JPS59139034A - フオトマスクブランク - Google Patents
フオトマスクブランクInfo
- Publication number
- JPS59139034A JPS59139034A JP58012905A JP1290583A JPS59139034A JP S59139034 A JPS59139034 A JP S59139034A JP 58012905 A JP58012905 A JP 58012905A JP 1290583 A JP1290583 A JP 1290583A JP S59139034 A JPS59139034 A JP S59139034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask blank
- light
- oxide
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/46—Antireflective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトマスクブランクに関し、より詳しくはプ
ラズマエツチング用のフォトマスクブランクに関する。
ラズマエツチング用のフォトマスクブランクに関する。
従来、この種のフォトマスクブランクとしては、ガラス
基板上にタンタル薄１ｔ！Ｉ （膜厚：約１０００人）
を形成し、そのタンタル薄膜上にフォトレジスｉ〜（膜
厚：約５ｏｏｏ人）を塗布したものが知られている。こ
のブランクは、露光、現像及びエツチングを行い、タン
タル薄膜上に所定のレジストパターンを形成した後、平
行平板型又は円筒型のプラズマエツチング装置の槽内に
挿入し、チャンバー内を一度真空にして、ＣＦ４ガスを
導入する。そして、ラジオ波（通常１３．５６ Ｍ Ｈ
Ｚ ＞をかけることにより、プラズマを発生させて、露
出された部分のタンタル１１１１がエツチングされて、
レジストパターン部分のタンタル薄膜を残し、所定の遮
光性パターンを形成したフォトマスクを得ていた。
基板上にタンタル薄１ｔ！Ｉ （膜厚：約１０００人）
を形成し、そのタンタル薄膜上にフォトレジスｉ〜（膜
厚：約５ｏｏｏ人）を塗布したものが知られている。こ
のブランクは、露光、現像及びエツチングを行い、タン
タル薄膜上に所定のレジストパターンを形成した後、平
行平板型又は円筒型のプラズマエツチング装置の槽内に
挿入し、チャンバー内を一度真空にして、ＣＦ４ガスを
導入する。そして、ラジオ波（通常１３．５６ Ｍ Ｈ
Ｚ ＞をかけることにより、プラズマを発生させて、露
出された部分のタンタル１１１１がエツチングされて、
レジストパターン部分のタンタル薄膜を残し、所定の遮
光性パターンを形成したフォトマスクを得ていた。
しかしながら、このフォトマスクは、微細パターンＱ静
電破壊を起こしたり、あるいは被転写物との間で多重反
射を起こして、パターン精度を低下させる欠点があった
。それがため、微細加工性及び制御性等に優れたプラズ
マエツチングが紹介されていながら、プラズマエツチン
グ用のフォトマスクブランクが未開発であった。
電破壊を起こしたり、あるいは被転写物との間で多重反
射を起こして、パターン精度を低下させる欠点があった
。それがため、微細加工性及び制御性等に優れたプラズ
マエツチングが紹介されていながら、プラズマエツチン
グ用のフォトマスクブランクが未開発であった。
本発明の目的は、上記した欠点を除去し、微細パターン
の静電破壊を防止し、被転写物との間での多重反射を防
止した、弗素系ガスを用いた反応性イオンエツチング等
のプラズマエツチング用フォトマスクブランクを提供す
ることである。
の静電破壊を防止し、被転写物との間での多重反射を防
止した、弗素系ガスを用いた反応性イオンエツチング等
のプラズマエツチング用フォトマスクブランクを提供す
ることである。
このような目的を達成させるため、本発明は、弗素系ガ
スのプラズマ種に対して耐性のある透明導電膜と、同プ
ラズマ種に対してエツチングされやすい遮光性金属膜及
び反射防止膜を見い出し、これらの膜をガラス基板上に
成膜することにより構成されている。
スのプラズマ種に対して耐性のある透明導電膜と、同プ
ラズマ種に対してエツチングされやすい遮光性金属膜及
び反射防止膜を見い出し、これらの膜をガラス基板上に
成膜することにより構成されている。
以下、本発明を実施例図面を参照して説明する。
第１図に示すように、透明なアルミノボロシリケートガ
ラス基板（（株）保谷硝子製：ＬＥ−３０）等から製作
されたガラス基板１上に、酸化クロム（ＣｒｚＯ３＞粉
末を抵抗加熱式ｏ２ガス反応性真空蒸着法により酸化ク
ロム膜の透明導電膜（膜厚：約３００人）２を成膜し、
その上にセレン（Ｓｅ ）をターゲットとしてスパッタ
リング法にょリセレン膜の遮光性金属膜（Ｉ！厚：約１
ｏｏｏ人）３を成膜し、更にその上に酸化ゲルマニウム
（Ｇｅｍ２）粉末を抵抗加熱式０２ガス反応性真空蒸着
法により酸化ゲルマニウム膜の反射防止膜（膜厚：約９
００Å）４を成膜してフォトマスクブランクを製作した
。
ラス基板（（株）保谷硝子製：ＬＥ−３０）等から製作
されたガラス基板１上に、酸化クロム（ＣｒｚＯ３＞粉
末を抵抗加熱式ｏ２ガス反応性真空蒸着法により酸化ク
ロム膜の透明導電膜（膜厚：約３００人）２を成膜し、
その上にセレン（Ｓｅ ）をターゲットとしてスパッタ
リング法にょリセレン膜の遮光性金属膜（Ｉ！厚：約１
ｏｏｏ人）３を成膜し、更にその上に酸化ゲルマニウム
（Ｇｅｍ２）粉末を抵抗加熱式０２ガス反応性真空蒸着
法により酸化ゲルマニウム膜の反射防止膜（膜厚：約９
００Å）４を成膜してフォトマスクブランクを製作した
。
このフォトマスクブランクの分光反射率は、波長４３０
ｎｌｌｌの光に対して１０％であった。
ｎｌｌｌの光に対して１０％であった。
このフォトマスクブランクは、第２図に承りように、先
ずフォトマスク（膜厚：約５０００八）５を塗布しく同
図（ａ））、露光、現像を行って、１μｍ程麿０レジス
トパターン５１を作成しく同図（ｂ））、これをＣＦ４
ガスを用いて反応性イオンエツチングを行うことにより
、レジストパターン５１のない部分の露出された酸化ゲ
ルマニウム膜４とセレン躾３をエツチングして反射防止
パターン４１と遮光性パターン３１を形成したく同図（
Ｃ））。ここで、酸化クロム膜２の存在を確認するため
に、０２プラズマ中で、レジストパターン５１を灰化し
、再びＣＦ４ガスを用いて反応性イオンエツチングを行
うことにより、反射防止パターン４１と遮光性パターン
３１を全てエツチングしたく同図（ｄ））。このときの
酸化クロム膜２のシート抵抗を測定した結果、２００に
Ω／口程度の導電性を確保していることが判明した。
ずフォトマスク（膜厚：約５０００八）５を塗布しく同
図（ａ））、露光、現像を行って、１μｍ程麿０レジス
トパターン５１を作成しく同図（ｂ））、これをＣＦ４
ガスを用いて反応性イオンエツチングを行うことにより
、レジストパターン５１のない部分の露出された酸化ゲ
ルマニウム膜４とセレン躾３をエツチングして反射防止
パターン４１と遮光性パターン３１を形成したく同図（
Ｃ））。ここで、酸化クロム膜２の存在を確認するため
に、０２プラズマ中で、レジストパターン５１を灰化し
、再びＣＦ４ガスを用いて反応性イオンエツチングを行
うことにより、反射防止パターン４１と遮光性パターン
３１を全てエツチングしたく同図（ｄ））。このときの
酸化クロム膜２のシート抵抗を測定した結果、２００に
Ω／口程度の導電性を確保していることが判明した。
以上のように、本発明によれば、弗素系ガスのプラズマ
種に対してエツチングされやすい遮光性金属及び反射防
止膜用酸化物をマスク材として、エツチングされにくい
酸化物を透明導電膜としてそれぞれ使用することにより
、弗素系ガスによるプラズマエツチングによって製作さ
れるフォトマスクについて帯電防止効果及び反射防止効
果を得ることができる。
種に対してエツチングされやすい遮光性金属及び反射防
止膜用酸化物をマスク材として、エツチングされにくい
酸化物を透明導電膜としてそれぞれ使用することにより
、弗素系ガスによるプラズマエツチングによって製作さ
れるフォトマスクについて帯電防止効果及び反射防止効
果を得ることができる。
上記実施例では、透明導電膜と遮光性金属膜と反射防止
膜の３層膜を形成したが、そのうち透明導電膜と遮光性
金属膜から成る２層のものは静電破壊防止のフォトマス
クブランクとして使用することができ、また、遮光性金
属膜と反射防止膜から成る２層のものは反射防止のフォ
トマスクブランクとして使用することができる。
膜の３層膜を形成したが、そのうち透明導電膜と遮光性
金属膜から成る２層のものは静電破壊防止のフォトマス
クブランクとして使用することができ、また、遮光性金
属膜と反射防止膜から成る２層のものは反射防止のフォ
トマスクブランクとして使用することができる。
また、他の実施例としては、本発明に係る透明導電膜と
して酸化クロムの他に酸化鉄（ＦｅうＯへ）、酸化鉛（
Ｐ ｂ３０Ｊ及びクロム酸鉛（ＰｂＣｒ０４＞等を使用
することができ、遮光性金属膜としてセレンの他にゲル
マニウム（Ｇｅｍ、レニウム（Ｒｅ）、バナジウム（Ｖ
）及びルテニウム（Ｒｕ）を使用することができ、反射
防止膜として酸化ゲルマニウムの他に二酸化セレン（Ｓ
ｅ ０２ ） 、酸化レニウム（Ｒｅ ０３ ） 、酸
化イリジウム（Ｉｒ０２）及び五酸化バナジウム＜ Ｖ
ｚＯｓ）等を使用することができ、弗素系ガスとして０
ｆ−４の他にＣ２Ｆ６、Ｃ，Ｆも、ＣＨＦ３ 、Ｓｉ
Ｆ４等及びそれらの混合ガス又は前記弗素系ガスに酸素
ガスを混合したものを使用することができる。更に、以
上の透明導電膜と反射防止膜は、所定の膜厚をもって１
層で形成されるが、列挙された各酸化物を多層形成して
もよい。
して酸化クロムの他に酸化鉄（ＦｅうＯへ）、酸化鉛（
Ｐ ｂ３０Ｊ及びクロム酸鉛（ＰｂＣｒ０４＞等を使用
することができ、遮光性金属膜としてセレンの他にゲル
マニウム（Ｇｅｍ、レニウム（Ｒｅ）、バナジウム（Ｖ
）及びルテニウム（Ｒｕ）を使用することができ、反射
防止膜として酸化ゲルマニウムの他に二酸化セレン（Ｓ
ｅ ０２ ） 、酸化レニウム（Ｒｅ ０３ ） 、酸
化イリジウム（Ｉｒ０２）及び五酸化バナジウム＜ Ｖ
ｚＯｓ）等を使用することができ、弗素系ガスとして０
ｆ−４の他にＣ２Ｆ６、Ｃ，Ｆも、ＣＨＦ３ 、Ｓｉ
Ｆ４等及びそれらの混合ガス又は前記弗素系ガスに酸素
ガスを混合したものを使用することができる。更に、以
上の透明導電膜と反射防止膜は、所定の膜厚をもって１
層で形成されるが、列挙された各酸化物を多層形成して
もよい。
以上の通り、本発明によれば、弗素系ガスによるプラズ
マエツチング用のフォトマスクブランクを実現したこと
により、その実用的なＩｆｉｌｌｉは多大である。
マエツチング用のフォトマスクブランクを実現したこと
により、その実用的なＩｆｉｌｌｉは多大である。
第１図は本発明による実施例を示すフォトマスクブラン
クの概略断面図、第２図は前実施例のフォトマスクブラ
ンクを使用した弗素系ガスによるプラズマエツチングに
よって製作したフォトマスクの概略断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・酸化クロムの透明導電膜
、３・・・セレンの遮光性金属膜、４・・・酸化ゲルマ
ニウムの反躬防止膜
クの概略断面図、第２図は前実施例のフォトマスクブラ
ンクを使用した弗素系ガスによるプラズマエツチングに
よって製作したフォトマスクの概略断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・酸化クロムの透明導電膜
、３・・・セレンの遮光性金属膜、４・・・酸化ゲルマ
ニウムの反躬防止膜
Claims (3)
- （１） 弗素系ガスを用いたプラズマエツチング用のフ
ォトマスクブランクにおいて、ガラス基′板上にセレン
、ゲルマニウム、レニウム、イリジウム、バナジウム及
びルテニウムのうら何れか１つを遮光性金属膜として成
膜し、かつ前記遮光性金８８９上にセレン、ゲルマニウ
ム、レニウム、イリジウム及びバナジウムの各酸化物の
うち少くとも１層を反射防止膜として成膜したことを特
徴とするフォトマスクブランク。 - （２） 弗素系ガスを用心）たプラズマエツチング用の
フォトマスクブランクにおいて、ガラス基板上に鉄、ク
ロム、鉛及びクロム鉛の各酸化物のうち少くとも１層を
透明導電膜として成膜し、かつ前記透明導ｆｆ１ｌｌＵ
上にセレン、ゲルマニウム、レニウム、イリジウム、バ
ナジウム及びルテニウムのうち何れか１つを遮光性金属
膜として成膜したことを特徴とするフォトマスクブラン
ク。 - （３） 弗素系ガスを用いたプラズマエツチング用のフ
ォトマスクブランクにおいて、ガラス基板上に鉄、クロ
ム、鉛及びクロム鉛の各酸化物のうち少くとも１層を透
明導電膜として成膜し、かつ前記透明導電膜上にセレン
、ゲルマニウム、レニウム、イリジウム、バナジウム及
びルテニウムのうち何れか１つを遮光性金属膜として成
膜し、かつ前記遮光性金属膜上にセレン、ゲルマニウム
、レニウム、イリジウム及びバナジウムの各酸化物のう
ち少くとも１層を反射防止膜として成膜したことを特徴
とするフォトマスクブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58012905A JPS59139034A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | フオトマスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58012905A JPS59139034A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | フオトマスクブランク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59139034A true JPS59139034A (ja) | 1984-08-09 |
| JPS6237383B2 JPS6237383B2 (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=11818374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58012905A Granted JPS59139034A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | フオトマスクブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59139034A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132323A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| EP1811335A1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-07-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method for producing those |
| JP2009163264A (ja) * | 2003-02-03 | 2009-07-23 | Hoya Corp | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP58012905A patent/JPS59139034A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132323A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH0428132B2 (ja) * | 1983-12-21 | 1992-05-13 | Hitachi Ltd | |
| JP2009163264A (ja) * | 2003-02-03 | 2009-07-23 | Hoya Corp | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
| EP1811335A1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-07-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method for producing those |
| EP1811335A4 (en) * | 2004-09-10 | 2008-12-17 | Shinetsu Chemical Co | PHOTOMASK, PHOTOMASQUE, AND METHOD OF MANUFACTURE |
| US7618753B2 (en) | 2004-09-10 | 2009-11-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method for producing those |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6237383B2 (ja) | 1987-08-12 |
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