JPH0325036B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0325036B2 JPH0325036B2 JP59111441A JP11144184A JPH0325036B2 JP H0325036 B2 JPH0325036 B2 JP H0325036B2 JP 59111441 A JP59111441 A JP 59111441A JP 11144184 A JP11144184 A JP 11144184A JP H0325036 B2 JPH0325036 B2 JP H0325036B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- pattern
- conductive layer
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明はバーバー・ポール型の磁気抵抗素子で
ある磁気検出器（磁気センサ）の製造方法、特に
セルフアラインメントの手法により正確に位置合
せを行なえるようにした磁気検出器の製造方法に
関する。
ある磁気検出器（磁気センサ）の製造方法、特に
セルフアラインメントの手法により正確に位置合
せを行なえるようにした磁気検出器の製造方法に
関する。
(2) 技術の背景
磁気抵抗効果を利用して磁界を検出するために
は磁界と出力との直線性を得る必要がある。その
一つの手段として磁性薄帯に45度傾けて多数の導
電性薄帯を設けることにより磁界の変化に比例し
た磁気抵抗の変化を得ることができる。すなわ
ち、素子の抵抗ρは、磁化の方向（Ｍ）と電流
（）との成す角θに関係し、ρ＝ρ⊥＋Δρ〓cos2θ
で表される。ここでΔρ〓≡ρ‖−ρ⊥であり、ρ‖
とρ⊥は各々磁化の方向と電流が平行および直角
の時の比抵抗を示す。従つてθが45度になるよう
に、抵抗の低い導電性薄帯中に電流を流すと第１
図の線に示すようにある範囲で磁界と出力との線
型性（直線性）を得ることができる。
は磁界と出力との直線性を得る必要がある。その
一つの手段として磁性薄帯に45度傾けて多数の導
電性薄帯を設けることにより磁界の変化に比例し
た磁気抵抗の変化を得ることができる。すなわ
ち、素子の抵抗ρは、磁化の方向（Ｍ）と電流
（）との成す角θに関係し、ρ＝ρ⊥＋Δρ〓cos2θ
で表される。ここでΔρ〓≡ρ‖−ρ⊥であり、ρ‖
とρ⊥は各々磁化の方向と電流が平行および直角
の時の比抵抗を示す。従つてθが45度になるよう
に、抵抗の低い導電性薄帯中に電流を流すと第１
図の線に示すようにある範囲で磁界と出力との線
型性（直線性）を得ることができる。
第２図は従来例をａの断面図とｂの平面図に示
し、図において１は表面に二酸化シリコン
（SiO2）層が形成されたシリコンウエハまたはパ
イレツクス基板を示す。パーマロイ、ニツケル−
コバルト等の磁性薄膜が蒸着法およびスパツタ法
で付着され、リングラフイーおよびエツチング技
術によつて短冊形の磁性薄膜２が形成される。磁
化の方向がパターンに平行に向いているようにす
ると前記した直線性が良くなるから、真空中で温
度を上げ、短冊に平行に磁界を加え、磁界容易軸
をパターンの長手方向に作る。または、磁界中で
磁性膜を付着させて異方性を生じせしめても良
い。
し、図において１は表面に二酸化シリコン
（SiO2）層が形成されたシリコンウエハまたはパ
イレツクス基板を示す。パーマロイ、ニツケル−
コバルト等の磁性薄膜が蒸着法およびスパツタ法
で付着され、リングラフイーおよびエツチング技
術によつて短冊形の磁性薄膜２が形成される。磁
化の方向がパターンに平行に向いているようにす
ると前記した直線性が良くなるから、真空中で温
度を上げ、短冊に平行に磁界を加え、磁界容易軸
をパターンの長手方向に作る。または、磁界中で
磁性膜を付着させて異方性を生じせしめても良
い。
次に当該薄膜２上にチタン（Ti）、クロム
（Cr）等の密着層６を介して金等の導電性膜が積
層され、リソグラフイーにより磁性薄帯に対して
45度傾けて導電性薄帯３が作られる。なお、シリ
コンウエハを用いるときはその上に絶縁膜を形成
する。
（Cr）等の密着層６を介して金等の導電性膜が積
層され、リソグラフイーにより磁性薄帯に対して
45度傾けて導電性薄帯３が作られる。なお、シリ
コンウエハを用いるときはその上に絶縁膜を形成
する。
(3) 従来技術と問題点
バーバー・ポール型の検出器は磁性薄帯上に導
電性薄帯が形成されて成るが、従来下層の磁性薄
帯から順次積層されて形成されていた。しかし、
この方法によると当該上下層の位置合せを厳密に
行わないと出力効率が落ちる欠点があつた。
電性薄帯が形成されて成るが、従来下層の磁性薄
帯から順次積層されて形成されていた。しかし、
この方法によると当該上下層の位置合せを厳密に
行わないと出力効率が落ちる欠点があつた。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、磁性薄帯と導
電性薄帯を正確に位置合せをするための効率の良
い磁気検出器の製造方法を提供することを目的と
する。
電性薄帯を正確に位置合せをするための効率の良
い磁気検出器の製造方法を提供することを目的と
する。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によると、ガラスまた
は二酸化シリコン（SiO2）が表面に形成された
シリコン基板上に磁性層、密着層および導電層の
３層を同一烝着機内で真空を破ることなく順次蒸
着する工程、磁性パターン上に形成する導電層を
磁性パターン幅よりも長く形成する工程、および
前記工程で形成された導電層パターンに合わせた
磁性パターン用のレジストパターンを用いて導電
層、密着層、磁性層のすべてを同時にイオンミリ
ングで物理的にエツチングして磁性抵抗パターン
を形成する工程を含むことを特徴とする磁気検出
器の製造方法を提供することによつて達成され
る。
は二酸化シリコン（SiO2）が表面に形成された
シリコン基板上に磁性層、密着層および導電層の
３層を同一烝着機内で真空を破ることなく順次蒸
着する工程、磁性パターン上に形成する導電層を
磁性パターン幅よりも長く形成する工程、および
前記工程で形成された導電層パターンに合わせた
磁性パターン用のレジストパターンを用いて導電
層、密着層、磁性層のすべてを同時にイオンミリ
ングで物理的にエツチングして磁性抵抗パターン
を形成する工程を含むことを特徴とする磁気検出
器の製造方法を提供することによつて達成され
る。
(6) 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によつて詳述する。
本発明は正確な位置合せを行う手段として導電
性薄帯（長さｌ）を磁性薄帯（幅Ｗ）より長くし
（Ｗ＜ｌ）、両薄膜を順次上層からエツチングして
パターンを形成するものである。
性薄帯（長さｌ）を磁性薄帯（幅Ｗ）より長くし
（Ｗ＜ｌ）、両薄膜を順次上層からエツチングして
パターンを形成するものである。
第３図Ａ…Ｅの断面図と同図ｂ…ｅの平面図に
本発明実施例を示すが、平面図ｂ…ｅは断面図Ｂ
…Ｅに対応する。第３図Ａに示される如く基板１
１上に磁性層（膜厚300〜500Å）１２、密着層
（膜厚250〜1000Å）１６、導電層（膜厚500〜
2000Å）１３を連続して成膜する。磁化容易軸の
形成は従来の場合と同様である。
本発明実施例を示すが、平面図ｂ…ｅは断面図Ｂ
…Ｅに対応する。第３図Ａに示される如く基板１
１上に磁性層（膜厚300〜500Å）１２、密着層
（膜厚250〜1000Å）１６、導電層（膜厚500〜
2000Å）１３を連続して成膜する。磁化容易軸の
形成は従来の場合と同様である。
リソグラフイーとエツチング技術（ケミカル、
プラズマ、イオンミリング）を用い磁性層１２の
幅（Ｗ）よりも長い導電層１３を作製する。（第
３図Ｂ）。このとき、密着層１６も同時にエツチ
ングする。次に新たなレジスト膜１８を用い磁性
層１２をリソグラフイーによりパターニングする
が（第３図ｃ）、ｌがＷより長いために厳密に位
置合せを行う必要はない（第３図ｂ，ｃ参照）。
磁性薄帯よりはみ出た導電体層１３は磁性薄帯を
形成する際に同時にエツチングされる（第３図
Ｄ，ｄ）。
プラズマ、イオンミリング）を用い磁性層１２の
幅（Ｗ）よりも長い導電層１３を作製する。（第
３図Ｂ）。このとき、密着層１６も同時にエツチ
ングする。次に新たなレジスト膜１８を用い磁性
層１２をリソグラフイーによりパターニングする
が（第３図ｃ）、ｌがＷより長いために厳密に位
置合せを行う必要はない（第３図ｂ，ｃ参照）。
磁性薄帯よりはみ出た導電体層１３は磁性薄帯を
形成する際に同時にエツチングされる（第３図
Ｄ，ｄ）。
最後にSiO2等の保護層１４が作製され、Au等
の導体によつて第２図の外部端子５に対応する端
子が形成されて完成する（第３図Ｅ，ｅ）。
の導体によつて第２図の外部端子５に対応する端
子が形成されて完成する（第３図Ｅ，ｅ）。
本発明によれば、Ｗより長い導電性薄帯を用い
上層より順次パターンを形成してゆくことによ
り、簡略な位置合せにより正確な磁性層と導電層
の位置関係を実現することができるので、出力効
率の低下を防ぐことができ、その効果は大きい。
上層より順次パターンを形成してゆくことによ
り、簡略な位置合せにより正確な磁性層と導電層
の位置関係を実現することができるので、出力効
率の低下を防ぐことができ、その効果は大きい。
なお、薄帯や密着層等用いる材料は実施例に限
らない。また薄帯の幅、形状等も図示の場合限定
されず又つづら折り形状にした場合のコーナ部分
等にも適用できる。シリコンウエハを用いるとき
は従来の場合と同様にその上に絶縁膜を設けなけ
ればならないが、パイレツクス基板を用いるとき
はその必要がない。エツチングをケミカルエツチ
ングでなすときは基板１１は影響を受けないが、
イオンミリングのときは基板も若干エツチングさ
れる。しかし、基板は磁気抵抗素子をのせる台と
して設けらるものであるから、それのエツチング
は別に問題はない。
らない。また薄帯の幅、形状等も図示の場合限定
されず又つづら折り形状にした場合のコーナ部分
等にも適用できる。シリコンウエハを用いるとき
は従来の場合と同様にその上に絶縁膜を設けなけ
ればならないが、パイレツクス基板を用いるとき
はその必要がない。エツチングをケミカルエツチ
ングでなすときは基板１１は影響を受けないが、
イオンミリングのときは基板も若干エツチングさ
れる。しかし、基板は磁気抵抗素子をのせる台と
して設けらるものであるから、それのエツチング
は別に問題はない。
(7) 発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、同じ
パターンを用いたセルフアラインメントの位置合
せにより正確に磁性層と導電層の位置関係を実現
することができるので出力効率の低下をなくす効
果がある。
パターンを用いたセルフアラインメントの位置合
せにより正確に磁性層と導電層の位置関係を実現
することができるので出力効率の低下をなくす効
果がある。
第１図は本検出器の原理を説明する図、第２図
は従来例の断面図と平面図、第３図は本発明の実
施例を示す図である。 １１……基板、１２……磁性層、１３……導電
層、１４……保護層、１５……外部端子、１６…
…密着層、１７，１８……レジスト膜。
は従来例の断面図と平面図、第３図は本発明の実
施例を示す図である。 １１……基板、１２……磁性層、１３……導電
層、１４……保護層、１５……外部端子、１６…
…密着層、１７，１８……レジスト膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラスまたは二酸化シリコン（SiO2）が表
面に形成されたシリコン基板上に磁性層、密着層
および導電層の３層を同一烝着機内で真空を破る
ことなく順次蒸着する工程、 磁性パターン上に形成する導電層を磁性パター
ン幅よりも長く形成する工程、および 前記工程で形成された導電層パターンに合わせ
た磁性パターン用のレジストパターンを用いて導
電層、密着層、磁性層のすべてを同時にイオンミ
リングで物理的にエツチングして磁性抵抗パター
ンを形成する工程を含むことを特徴とする磁気検
出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111441A JPS60254781A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 磁気検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111441A JPS60254781A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 磁気検出器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254781A JPS60254781A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0325036B2 true JPH0325036B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=14561276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59111441A Granted JPS60254781A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 磁気検出器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254781A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2720442B2 (ja) * | 1988-02-04 | 1998-03-04 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843237A (ja) * | 1971-09-30 | 1973-06-22 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102160U (ja) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59111441A patent/JPS60254781A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843237A (ja) * | 1971-09-30 | 1973-06-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60254781A (ja) | 1985-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5079035A (en) | Method of making a magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias | |
| US5018037A (en) | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias | |
| JP2720806B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法 | |
| EP1407282A1 (en) | Barber pole structure for magnetorestrictive sensors | |
| JPS63170981A (ja) | 強磁性体磁気抵抗素子 | |
| JPH05281319A (ja) | 磁気センサ | |
| JPH0325036B2 (ja) | ||
| JP2000298162A (ja) | 磁気検出素子とその製造方法及び磁気検出装置 | |
| JPS6331116B2 (ja) | ||
| KR20050051655A (ko) | 자기 저항 효과 소자, 이 제조 방법 및 사용 방법 | |
| EP1725884B1 (en) | Improved permalloy sensor | |
| JP2586680B2 (ja) | 磁気抵抗素子とその製造方法 | |
| JPS6135976Y2 (ja) | ||
| JP3047607B2 (ja) | 強磁性磁気抵抗素子 | |
| JPS6045922A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2806549B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH0140510B2 (ja) | ||
| JPS61248486A (ja) | 強磁性磁気抵抗素子 | |
| JPH04255276A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JP2873861B2 (ja) | 差動型磁気抵抗素子 | |
| JPS635257Y2 (ja) | ||
| JPS61248485A (ja) | 強磁性磁気抵抗素子 | |
| JPS61243910A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH03219683A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPH08220204A (ja) | 磁電変換素子 |