JPS61248486A - 強磁性磁気抵抗素子 - Google Patents
強磁性磁気抵抗素子Info
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- JPS61248486A JPS61248486A JP60089566A JP8956685A JPS61248486A JP S61248486 A JPS61248486 A JP S61248486A JP 60089566 A JP60089566 A JP 60089566A JP 8956685 A JP8956685 A JP 8956685A JP S61248486 A JPS61248486 A JP S61248486A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- ferromagnetic
- layer
- magnetic field
- magnetoresistive element
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、たとえば回転センサを構成するためのＦｒ
ｉ電変換素子に利用される強磁性磁気抵抗素子に関する
。
ｉ電変換素子に利用される強磁性磁気抵抗素子に関する
。
［背景技術］
従来の強磁性磁気抵抗素子の構造は、第６図に示すよう
に、絶縁性基板１１上に強磁性薄膜からなる抵抗体１２
を形成し、その後この抵抗体１２の両端に電極１３ａ
、 １３ｂを形成し、ざらにこれらを絶縁体層１４で覆
うことにより構成される。この絶縁体層１４は抵抗体１
２を保護するための膜である。
に、絶縁性基板１１上に強磁性薄膜からなる抵抗体１２
を形成し、その後この抵抗体１２の両端に電極１３ａ
、 １３ｂを形成し、ざらにこれらを絶縁体層１４で覆
うことにより構成される。この絶縁体層１４は抵抗体１
２を保護するための膜である。
このような強磁性薄膜の抵抗体を用いた磁気抵抗素子は
、比較的磁気感度が高いので、ディジタル記録再生ヘッ
ドや回転センサ等の磁電変換素子に利用されている。し
かし、ディジタル記録密度の増加や回転センサの小型化
および高パルス化にともなって、磁気記録ピッチが狭く
なってきているため、抵抗体１２のストライプ幅Ｗも狭
くなり、その結果、磁気抵抗素子の反磁界が大きくなっ
て飽和磁界は大となり、低磁界において出力が小さくな
って感度が低下している。
、比較的磁気感度が高いので、ディジタル記録再生ヘッ
ドや回転センサ等の磁電変換素子に利用されている。し
かし、ディジタル記録密度の増加や回転センサの小型化
および高パルス化にともなって、磁気記録ピッチが狭く
なってきているため、抵抗体１２のストライプ幅Ｗも狭
くなり、その結果、磁気抵抗素子の反磁界が大きくなっ
て飽和磁界は大となり、低磁界において出力が小さくな
って感度が低下している。
［発明が解決しようとする問題点］
この発明は上記のような点′に鑑みなされたもので、強
磁性抵抗体のストライプ幅が狭くても飽和磁界が小ざく
、低磁界における磁気感度が良好な強磁性磁気抵抗素子
を提供しようとするものである。
磁性抵抗体のストライプ幅が狭くても飽和磁界が小ざく
、低磁界における磁気感度が良好な強磁性磁気抵抗素子
を提供しようとするものである。
［問題点を解決するための手段］
すなわち、この発明に係る強磁性磁気抵抗素子は、従来
の磁気抵抗素子の構成要素すなわち絶縁性基板、抵抗体
、およびこれを覆う絶縁体層に加えて、さらにこの絶縁
体層を介して上記抵抗体と磁気結合がなされるように、
この絶縁体層の上に強磁性体層を設けることによって構
成される。ただし、上記抵抗体の全体が絶縁体層を介し
てこの強磁性体層に覆われることがないように、この強
磁性体層は上記抵抗体に対応する部分を除いて上記絶縁
体層の表面に形成するものである。
の磁気抵抗素子の構成要素すなわち絶縁性基板、抵抗体
、およびこれを覆う絶縁体層に加えて、さらにこの絶縁
体層を介して上記抵抗体と磁気結合がなされるように、
この絶縁体層の上に強磁性体層を設けることによって構
成される。ただし、上記抵抗体の全体が絶縁体層を介し
てこの強磁性体層に覆われることがないように、この強
磁性体層は上記抵抗体に対応する部分を除いて上記絶縁
体層の表面に形成するものである。
［作用］
上記のように構成される強磁性磁気抵抗素子におっては
、抵抗体と強磁性体層とが磁気的に結合されているので
、抵抗体のストライプ幅が狭くても、この磁気抵抗素子
の磁気特性は、抵抗体とこの強磁性体層とを合わせた幅
の広い磁性膜を有する場合と等しい。したがって、この
磁気抵抗素子の飽和磁界は、このような強磁性体層をも
たない従来の磁気抵抗素子よりも小ざく、その結果、磁
気感度も大幅に改良される。
、抵抗体と強磁性体層とが磁気的に結合されているので
、抵抗体のストライプ幅が狭くても、この磁気抵抗素子
の磁気特性は、抵抗体とこの強磁性体層とを合わせた幅
の広い磁性膜を有する場合と等しい。したがって、この
磁気抵抗素子の飽和磁界は、このような強磁性体層をも
たない従来の磁気抵抗素子よりも小ざく、その結果、磁
気感度も大幅に改良される。
［実施例コ
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第１図はその構成を示すものであり、この強磁性磁気抵
抗素子についてその形成工程にしたが・つて詳述する。
抗素子についてその形成工程にしたが・つて詳述する。
まず絶縁性の基板１１の上に抵抗体材料であるＮ ｉ
−Ｆｅ （８０： ２０）を蒸着し、そしてこの蒸着膜
をエツチングしてストライブ幅Ｗ−１０μｍの抵抗体１
２を残置する。
−Ｆｅ （８０： ２０）を蒸着し、そしてこの蒸着膜
をエツチングしてストライブ幅Ｗ−１０μｍの抵抗体１
２を残置する。
次に、図面のように抵抗体１２の両端に八λから成る電
極１３ａ、１３ｂを形成し、それから基板１１の全面を
スパッタリング法によりＳｉＯ２で被覆して、絶縁体層
１４を形成する。
極１３ａ、１３ｂを形成し、それから基板１１の全面を
スパッタリング法によりＳｉＯ２で被覆して、絶縁体層
１４を形成する。
その後、この絶縁体層１４の上に Ｎ１−Ｆｅ（８０：
２０）等の強磁性材料を真空蒸着し、厚さ０．３μｍ
の蒸着膜を形成する。そして、この蒸着膜の抵抗体１２
上にあたる部分を抵抗体１２から１μｍ外側までエツチ
ング除去することにより、強磁性体層１６を残置する。
２０）等の強磁性材料を真空蒸着し、厚さ０．３μｍ
の蒸着膜を形成する。そして、この蒸着膜の抵抗体１２
上にあたる部分を抵抗体１２から１μｍ外側までエツチ
ング除去することにより、強磁性体層１６を残置する。
ここでは、この抵抗体１２の端部と強磁性体層の端部と
の距離２を１μｍにしたが、この距Ｉ！１２は後述する
ように磁気抵抗素子の特性を決定する大きな要素となる
。なお、強磁性体層１６の長さは抵抗体１２の長さとほ
ぼ同じにする。
の距離２を１μｍにしたが、この距Ｉ！１２は後述する
ように磁気抵抗素子の特性を決定する大きな要素となる
。なお、強磁性体層１６の長さは抵抗体１２の長さとほ
ぼ同じにする。
こうして強磁性体層１６を形成した後、基板１１の全面
をスパッタリング法によりＳｉＯ２で被覆し保護膜１７
とする。そして、電極１３ａ、 １３ｂ上の保護膜１４
．１７をエツチング除去して電極取り出し部分１５ａ、
１５ｂを形成して、図面のような強磁性磁気抵抗素子
が完成する。
をスパッタリング法によりＳｉＯ２で被覆し保護膜１７
とする。そして、電極１３ａ、 １３ｂ上の保護膜１４
．１７をエツチング除去して電極取り出し部分１５ａ、
１５ｂを形成して、図面のような強磁性磁気抵抗素子
が完成する。
この実施例にしたがって構成された磁気抵抗素子の飽和
磁界は、６ （Ｏｅ）であった。これは強磁性体層１６
のない場合の飽和磁界１４０（Ｏｅ）に比べて１／２３
以下の値でおり、強磁性体層１６を設置したことによる
飽和磁界の低減化が認められる。
磁界は、６ （Ｏｅ）であった。これは強磁性体層１６
のない場合の飽和磁界１４０（Ｏｅ）に比べて１／２３
以下の値でおり、強磁性体層１６を設置したことによる
飽和磁界の低減化が認められる。
ここで飽和磁界について第２図を参照して簡単に説明す
る。この図は上記実施例に係る磁気抵抗素子ａと従来の
磁気抵抗素子すのそれぞれについて磁界強度と抵抗値変
化率との関係を示した図でおる。飽和磁界とは、この抵
抗値の変化率が一定になったときの磁界強度と定義され
ているので、磁気抵抗素子ａの飽和磁界は６（Ｏｅ）、
磁気抵抗素子すの飽和磁界は１４０（Ｏｅ）である。先
述した両磁気抵抗素子の飽和磁界値もこのような実験結
果から読み取ったものである。ここで磁気抵抗素子の磁
気感度は、抵抗値変化率の絶対値が大きい方が良好であ
る。したがって低磁界においても磁気感度が良好である
ためには、この図から明らかなように飽和磁界の値はで
きるだけ小さい方が良い。したがって、上記実施例に係
る磁気抵抗素子ａの方が従来の磁気抵抗素子すよりも磁
気感度がはるかに良好であることがわかる。
る。この図は上記実施例に係る磁気抵抗素子ａと従来の
磁気抵抗素子すのそれぞれについて磁界強度と抵抗値変
化率との関係を示した図でおる。飽和磁界とは、この抵
抗値の変化率が一定になったときの磁界強度と定義され
ているので、磁気抵抗素子ａの飽和磁界は６（Ｏｅ）、
磁気抵抗素子すの飽和磁界は１４０（Ｏｅ）である。先
述した両磁気抵抗素子の飽和磁界値もこのような実験結
果から読み取ったものである。ここで磁気抵抗素子の磁
気感度は、抵抗値変化率の絶対値が大きい方が良好であ
る。したがって低磁界においても磁気感度が良好である
ためには、この図から明らかなように飽和磁界の値はで
きるだけ小さい方が良い。したがって、上記実施例に係
る磁気抵抗素子ａの方が従来の磁気抵抗素子すよりも磁
気感度がはるかに良好であることがわかる。
このように磁気抵抗素子におっては、その飽和磁界の値
の低減化を図ることによって磁気感度を向上させること
ができる。そこで第３図を参照しながら上記実施例に係
る磁気抵抗素子において、飽和磁界をより小さくするた
めの条件を説明する。
の低減化を図ることによって磁気感度を向上させること
ができる。そこで第３図を参照しながら上記実施例に係
る磁気抵抗素子において、飽和磁界をより小さくするた
めの条件を説明する。
この図は上述した磁気抵抗素子において強磁性体層１６
と抵抗体１２どの距離２を種々に変化させた時の飽和磁
界の変化の様子を示すものである。この図に示されてい
るように、強磁性体層と抵抗体との距離２の増加ととも
に飽和磁界は大きくななつ、特に距離２を１４μｍ以上
にすると飽和磁界は急激に増加する。したがって、より
低い飽和磁界を達成するには、この距＠℃を１４μｍ以
下にするのが好ましいことが理解できる。
と抵抗体１２どの距離２を種々に変化させた時の飽和磁
界の変化の様子を示すものである。この図に示されてい
るように、強磁性体層と抵抗体との距離２の増加ととも
に飽和磁界は大きくななつ、特に距離２を１４μｍ以上
にすると飽和磁界は急激に増加する。したがって、より
低い飽和磁界を達成するには、この距＠℃を１４μｍ以
下にするのが好ましいことが理解できる。
以上、第１図のように強磁性体層１６を抵抗体１２の両
側に設けた場合について説明したが、強磁性体層１６は
抵抗体１２の片側だけに設けるようにしてもよく、その
場合も上述したような飽和磁界の低減化効果が得られる
。
側に設けた場合について説明したが、強磁性体層１６は
抵抗体１２の片側だけに設けるようにしてもよく、その
場合も上述したような飽和磁界の低減化効果が得られる
。
次に第４図を参照してざらに他の実施例を説明する。ま
ず、ガラス基板１１の上に Ｎ＋−Ｃ○（８０： ２０
）を蒸着し、そしてこの蒸着膜をエツチングすることに
よりストライプ幅Ｗ−１５μｍの抵抗体１２を残置する
。
ず、ガラス基板１１の上に Ｎ＋−Ｃ○（８０： ２０
）を蒸着し、そしてこの蒸着膜をエツチングすることに
よりストライプ幅Ｗ−１５μｍの抵抗体１２を残置する
。
次いで抵抗体１２の両端に八２から成る電極１３ａ、１
３ｂを形成し、それから基板１１の全面をＰＩＱで被覆
し絶縁体層１４とする。
３ｂを形成し、それから基板１１の全面をＰＩＱで被覆
し絶縁体層１４とする。
その後、この絶縁体層１４の上にＦｅ等の強磁性材料を
真空蒸着して厚さ０．４μｍの蒸着膜を形成する。そし
て、この蒸着膜の抵抗体１２上にあたる部分を図のよう
に幅１０１１ｍにわたってエツチング除去することによ
り、強磁性体層１６を残置する。この実施例は絶縁体層
１４を介して強磁性体層が抵抗体１２と重なる点に特徴
があるが、この重なりの幅（図面のｆ−ｆ１＋ｆ２）、
換言すれば強磁性体層１６の対向間隔（図面のＱ）が、
後述するように磁気抵抗素子の特性を決定する大きな要
素となるものである。なお、強磁性体層１６の長さは抵
抗体１２の長さとほぼ同じにする。
真空蒸着して厚さ０．４μｍの蒸着膜を形成する。そし
て、この蒸着膜の抵抗体１２上にあたる部分を図のよう
に幅１０１１ｍにわたってエツチング除去することによ
り、強磁性体層１６を残置する。この実施例は絶縁体層
１４を介して強磁性体層が抵抗体１２と重なる点に特徴
があるが、この重なりの幅（図面のｆ−ｆ１＋ｆ２）、
換言すれば強磁性体層１６の対向間隔（図面のＱ）が、
後述するように磁気抵抗素子の特性を決定する大きな要
素となるものである。なお、強磁性体層１６の長さは抵
抗体１２の長さとほぼ同じにする。
こうして強磁性体１ｉ１１１３を形成した後、基板１１
の全面をＰＩＱで被覆し保護ＷＡ１７とする。そして、
電極１３上の保１膜１４．１７をエツチング除去して電
極取り出し部分１５ａ、１５ｂを形成することにより、
図面のような強磁性磁気抵抗素子が完成する。
の全面をＰＩＱで被覆し保護ＷＡ１７とする。そして、
電極１３上の保１膜１４．１７をエツチング除去して電
極取り出し部分１５ａ、１５ｂを形成することにより、
図面のような強磁性磁気抵抗素子が完成する。
この実施例にしたがって構成された磁気抵抗素子の飽和
磁界は、１５（Ｏｅ）で、これは強磁性体層１６のない
場合の飽和磁界の１／１０以下の値でおり、強磁性体層
１６を設置したことによる飽和磁界の低減化が認められ
る。
磁界は、１５（Ｏｅ）で、これは強磁性体層１６のない
場合の飽和磁界の１／１０以下の値でおり、強磁性体層
１６を設置したことによる飽和磁界の低減化が認められ
る。
さて第２図を参照して説明したように、磁気抵抗素子が
低磁界においても良好な磁気感度を有するだめには飽和
磁界の値はできるだけ小さい方が良い。そこで第５図を
参照しながら、第４図に示した実施例に係る磁気抵抗素
子において、飽和磁界をより小ざくするための条件を説
明する。この図は第４図に示した磁気抵抗素子において
、抵抗体１２上での強磁性体層１６の対向間隔９を種々
に変化させた時の飽和磁界の変化の様子を示すものであ
る。ただし、この図の横軸は抵抗間隔Ｑそのものではな
く、この間隔Ｑの抵抗体幅Ｗに対する比（ＣＩ／Ｗ＞を
示しである。またこの図の上側の横軸は強磁性体層１６
と抵抗体１２との重なり幅ｆと抵抗体幅Ｗとの比（ｆ／
Ｗ＞を示している。この図かられかるようにＱ／Ｗの増
加とともに飽和磁界は減少し、特にｇ／Ｗを０．４以上
（２１５以上）、すなわちｆ／Ｗを３７５以下にする
と飽和磁界は急激に減少する。したがって、より低い飽
和磁界を達成するには、強磁性体層１６と抵抗体１２ど
の重なり幅ｆを抵抗体１２の幅Ｗの３１５以下にするの
が好ましい・。
低磁界においても良好な磁気感度を有するだめには飽和
磁界の値はできるだけ小さい方が良い。そこで第５図を
参照しながら、第４図に示した実施例に係る磁気抵抗素
子において、飽和磁界をより小ざくするための条件を説
明する。この図は第４図に示した磁気抵抗素子において
、抵抗体１２上での強磁性体層１６の対向間隔９を種々
に変化させた時の飽和磁界の変化の様子を示すものであ
る。ただし、この図の横軸は抵抗間隔Ｑそのものではな
く、この間隔Ｑの抵抗体幅Ｗに対する比（ＣＩ／Ｗ＞を
示しである。またこの図の上側の横軸は強磁性体層１６
と抵抗体１２との重なり幅ｆと抵抗体幅Ｗとの比（ｆ／
Ｗ＞を示している。この図かられかるようにＱ／Ｗの増
加とともに飽和磁界は減少し、特にｇ／Ｗを０．４以上
（２１５以上）、すなわちｆ／Ｗを３７５以下にする
と飽和磁界は急激に減少する。したがって、より低い飽
和磁界を達成するには、強磁性体層１６と抵抗体１２ど
の重なり幅ｆを抵抗体１２の幅Ｗの３１５以下にするの
が好ましい・。
なお強磁性体層１６は第４図のように抵抗体１２の゛両
側から重なるように設けてもよいが、抵抗体１２の片側
だけに設けるようにしてもよい。その場合も上述したよ
うな飽和磁界の低減化効果が得られる。
側から重なるように設けてもよいが、抵抗体１２の片側
だけに設けるようにしてもよい。その場合も上述したよ
うな飽和磁界の低減化効果が得られる。
また上述した全ての実施例において、特に強磁性体１！
１１６を保護する必要がない時は保護膜１７は形成しな
くてもよい。また当然ながら抵抗体１２と絶縁体層１４
と強磁性体層１６の積層順序を変えて、下から強磁性体
ＩＩＩＢ、絶縁体層１４、抵抗体１２としても同様の効
果が得られる。
１１６を保護する必要がない時は保護膜１７は形成しな
くてもよい。また当然ながら抵抗体１２と絶縁体層１４
と強磁性体層１６の積層順序を変えて、下から強磁性体
ＩＩＩＢ、絶縁体層１４、抵抗体１２としても同様の効
果が得られる。
［発明の効果］
以上のようにこの発明に係る強磁性磁気抵抗素子は、絶
縁体層を介して抵抗体の両側または片側に撫磁性体層が
設けられ、この強磁性体層と上記抵抗体とが磁気的に結
合されるので、抵抗体自体のストライプ幅が狭い場合で
も飽和磁界が小さく磁気感度が良好である。
縁体層を介して抵抗体の両側または片側に撫磁性体層が
設けられ、この強磁性体層と上記抵抗体とが磁気的に結
合されるので、抵抗体自体のストライプ幅が狭い場合で
も飽和磁界が小さく磁気感度が良好である。
第１図（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
に係る強磁性磁気抵抗素子の平面および断面模式図、第
２図および第３図はそれぞれ上記実施例の飽和磁界を説
明するための図であり、第４図および第５図はそれぞれ
他の実施例に係る強磁性磁気抵抗素子の構造およびその
飽和磁界を説明するための図である。そして第６図は従
来の強磁性磁気抵抗素子の構成を示す図でおる。 １１・・・基板、１２・・・抵抗体、１３ａ、 １３ｂ
・・・電極、１４・・・絶縁体層、１５ａ、１５ｂ・・
・電極取り出し部分、１６・・・強磁性体層、１７・・
・保護膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第６図 （Ａ ） （Ａ ） １２ １３ａ、１３１） １２ １３
Ｑ、ｔ３ｂ第２図 第３図 低ｔＫ−う；ト・し５Ｋ ｒａ ＋ｉ勺−ノ１）と−＝
ｙｔｇｔ ｆｔ ／ｐ ｍ第４図 （Ａ）
に係る強磁性磁気抵抗素子の平面および断面模式図、第
２図および第３図はそれぞれ上記実施例の飽和磁界を説
明するための図であり、第４図および第５図はそれぞれ
他の実施例に係る強磁性磁気抵抗素子の構造およびその
飽和磁界を説明するための図である。そして第６図は従
来の強磁性磁気抵抗素子の構成を示す図でおる。 １１・・・基板、１２・・・抵抗体、１３ａ、 １３ｂ
・・・電極、１４・・・絶縁体層、１５ａ、１５ｂ・・
・電極取り出し部分、１６・・・強磁性体層、１７・・
・保護膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第６図 （Ａ ） （Ａ ） １２ １３ａ、１３１） １２ １３
Ｑ、ｔ３ｂ第２図 第３図 低ｔＫ−う；ト・し５Ｋ ｒａ ＋ｉ勺−ノ１）と−＝
ｙｔｇｔ ｆｔ ／ｐ ｍ第４図 （Ａ）
Claims (5)
- （１）絶縁性基板と、 上記絶縁性基板上に形成された強磁性薄膜からなる抵抗
体と、 上記絶縁性基板および上記抵抗体を覆う絶縁体層と、 上記抵抗体の少なくとも一部分上に対応する領域を除い
て上記絶縁体層の表面に形成された強磁性体層とを備え
、 上記抵抗体と上記強磁性体層とが上記絶縁体層を介して
磁気結合されるようにしたことを特徴とする強磁性磁気
抵抗素子。 - （２）上記強磁性体層は上記絶縁体層を介して上記抵抗
体の両側に形成され、この強磁性体層と上記抵抗体とは
水平方向に０〜１４μｍだけ離れているように構成した
特許請求の範囲第１項記載の強磁性磁気抵抗素子。 - （３）上記強磁性体層は上記絶縁体層を介して上記抵抗
体の片側に形成され、この強磁性体層と上記抵抗体とは
水平方向に０〜１４μｍだけ離れているように構成した
特許請求の範囲第１項記載の強磁性磁気抵抗素子。 - （４）上記強磁性体層は上記絶縁体層を介して上記抵抗
体の両側から形成され、この強磁性体層と上記抵抗体と
は水平方向にこの抵抗体の幅に重なるまで、望むらくは
３／５以下重なつているようにした特許請求の範囲第１
項記載の強磁性磁気抵抗素子。 - （５）上記強磁性体層は上記絶縁体層を介して上記抵抗
体の片側から形成され、この強磁性体層と上記抵抗体と
は水平方向にこの抵抗体の幅に重なるまで、望むらくは
３／５以下重なつているようにした特許請求の範囲第１
項記載の強磁性磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60089566A JPS61248486A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 強磁性磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60089566A JPS61248486A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 強磁性磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248486A true JPS61248486A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13974359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60089566A Pending JPS61248486A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 強磁性磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248486A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184377A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Nippon Denso Co Ltd | 強磁性磁気抵抗素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690577A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Nec Corp | Magnetic resistance effect element |
| JPS59154085A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
| JPS59195888A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Nec Corp | ヨ−ク付強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP60089566A patent/JPS61248486A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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