JPS59159565A - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JPS59159565A JPS59159565A JP58033999A JP3399983A JPS59159565A JP S59159565 A JPS59159565 A JP S59159565A JP 58033999 A JP58033999 A JP 58033999A JP 3399983 A JP3399983 A JP 3399983A JP S59159565 A JPS59159565 A JP S59159565A
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- JP
- Japan
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- pads
- substrate
- film
- integrated circuit
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Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気抵抗素トを用いたイ]θ気検出装置に関
するものである。
するものである。
磁気抵抗素づrを用いたイ1好気検出装置か知られてい
る。この磁気検出装置は、例えば、回転体の停止制御や
回転体の速度検出を行なう場合に用いらJzる。第1図
はこのような回転体の停止:li制御等を行なう磁気検
出装置の]例を示している。
る。この磁気検出装置は、例えば、回転体の停止制御や
回転体の速度検出を行なう場合に用いらJzる。第1図
はこのような回転体の停止:li制御等を行なう磁気検
出装置の]例を示している。
この例の検出装置では、磁気抵抗素子を・具1+ifi
Lだ1iaL転検出器2が用いられるようになってい
て、被検知体である円盤状の7リクエー7ヨンジエネレ
ータ1を回転きせることにより、このノリクエーション
/、−ネレータ1の、交互に配列きれたN極とS極とが
、磁気抵抗素子にhえる磁界の変化を検出して連続し/
ζパルスを得た上、この・々ルスをカウントシて回転体
を所要の位置に停止させている。なお、この回転体は例
えはノリクエーンヨンジエネレ〜り1の11!lIj上
に同軸的に設けられている。
Lだ1iaL転検出器2が用いられるようになってい
て、被検知体である円盤状の7リクエー7ヨンジエネレ
ータ1を回転きせることにより、このノリクエーション
/、−ネレータ1の、交互に配列きれたN極とS極とが
、磁気抵抗素子にhえる磁界の変化を検出して連続し/
ζパルスを得た上、この・々ルスをカウントシて回転体
を所要の位置に停止させている。なお、この回転体は例
えはノリクエーンヨンジエネレ〜り1の11!lIj上
に同軸的に設けられている。
さて、このような磁気検出装置において、従来は、磁気
抵抗素子と、この素子からの信号を処理するだめの回路
とを電気的に接続する場合、磁気抵抗素子からり一ト線
を引き出してプリント基板上の回路に接続する方式が採
用きれていた。
抵抗素子と、この素子からの信号を処理するだめの回路
とを電気的に接続する場合、磁気抵抗素子からり一ト線
を引き出してプリント基板上の回路に接続する方式が採
用きれていた。
しかし乍ら、この従来例では、小信号線を比較的長く引
き回すために、磁気抵抗素子の出力インピーダンスか高
くなり、外部ノイズを拾いやすい欠点があると共に、実
装面積や実装体積上、小型化や軒数化ができない欠点が
あった。
き回すために、磁気抵抗素子の出力インピーダンスか高
くなり、外部ノイズを拾いやすい欠点があると共に、実
装面積や実装体積上、小型化や軒数化ができない欠点が
あった。
本発明は、このような従来欠点を)ψr消した磁気検出
装置を提供することを目的とする。
装置を提供することを目的とする。
以下、第2図以降の各図をもって本発明を説明する。
・尼゛2トノC1+」ニー<\会明l実MU i々lj
ハ(1剋気検出装置に係るflil、l 6vj、1回
路(イ)11仝りを示し−てい−(−1この回路中の磁
気i:1.j; II′し素−1: r;1.、Ml’
(]、、ΔノiR:(、Δ/IR2,MRllの順序で
回転線j、1..f iシン1;2(第1図墨1%i
)に装置Itffiされ−こいる4、なお、5−(1)
回1(す、険出器゛、已は後司埋V7ξ、よ)(′(基
板状のもので構成、NJL ;11j )(4−9〜・
−Cいる。
ハ(1剋気検出装置に係るflil、l 6vj、1回
路(イ)11仝りを示し−てい−(−1この回路中の磁
気i:1.j; II′し素−1: r;1.、Ml’
(]、、ΔノiR:(、Δ/IR2,MRllの順序で
回転線j、1..f iシン1;2(第1図墨1%i
)に装置Itffiされ−こいる4、なお、5−(1)
回1(す、険出器゛、已は後司埋V7ξ、よ)(′(基
板状のもので構成、NJL ;11j )(4−9〜・
−Cいる。
とこて、第1[/1にシ」・オー7リクエー/−+ 、
/ 7/[不し・−り1か回転すると、第21ソ1にお
いて、11が′〉丈41(わ′l素j’ IvlRI
、 MRllの中点’itl、圧a5に関し、V比較器
A1には11−弦波の電圧が人7Jし、−−−一−ツバ
l・リミング抵わ”i: R,3,it、+の中点重
用−(・に関し、分用され/こ電り111′市)トかノ
、い:i、I屯圧とし−,−r 11.1殴器A、に入
力する6゜21 J’L Q・′l利し2、比較器A1
の出力S1からは、彼形整yh′、−r〜?−Lだ矩形
(1(へ状のイ1)シじが出力し7、この侶−弓をカラ
/)、することに上り、回転体の停山制御等が行4″わ
れる。
/ 7/[不し・−り1か回転すると、第21ソ1にお
いて、11が′〉丈41(わ′l素j’ IvlRI
、 MRllの中点’itl、圧a5に関し、V比較器
A1には11−弦波の電圧が人7Jし、−−−一−ツバ
l・リミング抵わ”i: R,3,it、+の中点重
用−(・に関し、分用され/こ電り111′市)トかノ
、い:i、I屯圧とし−,−r 11.1殴器A、に入
力する6゜21 J’L Q・′l利し2、比較器A1
の出力S1からは、彼形整yh′、−r〜?−Lだ矩形
(1(へ状のイ1)シじが出力し7、この侶−弓をカラ
/)、することに上り、回転体の停山制御等が行4″わ
れる。
ノ)zilh気抵抗メ・2イ1VIR3、1VIR,,
1やトリミ、・′り抵抗R5,1畑や比較器A2から成
る他方の回路糸も同様々(・幾rii(を達成し、比較
器A2から出力されるパルス(・−」、比較器A1から
出力さi−bるパルスに対し、位相−」−の〕ILみ又
は遅iろ−佳じ、C第1.に6↓二り、′該I]4.侭
の回転方向か!)−jj IF頓’あるか逆方向−(゛
をンイ、力・の牙′1j別を行りうことか一〇きるよう
になってし)4)3、y;i、−1この説明中のトリミ
ンク抵抗とは、第2[ツ1にンj\−ず中点電圧aとC
とが相等しくなるよ・)に抵4〕1−白伯\をトリミン
グするもの4−呂う。
1やトリミ、・′り抵抗R5,1畑や比較器A2から成
る他方の回路糸も同様々(・幾rii(を達成し、比較
器A2から出力されるパルス(・−」、比較器A1から
出力さi−bるパルスに対し、位相−」−の〕ILみ又
は遅iろ−佳じ、C第1.に6↓二り、′該I]4.侭
の回転方向か!)−jj IF頓’あるか逆方向−(゛
をンイ、力・の牙′1j別を行りうことか一〇きるよう
になってし)4)3、y;i、−1この説明中のトリミ
ンク抵抗とは、第2[ツ1にンj\−ず中点電圧aとC
とが相等しくなるよ・)に抵4〕1−白伯\をトリミン
グするもの4−呂う。
本発明の!+、′i徴とすると(二うは、1す[る磁気
状わj4素rを−・・々ターンとして形成−Jる基板企
半導体基板−C1191人すると共(・(、該)1′導
体邦板に形成し2プ(−、イI前、9(抵抗素−」二か
ら1)]られる仁号を処理するイ4−債回路eこ対シフ
、前記磁気抵抗素子を電気的に1ガ、経、すると、とに
ある。
状わj4素rを−・・々ターンとして形成−Jる基板企
半導体基板−C1191人すると共(・(、該)1′導
体邦板に形成し2プ(−、イI前、9(抵抗素−」二か
ら1)]られる仁号を処理するイ4−債回路eこ対シフ
、前記磁気抵抗素子を電気的に1ガ、経、すると、とに
ある。
第、3図は、本発明1火施1り1]の磁気検出装置C)
製造上、Pi′’(C’示すものであり、図(a2)に
p=・’v)’C、ン1ノーTン舌から成る)pjj体
基板o)vr i> 、第2図に示すj二1S較器AI
、 A2やトリミンク抵抗貼、■え、、、 R5,lに
6を含む集積回路11と、この回路の端子一部とんる・
り、/ト11Aが設けQ・λ主でいる。、−そ1ノC1
この集積回路にて磁気抵抗素子からの1計弓の処3″1
11、例えは、増+jJや波形整形処理等が行なわれる
ようにな−)て(′)この、1・′ヴ薯1” iA’一
体基+10にX−、I L ;¥; 3図(勾で示すよ
′)に、−ぞ′の人血に・・・j’ −l I A全萌
゛いてカラ×花−し−< ’rJ、 5i02よ:)成
るイ・1、嫁層12 カ=y テ(y クサノするよ
うにな−)′7−いあ3、 次いで、[¥l (c)に示すj ’iに、Fe −N
i若しくばN7’ −Co合金上り成るii?;気抵4
プL?h”−7−膜13か絶h(層12の一上に蒸着さ
れるよ′)にな・・でいる1、(−の用台、バ・1・I
、1. Aのうt、)、(6偲、ti(わ℃素子II
ぐ1:3内に1\璽1へ゛するパノ+’llAの部分1
.4二も、砕、気抵抗(・、〕〕膜−/ハ回IF?に蒸
着さ′、lIX 磁気状JJ’+: 14−1jIQ口
、3と、−七(乙)・〈゛ノド+1A、!−に1.電気
的に接1缶、さハろように々−・1いる1、次いで、」
ノー1−ンクー■−千”rにで、髄(気棲、(j”[メ
・、イ膜13か図(ti) ’zC示−tよう5゛形状
に、1.・升ンク処理さ!]5、磁気状11゛1素丁の
バタ 〕・第1Aが九せ成−J 7Lるように乙・、−
)−こいく二)、。
製造上、Pi′’(C’示すものであり、図(a2)に
p=・’v)’C、ン1ノーTン舌から成る)pjj体
基板o)vr i> 、第2図に示すj二1S較器AI
、 A2やトリミンク抵抗貼、■え、、、 R5,lに
6を含む集積回路11と、この回路の端子一部とんる・
り、/ト11Aが設けQ・λ主でいる。、−そ1ノC1
この集積回路にて磁気抵抗素子からの1計弓の処3″1
11、例えは、増+jJや波形整形処理等が行なわれる
ようにな−)て(′)この、1・′ヴ薯1” iA’一
体基+10にX−、I L ;¥; 3図(勾で示すよ
′)に、−ぞ′の人血に・・・j’ −l I A全萌
゛いてカラ×花−し−< ’rJ、 5i02よ:)成
るイ・1、嫁層12 カ=y テ(y クサノするよ
うにな−)′7−いあ3、 次いで、[¥l (c)に示すj ’iに、Fe −N
i若しくばN7’ −Co合金上り成るii?;気抵4
プL?h”−7−膜13か絶h(層12の一上に蒸着さ
れるよ′)にな・・でいる1、(−の用台、バ・1・I
、1. Aのうt、)、(6偲、ti(わ℃素子II
ぐ1:3内に1\璽1へ゛するパノ+’llAの部分1
.4二も、砕、気抵抗(・、〕〕膜−/ハ回IF?に蒸
着さ′、lIX 磁気状JJ’+: 14−1jIQ口
、3と、−七(乙)・〈゛ノド+1A、!−に1.電気
的に接1缶、さハろように々−・1いる1、次いで、」
ノー1−ンクー■−千”rにで、髄(気棲、(j”[メ
・、イ膜13か図(ti) ’zC示−tよう5゛形状
に、1.・升ンク処理さ!]5、磁気状11゛1素丁の
バタ 〕・第1Aが九せ成−J 7Lるように乙・、−
)−こいく二)、。
次いで、(の、l:う7.31?好休基板10Pi、図
<e)(11”、示−tように、基台14に接着せ−ら
れ、かっ、ホンff1ンクワイ−’]5(ti二より、
基台]lIの端子と、ハツト+1A++−/ハ?f):
急曲に接?(・う′1で゛(れイ、よ・)G(7石 )
でいる。
<e)(11”、示−tように、基台14に接着せ−ら
れ、かっ、ホンff1ンクワイ−’]5(ti二より、
基台]lIの端子と、ハツト+1A++−/ハ?f):
急曲に接?(・う′1で゛(れイ、よ・)G(7石 )
でいる。
このように11.で構成さ7i、−7ら磁気検出装置(
弓イ1タ4気J:K F+’[素−了;/にへII心1
.λ41輸、へ’l[(2,八11え1の11直序で西
己夕]]さげらノL1 この可5分を、71ツタ−L−
/3.ノ/−・ネレータ1 (第1(ツ1参1慣)(・
′こ°に−j向配置さ4(るC−とにより、先にも述−
\た回11+、体)・第7出】り信J存わiする、しう
に斥〜)でいる。な19、第2図(〆(−小−1回路中
シー)1・JJ ミ り■1(1う)I軸乃〒)R,
1につ)いてki 、 NJ、 E、V、体阜扱1()
の集積回路に設置−tでもl:Iハし、」、/ζ、基台
1・1の側に設けるようにしてもよい1、 以1:4\発明の回転検出装置ra+1、磁気状1−1
tメ・了が・ぐタ −ン、’−L、 (゛t’畳浮:本
)、(,1反上(・・こ設りL゛)ね1.がつ、磁気状
4ノ″L素子メハらイ行二9.L′lるfFi ’j;
’ S−’ 4(Jl、 i“il−、Jる回路を集積
回路と1.て′″−1t)、l1体基扱11C、Iii
l、〜・し1.−イ)(・)−(−;ら・v1 リ−1
・線な、との引回しか:4・い/1−b′)、外i’−
41.ノイズ全拾いにくぐ、−ゴ/、−111注気J1
(1)“1署・〜了−イ(・l!、11′ツノn L、
、、 −Tiも複雑な」こ−弓処1−1+3を?−fな
つ、−とかでき、さら(・′(−1このイ」1の磁気検
出装置11!の小1(1′1化や軽ft 4e ’a−
も図るこ、とが1−きる。
弓イ1タ4気J:K F+’[素−了;/にへII心1
.λ41輸、へ’l[(2,八11え1の11直序で西
己夕]]さげらノL1 この可5分を、71ツタ−L−
/3.ノ/−・ネレータ1 (第1(ツ1参1慣)(・
′こ°に−j向配置さ4(るC−とにより、先にも述−
\た回11+、体)・第7出】り信J存わiする、しう
に斥〜)でいる。な19、第2図(〆(−小−1回路中
シー)1・JJ ミ り■1(1う)I軸乃〒)R,
1につ)いてki 、 NJ、 E、V、体阜扱1()
の集積回路に設置−tでもl:Iハし、」、/ζ、基台
1・1の側に設けるようにしてもよい1、 以1:4\発明の回転検出装置ra+1、磁気状1−1
tメ・了が・ぐタ −ン、’−L、 (゛t’畳浮:本
)、(,1反上(・・こ設りL゛)ね1.がつ、磁気状
4ノ″L素子メハらイ行二9.L′lるfFi ’j;
’ S−’ 4(Jl、 i“il−、Jる回路を集積
回路と1.て′″−1t)、l1体基扱11C、Iii
l、〜・し1.−イ)(・)−(−;ら・v1 リ−1
・線な、との引回しか:4・い/1−b′)、外i’−
41.ノイズ全拾いにくぐ、−ゴ/、−111注気J1
(1)“1署・〜了−イ(・l!、11′ツノn L、
、、 −Tiも複雑な」こ−弓処1−1+3を?−fな
つ、−とかでき、さら(・′(−1このイ」1の磁気検
出装置11!の小1(1′1化や軽ft 4e ’a−
も図るこ、とが1−きる。
図11+1の簡甲乙・訣り]
第1図に1従来例J、・よひ]\発明ろ、そ−Jしてノ
L Klf、1,111−るのに用い/こ、フリクエー
ンヨンジエネレークと回転検出器との配設態様を示す斜
視図、第2図は本発明1実施例の磁気検出装置に係る制
イ卸回路の1例を示す図、第:う図は本発明1実施例の
磁気検出装置を製造−L程順に示し/こ斜視図である。
L Klf、1,111−るのに用い/こ、フリクエー
ンヨンジエネレークと回転検出器との配設態様を示す斜
視図、第2図は本発明1実施例の磁気検出装置に係る制
イ卸回路の1例を示す図、第:う図は本発明1実施例の
磁気検出装置を製造−L程順に示し/こ斜視図である。
10 半導体基板、 11 集積回路、M)ζI
I MR2,IVIIR3,MR4・(j軽気抵抗素子
。
I MR2,IVIIR3,MR4・(j軽気抵抗素子
。
第1図
第 ? 図
Claims (1)
- 磁気抵抗素子をパターンとして形成するノi(板を半導
体基板で構成すると共に、該半導体基板に形成した、磁
気抵抗素子から得られる信月を処理する集積回路に対し
、前記磁気抵抗素子を電気的に接続することを特徴とす
る磁気検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58033999A JPS59159565A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | 磁気検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58033999A JPS59159565A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | 磁気検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59159565A true JPS59159565A (ja) | 1984-09-10 |
JPH0113236B2 JPH0113236B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=12402155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58033999A Granted JPS59159565A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | 磁気検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59159565A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1124271A1 (en) * | 1998-08-07 | 2001-08-16 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor and method for fabricating the same |
WO2004051298A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Yamaha Corporation | 磁気センサ、及び磁気センサの温度依存特性補償方法 |
US6891368B2 (en) | 2002-04-19 | 2005-05-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetoresistive sensor device |
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WO2008026327A1 (fr) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Alps Electric Co., Ltd. | Détecteur magnétique |
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-
1983
- 1983-03-02 JP JP58033999A patent/JPS59159565A/ja active Granted
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