JPS60132323A - X線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
X線露光用マスクの製造方法Info
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- JPS60132323A JPS60132323A JP58239750A JP23975083A JPS60132323A JP S60132323 A JPS60132323 A JP S60132323A JP 58239750 A JP58239750 A JP 58239750A JP 23975083 A JP23975083 A JP 23975083A JP S60132323 A JPS60132323 A JP S60132323A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はX線露光用マスクに係り、詳しくは、位置合せ
用の可視光透過性に優れ、吸収体パターン寸法精度の高
いX線マスクに関する。
用の可視光透過性に優れ、吸収体パターン寸法精度の高
いX線マスクに関する。
X線マスクのX線吸収体パターン形成法の1つとして、
金などの吸収体材料をメッキする方法が採られていた。
金などの吸収体材料をメッキする方法が採られていた。
この時、X線吸収体支持膜は多くの場合、電気的絶縁性
であるため、支持膜上にメッキ用下地電極層を形成する
必要がある。この下地電極材料は従来はメッキ材料と同
種の金属が用いられたので、完成マスクのアライメント
用可視光を透過させるためには、最終的に非メツキ部の
下地電極層をエツチング除去する必要がちる。この時、
吸収体金属を不必要にエツチングされ、パターンの寸法
精度を低下させる、−あるいは、吸収体パターンを剥離
させてしまうなどの問題点があった。
であるため、支持膜上にメッキ用下地電極層を形成する
必要がある。この下地電極材料は従来はメッキ材料と同
種の金属が用いられたので、完成マスクのアライメント
用可視光を透過させるためには、最終的に非メツキ部の
下地電極層をエツチング除去する必要がちる。この時、
吸収体金属を不必要にエツチングされ、パターンの寸法
精度を低下させる、−あるいは、吸収体パターンを剥離
させてしまうなどの問題点があった。
本発明の目的は上記従来の問題を解決し、可視透過性が
よく、パターン精度が高く、かつ、形成の際に剥離など
の生ずる恐れのないX線マスクを提供することにある。
よく、パターン精度が高く、かつ、形成の際に剥離など
の生ずる恐れのないX線マスクを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は可視光に透明な導電
材料からなる膜を支持体膜と吸収パターンの間に介在さ
せるものである。
材料からなる膜を支持体膜と吸収パターンの間に介在さ
せるものである。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例(1)
7リコンウエーハ(1)上にCVDにより8j3N4(
21を、その上に高周波スパッタリングでBN膜(3)
、さらにPIQ(日立化成工業株式会社登録商標)膜(
4)を形成し、これらの複合膜をX線吸収体支持体膜と
する(図1a)。上記支持体膜上にメッキ用下地電極と
してI To (Iudium ’]’iHQxide
)(5)を真空蒸着した(図1b)。蒸着条件はO2圧
力ニ 5X1.0−’Torr、基板加熱温度300C
で、膜厚1000Aとした。上記条件でのITo膜の可
視光透過率は95%以上、シート抵抗は20Ω口であっ
た。次にメッキ電極上にPIQ(膜厚1.5μm)のメ
ッキ用め型パターン(6)を電子線描画法と多層レジス
ト法により形成する。次に周知のメッキ技術によってA
uメッキを行い、露出されたETO膜5の表面上にA1
7)を被着する(図1c)。
21を、その上に高周波スパッタリングでBN膜(3)
、さらにPIQ(日立化成工業株式会社登録商標)膜(
4)を形成し、これらの複合膜をX線吸収体支持体膜と
する(図1a)。上記支持体膜上にメッキ用下地電極と
してI To (Iudium ’]’iHQxide
)(5)を真空蒸着した(図1b)。蒸着条件はO2圧
力ニ 5X1.0−’Torr、基板加熱温度300C
で、膜厚1000Aとした。上記条件でのITo膜の可
視光透過率は95%以上、シート抵抗は20Ω口であっ
た。次にメッキ電極上にPIQ(膜厚1.5μm)のメ
ッキ用め型パターン(6)を電子線描画法と多層レジス
ト法により形成する。次に周知のメッキ技術によってA
uメッキを行い、露出されたETO膜5の表面上にA1
7)を被着する(図1c)。
メッキ条件はメッキ液: NEUTFLON:EX 2
10゜液温:SOC,電流密度10mA/Crn2、処
理時間10分で行い、膜厚1μmを形成した。さらに最
上層にPIQO,5μmを塗布、硬化し、吸収体パター
ンを埋込み保護層験形成し、X線露光用マスクを形成し
た(図1d)。本実施例によればメッキ用電極、および
メッキ用のめ型パターンを除去することなしに、重ね合
せ用に用いる可視光の透過率80チ以上のXiマスクを
完成することができた。
10゜液温:SOC,電流密度10mA/Crn2、処
理時間10分で行い、膜厚1μmを形成した。さらに最
上層にPIQO,5μmを塗布、硬化し、吸収体パター
ンを埋込み保護層験形成し、X線露光用マスクを形成し
た(図1d)。本実施例によればメッキ用電極、および
メッキ用のめ型パターンを除去することなしに、重ね合
せ用に用いる可視光の透過率80チ以上のXiマスクを
完成することができた。
本実施例においては、支持体膜と吸収パターンの間に介
在する透明導電性膜として、IToを用いたが、工TO
以外にもSn0等を用いても同様な効果を得ることがで
きる。
在する透明導電性膜として、IToを用いたが、工TO
以外にもSn0等を用いても同様な効果を得ることがで
きる。
上記説明から明らかなように、本発明によれば吸収体メ
ッキ用下地電極、およびメッキめ型の除去を必要とせず
に可視光透過率に優れfcX線マスクを作成することが
できるので、吸収体パターン寸法の高精度化、マスク製
造工程簡略化に極めて有効である。
ッキ用下地電極、およびメッキめ型の除去を必要とせず
に可視光透過率に優れfcX線マスクを作成することが
できるので、吸収体パターン寸法の高精度化、マスク製
造工程簡略化に極めて有効である。
第1図は、本発明にかかるX線露光用マスクの製造方法
の一例を示す工程図である。 1・・・シリコンウェーハ、2・・・8i3N4.3・
・・BN。 1 図 第1頁の続き 0発 明 者 早 1) 康 ′成 国分寺市東恋ケ窪
央研究所内
の一例を示す工程図である。 1・・・シリコンウェーハ、2・・・8i3N4.3・
・・BN。 1 図 第1頁の続き 0発 明 者 早 1) 康 ′成 国分寺市東恋ケ窪
央研究所内
Claims (1)
- X線透過性の支持体膜上に透明な導電性膜を介してX線
吸収体パターンが形成されであることを特徴とするX線
露光用マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58239750A JPS60132323A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | X線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58239750A JPS60132323A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | X線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60132323A true JPS60132323A (ja) | 1985-07-15 |
JPH0428132B2 JPH0428132B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=17049367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58239750A Granted JPS60132323A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | X線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60132323A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6220310A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線マスク |
EP0231916A2 (en) * | 1986-02-03 | 1987-08-12 | Fujitsu Limited | X-ray exposure masks |
JPS63166226A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線露光用マスクの製造方法 |
EP0323263A2 (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52126756U (ja) * | 1976-03-24 | 1977-09-27 | ||
JPS5776546A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Nec Corp | Transfer mask for x-ray exposure |
JPS592324A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Nec Corp | X線露光マスク |
JPS59139033A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
JPS59139034A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP58239750A patent/JPS60132323A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52126756U (ja) * | 1976-03-24 | 1977-09-27 | ||
JPS5776546A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Nec Corp | Transfer mask for x-ray exposure |
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JPS59139033A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
JPS59139034A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
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JPS6220310A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線マスク |
EP0231916A2 (en) * | 1986-02-03 | 1987-08-12 | Fujitsu Limited | X-ray exposure masks |
US4939052A (en) * | 1986-02-03 | 1990-07-03 | Fujitsu Limited | X-ray exposure mask |
JPS63166226A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線露光用マスクの製造方法 |
EP0323263A2 (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
US5012500A (en) * | 1987-12-29 | 1991-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0428132B2 (ja) | 1992-05-13 |
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