JPS59154085A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
- Publication number
- JPS59154085A JPS59154085A JP58027583A JP2758383A JPS59154085A JP S59154085 A JPS59154085 A JP S59154085A JP 58027583 A JP58027583 A JP 58027583A JP 2758383 A JP2758383 A JP 2758383A JP S59154085 A JPS59154085 A JP S59154085A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric
- thin film
- pattern
- sensor pattern
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高透磁率強磁性体によりセンサパタンに作用す
る磁場を強くして感度を高めた磁気抵抗効果素子に関す
る。
る磁場を強くして感度を高めた磁気抵抗効果素子に関す
る。
例えば、移動物体に信号磁場発生手段を設け、磁気抵抗
効果素子により信号磁場の変化を検出させ、移動物体の
移動量のエンコーダとする場合、移動物体とセンサであ
る磁気抵抗効果素子との間隔は、移動物体が移動する際
のぶれなどを考慮すると大きくとるのが望ましいが、実
際には感度上の制約から望ましい大きい間隔をとれない
場合も多い。
効果素子により信号磁場の変化を検出させ、移動物体の
移動量のエンコーダとする場合、移動物体とセンサであ
る磁気抵抗効果素子との間隔は、移動物体が移動する際
のぶれなどを考慮すると大きくとるのが望ましいが、実
際には感度上の制約から望ましい大きい間隔をとれない
場合も多い。
本発明の目的は従来よりも感度の高い磁気抵抗効果素子
を提供することにある。
を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、高貴ｉ磁
率強磁性体薄膜よりなる集磁用ノくタンを、絶縁体薄膜
を介して電気絶縁を保たせながら、信号磁場変化による
電気抵抗変化の検出に用いるセンサパタンに近接して設
置することにした。
率強磁性体薄膜よりなる集磁用ノくタンを、絶縁体薄膜
を介して電気絶縁を保たせながら、信号磁場変化による
電気抵抗変化の検出に用いるセンサパタンに近接して設
置することにした。
第１図は本発明一実施例の断面図、１は本発明に係る高
透磁率強磁性体薄膜よりなる集磁用ノくタン、２はセン
サパタン、３は絶縁体薄膜７．４は基板である。このよ
うにすれば、信号磁場発生媒体からの磁場を、集磁用パ
タン１の集磁効果によって有効にセンサパタンに導（こ
とができ、その磁場変化による電気抵抗変化も大きくな
り、感度が高くなる。
透磁率強磁性体薄膜よりなる集磁用ノくタン、２はセン
サパタン、３は絶縁体薄膜７．４は基板である。このよ
うにすれば、信号磁場発生媒体からの磁場を、集磁用パ
タン１の集磁効果によって有効にセンサパタンに導（こ
とができ、その磁場変化による電気抵抗変化も大きくな
り、感度が高くなる。
以上説明したように本発明によれば、信号磁場発生媒体
からの磁場が有効にセンサパタンに導かれ、実際にセン
サパタンに作用する磁場の変化が太き（なって信号出力
も太き（なり感度が高くなる。また逆に低磁場でも有効
に動作させることができるよう罠なり、信号磁場発生媒
体と磁気抵抗効果素子との間隔を従来よりも広くとれる
ようになり、エンコーダなどの組立裕度な大きくできる
。
からの磁場が有効にセンサパタンに導かれ、実際にセン
サパタンに作用する磁場の変化が太き（なって信号出力
も太き（なり感度が高くなる。また逆に低磁場でも有効
に動作させることができるよう罠なり、信号磁場発生媒
体と磁気抵抗効果素子との間隔を従来よりも広くとれる
ようになり、エンコーダなどの組立裕度な大きくできる
。
第１図は本発明一実施例の断面図である。
ｌ・・・本発明に係る高透磁率強磁性体薄膜よりなる集
磁用バタン、２・・・センサパタン、３・・・絶縁体薄
膜、４・−・基板。 第 １ 図
磁用バタン、２・・・センサパタン、３・・・絶縁体薄
膜、４・−・基板。 第 １ 図
Claims (1)
- 高透磁率強磁性体薄膜よりなる集磁用バタンを、絶縁体
薄膜を介して電気的絶縁を保ちながら、電気抵抗変化の
検出に用いるセンサパタンに近接して設置したことを特
徴とする磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027583A JPS59154085A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027583A JPS59154085A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59154085A true JPS59154085A (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=12224978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58027583A Pending JPS59154085A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59154085A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248486A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Nippon Denso Co Ltd | 強磁性磁気抵抗素子 |
| US6396114B1 (en) | 1999-06-07 | 2002-05-28 | Yazaki Corporation | Magneto-electric device |
-
1983
- 1983-02-23 JP JP58027583A patent/JPS59154085A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248486A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Nippon Denso Co Ltd | 強磁性磁気抵抗素子 |
| US6396114B1 (en) | 1999-06-07 | 2002-05-28 | Yazaki Corporation | Magneto-electric device |
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