するスフレ−ホールを
形成し、前記スルーホールの下部磁気コア上にギャップ
形成層を介して対向する上部磁気コアを形成し、前記導
体層を前記両磁気コアからなる磁気ループに鎖交させて
なる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁気コア上に形
成された２個の導体パターンと、前記スルーホールの形
成時に前記両絶縁層に形成された前記導体パターン上の
スルーホールを介して前記側導体ハターンを電気的に接
続する導電性磁性層とからな乙デプス制御用モニターを
備えたことを特徴とするものである。
したがって、前述のように構成されたこの発明の薄膜磁
気ヘッドは、磁気記録媒体対接面の研摩により、デプス
制御用モニターの磁性層による回路の一部が削除されて
断線することにより研摩位置が認知、測定されるもので
あり、この断線位置は、デプスエンドを決定する絶縁層
と同一の絶縁層に、上部磁気コアが下部磁気コアに対向
するスルーホールと同時に形成されたスルーホールを形
成することにより決定され、デプスエンドの形成工程と
のパターンずれ、パターン形成精度の相異が全くなく、
正確なデプス制御が行なわれることになる。
気ヘッドは、磁気記録媒体対接面の研摩により、デプス
制御用モニターの磁性層による回路の一部が削除されて
断線することにより研摩位置が認知、測定されるもので
あり、この断線位置は、デプスエンドを決定する絶縁層
と同一の絶縁層に、上部磁気コアが下部磁気コアに対向
するスルーホールと同時に形成されたスルーホールを形
成することにより決定され、デプスエンドの形成工程と
のパターンずれ、パターン形成精度の相異が全くなく、
正確なデプス制御が行なわれることになる。
つぎに、この発明を、その実施例を示した簗１図ないし
第８図とともに詳細に説明する。なお、これらの図面に
おいて前記と同一記号は同一もしくは対応するものを示
すものとする。
第８図とともに詳細に説明する。なお、これらの図面に
おいて前記と同一記号は同一もしくは対応するものを示
すものとする。
（＠１の実施例）
まず、第１の実施例を示した第１図ないし第３図につい
て説明する。
て説明する。
第１図に示すものは、下部磁気コアとなる強磁性基板（
１）と、該基板（υとともに磁気ループを構成する上部
磁気コアとなる上部磁性層（４）と、基板（１）および
磁性層（４）に対し絶縁層（２） ＶＣより電気的に絶
縁され磁気ループに鎖交した導体層（３）とからなる磁
気ヘッド素子に同時形成されたデプス制御用モニターμ
ｓであり、第２図に示す形成工程により形成される。
１）と、該基板（υとともに磁気ループを構成する上部
磁気コアとなる上部磁性層（４）と、基板（１）および
磁性層（４）に対し絶縁層（２） ＶＣより電気的に絶
縁され磁気ループに鎖交した導体層（３）とからなる磁
気ヘッド素子に同時形成されたデプス制御用モニターμ
ｓであり、第２図に示す形成工程により形成される。
すなわち、このモニター＋１！１９の形成工程を第１０
図で示した磁気ヘッド素子の形成工程（従来の技術で説
明した（１）〜（Ｖｉ＋）の工程）に対応させて説明す
ると、 （５） まず、第２図（ａ）に示すように、磁気ヘッド
素子の作成に先立ち、基板（１）上に、上下に膜厚０
、５ＫＡのＴｉ膜（接着層）を有する膜厚１０にＡのＣ
ｕ膜からなる２つの導体層αＱ、ケηをパターン形成す
る。
図で示した磁気ヘッド素子の形成工程（従来の技術で説
明した（１）〜（Ｖｉ＋）の工程）に対応させて説明す
ると、 （５） まず、第２図（ａ）に示すように、磁気ヘッド
素子の作成に先立ち、基板（１）上に、上下に膜厚０
、５ＫＡのＴｉ膜（接着層）を有する膜厚１０にＡのＣ
ｕ膜からなる２つの導体層αＱ、ケηをパターン形成す
る。
（ト）つぎに、第２図（ｂ）に示すように、第１０図（
ａ）、 （ｂ） 、 （Ｃ）の工程により基板（１）お
よび両溝体層ｏＱ。
ａ）、 （ｂ） 、 （Ｃ）の工程により基板（１）お
よび両溝体層ｏＱ。
′Ｊ′ｉ）上に＠１．第２絶縁層（２ａ）、（２ｂ）を
形成する。
形成する。
（ｑ さらに、第３図（Ｃ）に示すように、＠ｉｏ図（
ｄ）の工程の上下磁気コア接続部の絶縁層（２ａ）、（
２ｂ）の除去、すなわちスル−ホール（５ａ）、（５ｂ
）の形成と同時に、両導体層αＱ、αη上の絶縁層（２
ａ）。
ｄ）の工程の上下磁気コア接続部の絶縁層（２ａ）、（
２ｂ）の除去、すなわちスル−ホール（５ａ）、（５ｂ
）の形成と同時に、両導体層αＱ、αη上の絶縁層（２
ａ）。
（２ｂ）の一部を除去してスルーホール（至）、α９を
形成する。この絶縁層（２ａ）、（２ｂ）の除去に際し
ては、両溝体層ａｅ、αηのＣｕ膜のみならず基板（１
）のフエ ライ トが侵されない方法をとる必要があり
、たとえばＣＦ４プラズマによるエツチングが有効テあ
る。ここで、研摩面に近い方のスルーホールα窃におい
ては、その研摩面との反対側の端縁とデプスエンド位置
（スルーホール（５ａ）の研摩面との反対側の端縁）と
の研摩方向における距離が所定のデプス長になるよう冗
設定されている。
形成する。この絶縁層（２ａ）、（２ｂ）の除去に際し
ては、両溝体層ａｅ、αηのＣｕ膜のみならず基板（１
）のフエ ライ トが侵されない方法をとる必要があり
、たとえばＣＦ４プラズマによるエツチングが有効テあ
る。ここで、研摩面に近い方のスルーホールα窃におい
ては、その研摩面との反対側の端縁とデプスエンド位置
（スルーホール（５ａ）の研摩面との反対側の端縁）と
の研摩方向における距離が所定のデプス長になるよう冗
設定されている。
つぎに、＠１０図（ｅ）の工程、すなわちギャップ形成
層（６）の工程では、マスク蒸着５・こよって膜形成を
行ない、モニタ一部にギャップ形成層（６）が形成され
ないようにする。
層（６）の工程では、マスク蒸着５・こよって膜形成を
行ない、モニタ一部にギャップ形成層（６）が形成され
ないようにする。
０ そして、第３図（ｄ）に示すように、＠ｌＯ図＜ｆ
）の工程で両スルーホール（至）、α９を介して両溝体
層Ｑｌ 、 ０７１を短絡する膜厚７０ＫＡのＮｉ−Ｆ
ｅ膜からなる導電性磁性層−を形成し、モニターＱＦＪ
を完成する。
）の工程で両スルーホール（至）、α９を介して両溝体
層Ｑｌ 、 ０７１を短絡する膜厚７０ＫＡのＮｉ−Ｆ
ｅ膜からなる導電性磁性層−を形成し、モニターＱＦＪ
を完成する。
したがって、このようなモニター／ＪＧを備えた薄膜磁
気ヘッドを研摩すると、その研摩過程において両溝体層
Ｑ＊ 、 Ｑの間の電気抵抗値が＠３図に示すように変
化し、その急激な抵抗値変化により研摩が第１図の１点
鎖線の位置まで達したことが認識され、所定のデプス長
が得られたことがわかる。
気ヘッドを研摩すると、その研摩過程において両溝体層
Ｑ＊ 、 Ｑの間の電気抵抗値が＠３図に示すように変
化し、その急激な抵抗値変化により研摩が第１図の１点
鎖線の位置まで達したことが認識され、所定のデプス長
が得られたことがわかる。
この１点鎖線の位置は、絶縁層（２ａ）、（２ｂ）のパ
ターン、すなわちスルーホール０１により決定すれ、し
かも、これがデプスエンドを決定する絶縁Ｊｌ（２ａ）
、（２ｂ）と同−膜、同一エツチングによるため、この
位置とデプスエンドとの相対位置ずれがフォトマスク作
成精度ｃｏ、５μｍ以内）におさえられることになる。
ターン、すなわちスルーホール０１により決定すれ、し
かも、これがデプスエンドを決定する絶縁Ｊｌ（２ａ）
、（２ｂ）と同−膜、同一エツチングによるため、この
位置とデプスエンドとの相対位置ずれがフォトマスク作
成精度ｃｏ、５μｍ以内）におさえられることになる。
ここで、研摩が１点鎖線の位置に近づくと、磁性層−が
徐々に研摩され、電気回路の一部を構成する磁性層（ホ
）の新面積が小さくなるが、この部分の長さは絶縁層（
２ａ）、（２ｂ） （７）膜厚（１〜２ｕｍ）に相当し
極めて短いため、全体としての抵抗値変化は小さくおさ
えられ、抵抗値変化は：まとんどなく、磁性層（１）の
断線時の抵抗値変化が容易に識別される。
徐々に研摩され、電気回路の一部を構成する磁性層（ホ
）の新面積が小さくなるが、この部分の長さは絶縁層（
２ａ）、（２ｂ） （７）膜厚（１〜２ｕｍ）に相当し
極めて短いため、全体としての抵抗値変化は小さくおさ
えられ、抵抗値変化は：まとんどなく、磁性層（１）の
断線時の抵抗値変化が容易に識別される。
たとえば、スルーホールａ９の研摩面に平行な幅を４μ
ｍ９両絶縁層（２ａ）、（２ｂ）の全体の厚さを２μｍ
、磁性層−の比抵抗を２０μΩｃｍとすれば、研摩が第
１図の１点鎖線の直前０．５μｍまで進行したときのこ
の部分の抵抗は０．２Ωとなり、すなわち研摩による抵
抗増加が０．２Ω以内と極めて小さいものとなる。
ｍ９両絶縁層（２ａ）、（２ｂ）の全体の厚さを２μｍ
、磁性層−の比抵抗を２０μΩｃｍとすれば、研摩が第
１図の１点鎖線の直前０．５μｍまで進行したときのこ
の部分の抵抗は０．２Ωとなり、すなわち研摩による抵
抗増加が０．２Ω以内と極めて小さいものとなる。
（第２の実施例）
つぎに、第２の実施例を示した第４図ないし第８図につ
いて説明する。
いて説明する。
これらの図面は、磁気記録媒体対接面の研摩量に応じて
抵抗値変化が階段状とな乙デプス制御用モニター’ｌｆ
９を備又た薄膜磁気ヘッドを示し、その形成工程を＠４
図ないし第６図で説明する。
抵抗値変化が階段状とな乙デプス制御用モニター’ｌｆ
９を備又た薄膜磁気ヘッドを示し、その形成工程を＠４
図ないし第６図で説明する。
まず、＠４図に示すように、下部磁気コアとなる強磁性
基板（１］上に膜厚５ＫＡのＡｔ２０ｓ膜からなるギャ
ップ形成層（６；を形成し、その上に膜厚ＩＫ＾。
基板（１］上に膜厚５ＫＡのＡｔ２０ｓ膜からなるギャ
ップ形成層（６；を形成し、その上に膜厚ＩＫ＾。
幅４μｍ、長さ５００μｍのパーマロイ膜からなる３個
（１）モ：−９−用第１ 、 第２ 、 第３ 抵抗１
［（２１ａ）、（２１ｂ）、（２１Ｃ）を研摩面に直交
する方向に１０μｍの間隔で並べて形成する。さらに、
ギャップ形成層（６）および各抵抗膜（２１ａ ） ＝
（２ｌ ｂ ） ｅ （２１ｃ ） ノ上面に膜厚３
ＫＡのＳ ｉＯｚ膜からなる第１絶縁層（２ａ）を形成
後、上下に膜厚０ 、５ＫＡのＴｉ４膜（接着層）を有
する膜厚１０ＫＡのＣｕ膜からなる導体層（３）および
モニター用の２つの導体層αＱ、１ηを同時形成する。
（１）モ：−９−用第１ 、 第２ 、 第３ 抵抗１
［（２１ａ）、（２１ｂ）、（２１Ｃ）を研摩面に直交
する方向に１０μｍの間隔で並べて形成する。さらに、
ギャップ形成層（６）および各抵抗膜（２１ａ ） ＝
（２ｌ ｂ ） ｅ （２１ｃ ） ノ上面に膜厚３
ＫＡのＳ ｉＯｚ膜からなる第１絶縁層（２ａ）を形成
後、上下に膜厚０ 、５ＫＡのＴｉ４膜（接着層）を有
する膜厚１０ＫＡのＣｕ膜からなる導体層（３）および
モニター用の２つの導体層αＱ、１ηを同時形成する。
つぎに、第５図に示すように、第１絶縁層（２ａ）およ
び各導体層（３） 、 Ｑｆ９ 、 ｆｆηの上面に膜
厚７ＫＡのＳｉＯ２膜からなる第２絶縁層（２ｂ）を形
成後、絶縁層（２ａ）、（２ｂ）のパターン化を行なう
。すなわち、上下磁気コア接続部における絶縁層（２ａ
）、（２ｂ）、導体層０Ｑ、αη上の絶縁層（２ａ）、
（２ｂ）および各抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ）、（２
１Ｃ）の両端部における絶縁層（２ａ）、（２ｂ）を同
一エツチングで除去し、それぞれ上下磁気コア接続部の
スルーホール（５ａ）、（５ｂ）、導［１ｔＱｅ、’１
１７）上（７） スＪｌ／−ホー７１／ ａｇＪ＃ Ｑ
ｌ ｂよび抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ）、（２１Ｃ）
の両端のスルーホール勾、勾を形成する。
び各導体層（３） 、 Ｑｆ９ 、 ｆｆηの上面に膜
厚７ＫＡのＳｉＯ２膜からなる第２絶縁層（２ｂ）を形
成後、絶縁層（２ａ）、（２ｂ）のパターン化を行なう
。すなわち、上下磁気コア接続部における絶縁層（２ａ
）、（２ｂ）、導体層０Ｑ、αη上の絶縁層（２ａ）、
（２ｂ）および各抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ）、（２
１Ｃ）の両端部における絶縁層（２ａ）、（２ｂ）を同
一エツチングで除去し、それぞれ上下磁気コア接続部の
スルーホール（５ａ）、（５ｂ）、導［１ｔＱｅ、’１
１７）上（７） スＪｌ／−ホー７１／ ａｇＪ＃ Ｑ
ｌ ｂよび抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ）、（２１Ｃ）
の両端のスルーホール勾、勾を形成する。
ここで、第５図（ａ） ’ＩＣ示すように、抵抗膜（２
１ａ）、（２１ｂ）、（２ＩＣ）の研摩面側のスルーホ
ール翰においては、その研摩面との反対側の端縁がデプ
スエンドを決定するスルーホール（５ａ）の端縁に対し
各抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ）、（２１ｃ）毎に間隔
ｄｘ、ｄ２、ｄａを有するよう階段状に形成され、また
、両スルーホール勾、（至）間の間隔が各抵抗膜（２１
ａ Ｌ （２１ｂ）、（２１ｃ）毎ｙｃ ｔｌ、ｔ２．
ｔａ ｉｃ ナル、ｋ ウ設定すしており、たとえばｔ
ｌ ＝２００μｍ 、 ｚ２ ＝７３ ＝−４ＱＱ７ｚ
ｍである。
１ａ）、（２１ｂ）、（２ＩＣ）の研摩面側のスルーホ
ール翰においては、その研摩面との反対側の端縁がデプ
スエンドを決定するスルーホール（５ａ）の端縁に対し
各抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ）、（２１ｃ）毎に間隔
ｄｘ、ｄ２、ｄａを有するよう階段状に形成され、また
、両スルーホール勾、（至）間の間隔が各抵抗膜（２１
ａ Ｌ （２１ｂ）、（２１ｃ）毎ｙｃ ｔｌ、ｔ２．
ｔａ ｉｃ ナル、ｋ ウ設定すしており、たとえばｔ
ｌ ＝２００μｍ 、 ｚ２ ＝７３ ＝−４ＱＱ７ｚ
ｍである。
さらに、＠６図に示すように、上下磁気コア接続部の一
方、すなわち研摩面との反対側のスルーホール（５ｂ）
［おけるギャップ形成層（６）をパターン化して除去
したのち、上下磁気コア接続部のスルーホール（５ａ）
、（５ｂ）間およびモニタ一部分におけるスルーホール
（至）、部間、スルーホールα９゜（１）間にそれぞれ
、膜厚７０ ＫＡのＮｉ−Ｆｅ膜からなる上部磁気コア
の上部磁性層１４）および磁性層（２０ａ）。
方、すなわち研摩面との反対側のスルーホール（５ｂ）
［おけるギャップ形成層（６）をパターン化して除去
したのち、上下磁気コア接続部のスルーホール（５ａ）
、（５ｂ）間およびモニタ一部分におけるスルーホール
（至）、部間、スルーホールα９゜（１）間にそれぞれ
、膜厚７０ ＫＡのＮｉ−Ｆｅ膜からなる上部磁気コア
の上部磁性層１４）および磁性層（２０ａ）。
（２０ｂ）を形成し、基板（１］と上部磁性層（４）と
を接続して導体層（３） ＶＣ鎖交した磁気ループを構
成するとともに、両溝体層Ｑｆ９ 、 ｆｆ９間を磁性
層（２０ａ）、第１゜第２．第３抵抗膜（２１ａ）、（
２１ｂ）、（２ＩＣ）および磁性層（’２０ｂ）を介し
て接続し、デプス制御用モニター／ＩＱを構成する。
を接続して導体層（３） ＶＣ鎖交した磁気ループを構
成するとともに、両溝体層Ｑｆ９ 、 ｆｆ９間を磁性
層（２０ａ）、第１゜第２．第３抵抗膜（２１ａ）、（
２１ｂ）、（２ＩＣ）および磁性層（’２０ｂ）を介し
て接続し、デプス制御用モニター／ＩＱを構成する。
その後、基板（１）上の全面に膜厚３０ＫＡのＳｉＯ２
膜からなる保護層（７）を形成する。
膜からなる保護層（７）を形成する。
したがって、前述のようなモニター〇〇においては、導
体層ＱＯ、’ｌη間に磁性層（２０ａ Ｌ （２０ｂ）
を介して第１．第２．第３抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ
）、（２１ｃ）が並列に接続されることになり、このと
き、磁性層（２０ａ ）、 （２０ｂ）は膜厚が大きく
これを構成するＣｕの導電率が大きいため、その電気抵
抗値は小さく、このため、＠７図に示すように、＠１．
第２、第３抵抗膜（２１ａ）、 （２１ｂ）、 （２１
ｃ） ｖＣよる抵抗（Ｒａ）、（Ｒ，、ｂ）、（Ｒｃ）
の並列回路が構成されることになる。
体層ＱＯ、’ｌη間に磁性層（２０ａ Ｌ （２０ｂ）
を介して第１．第２．第３抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ
）、（２１ｃ）が並列に接続されることになり、このと
き、磁性層（２０ａ ）、 （２０ｂ）は膜厚が大きく
これを構成するＣｕの導電率が大きいため、その電気抵
抗値は小さく、このため、＠７図に示すように、＠１．
第２、第３抵抗膜（２１ａ）、 （２１ｂ）、 （２１
ｃ） ｖＣよる抵抗（Ｒａ）、（Ｒ，、ｂ）、（Ｒｃ）
の並列回路が構成されることになる。
ここで、抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ）、（２１ｃ）を
構成するパーマロイの比抵抗を２０μΩｃｍとすれ、ば
、各抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ）、（２１ｃ） ｃｎ
寸法ｚｔ 、 ｔ２． ｔｓによる抵抗（Ｒａ）＊（Ｒ
ｂＬ（Ｒｃ） ｃ’）抵、抗値ハソレソれ、１００Ω、
２００Ω、２００Ωとなる。
構成するパーマロイの比抵抗を２０μΩｃｍとすれ、ば
、各抵抗膜（２１ａ）、（２１ｂ）、（２１ｃ） ｃｎ
寸法ｚｔ 、 ｔ２． ｔｓによる抵抗（Ｒａ）＊（Ｒ
ｂＬ（Ｒｃ） ｃ’）抵、抗値ハソレソれ、１００Ω、
２００Ω、２００Ωとなる。
そして、前述のようにして構成されモニターαｉを備え
た薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体対接面の研摩
によりデプス長がｄｘ 、 ｄ２． ｄａＶｃなると、
両導体層ａＱ、αη間を連結している抵抗膜（２１ａ
）、（２１ｂ）、（２１ｃ）が順次断線し、＠８図に示
すように、導体層α＊ 、 ’ｔ′？）間の抵抗値が５
０Ωから１００Ω、１００Ωから２００Ω、２００Ωか
ら（１）に不連続的に変化することになる。
た薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体対接面の研摩
によりデプス長がｄｘ 、 ｄ２． ｄａＶｃなると、
両導体層ａＱ、αη間を連結している抵抗膜（２１ａ
）、（２１ｂ）、（２１ｃ）が順次断線し、＠８図に示
すように、導体層α＊ 、 ’ｔ′？）間の抵抗値が５
０Ωから１００Ω、１００Ωから２００Ω、２００Ωか
ら（１）に不連続的に変化することになる。
なお、実施例では下部磁気コアを強磁性基板（１］によ
り構成した場合を示したが、非磁性基板上に磁性膜から
なる下部磁気コアを形成した場合でもこの発明を同種に
実施できるのは勿論である。
り構成した場合を示したが、非磁性基板上に磁性膜から
なる下部磁気コアを形成した場合でもこの発明を同種に
実施できるのは勿論である。
また、モニターへ＊ 、 ａｊにおいては、研摩により
削除されて断線する連結部が基板（１）表面ではなくス
ルーホールａ侍、（イ）における垂直方向の積層部分に
なることから、磁気ヘッドのトラック幅方向の占有領域
が非常に小さくなり、このため、複数個のこの種モニタ
ーをトラック幅方向に並べて設置することが容易となり
、デプス検出不可能領域を小さくできるものである。
削除されて断線する連結部が基板（１）表面ではなくス
ルーホールａ侍、（イ）における垂直方向の積層部分に
なることから、磁気ヘッドのトラック幅方向の占有領域
が非常に小さくなり、このため、複数個のこの種モニタ
ーをトラック幅方向に並べて設置することが容易となり
、デプス検出不可能領域を小さくできるものである。
以上のように、この発明の薄膜磁気ヘッドによると、記
録媒体対７１面の研摩に伴ないデプス制御用モニターの
導体パターン間に不連続的な抵抗値変化が得られ乙ため
、研摩量、すなわちデプス長の明確な識別が可能になり
、しかも、モニターの回路切断点がデプスエンドを決定
する絶縁層パターンと同一工程で形成されるため、モニ
ターの一ノｆターンずれ、パターン形成精度の相異の影
響が全くなくなり、極めて高精度なデプス制御が可能に
なるものである。
録媒体対７１面の研摩に伴ないデプス制御用モニターの
導体パターン間に不連続的な抵抗値変化が得られ乙ため
、研摩量、すなわちデプス長の明確な識別が可能になり
、しかも、モニターの回路切断点がデプスエンドを決定
する絶縁層パターンと同一工程で形成されるため、モニ
ターの一ノｆターンずれ、パターン形成精度の相異の影
響が全くなくなり、極めて高精度なデプス制御が可能に
なるものである。
第１図ないし＠８図はこの発明の薄膜磁気ヘッドの実施
例を示し、第１図ないし第３図は第１の実施例を示し、
第１図（ａ）および（ｂ）はデプス制御用モニターの平
面図および断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）はそれぞれモ
ニターの形成工程を示す断面図、＠３図はモニターの研
摩量に対する電気抵抗値の特性図、第４図ないし第８図
は第２の実施例を示し、＠４図、＠５図および第６図は
それぞれモニターを冨む磁気ヘッドの形成工程を示し、
それぞれの（ａ）は平面図、それぞれの（ｂ）およびそ
れぞれの（Ｃ）はそれぞれの（ａ）におけるＸ−Ｘ線お
よびＹ−Ｙ線の断面図、第７図はモニターによる電気回
路図、第８図は第３図に対応する特性図、＠９図ないし
第１１図は一般の薄膜磁気ヘッドを示し、第９図（ａ）
および（ｂ）は平面図および断面図、第１０図（ａ）〜
（ロ））はそれぞれ形成工程の断面図、第１１図は完成
後の断面図、＠１２図（ａ）および（ｂ）は従来のデプ
ス制御用モニターの平面図および断面図、＠１３図は従
来の他のモニターの平面図、第１４図は＠１３図のモニ
ターの第３図に対応する特性図である。 ！１） ・・・強磁性基板、（２ａ）、（２ｂ） −＠
１ 、第２絶縁層、（３） ・・・導体層、Ｃ４）、
、、上部磁性層、（５ａ）、（５ｂ）・・・スルーホー
ル、（６） ｔ （６）・・・ギャップ形成層、α９゜
Ｏ６・・・デプス制御用モニター、αＱ、αη・・・導
体層、（ト）、Ｑｌ・・・スルーホール、（２ｏ） 、
（２ｏａ ） 、 （２ｏｂ ） −・・導電性磁性
層。
例を示し、第１図ないし第３図は第１の実施例を示し、
第１図（ａ）および（ｂ）はデプス制御用モニターの平
面図および断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）はそれぞれモ
ニターの形成工程を示す断面図、＠３図はモニターの研
摩量に対する電気抵抗値の特性図、第４図ないし第８図
は第２の実施例を示し、＠４図、＠５図および第６図は
それぞれモニターを冨む磁気ヘッドの形成工程を示し、
それぞれの（ａ）は平面図、それぞれの（ｂ）およびそ
れぞれの（Ｃ）はそれぞれの（ａ）におけるＸ−Ｘ線お
よびＹ−Ｙ線の断面図、第７図はモニターによる電気回
路図、第８図は第３図に対応する特性図、＠９図ないし
第１１図は一般の薄膜磁気ヘッドを示し、第９図（ａ）
および（ｂ）は平面図および断面図、第１０図（ａ）〜
（ロ））はそれぞれ形成工程の断面図、第１１図は完成
後の断面図、＠１２図（ａ）および（ｂ）は従来のデプ
ス制御用モニターの平面図および断面図、＠１３図は従
来の他のモニターの平面図、第１４図は＠１３図のモニ
ターの第３図に対応する特性図である。 ！１） ・・・強磁性基板、（２ａ）、（２ｂ） −＠
１ 、第２絶縁層、（３） ・・・導体層、Ｃ４）、
、、上部磁性層、（５ａ）、（５ｂ）・・・スルーホー
ル、（６） ｔ （６）・・・ギャップ形成層、α９゜
Ｏ６・・・デプス制御用モニター、αＱ、αη・・・導
体層、（ト）、Ｑｌ・・・スルーホール、（２ｏ） 、
（２ｏａ ） 、 （２ｏｂ ） −・・導電性磁性
層。
Claims (1)
- （１）下部磁気コア上に第１絶縁層を介して導体層を形
成し、前記導体層を覆う第２絶縁層を形成し、前記両絶
縁層にデプスエンドを決定するスルーホールを形成し、
前記スルーホールの下部磁気コア上にギャップ形成層を
介して対向する上部磁気コアを形成し、前記導体層を前
記両磁気コアからなる磁気ループに鎖交させてなる薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記下部磁気コア上に形成された
２個の導体パターンと、前記スルーホールの形成時に前
記両絶縁層に形成された前記導体パターン上のスルーホ
ールを介して前記両導体パターンを電気的に接続する導
電性磁性層とからなるデプス制御用モニターを備えたこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8476385A JPS61243910A (ja) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8476385A JPS61243910A (ja) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243910A true JPS61243910A (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=13839718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8476385A Pending JPS61243910A (ja) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243910A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6384711U (ja) * | 1986-11-22 | 1988-06-03 | ||
| JPS6384712U (ja) * | 1986-11-22 | 1988-06-03 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698712A (en) * | 1980-01-07 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Manufacture of thin-film magnetic head |
-
1985
- 1985-04-20 JP JP8476385A patent/JPS61243910A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698712A (en) * | 1980-01-07 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Manufacture of thin-film magnetic head |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6384711U (ja) * | 1986-11-22 | 1988-06-03 | ||
| JPS6384712U (ja) * | 1986-11-22 | 1988-06-03 | ||
| JPH0433528Y2 (ja) * | 1986-11-22 | 1992-08-11 | ||
| JPH0433527Y2 (ja) * | 1986-11-22 | 1992-08-11 |
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