JPH0113236B2 - - Google Patents
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- JPH0113236B2 JPH0113236B2 JP58033999A JP3399983A JPH0113236B2 JP H0113236 B2 JPH0113236 B2 JP H0113236B2 JP 58033999 A JP58033999 A JP 58033999A JP 3399983 A JP3399983 A JP 3399983A JP H0113236 B2 JPH0113236 B2 JP H0113236B2
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- JP
- Japan
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- magnetoresistive element
- integrated circuit
- detection device
- terminal portion
- magnetic detection
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置
に関するものである。
に関するものである。
磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置が知られて
いる。この磁気検出装置は、例えば、回転体の停
止制御や回転体の速度検出を行なう場合に用いら
れる。第１図はこのような回転体の停止制御等を
行なう磁気検出装置の１例を示している。
いる。この磁気検出装置は、例えば、回転体の停
止制御や回転体の速度検出を行なう場合に用いら
れる。第１図はこのような回転体の停止制御等を
行なう磁気検出装置の１例を示している。
この例の検出装置では、磁気抵抗素子を具備し
た回転検出器２が用いられるようになつていて、
被検知体である円盤状のフレケンシージエネレー
タ（Frequency Generator）１を回転させるこ
とにより、このフレケンシージエネレータ１の、
交互に配列されたＮ極とＳ極とが、磁気抵抗素子
に与える磁界の変化を検出して連続したパルスを
得た上、このパルスをカウントして回転体を所要
の位置に停止させている。なお、この回転体は例
えばフレケンシージエネレータ１の軸上に同軸的
に設けられている。
た回転検出器２が用いられるようになつていて、
被検知体である円盤状のフレケンシージエネレー
タ（Frequency Generator）１を回転させるこ
とにより、このフレケンシージエネレータ１の、
交互に配列されたＮ極とＳ極とが、磁気抵抗素子
に与える磁界の変化を検出して連続したパルスを
得た上、このパルスをカウントして回転体を所要
の位置に停止させている。なお、この回転体は例
えばフレケンシージエネレータ１の軸上に同軸的
に設けられている。
さて、このような磁気検出装置において、従来
は、磁気抵抗素子と、この素子からの信号を処理
するための回路とを電気的に接続する場合、磁気
抵抗素子からリード線を引き出してプリント基板
上の回路に接続する方式が採用されていた。
は、磁気抵抗素子と、この素子からの信号を処理
するための回路とを電気的に接続する場合、磁気
抵抗素子からリード線を引き出してプリント基板
上の回路に接続する方式が採用されていた。
しかし乍ら、この従来例では、磁気抵抗素子の
出力インピーダンスが高いために、この出力信号
線を長く引き回すことにより、外部ノイズを拾い
やすい欠点があると共に、実装面積や実装体積
上、小型化や軽量化ができない欠点があつた。
出力インピーダンスが高いために、この出力信号
線を長く引き回すことにより、外部ノイズを拾い
やすい欠点があると共に、実装面積や実装体積
上、小型化や軽量化ができない欠点があつた。
本発明は、このような従来欠点を解消した磁気
検出装置を提供することを目的とすする。
検出装置を提供することを目的とすする。
以下、第２図以降の各図をもつて本発明を説明
する。
する。
第２図は本発明１実施例の磁気検出装置に係る
制御回路の１例を示していて、この回路中の磁気
抵抗素子は、MR1，MR3，MR2，MR4の順序で
回転検出器２（第１図参照）に装備されている。
なお、この回転検出器２は後述するように基板状
のもので構成されるようになつている。
制御回路の１例を示していて、この回路中の磁気
抵抗素子は、MR1，MR3，MR2，MR4の順序で
回転検出器２（第１図参照）に装備されている。
なお、この回転検出器２は後述するように基板状
のもので構成されるようになつている。
ここで、第１図に示すフレケンシージエネレー
タ１が回転すると、第２図において、磁気抵抗素
子MR1，MR2間の中点電圧ａに関し、比較器A1
には正弦波の電圧が入力し、一方、トリミング抵
抗R3，R4の中点電圧ｃに関し、分圧された電源
電圧が基準電圧として比較器A1に入力する。
タ１が回転すると、第２図において、磁気抵抗素
子MR1，MR2間の中点電圧ａに関し、比較器A1
には正弦波の電圧が入力し、一方、トリミング抵
抗R3，R4の中点電圧ｃに関し、分圧された電源
電圧が基準電圧として比較器A1に入力する。
これに対し、比較器A1の出力S1からは、波形
整形された矩形波状の信号が出力し、この信号を
カウントすることにより、回転体の停止制御等が
行なわれる。
整形された矩形波状の信号が出力し、この信号を
カウントすることにより、回転体の停止制御等が
行なわれる。
一方、磁気抵抗素子MR3，MR4やトリミング
抵抗R5，R6や比較器A2から成る他方の回路系も
同様な機能を達成し、比較器A2から出力される
パルスは比較器A1から出力されるパルスに対し、
位相上の進み又は遅れを生じ、これにより、当該
時点の回転方向が正方向であるか逆方向であるか
の判別を行なうことができるようになつている。
なお、この説明中のトリミング抵抗とは、第２図
に示す中点電圧ａとｃとが相等しくなるように抵
抗自体をトリミングするものを言う。
抵抗R5，R6や比較器A2から成る他方の回路系も
同様な機能を達成し、比較器A2から出力される
パルスは比較器A1から出力されるパルスに対し、
位相上の進み又は遅れを生じ、これにより、当該
時点の回転方向が正方向であるか逆方向であるか
の判別を行なうことができるようになつている。
なお、この説明中のトリミング抵抗とは、第２図
に示す中点電圧ａとｃとが相等しくなるように抵
抗自体をトリミングするものを言う。
本発明の特徴とするところは、斯る磁気抵抗素
子をパターンとして形成する基板を半導体基板で
構成すると共に、該半導体基板に端子部が形成さ
れた集積回路を設け、上記半導体基板に上記端子
部を除いて絶縁層をコーテイングし、この絶縁層
上に磁気抵抗素子膜により磁気抵抗素子パターン
を形成すると共に、上記磁気抵抗素子膜の一部を
上記集積回路の端子部に形成し、上記磁気抵抗素
子パターンと上記集積回路の端子部とを電気的に
接続することにある。
子をパターンとして形成する基板を半導体基板で
構成すると共に、該半導体基板に端子部が形成さ
れた集積回路を設け、上記半導体基板に上記端子
部を除いて絶縁層をコーテイングし、この絶縁層
上に磁気抵抗素子膜により磁気抵抗素子パターン
を形成すると共に、上記磁気抵抗素子膜の一部を
上記集積回路の端子部に形成し、上記磁気抵抗素
子パターンと上記集積回路の端子部とを電気的に
接続することにある。
第３図は、本発明１実施例の磁気検出装置の製
造工程を示すものであり、図ａにおいて、シリコ
ン等から成る半導体基板１０には、第２図に示す
比較器A1，A2やトリミング抵抗R3，R4，R5，R6
を含む集積回路１１と、この回路の端子部となる
パツド１１Ａが設けられている。そして、この集
積回路にて磁気抵抗素子からの信号の処理、例え
ば、増巾や波形整形処理等が行なわれるようにな
つている。
造工程を示すものであり、図ａにおいて、シリコ
ン等から成る半導体基板１０には、第２図に示す
比較器A1，A2やトリミング抵抗R3，R4，R5，R6
を含む集積回路１１と、この回路の端子部となる
パツド１１Ａが設けられている。そして、この集
積回路にて磁気抵抗素子からの信号の処理、例え
ば、増巾や波形整形処理等が行なわれるようにな
つている。
このような半導体基板１０に対し第３図ｂで示
すように、その表面にパツド１１Ａを除いてガラ
ス若しくはSiO2より成る絶縁層１２がコーテイ
ングされるようになつている。
すように、その表面にパツド１１Ａを除いてガラ
ス若しくはSiO2より成る絶縁層１２がコーテイ
ングされるようになつている。
次いで、図ｃに示すように、Fe―Ni若しくは
Ni―Co合金より成る磁気抵抗素子膜１３が絶縁
層１２の上に蒸着されるようになつている。この
場合、パツド１１Ａのうち、磁気抵抗素子膜１３
内に位置するパツド１１Ａの部分にも、磁気抵抗
素子膜が同時に蒸着され、磁気抵抗素子膜１３
と、そのパツド１１Ａとは電気的に接続されるよ
うになつている。
Ni―Co合金より成る磁気抵抗素子膜１３が絶縁
層１２の上に蒸着されるようになつている。この
場合、パツド１１Ａのうち、磁気抵抗素子膜１３
内に位置するパツド１１Ａの部分にも、磁気抵抗
素子膜が同時に蒸着され、磁気抵抗素子膜１３
と、そのパツド１１Ａとは電気的に接続されるよ
うになつている。
次いで、エツチング工程にて、磁気抵抗素子膜
１３が図ｄに示すような形状にエツチング処理さ
れ、磁気抵抗素子のパターン１３Ａが形成される
ようになつている。
１３が図ｄに示すような形状にエツチング処理さ
れ、磁気抵抗素子のパターン１３Ａが形成される
ようになつている。
次いで、このような半導体基板１０は、図ｅに
示すように、基台１４に接着せられ、かつ、ボン
デイングワイヤ１５により、基台１４の端子と、
パツド１１Ａとが電気的に接続されるようになつ
ている。
示すように、基台１４に接着せられ、かつ、ボン
デイングワイヤ１５により、基台１４の端子と、
パツド１１Ａとが電気的に接続されるようになつ
ている。
このようにして構成された磁気検出装置は磁気
抵抗素子がMR1，MR3，MR2，MR4の順序で配
列させられ、この部分を、フレケンシージエネレ
ータ１（第１図参照）に対向配置させることによ
り、先にも述べた回転体検出が行なわれるように
なつている。なお、第２図に示す回路中のトリミ
ング抵抗R3乃至R6については、半導体基板１０
の集積回路に設けてもよいし、また、基台１４の
側に設けるようにしてもよい。
抵抗素子がMR1，MR3，MR2，MR4の順序で配
列させられ、この部分を、フレケンシージエネレ
ータ１（第１図参照）に対向配置させることによ
り、先にも述べた回転体検出が行なわれるように
なつている。なお、第２図に示す回路中のトリミ
ング抵抗R3乃至R6については、半導体基板１０
の集積回路に設けてもよいし、また、基台１４の
側に設けるようにしてもよい。
以上実施例に基づいて説明したように、本発明
による磁気検出装置においては、磁気抵抗素子を
パターンとして形成する基板を半導体基板で構成
すると共に、該半導体基板に端子部が形成された
集積回路を設け、上記半導体基板に上記集積回路
の端子部を除いて絶縁層をコーテイングし、この
絶縁層上に磁気抵抗素子膜により上記磁気抵抗素
子パターンを形成すると共に、上記磁気抵抗素子
膜の一部を上記集積回路の端子部に形成し、上記
磁気抵抗素子パターンと上記集積回路の端子部と
を電気的に接続した構成からなるため、コーテイ
ングされた絶縁層には集積回路の端子部が除かれ
ているので、磁気抵抗素子パターンを形成するた
めの磁気抵抗素子膜を施す時に同時に集積回路と
磁気抵抗素子パターンとを電気的に接続すること
ができ、磁気抵抗素子と集積回路との接続作業工
程が不要となつて、磁気検出装置の製造が簡略化
され、生産性が大幅に向上される。
による磁気検出装置においては、磁気抵抗素子を
パターンとして形成する基板を半導体基板で構成
すると共に、該半導体基板に端子部が形成された
集積回路を設け、上記半導体基板に上記集積回路
の端子部を除いて絶縁層をコーテイングし、この
絶縁層上に磁気抵抗素子膜により上記磁気抵抗素
子パターンを形成すると共に、上記磁気抵抗素子
膜の一部を上記集積回路の端子部に形成し、上記
磁気抵抗素子パターンと上記集積回路の端子部と
を電気的に接続した構成からなるため、コーテイ
ングされた絶縁層には集積回路の端子部が除かれ
ているので、磁気抵抗素子パターンを形成するた
めの磁気抵抗素子膜を施す時に同時に集積回路と
磁気抵抗素子パターンとを電気的に接続すること
ができ、磁気抵抗素子と集積回路との接続作業工
程が不要となつて、磁気検出装置の製造が簡略化
され、生産性が大幅に向上される。
また、磁気抵抗素子膜によつて集積回路と磁気
抵抗素子パターンとが接続されるので、接続部分
が極めて薄くでき、磁気検出装置の小型化、軽量
化が容易に実現できる。
抵抗素子パターンとが接続されるので、接続部分
が極めて薄くでき、磁気検出装置の小型化、軽量
化が容易に実現できる。
また、集積回路と磁気抵抗素子パターンが二層
構造となつているために、磁気検出装置の大幅な
小型化と軽量化を図ることができると共に、リー
ド線等の引き回しがないため、外部ノイズを拾い
にくく、検出精度を向上することができるという
作用効果も奏するものである。
構造となつているために、磁気検出装置の大幅な
小型化と軽量化を図ることができると共に、リー
ド線等の引き回しがないため、外部ノイズを拾い
にくく、検出精度を向上することができるという
作用効果も奏するものである。
第１図は従来例および本発明をそれぞれ説明す
るのに用いた、フレケンシージエネレータと回転
検出器との配設態様を示す斜視図、第２図は本発
明１実施例の磁気検出装置に係る制御回路の１例
を示す図、第３図は本発明１実施例の磁気検出装
置を製造工程順に示した斜視図である。 １０……半導体基板、１１……集積回路、
MR1，MR2，MR3，MR4……磁気抵抗素子。
るのに用いた、フレケンシージエネレータと回転
検出器との配設態様を示す斜視図、第２図は本発
明１実施例の磁気検出装置に係る制御回路の１例
を示す図、第３図は本発明１実施例の磁気検出装
置を製造工程順に示した斜視図である。 １０……半導体基板、１１……集積回路、
MR1，MR2，MR3，MR4……磁気抵抗素子。
Claims (1)
- １ 磁気抵抗素子をパターンとして形成する基板
を半導体基板で構成すると共に、該半導体基板に
端子部が形成された集積回路を設け、上記半導体
基板に上記集積回路の端子部を除いて絶縁層をコ
ーテイングし、この絶縁層上に磁気抵抗素子膜に
より上記磁気抵抗素子パターンを形成すると共
に、上記磁気抵抗素子膜の一部を上記集積回路の
端子部に形成し、上記磁気抵抗素子パターンと上
記集積回路の端子部とを電気的に接続したことを
特徴とする磁気検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58033999A JPS59159565A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | 磁気検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58033999A JPS59159565A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | 磁気検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59159565A JPS59159565A (ja) | 1984-09-10 |
| JPH0113236B2 true JPH0113236B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=12402155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58033999A Granted JPS59159565A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | 磁気検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59159565A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224377A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| WO2000008695A1 (fr) * | 1998-08-07 | 2000-02-17 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Capteur magnetique et son procede de production |
| JP3626469B2 (ja) | 2002-04-19 | 2005-03-09 | 三菱電機株式会社 | 磁気抵抗センサ装置 |
| MXPA05005676A (es) * | 2002-11-29 | 2005-10-18 | Yamaha Corp | Sensor magnetico y metodo para compensar la caracteristica dependiente de la temperatura del sensor magnetico. |
| JP5066524B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2012-11-07 | アルプス電気株式会社 | 磁気検出装置 |
| CN101512368B (zh) * | 2006-08-31 | 2012-07-25 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 磁性检测装置 |
| EP2065719B1 (en) | 2006-09-07 | 2015-07-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetism sensor |
| JP4893541B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2012-03-07 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気センサ |
| JP5045617B2 (ja) * | 2008-09-02 | 2012-10-10 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516489A (ja) * | 1974-07-05 | 1976-01-20 | Hitachi Ltd | |
| JPS5512729A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Tdk Corp | Magnetic coupling apparatus |
| JPS575067A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-11 | Ricoh Co Ltd | Wet type developing device |
-
1983
- 1983-03-02 JP JP58033999A patent/JPS59159565A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516489A (ja) * | 1974-07-05 | 1976-01-20 | Hitachi Ltd | |
| JPS5512729A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Tdk Corp | Magnetic coupling apparatus |
| JPS575067A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-11 | Ricoh Co Ltd | Wet type developing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59159565A (ja) | 1984-09-10 |
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