JPH03146888A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH03146888A JPH03146888A JP1286130A JP28613089A JPH03146888A JP H03146888 A JPH03146888 A JP H03146888A JP 1286130 A JP1286130 A JP 1286130A JP 28613089 A JP28613089 A JP 28613089A JP H03146888 A JPH03146888 A JP H03146888A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、外部磁界の変化を検出する磁気センサの改良
に関し、特に外部よりの電磁波のシールドの改良に関す
る。
に関し、特に外部よりの電磁波のシールドの改良に関す
る。
（従来の技術）
従来、強磁性薄膜層を基板上に所定のパターンで形成し
、外部磁界の作用により該強磁性薄膜層の磁気抵抗が変
化することを利用して、回転体等の変位検出を行う磁気
センサが知られている。
、外部磁界の作用により該強磁性薄膜層の磁気抵抗が変
化することを利用して、回転体等の変位検出を行う磁気
センサが知られている。
そして、近年の電子回路の汎用化と高精度、高速化に伴
い不要電磁波（以下単にノイズとも言う）のシールド対
策が上記磁気センサにおいても要求されている。
い不要電磁波（以下単にノイズとも言う）のシールド対
策が上記磁気センサにおいても要求されている。
第１１図はノイズシールド対策の従来の磁気センサの外
観斜視図、第１２図は第１１図のＤ−Ｄ線断面図である
。
観斜視図、第１２図は第１１図のＤ−Ｄ線断面図である
。
図中に示す磁気センサ２１は、ガラス製の基板２２と、
この基板２２上に、フォトエツチング法により形成され
た磁気抵抗効果を発揮する旧Ｃｏ等の強磁性薄膜層から
なる感磁部２３と、この感磁部２３の表面を被覆する絶
縁層２４と、前記感磁部２３の電極２３ａとリード線２
５で接続された３本の外部接続用端子２６と、この外部
接続用端子２６の接続部を含み、前記基板２２の全体を
被覆した被覆樹脂２７と、この被覆樹脂２７の前記外部
接続用端子２６の突出面及び前記感磁部２３に対応する
面以外を覆うように形成されたノイズシールド部材とし
て金属製の箱体２８とから構成されている。
この基板２２上に、フォトエツチング法により形成され
た磁気抵抗効果を発揮する旧Ｃｏ等の強磁性薄膜層から
なる感磁部２３と、この感磁部２３の表面を被覆する絶
縁層２４と、前記感磁部２３の電極２３ａとリード線２
５で接続された３本の外部接続用端子２６と、この外部
接続用端子２６の接続部を含み、前記基板２２の全体を
被覆した被覆樹脂２７と、この被覆樹脂２７の前記外部
接続用端子２６の突出面及び前記感磁部２３に対応する
面以外を覆うように形成されたノイズシールド部材とし
て金属製の箱体２８とから構成されている。
そして、前記感磁部２３が形成された面を回転体に対抗
配置し、前記金属製の箱体２８によりノイズをシールド
しつつ、回転体等の変位検出を行っている。
配置し、前記金属製の箱体２８によりノイズをシールド
しつつ、回転体等の変位検出を行っている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した磁気センサ２１では、前記被覆
樹脂２７を形成した後、その外側にノイズシールド部材
として、前記金属製の箱体２８を形成する構造であるの
で、その外形形状が大きくなり磁気センサ２１の小形化
に対応できないという問題を生じる。
樹脂２７を形成した後、その外側にノイズシールド部材
として、前記金属製の箱体２８を形成する構造であるの
で、その外形形状が大きくなり磁気センサ２１の小形化
に対応できないという問題を生じる。
また、前記感磁部２３側の面から侵入するノイズの影響
により、磁気センサ２１の検出感度の低下を招くという
問題があった。
により、磁気センサ２１の検出感度の低下を招くという
問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、小形化
に対応でき、かつ、検出感度の向上が図れる磁気センサ
を提供することを目的とするものである。
に対応でき、かつ、検出感度の向上が図れる磁気センサ
を提供することを目的とするものである。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明の構成は基板と、この基板上に形成され外部磁界
の変化を検出する感磁部と、この感磁部の表面を被覆す
る絶縁層とを備えた磁気センサにおいて、前記基板の少
くとも一つの面に電磁波シールド部材を設けたことを特
徴とし、また前記電磁波シールド部材は、前記絶縁層上
に設けられた非磁性の電気良導体よりなることを特徴と
し、さらに前記電磁波シールド部材は、前記絶縁層上に
設けられた非磁性の電気良導体と、前記基板の感磁部２
３側の反対側の面に設けられ、接地用端子と一体的に形
成されたリードフレームであることを特徴とするもので
ある。
の変化を検出する感磁部と、この感磁部の表面を被覆す
る絶縁層とを備えた磁気センサにおいて、前記基板の少
くとも一つの面に電磁波シールド部材を設けたことを特
徴とし、また前記電磁波シールド部材は、前記絶縁層上
に設けられた非磁性の電気良導体よりなることを特徴と
し、さらに前記電磁波シールド部材は、前記絶縁層上に
設けられた非磁性の電気良導体と、前記基板の感磁部２
３側の反対側の面に設けられ、接地用端子と一体的に形
成されたリードフレームであることを特徴とするもので
ある。
（作 用）
上記構成の装置によれば、電磁波シールド部材として、
非磁性の電気良導体を前記絶縁層上に設けたことにより
、感磁部より侵入する不要電磁波（ノイズ）をシールド
でき、また前記基板の感磁部２３側の反対側の面に接地
用端子と一体的に形成されたリードフレームを設けたこ
とにより、センサの小形化に対応できる。
非磁性の電気良導体を前記絶縁層上に設けたことにより
、感磁部より侵入する不要電磁波（ノイズ）をシールド
でき、また前記基板の感磁部２３側の反対側の面に接地
用端子と一体的に形成されたリードフレームを設けたこ
とにより、センサの小形化に対応できる。
（実施例）
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第一実施例の磁気センサの外観斜視図
、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図である。
、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図である。
第１図に示す磁気センサ１は、ガラス製の基板２と、こ
の基板２上に、フォトエツチング法により所定のパター
ンに形成された磁気抵抗効果を発揮するＮｉＣｏ等の強
磁性薄膜層からなる感磁部３と、この感磁部３の表面を
被覆する絶縁層４と、前記絶縁層４上に形成された電磁
波シールド部材５と前記感磁部３の電極３ａとリード線
６ａで接続された３本の外部接続用端子７ａと、前記電
磁波シールド部材５の電極５ａとリード線６ｂで接続さ
れた１本の接地用端子７ｂと、これらの外部接続用端子
７ａ及び接地用端子７ｂの接続部を含み、前記基板２の
全体を被覆した被覆樹脂８とから構成されている。
の基板２上に、フォトエツチング法により所定のパター
ンに形成された磁気抵抗効果を発揮するＮｉＣｏ等の強
磁性薄膜層からなる感磁部３と、この感磁部３の表面を
被覆する絶縁層４と、前記絶縁層４上に形成された電磁
波シールド部材５と前記感磁部３の電極３ａとリード線
６ａで接続された３本の外部接続用端子７ａと、前記電
磁波シールド部材５の電極５ａとリード線６ｂで接続さ
れた１本の接地用端子７ｂと、これらの外部接続用端子
７ａ及び接地用端子７ｂの接続部を含み、前記基板２の
全体を被覆した被覆樹脂８とから構成されている。
前記電磁波シールド部材５は、例えば真空蒸着法により
、非磁性の電気良導体であるチタン、金。
、非磁性の電気良導体であるチタン、金。
アルミニウム、コバルト、モリブデン等が、前記感磁部
３のパターンをほぼ覆うように前記絶縁層４上に形成さ
れている。
３のパターンをほぼ覆うように前記絶縁層４上に形成さ
れている。
また前記３本の外部接続用端子７ａは、図示しない回路
基板の入出カバターン等に接続され、前記接地用端子７
ｂは回路基板の接地パターンに接続され、かつ、前記磁
気センサ１が回転体等に対向配置され回転体等の変位検
出を行なう。
基板の入出カバターン等に接続され、前記接地用端子７
ｂは回路基板の接地パターンに接続され、かつ、前記磁
気センサ１が回転体等に対向配置され回転体等の変位検
出を行なう。
上記構成の磁気センサ１によれば、以下の効果が得られ
る。前記電磁波シールド部材５が、前記感磁部３のパタ
ーンをほぼ覆うように形成されているので、回転体等の
変位検出の際、前記感磁部３側の面から侵入する不要電
磁波（以下単にノイズとも言う）をシールドでき、検出
感度も向上する。また、電磁波シールド部材を被覆樹脂
８の外側に形成する構成ではないので、外形が大きくな
らず磁気センサの小形化に対応できる。
る。前記電磁波シールド部材５が、前記感磁部３のパタ
ーンをほぼ覆うように形成されているので、回転体等の
変位検出の際、前記感磁部３側の面から侵入する不要電
磁波（以下単にノイズとも言う）をシールドでき、検出
感度も向上する。また、電磁波シールド部材を被覆樹脂
８の外側に形成する構成ではないので、外形が大きくな
らず磁気センサの小形化に対応できる。
次に、図面を参照して本発明の第二実施例を説明する。
第３図は本発明の第二実施例の磁気センサの外観斜視図
、第４図はリードフレームを示す外観斜視図、第５図は
第３図のＢ−Ｂ線断面図である。
、第４図はリードフレームを示す外観斜視図、第５図は
第３図のＢ−Ｂ線断面図である。
尚、第一実施例と同一部材には同符号を付し説明を省略
する。
する。
第３図に示す磁気センサ１ａと、上述した第１図に示す
磁気センサ１との相違点は、前記基板２の感磁部３の形
成面と反対側の面に、電磁波シールド部材として、第４
図に示すようなリードフレーム９を設けたことである。
磁気センサ１との相違点は、前記基板２の感磁部３の形
成面と反対側の面に、電磁波シールド部材として、第４
図に示すようなリードフレーム９を設けたことである。
前記リードフレーム９は例えば銅製であり、前記基板２
の感磁部３の形成面と反対側の面とほぼ同一形状に形成
されたシールド部９ｃと、外部接続用端子９ａ、接地用
端子９ｂとを一体的に形成し、連結部９ｄによって必要
個数連結されている。
の感磁部３の形成面と反対側の面とほぼ同一形状に形成
されたシールド部９ｃと、外部接続用端子９ａ、接地用
端子９ｂとを一体的に形成し、連結部９ｄによって必要
個数連結されている。
前記連結部９ｄは、被覆樹脂８を形成した後切断すれば
よい。
よい。
上記第二実施例の磁気センサ１ａによれば、第一実施例
と同様の効果に加えて、基板２の感磁部３の形成面と反
対側の面からのノイズもシールドできる。
と同様の効果に加えて、基板２の感磁部３の形成面と反
対側の面からのノイズもシールドできる。
次に、図面を参照して本発明の第三実施例を説明する。
第６図は本発明の第三実施例の磁気センサの外観斜視図
、第７図はリードフレームを示す外観斜視図、第８図は
第６図のＣ−Ｃ線断面図である。
、第７図はリードフレームを示す外観斜視図、第８図は
第６図のＣ−Ｃ線断面図である。
尚、第−実施例及び第二実施例と同一部材には同符号を
付し説明を省略する。
付し説明を省略する。
第６図に示す磁気センサ１ｂは、上述した第二実施の磁
気センサ１ａの変形例であり、その相違点は、前記リー
ドフレーム９のシールド部９ｃの外周縁に前記基板２の
側面とほぼ同一形状のシーツ ルド部９ｅを設けて、前記リードフレーム９を略箱状に
形成し、前記基板２を取囲むように形成したことにある
。
気センサ１ａの変形例であり、その相違点は、前記リー
ドフレーム９のシールド部９ｃの外周縁に前記基板２の
側面とほぼ同一形状のシーツ ルド部９ｅを設けて、前記リードフレーム９を略箱状に
形成し、前記基板２を取囲むように形成したことにある
。
上記第三実施例の磁気センサ１ｂによれば、第二実施例
と同様の効果にくわえて、基板２の側面からのノイズも
シールドできる。また、製造の際に前記基板２を前記リ
ードフレーム９に容易に載置できるという効果も生じる
。
と同様の効果にくわえて、基板２の側面からのノイズも
シールドできる。また、製造の際に前記基板２を前記リ
ードフレーム９に容易に載置できるという効果も生じる
。
本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、
その要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
その要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
例えば前記絶縁層上に形成される電磁波シールド部材の
形状は種々の変形が可能であり、第９図に示すように、
前記感磁部３のパターンを逃げるような形状である電磁
波シールド部材１１であってもよく、また第１０図に示
すように前記感磁部３のパターンをほぼ覆い、前記感磁
部３の接地電極と共通の電極１３を有した電磁波シール
ド部材１２であってもよい。さらに前記リードフレーム
９の形状も種々の変形が可能である。
形状は種々の変形が可能であり、第９図に示すように、
前記感磁部３のパターンを逃げるような形状である電磁
波シールド部材１１であってもよく、また第１０図に示
すように前記感磁部３のパターンをほぼ覆い、前記感磁
部３の接地電極と共通の電極１３を有した電磁波シール
ド部材１２であってもよい。さらに前記リードフレーム
９の形状も種々の変形が可能である。
［発明の効果］
以上詳述した本発明によれば、小形化に対応でき、かつ
、検出感度の向上が図れる磁気センサを提供することが
できる。
、検出感度の向上が図れる磁気センサを提供することが
できる。
第１図は本発明の第一実施例の磁気センサの外観斜視図
、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は本発明の
第二実施例の磁気センサの外観斜視図、第４図はリード
フレームを示す外観斜視図、第５図は第３図のＢ−Ｂ線
断面図、第６図は本発明の第三実施例の磁気センサの外
観斜視図、第７図はリードフレームを示す外観斜視図、
第８図は第６図のＣ−Ｃ線断面図、第９図及び第１０図
はそれぞれ電磁波シールド部材の形状の変形例を示す図
、第１１図はノイズシールド対策の従来の磁気センサの
外観斜視図、第１２図は第１１図のＤ−Ｄ線断面図であ
る。 １、ｌａ、ｌｂ・・・磁気センサ、２・・・基板、３・
・・強磁性体薄膜、４・・・保護膜、５・・・電磁波シ
ールド部材、 ６ａ、６ｂ・・・リード線、７ａ外部接続用端子、７ｂ
・・・接地用端子、８・・・被覆樹脂、９・・・リード
フレーム（電磁波シールド部材）。 １ 「９− ω
、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は本発明の
第二実施例の磁気センサの外観斜視図、第４図はリード
フレームを示す外観斜視図、第５図は第３図のＢ−Ｂ線
断面図、第６図は本発明の第三実施例の磁気センサの外
観斜視図、第７図はリードフレームを示す外観斜視図、
第８図は第６図のＣ−Ｃ線断面図、第９図及び第１０図
はそれぞれ電磁波シールド部材の形状の変形例を示す図
、第１１図はノイズシールド対策の従来の磁気センサの
外観斜視図、第１２図は第１１図のＤ−Ｄ線断面図であ
る。 １、ｌａ、ｌｂ・・・磁気センサ、２・・・基板、３・
・・強磁性体薄膜、４・・・保護膜、５・・・電磁波シ
ールド部材、 ６ａ、６ｂ・・・リード線、７ａ外部接続用端子、７ｂ
・・・接地用端子、８・・・被覆樹脂、９・・・リード
フレーム（電磁波シールド部材）。 １ 「９− ω
Claims (3)
- （１）基板と、この基板上に形成され外部磁界の変化を
検出する感磁部と、この感磁部の表面を被覆する絶縁層
とを備えた磁気センサにおいて、前記基板の少くとも一
つの面に電磁波シールド部材を設けたことを特徴とする
磁気センサ。 - （２）前記電磁波シールド部材は、前記絶縁層上に設け
られた非磁性の電気良導体よりなることを特徴とする請
求項１記載の磁気センサ。 - （３）前記電磁波シールド部材は、前記絶縁層上に設け
られた非磁性の電気良導体と、前記基板の感磁部形成面
の反対側の面に設けられ、接地用端子と一体的に形成さ
れたリードフレームである請求項１記載の磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286130A JPH03146888A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286130A JPH03146888A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03146888A true JPH03146888A (ja) | 1991-06-21 |
Family
ID=17700320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286130A Pending JPH03146888A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03146888A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359411A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012163369A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Chemical & Information Device Corp | 磁気センサ、磁気センサモジュール、磁気センサの製造方法 |
| JP2014102163A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Nidec Sankyo Corp | 磁気センサ装置 |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1286130A patent/JPH03146888A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359411A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012163369A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Chemical & Information Device Corp | 磁気センサ、磁気センサモジュール、磁気センサの製造方法 |
| JP2014102163A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Nidec Sankyo Corp | 磁気センサ装置 |
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