JP2586915B2 - 磁気検出器 - Google Patents
磁気検出器Info
- Publication number
- JP2586915B2 JP2586915B2 JP62300026A JP30002687A JP2586915B2 JP 2586915 B2 JP2586915 B2 JP 2586915B2 JP 62300026 A JP62300026 A JP 62300026A JP 30002687 A JP30002687 A JP 30002687A JP 2586915 B2 JP2586915 B2 JP 2586915B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection target
- substrate
- magnetic detector
- sensor
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、磁気抵抗効果素子からなる検出体を有す
る磁気検出器に関するものである。
る磁気検出器に関するものである。
［従来の技術］ 磁気抵抗効果素子（以下MR素子という）は、Ni−Fe,N
i−Coなどの薄膜素子に直交する磁界の変化によって、
抵抗値が変化することにより、印加磁界の変化を検出す
ることができる。従って、永久磁石などを磁界発生手段
として用いるだけの簡単な構成でよく、光源を必要とす
るLEDや、また消耗する可能性のある光源が不可欠なフ
ォトセンサなどよりも構成が簡単で、耐久性にも優れた
センサが得られる。
i−Coなどの薄膜素子に直交する磁界の変化によって、
抵抗値が変化することにより、印加磁界の変化を検出す
ることができる。従って、永久磁石などを磁界発生手段
として用いるだけの簡単な構成でよく、光源を必要とす
るLEDや、また消耗する可能性のある光源が不可欠なフ
ォトセンサなどよりも構成が簡単で、耐久性にも優れた
センサが得られる。
このMR素子を用いた磁気検出器において、磁気記録パ
ターンをもつ被検出体に対して、上記MR素子を用いたセ
ンサ（以下MRセンサという）を検出体として用いること
が考えられる。そしてこの場合、ホール効果素子に比べ
ると、微小な磁界での変化を抵抗変化として正確に検出
できるというMR素子の特性を利用するために、被検出体
の磁気記録パターンと、MR素子で構成された検出体の電
極とを、センサとして満足できる出力を得るために十分
な間隔まで近づける必要がある。そのため、被検出体の
磁気記録パターンに対して、MR素子で構成された検出体
の電極形成面を対向させることで、磁気センサとして動
作させるのに十分な至近間隔を確保している。
ターンをもつ被検出体に対して、上記MR素子を用いたセ
ンサ（以下MRセンサという）を検出体として用いること
が考えられる。そしてこの場合、ホール効果素子に比べ
ると、微小な磁界での変化を抵抗変化として正確に検出
できるというMR素子の特性を利用するために、被検出体
の磁気記録パターンと、MR素子で構成された検出体の電
極とを、センサとして満足できる出力を得るために十分
な間隔まで近づける必要がある。そのため、被検出体の
磁気記録パターンに対して、MR素子で構成された検出体
の電極形成面を対向させることで、磁気センサとして動
作させるのに十分な至近間隔を確保している。
第３図左側は従来の磁気検出器の側面図、同図右側は
MR素子の平面図であり、１は被検出体、２は磁化パター
ン、３はMRセンサ、４は基板、５はMR素子を示し、Fe−
Ni,Ni−Coなどの合金をジグザグ状に折返した形状に蒸
着エッチングなどの方法により、薄膜形成したものであ
る。６はハンダ付け部及び保護層、７は電極取出し端子
である。
MR素子の平面図であり、１は被検出体、２は磁化パター
ン、３はMRセンサ、４は基板、５はMR素子を示し、Fe−
Ni,Ni−Coなどの合金をジグザグ状に折返した形状に蒸
着エッチングなどの方法により、薄膜形成したものであ
る。６はハンダ付け部及び保護層、７は電極取出し端子
である。
上記配置関係のMRセンサ３は、MR素子５で構成された
電極であって、磁化パターン２の変化に対して抵抗変化
による信号を出力として電極取出し端子７により取出
す。そのために、MRセンサの電極取出し端子７と、導電
性をもつ金属線をハンダ付けするか、もしくは圧接する
などの製造工程が必要となる。さらに、ハンダ付け部及
び保護層６を、熱，水分，酸，塩基等から保護するため
に、真空薄膜技術による絶縁膜の形成、或いは樹脂塗布
などの工程も必要となる。従って、MR素子５の電極部分
形成面と比べて、ハンダ付け部及び保護層６の部分が多
少なりとも盛り上がることは避けられない。
電極であって、磁化パターン２の変化に対して抵抗変化
による信号を出力として電極取出し端子７により取出
す。そのために、MRセンサの電極取出し端子７と、導電
性をもつ金属線をハンダ付けするか、もしくは圧接する
などの製造工程が必要となる。さらに、ハンダ付け部及
び保護層６を、熱，水分，酸，塩基等から保護するため
に、真空薄膜技術による絶縁膜の形成、或いは樹脂塗布
などの工程も必要となる。従って、MR素子５の電極部分
形成面と比べて、ハンダ付け部及び保護層６の部分が多
少なりとも盛り上がることは避けられない。
［発明が解決しようとする問題点］ 上述のような従来の磁気検出器においては、ハンダ付
け部分が盛り上っているために、被検出体と検出体との
間隔を近づけることが非常に困難であり、その上、従来
のようなMR素子の配置では、近づけられる距離に限界が
あり、また、至近間隔を得るために、ハンダ付け部分か
らある程度離れた部分にしかMRセンサのパターニングが
出来ないという問題がある。
け部分が盛り上っているために、被検出体と検出体との
間隔を近づけることが非常に困難であり、その上、従来
のようなMR素子の配置では、近づけられる距離に限界が
あり、また、至近間隔を得るために、ハンダ付け部分か
らある程度離れた部分にしかMRセンサのパターニングが
出来ないという問題がある。
このようなパターン設計自由度の低下に起因して、MR
センサ及び被検出体の小型化とコストダウンに対しても
限界があり、さらに、MR素子の保護層を十分厚くできな
いため、MRセンサの信頼性も低下するといった、種々の
問題があった。
センサ及び被検出体の小型化とコストダウンに対しても
限界があり、さらに、MR素子の保護層を十分厚くできな
いため、MRセンサの信頼性も低下するといった、種々の
問題があった。
この発明はかかる従来の問題点を解決するためになさ
れたもので、被検出体と検出体を最大限に近づけること
によって装置の小型化とコストダウンを可能にし、かつ
MR素子のパターン設計の自由度を増し、それによってハ
ンダ付け部及び保護層の形成が容易にできて、MRセンサ
の信頼性の高い磁気検出器を提供することを目的とす
る。
れたもので、被検出体と検出体を最大限に近づけること
によって装置の小型化とコストダウンを可能にし、かつ
MR素子のパターン設計の自由度を増し、それによってハ
ンダ付け部及び保護層の形成が容易にできて、MRセンサ
の信頼性の高い磁気検出器を提供することを目的とす
る。
［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、この発明の磁気検出器
は、所定の磁気記録パターンを有する被検出体と、基板
の一方の表面に磁気抵抗効果素子が形成されるとともに
前記被検出体に対向配置される検出体とを備えた磁気検
出器において、前記基板の磁気抵抗効果素子形成面側
に、前記磁気抵抗効果素子を覆う保護膜が形成されると
ともに、前記磁気抵抗効果素子の電極取り出し端子と導
電性を有する金属線とを接続する接続部が設けられ、前
記基板の磁気抵抗効果素子形成面の裏面が前記被検出体
に対向する検出面とされるとともに、前記被検出体と前
記検出体とは至近距離まで接近配置され、前記基板は、
非常に薄く形成されるとともに、前記保護膜は充分厚く
形成される構成を有するものである。
は、所定の磁気記録パターンを有する被検出体と、基板
の一方の表面に磁気抵抗効果素子が形成されるとともに
前記被検出体に対向配置される検出体とを備えた磁気検
出器において、前記基板の磁気抵抗効果素子形成面側
に、前記磁気抵抗効果素子を覆う保護膜が形成されると
ともに、前記磁気抵抗効果素子の電極取り出し端子と導
電性を有する金属線とを接続する接続部が設けられ、前
記基板の磁気抵抗効果素子形成面の裏面が前記被検出体
に対向する検出面とされるとともに、前記被検出体と前
記検出体とは至近距離まで接近配置され、前記基板は、
非常に薄く形成されるとともに、前記保護膜は充分厚く
形成される構成を有するものである。
［作用］ 上述の構成にすることにより、この発明の磁気検出器
はMR素子のパターン設計の自由度が増し、その上、ハン
ダ付け部及び保護層の形成が容易にできて、小型で安価
な装置になる。
はMR素子のパターン設計の自由度が増し、その上、ハン
ダ付け部及び保護層の形成が容易にできて、小型で安価
な装置になる。
［実施例］ 第１図，第２図は回転検出器を一例としたこの発明の
一実施例の概略を示した図で、第３図と同一符号は同一
または相当部分を示す。被検出体１には、周期的な磁化
パターンが記録されており、この磁化パターン２はエン
コーダ、または回転速度を検出するための周波数発電機
によるFGセンサに代表される回転検出器を例にとったも
ので、磁気検出器の使用目的に応じてその形態は変わる
もであるが、第１図，第２図に示すパターンに限るもの
ではない。
一実施例の概略を示した図で、第３図と同一符号は同一
または相当部分を示す。被検出体１には、周期的な磁化
パターンが記録されており、この磁化パターン２はエン
コーダ、または回転速度を検出するための周波数発電機
によるFGセンサに代表される回転検出器を例にとったも
ので、磁気検出器の使用目的に応じてその形態は変わる
もであるが、第１図，第２図に示すパターンに限るもの
ではない。
磁化パターン２に対向して第１図，第２図のようにMR
センサ３を配置する。
センサ３を配置する。
第１図、第２図に示される磁気検出器の被検出体と検
出体の配置関係によれば、ハンダ付け部及び保護層６が
被検出体の磁化パターン２と対向していないので、被検
出体と検出体の対向面が共に平坦になる。その上、第３
図に示す従来の磁気検出器と比べて、ハンダ付け部の盛
り上りが信号検出面側に存在しないため、被検出体と検
出体の間隔が、至近距離まで容易に近づけられる様にな
った。
出体の配置関係によれば、ハンダ付け部及び保護層６が
被検出体の磁化パターン２と対向していないので、被検
出体と検出体の対向面が共に平坦になる。その上、第３
図に示す従来の磁気検出器と比べて、ハンダ付け部の盛
り上りが信号検出面側に存在しないため、被検出体と検
出体の間隔が、至近距離まで容易に近づけられる様にな
った。
次に、MR素子５を形成するための基板４について考え
ると、上記構成で、いくら至距離に近づけても被検出体
と検出体の間隔、即ち、磁化パターン２とMR素子５との
間隔は、基板４の厚み以上近づかないことになる。それ
では、応答信号強度の小さいMR素子５の特性上、従来か
ら汎用されている基板材料であるガラス基板の厚み（例
えば0.5mm以上）だと、磁気センサとして動作させるの
は非常に困難である。そこで、この発明では、MRセンサ
３の電極形成面裏側をラップ研削、またはドライエッチ
ング技術等で削り取る工程、もしくは非常に薄いフレキ
シブル基板を用いる等の手段を用いて磁気検出器として
動作させるのに充分な出力を確保することができる。
ると、上記構成で、いくら至距離に近づけても被検出体
と検出体の間隔、即ち、磁化パターン２とMR素子５との
間隔は、基板４の厚み以上近づかないことになる。それ
では、応答信号強度の小さいMR素子５の特性上、従来か
ら汎用されている基板材料であるガラス基板の厚み（例
えば0.5mm以上）だと、磁気センサとして動作させるの
は非常に困難である。そこで、この発明では、MRセンサ
３の電極形成面裏側をラップ研削、またはドライエッチ
ング技術等で削り取る工程、もしくは非常に薄いフレキ
シブル基板を用いる等の手段を用いて磁気検出器として
動作させるのに充分な出力を確保することができる。
この発明の磁気検出器によれば、被検出体の対向面が
ともに平坦なので、基板上のどの位置にMR素子５がパタ
ーニングされていても、使用上、差しつかえがない。従
って、MR素子５のパターン設計の自由度が向上すると同
時に、MRセンサ３及び被検出体１の小型化，コストダウ
ンにもつながる。
ともに平坦なので、基板上のどの位置にMR素子５がパタ
ーニングされていても、使用上、差しつかえがない。従
って、MR素子５のパターン設計の自由度が向上すると同
時に、MRセンサ３及び被検出体１の小型化，コストダウ
ンにもつながる。
さらに、ハンダ付け部及び保護層６が信号検出とは無
関係な場所にあるため、磁気検出器の外観の許す限り、
製造工程及び管理範囲の容易化が可能となった。
関係な場所にあるため、磁気検出器の外観の許す限り、
製造工程及び管理範囲の容易化が可能となった。
また、MR素子形成面裏側を近づけることにより、MR素
子の表面がフリーとなるので、MR素子自体の保護膜を充
分厚くでき、それによって信頼性も向上する。
子の表面がフリーとなるので、MR素子自体の保護膜を充
分厚くでき、それによって信頼性も向上する。
以上の実施例では、回転検出器を例にとって説明した
が、リニアエンコーダなどの非回転式の磁気検出器につ
いても、同様の効果があることは言うまでもない。
が、リニアエンコーダなどの非回転式の磁気検出器につ
いても、同様の効果があることは言うまでもない。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、この発明によれば、
被検出体の磁気記録パターンに対して、検出体のMR素子
形成面の裏側が対向している構造のため、被検出体と検
出体の間隔を最小限にし、MR素子のパターン設計の自由
度向上,MRセンサ及び被検出体の小型化及びコストダウ
ン，ハンダ付け部及び保護層形成工程の容易化,MRセン
サの信頼性向上が可能となった。
被検出体の磁気記録パターンに対して、検出体のMR素子
形成面の裏側が対向している構造のため、被検出体と検
出体の間隔を最小限にし、MR素子のパターン設計の自由
度向上,MRセンサ及び被検出体の小型化及びコストダウ
ン，ハンダ付け部及び保護層形成工程の容易化,MRセン
サの信頼性向上が可能となった。
第１図はこの発明の一実施例としての回転式の磁気検出
器を示した斜視図、第２図は第１図の回転式磁気検出器
の側面図、第３図は従来の回転式の検出器の側面図（左
側）及びMRセンサの平面図（右側）である。 図中． 1:被検出体、2:磁化パターン 3:MRセンサ、4:基板 5:MR素子 6:ハンダ付け部及び保護層 7:電極取出し端子
器を示した斜視図、第２図は第１図の回転式磁気検出器
の側面図、第３図は従来の回転式の検出器の側面図（左
側）及びMRセンサの平面図（右側）である。 図中． 1:被検出体、2:磁化パターン 3:MRセンサ、4:基板 5:MR素子 6:ハンダ付け部及び保護層 7:電極取出し端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐野 秀人 埼玉県秩父市大字下影森1248番地 キヤ ノン電子株式会社内 (72)発明者 林 久範 埼玉県秩父市大字下影森1248番地 キヤ ノン電子株式会社内 (72)発明者 中橋 光男 埼玉県秩父市大字下影森1248番地 キヤ ノン電子株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−157522（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−105812（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭64−50315（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】所定の磁気記録パターンを有する被検出体
と、基板の一方の表面に磁気抵抗効果素子が形成される
とともに前記被検出体に対向配置される検出体とを備え
た磁気検出器において、 前記基板の磁気抵抗効果素子形成面側に、前記磁気抵抗
効果素子を覆う保護膜が形成されるとともに、前記磁気
抵抗効果素子の電極取り出し端子と導電性を有する金属
線とを接続する接続部が設けられ、 前記基板の磁気抵抗効果素子形成面の裏面が前記被検出
体に対向する検出面とされるとともに、前記被検出体と
前記検出体とは至近距離まで接近配置され、 前記基板は、非常に薄く形成されるとともに、前記保護
膜は充分厚く形成されることを特徴とする磁気検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300026A JP2586915B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 磁気検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300026A JP2586915B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 磁気検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01142414A JPH01142414A (ja) | 1989-06-05 |
| JP2586915B2 true JP2586915B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=17879813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62300026A Expired - Lifetime JP2586915B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 磁気検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586915B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157522A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-13 | Yamauchi Rubber Ind Co Ltd | 磁気式エンコ−ダ |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62300026A patent/JP2586915B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01142414A (ja) | 1989-06-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |