JPS6074529A - 写真食刻による集積回路のパタ−ン形成法 - Google Patents
写真食刻による集積回路のパタ−ン形成法Info
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- JPS6074529A JPS6074529A JP15563384A JP15563384A JPS6074529A JP S6074529 A JPS6074529 A JP S6074529A JP 15563384 A JP15563384 A JP 15563384A JP 15563384 A JP15563384 A JP 15563384A JP S6074529 A JPS6074529 A JP S6074529A
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- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路の製造に関するものであって、更に詳
しく言えば、写真食刻によるパターン形成に関連して感
光材料で被覆された導電性部材の表面からの反射光を低
減させることに関する。
しく言えば、写真食刻によるパターン形成に関連して感
光材料で被覆された導電性部材の表面からの反射光を低
減させることに関する。
集積回路製造プロセスの最終工程近くにおいては、その
表面上に金属層が設置されるのが普通である。この製造
段階では、集積回路を形成すべきウェーハの表面は一般
に平坦でなく、急な階段部を含んでいることが多い。写
真食刻技術によってその金属層にパターン形成を施す場
合、金属層の高い反射率および基板中における階段部の
存在のためにホトレジストの露光量が不均一となり、従
って形成されるパターンが不規則なものとなる。
表面上に金属層が設置されるのが普通である。この製造
段階では、集積回路を形成すべきウェーハの表面は一般
に平坦でなく、急な階段部を含んでいることが多い。写
真食刻技術によってその金属層にパターン形成を施す場
合、金属層の高い反射率および基板中における階段部の
存在のためにホトレジストの露光量が不均一となり、従
って形成されるパターンが不規則なものとなる。
その結果、パターン化されたホトレジストを用いて金属
層中に食刻されたパターンの線幅は階段部の近傍におい
て不均一となる。また、反射がもたらす輻射線の定常波
のためにホトレジストの露光量が不均一になる結果、基
板の平坦部分上に位置する金属層のパターンの線幅も不
均一となる。
層中に食刻されたパターンの線幅は階段部の近傍におい
て不均一となる。また、反射がもたらす輻射線の定常波
のためにホトレジストの露光量が不均一になる結果、基
板の平坦部分上に位置する金属層のパターンの線幅も不
均一となる。
本発明の目的の１つは、集積回路ウェーハ中の高反射性
表面を持った層上に位置する感光材料層の露光量を実質
的に均一にするための方法を提供することにある。
表面を持った層上に位置する感光材料層の露光量を実質
的に均一にするための方法を提供することにある。
また、集積回路の製造に際して金属のごとき材料から成
る層の反射性表面がもたらす悪影響を低減させるのに役
立つ、現行の製造プロセスに適合した簡単な方法を提供
することも本発明の目的の１つである。
る層の反射性表面がもたらす悪影響を低減させるのに役
立つ、現行の製造プロセスに適合した簡単な方法を提供
することも本発明の目的の１つである。
本発明は、感光材料層の使用によりパターンを印刻した
マスクから金属のごとき反射性材料の層に対してそのパ
ターンを光学的に転写するため反射性材Ｆ１層に前処理
を施す方法に関する。かがる方法に従えば、反射性材料
層からの反射光を低減させるための非晶質シリコン層が
反射性材料層上に設置され、次いでその非晶質シリコン
層上に感光材料層が設置される。
マスクから金属のごとき反射性材料の層に対してそのパ
ターンを光学的に転写するため反射性材Ｆ１層に前処理
を施す方法に関する。かがる方法に従えば、反射性材料
層からの反射光を低減させるための非晶質シリコン層が
反射性材料層上に設置され、次いでその非晶質シリコン
層上に感光材料層が設置される。
本発明に固有のものと信じられる新規な特徴は、前記特
許請求の範囲中に詳細に記載されている。
許請求の範囲中に詳細に記載されている。
とは言え、本発明の構成や実施方法並びに上記以外の目
的や利点は、添付の図面を参照しながら以下の説明を考
察することによって最も良く理解できよう。
的や利点は、添付の図面を参照しながら以下の説明を考
察することによって最も良く理解できよう。
先ず第１図を見ると、各種厚さのスパッタリング形成シ
リコン層または非晶質シリコン層で被覆されたアルミニ
ウム表面のアルミニウム露出面に対する相対反射率を波
長の関数として表わした１群のグラフが示されている。
リコン層または非晶質シリコン層で被覆されたアルミニ
ウム表面のアルミニウム露出面に対する相対反射率を波
長の関数として表わした１群のグラフが示されている。
グラフ１１をめるに当っては、スパッタリングによって
シリコンウニ３− 一ハ上に厚さ約５０００オングストロームのアルミニウ
ム層を形成しかつやはリスバッタリングによってその上
に厚さ約２００オングストロームのシリコン層を形成し
て成る試験片を使用し、そしてスパッタリング形成シリ
コン層の表面から得られる反射光を２００〜７５０ｎｉ
の範囲内の各波長において測定した。他方、シリコンウ
ェーハをアルミニウム層のみで被覆して成る対照試験片
からの反射光も同じ波長で測定し、そしてシリコン被覆
アルミニウム表面からの反射光と比較することにより、
グラフ上の各点がめられた。同様にグラフ１２は、スパ
ッタリングによってシリコンウェーハ上にアルミニウム
層を形成しかつやはりスパッタリングによってその上に
厚さ４００オングストロームのシリコン層を形成した試
験片を使用してめたものである。すなわち、厚さ４００
オングストロームの非晶質シリコン層の表面からの反射
光をアルミニウム層のみで被覆されたシリコンウェーへ
の表面からの反射光と各波長で比較することによってグ
ラフ１２がめられた。またグラフ１３は、スパッタ４− リングによってシリコンウェーハ上にアルミニウム層お
よび厚さ６００オングストロームのシリコン層を相次い
で形成して成る試験片からの反射光をアルミニウム層の
みで被覆されたシリコンウェーハからの反射光と各波長
で比較することによってめたものである。スパッタリン
グによってアルミニウムの反射性表面上に形成された各
種厚さのシリコン層に関するグラフ１１．１２および１
３を検討すれば明らかな通り、概して言えば、スパッタ
リング形成シリコン層の厚さの増大に伴って吸収光が増
加し、従って反射光が減少する。また、相対反射率が谷
を成す波長はスパッタリング形成シリコン層の厚さに応
じて順次に変化する。たとえば、非晶質シリコン層の厚
さが２００オングストロームである場合、約４００ｎｌ
の波長に谷が生じるのである。今、関係式 ％式％ によって与えられるような屈折率Ｎの光学パラメータｎ
およびｋを考える。かかる光学パラメータを用いた光学
計算によれば、非晶質シリコン層の厚さが約５０オング
ストロームである場合、グラフの谷は約２５０ｎｍの波
長に生じることが確認された。
シリコンウニ３− 一ハ上に厚さ約５０００オングストロームのアルミニウ
ム層を形成しかつやはリスバッタリングによってその上
に厚さ約２００オングストロームのシリコン層を形成し
て成る試験片を使用し、そしてスパッタリング形成シリ
コン層の表面から得られる反射光を２００〜７５０ｎｉ
の範囲内の各波長において測定した。他方、シリコンウ
ェーハをアルミニウム層のみで被覆して成る対照試験片
からの反射光も同じ波長で測定し、そしてシリコン被覆
アルミニウム表面からの反射光と比較することにより、
グラフ上の各点がめられた。同様にグラフ１２は、スパ
ッタリングによってシリコンウェーハ上にアルミニウム
層を形成しかつやはりスパッタリングによってその上に
厚さ４００オングストロームのシリコン層を形成した試
験片を使用してめたものである。すなわち、厚さ４００
オングストロームの非晶質シリコン層の表面からの反射
光をアルミニウム層のみで被覆されたシリコンウェーへ
の表面からの反射光と各波長で比較することによってグ
ラフ１２がめられた。またグラフ１３は、スパッタ４− リングによってシリコンウェーハ上にアルミニウム層お
よび厚さ６００オングストロームのシリコン層を相次い
で形成して成る試験片からの反射光をアルミニウム層の
みで被覆されたシリコンウェーハからの反射光と各波長
で比較することによってめたものである。スパッタリン
グによってアルミニウムの反射性表面上に形成された各
種厚さのシリコン層に関するグラフ１１．１２および１
３を検討すれば明らかな通り、概して言えば、スパッタ
リング形成シリコン層の厚さの増大に伴って吸収光が増
加し、従って反射光が減少する。また、相対反射率が谷
を成す波長はスパッタリング形成シリコン層の厚さに応
じて順次に変化する。たとえば、非晶質シリコン層の厚
さが２００オングストロームである場合、約４００ｎｌ
の波長に谷が生じるのである。今、関係式 ％式％ によって与えられるような屈折率Ｎの光学パラメータｎ
およびｋを考える。かかる光学パラメータを用いた光学
計算によれば、非晶質シリコン層の厚さが約５０オング
ストロームである場合、グラフの谷は約２５０ｎｍの波
長に生じることが確認された。
なお、この谷における相対反射率は約５０％となるはず
である。
である。
所望ならば、２００オングストロームより小さいか６０
０オングストロームより大きいスパッタリング形成シリ
コン層の厚さ並びにグラフ中に示された厚さの中間の厚
さについても、グラフ１１．１２および１３と同様なグ
ラフを上記のごとき方法によってめることができる。ま
た、所望ならば、かかるグラフを２００ｎｌｌｌより小
さい波長および７００ｎｍより大ぎい波長まで延長する
こともできる。
０オングストロームより大きいスパッタリング形成シリ
コン層の厚さ並びにグラフ中に示された厚さの中間の厚
さについても、グラフ１１．１２および１３と同様なグ
ラフを上記のごとき方法によってめることができる。ま
た、所望ならば、かかるグラフを２００ｎｌｌｌより小
さい波長および７００ｎｍより大ぎい波長まで延長する
こともできる。
スパッタリングによって形成されたシリコン層は非晶質
であって、本質的に結晶構造を有していない。約４００
〜約４５０ｎｌｌｌの波長範囲の輻射線について見れば
、かかる非晶質シリコンの吸収長さは結晶質シリコンの
吸収長さの約１／１０である。なお吸収長さとは、非晶
質シリコン層の表面に入射した輻射線の６３％が吸収さ
れるような侵入深さとして定義される。それ故、スパッ
タリングによって形成された非晶質シリコン層は、上記
の波長範囲内における反射性表面からの反射光を実質的
に低減させるために極めて有利である。
であって、本質的に結晶構造を有していない。約４００
〜約４５０ｎｌｌｌの波長範囲の輻射線について見れば
、かかる非晶質シリコンの吸収長さは結晶質シリコンの
吸収長さの約１／１０である。なお吸収長さとは、非晶
質シリコン層の表面に入射した輻射線の６３％が吸収さ
れるような侵入深さとして定義される。それ故、スパッ
タリングによって形成された非晶質シリコン層は、上記
の波長範囲内における反射性表面からの反射光を実質的
に低減させるために極めて有利である。
第１図中に示されたグラフは、非晶質シリコン層から空
気中への相対反射率に関するものである。
気中への相対反射率に関するものである。
これらのグラフは、非晶質シリコン層からホトレジスト
層中への相対反射率を示すグラフに近似している。なお
、非晶質シリコン層からホトレジスト層中への相対反射
率に関する同様なグラフをめることもできる。かかるグ
ラフの特徴は、空気の場合と異なり、ホトレジストの屈
折率の実数成分（ｎ）および虚数成分（ｋ ）の関数と
なる点である。シプレー（Ｓ ｈｉｐｌｅｙ）社のＡ
Ｚ １４７０形ホトレジストの場合、４５０ｎｍのにお
けるｎおよびｋの値はそれぞれ１．７および０．０２と
なる。空気について言えば、これらの定数はｎ＝１およ
びに＝０である。これらの定数を用いて確認される通り
、非晶質シリコン層上にホトレジスト層が存在する場合
（すなわち４０５ｎｍにおいてｎ＝ ４．１３かつに＝
２．１３である場合）の対応グラフはやや下方７− へ移動し、またその谷は短波長側へ少しだけ移動するこ
とになる。
層中への相対反射率を示すグラフに近似している。なお
、非晶質シリコン層からホトレジスト層中への相対反射
率に関する同様なグラフをめることもできる。かかるグ
ラフの特徴は、空気の場合と異なり、ホトレジストの屈
折率の実数成分（ｎ）および虚数成分（ｋ ）の関数と
なる点である。シプレー（Ｓ ｈｉｐｌｅｙ）社のＡ
Ｚ １４７０形ホトレジストの場合、４５０ｎｍのにお
けるｎおよびｋの値はそれぞれ１．７および０．０２と
なる。空気について言えば、これらの定数はｎ＝１およ
びに＝０である。これらの定数を用いて確認される通り
、非晶質シリコン層上にホトレジスト層が存在する場合
（すなわち４０５ｎｍにおいてｎ＝ ４．１３かつに＝
２．１３である場合）の対応グラフはやや下方７− へ移動し、またその谷は短波長側へ少しだけ移動するこ
とになる。
第１図中のグラフを利用すれば、パターン形成時におけ
る反射光を低減させるためアルミニウム層上に設置すべ
き非晶質シリコン層の厚さを容易に選定することができ
る。たとえば、非晶質シリコン層上に設置されたホトレ
ジスト層を露光するためにオプティメトリクス（Ｑ ｐ
ｔｉｍｅｔｒｉｘ ）社の８０１０形写真食刻投射装置
を使用する場合、露光波長は４３６ｎｍである。それ故
、第１図中のグラフを検討すると、グラフ１２によって
表わされる厚さ４００オングストロームの非晶質シリコ
ン層が４３６ｎｍにおいて反射光をアルミニウム露出面
の場合の３４％にまで低減させ、従ってアルミニウム層
の表面上に設置すべき非晶質シリコン層の厚さは４００
オングストロームであることが明らかとなる。伯の投射
装置は様々に異なる波長で動作するから、反射光の低減
を達成するためには様々に異なる厚さの非晶質シリコン
層が使用されるわけである。
る反射光を低減させるためアルミニウム層上に設置すべ
き非晶質シリコン層の厚さを容易に選定することができ
る。たとえば、非晶質シリコン層上に設置されたホトレ
ジスト層を露光するためにオプティメトリクス（Ｑ ｐ
ｔｉｍｅｔｒｉｘ ）社の８０１０形写真食刻投射装置
を使用する場合、露光波長は４３６ｎｍである。それ故
、第１図中のグラフを検討すると、グラフ１２によって
表わされる厚さ４００オングストロームの非晶質シリコ
ン層が４３６ｎｍにおいて反射光をアルミニウム露出面
の場合の３４％にまで低減させ、従ってアルミニウム層
の表面上に設置すべき非晶質シリコン層の厚さは４００
オングストロームであることが明らかとなる。伯の投射
装置は様々に異なる波長で動作するから、反射光の低減
を達成するためには様々に異なる厚さの非晶質シリコン
層が使用されるわけである。
かかる非晶質シリコン層の使用は、アルミニラ８−
ム表面から上部のホトレジスト層中への反射光を低減さ
せるという望ましい性質を有するばかりでなく、集積回
路ウェーハの加工操作に適合するという点でも特に有利
である。アルミニウムの乾式エツチングに際しては四塩
化炭素ガスが使用される。このガスはまた、シリコンを
も腐食する。更にまた、塩素を含有する他の乾式エツチ
ングガスもアルミニウムおよびシリコンの両方を腐食す
る。
せるという望ましい性質を有するばかりでなく、集積回
路ウェーハの加工操作に適合するという点でも特に有利
である。アルミニウムの乾式エツチングに際しては四塩
化炭素ガスが使用される。このガスはまた、シリコンを
も腐食する。更にまた、塩素を含有する他の乾式エツチ
ングガスもアルミニウムおよびシリコンの両方を腐食す
る。
従って、アルミニウム層上に設置された非晶質シリコン
層のエツチングはアルミニウム層のエツチングと同じ工
程において行うことができる。非晶質シリコン層の使用
に伴うもう１つの利点は、アルミニウム層中に少量のシ
リコンが通例含有される結果、シリコン基板上にアルミ
ニウムを設置した後にシリコンがアルミニウム中に溶解
する温度まで昇温した場合に起こるシリコン基板中への
アルミニウムスパイクの形成が低減されることである。
層のエツチングはアルミニウム層のエツチングと同じ工
程において行うことができる。非晶質シリコン層の使用
に伴うもう１つの利点は、アルミニウム層中に少量のシ
リコンが通例含有される結果、シリコン基板上にアルミ
ニウムを設置した後にシリコンがアルミニウム中に溶解
する温度まで昇温した場合に起こるシリコン基板中への
アルミニウムスパイクの形成が低減されることである。
このように、スパッタリングによって形成された非晶質
シリコン層は２つの機能を果たすのである。本発明方法
のその他の利点としては、プロセスを複雑化することな
しに反射光低減工程を容易に実施し得ることが挙げられ
る。シリコンのスパッタリングは、基板上へのアルミニ
ウムのスパッタリングと同じ装置内において行えばよい
。
シリコン層は２つの機能を果たすのである。本発明方法
のその他の利点としては、プロセスを複雑化することな
しに反射光低減工程を容易に実施し得ることが挙げられ
る。シリコンのスパッタリングは、基板上へのアルミニ
ウムのスパッタリングと同じ装置内において行えばよい
。
第１図中のグラフはアルミニウム支持層に関するもので
あるが、集積回路の製造に際して通例使用されるその伯
の導電性材料たとえばモリブデン、タングステン、チタ
ンおよび白金に関する同様なグラフも容易にめることが
できる。更にまた、上記金属のケイ化物に関する同様な
グラフもめることができる。上記のごとき各種の金属材
料のエツチング用として通例使用される塩素またはフッ
素含有ガス中においてシリコンは容易に腐食されるから
、非晶質シリコン層および下部の金属層のエツチングは
１つの工程で行うことができる。
あるが、集積回路の製造に際して通例使用されるその伯
の導電性材料たとえばモリブデン、タングステン、チタ
ンおよび白金に関する同様なグラフも容易にめることが
できる。更にまた、上記金属のケイ化物に関する同様な
グラフもめることができる。上記のごとき各種の金属材
料のエツチング用として通例使用される塩素またはフッ
素含有ガス中においてシリコンは容易に腐食されるから
、非晶質シリコン層および下部の金属層のエツチングは
１つの工程で行うことができる。
次に第２図を見ると、本発明方法の特定の応用例を説明
するために役立つ構造物２０の断面図が示されている。
するために役立つ構造物２０の断面図が示されている。
先ず、１０Ω・印の抵抗率を示しかつ結晶の（１００）
面に平行な主面２２を有する厚さ約２０ミルのＰ形シリ
コン半導体材料製基板２１が用意される。清浄処理を施
した後、かかる基板を乾燥酸素中において１０００℃で
酸化することによって厚さ１０００オングストロームの
二酸化シリコン層２３が生成される。次いで、通常のス
パッタリング装置の使用により、二酸化シリコン層２３
上に厚さ５０００オングストロームのアルミニウム層２
４が形成される。かかるスパッタリング装置とは、アル
ミニウム製のターゲットを不活性ガスイオンで衝撃する
ことによってアルミニウムを二酸化シリコン層上に沈着
させるようなものである。その俊、基板上にアルミニウ
ム層を形成するために使用したものと同じスパッタリン
グ装置内において、所望厚さくたとえば厚さ４００オン
グストローム）の非晶質シリコン層２５がスパッタリン
グによってアルミニウム層上に形成される。前述の通り
、この厚さの非晶質シリコン層によれば、４３６ｎｍの
波長における非晶質シリコン層の上面からの反射光はア
ルミニウム層２４の表面からの反射光の約３４％にまで
低減されるのである。その後、非晶質シリコン層２５上
に適当なホトレジスト層２６が設置される。ホト１１
− レジスト層中への像形成のために使用される装置が約４
３６ｎｌｌｌの波長で動作するオプティメトリクス社の
８０１０形投射装置である場合、かかる目的のために適
するホトレジストはシブレー社のＡ Ｚ １４７０形ホ
トレジストである。各種の材料層を有する基板２０を投
射装置内に配置してホトレジスト層中に像を形成した後
、現像によってホトレジスト層の露光部分が除去される
。こうしてパターン化されたホト１９７１〜層を利用す
ることにより、非晶質シリコン層で被覆されたアルミニ
ウム層中にパターンが食刻される。その場合のエツチン
グ法としては、非晶質シリコンおよびアルミニウムの両
方を腐食する四塩化炭素を用いた乾式エツチング法が適
当である。次いで、残留するホトレジスト層が除去され
る。以後、集積回路において所望される最終構造に応じ
た所要の加工操作が構造物２０に対して施される。前記
に指摘された通り、シリコン基板中へのアルミニウムス
パイクの形成を低減させるため、非晶質シリコン層をア
ルミニウム層上に残留させることができる。また所望な
らば、１２− 水酸化ナトリウムのごときエツチング剤を用いて非晶質
シリコン層を除去することもできる。
面に平行な主面２２を有する厚さ約２０ミルのＰ形シリ
コン半導体材料製基板２１が用意される。清浄処理を施
した後、かかる基板を乾燥酸素中において１０００℃で
酸化することによって厚さ１０００オングストロームの
二酸化シリコン層２３が生成される。次いで、通常のス
パッタリング装置の使用により、二酸化シリコン層２３
上に厚さ５０００オングストロームのアルミニウム層２
４が形成される。かかるスパッタリング装置とは、アル
ミニウム製のターゲットを不活性ガスイオンで衝撃する
ことによってアルミニウムを二酸化シリコン層上に沈着
させるようなものである。その俊、基板上にアルミニウ
ム層を形成するために使用したものと同じスパッタリン
グ装置内において、所望厚さくたとえば厚さ４００オン
グストローム）の非晶質シリコン層２５がスパッタリン
グによってアルミニウム層上に形成される。前述の通り
、この厚さの非晶質シリコン層によれば、４３６ｎｍの
波長における非晶質シリコン層の上面からの反射光はア
ルミニウム層２４の表面からの反射光の約３４％にまで
低減されるのである。その後、非晶質シリコン層２５上
に適当なホトレジスト層２６が設置される。ホト１１
− レジスト層中への像形成のために使用される装置が約４
３６ｎｌｌｌの波長で動作するオプティメトリクス社の
８０１０形投射装置である場合、かかる目的のために適
するホトレジストはシブレー社のＡ Ｚ １４７０形ホ
トレジストである。各種の材料層を有する基板２０を投
射装置内に配置してホトレジスト層中に像を形成した後
、現像によってホトレジスト層の露光部分が除去される
。こうしてパターン化されたホト１９７１〜層を利用す
ることにより、非晶質シリコン層で被覆されたアルミニ
ウム層中にパターンが食刻される。その場合のエツチン
グ法としては、非晶質シリコンおよびアルミニウムの両
方を腐食する四塩化炭素を用いた乾式エツチング法が適
当である。次いで、残留するホトレジスト層が除去され
る。以後、集積回路において所望される最終構造に応じ
た所要の加工操作が構造物２０に対して施される。前記
に指摘された通り、シリコン基板中へのアルミニウムス
パイクの形成を低減させるため、非晶質シリコン層をア
ルミニウム層上に残留させることができる。また所望な
らば、１２− 水酸化ナトリウムのごときエツチング剤を用いて非晶質
シリコン層を除去することもできる。
第１図中に示された結果は、一般に、非晶質シリコン層
で被覆された任意の反射性表面について成立つものであ
る。その中には、金属表面ばかりでなく、モリブデン、
タングステン、チタンおよび白金のケイ化物のように金
属様の性質を持った材料層の表面も含まれる。
で被覆された任意の反射性表面について成立つものであ
る。その中には、金属表面ばかりでなく、モリブデン、
タングステン、チタンおよび白金のケイ化物のように金
属様の性質を持った材料層の表面も含まれる。
上記においてはスパッタリングによって非晶質シリコン
層を形成したが、その他の手段（たとえばプラズマ利用
化学蒸着）によってそれを形成することも可能である。
層を形成したが、その他の手段（たとえばプラズマ利用
化学蒸着）によってそれを形成することも可能である。
以上、特定の実施の態様に関連して本発明を記載したが
、たとえば上記のごとき変更を加え得ることは当業者に
とって自明であろう。それ故、前記特許請求の範囲は本
発明の精神および範囲に反しない限りあらゆる実施の態
様を包括するように意図されている。
、たとえば上記のごとき変更を加え得ることは当業者に
とって自明であろう。それ故、前記特許請求の範囲は本
発明の精神および範囲に反しない限りあらゆる実施の態
様を包括するように意図されている。
第１図はアルミニウム支持層上に設置された各種厚さの
スパッタリング形成シリコン層または非晶質シリコン層
のアルミニウム露出面に対する相対反射率を波長の関数
として表わした１群のグラフ、そして第２図は本発明の
実施の一態様を説明するために役立つ構造物の断面図で
ある。 図中、２１は基板、２２は主面、２３は二酸化シリコン
層、２４はアルミニウム層、２５は非晶質シリコン層、
そして２６はホトレジスト層を表わす。 特許出願人 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ代理人 （７６
３０） 生 沼 徳 二１５− Ｆηｇ→ｌ 多り表伏ｐｐｔ）
スパッタリング形成シリコン層または非晶質シリコン層
のアルミニウム露出面に対する相対反射率を波長の関数
として表わした１群のグラフ、そして第２図は本発明の
実施の一態様を説明するために役立つ構造物の断面図で
ある。 図中、２１は基板、２２は主面、２３は二酸化シリコン
層、２４はアルミニウム層、２５は非晶質シリコン層、
そして２６はホトレジスト層を表わす。 特許出願人 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ代理人 （７６
３０） 生 沼 徳 二１５− Ｆηｇ→ｌ 多り表伏ｐｐｔ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、約２００〜約７００ｎｍの波長範囲内の光および前
記波長範囲内の光に対して感受性を有する感光材料層の
使用によりパターンを印刻したマスクから光反射性材料
層に対して前記パターンを光学的に転写するため前記光
反射性材料層に前処理を施す方法において、前記光反射
性材料層からの反射光を低減させるための非晶質シリコ
ン層を前記光反射性材料層上に設置し、次いで前記非晶
質シリコン層上に前記光反射性材料層を設置することを
特徴とする方法。 ２、前記非晶質シリコン層の厚さが約５０〜約６００オ
ングストロームの範囲内にある特許請求の範囲第１項記
載の方法。 ３、前記光反射性材料が金属である特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ４、前記金属がアルミニウムである特許請求の範囲第３
項記載の方法。 ５、前記金属がモリブデン、タングステン、チタンおよ
び白金から成る群より選ばれた１者である特許請求の範
囲第３項記載の方法。 ６、前記光反射性材料がモリブデン、タングステン、チ
タンおにび白金から成る群より選ばれた金属のケイ化物
である特許請求の範囲第１項記載の方法。 ７、前記非晶質シリコン層がスパッタリングによって形
成される特許請求の範囲第５項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US52449783A | 1983-08-18 | 1983-08-18 | |
| US524497 | 1990-05-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074529A true JPS6074529A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=24089455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15563384A Pending JPS6074529A (ja) | 1983-08-18 | 1984-07-27 | 写真食刻による集積回路のパタ−ン形成法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074529A (ja) |
| DE (1) | DE3428565A1 (ja) |
| GB (1) | GB2145243B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01241125A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2170649A (en) * | 1985-01-18 | 1986-08-06 | Intel Corp | Sputtered silicon as an anti-reflective coating for metal layer lithography |
| JPH0719842B2 (ja) * | 1985-05-23 | 1995-03-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の冗長回路 |
| DE3930655A1 (de) * | 1988-09-13 | 1990-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung mit vielschichtig gestapelter verbindungsschicht und verfahren zu deren herstellung |
| JPH0279463A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| ATE123345T1 (de) * | 1989-01-23 | 1995-06-15 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen einer siliziumnitridschicht, wie sie als antireflexschicht in photolithographieprozessen bei der herstellung hochintegrierter halbleiterschaltungen verwendet wird. |
| KR950011563B1 (ko) * | 1990-11-27 | 1995-10-06 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체장치의 제조방법 |
| US5302240A (en) * | 1991-01-22 | 1994-04-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| JPH0590224A (ja) * | 1991-01-22 | 1993-04-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| DE4231312C2 (de) * | 1992-09-18 | 1996-10-02 | Siemens Ag | Antireflexschicht und Verfahren zur lithografischen Strukturierung einer Schicht |
| US6300253B1 (en) | 1998-04-07 | 2001-10-09 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming photoresist over silicon nitride materials, and semiconductor wafer assemblies comprising photoresist over silicon nitride materials |
| US6323139B1 (en) | 1995-12-04 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming photoresist over silicon nitride materials |
| US5926739A (en) | 1995-12-04 | 1999-07-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of promoting photoresist adhesion to an outer substrate layer predominately comprising silicon nitride |
| US5985771A (en) | 1998-04-07 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer assemblies comprising silicon nitride, methods of forming silicon nitride, and methods of reducing stress on semiconductive wafers |
| US6316372B1 (en) | 1998-04-07 | 2001-11-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a layer of silicon nitride in a semiconductor fabrication process |
| US6635530B2 (en) | 1998-04-07 | 2003-10-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming gated semiconductor assemblies |
| WO2001009683A1 (en) * | 1999-08-02 | 2001-02-08 | Infineon Technologies North America Corp. | Reduction of resist poisoning |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680133A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Formation of pattern |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561533A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Hitachi Ltd | Method of photoetching |
| GB2061615A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-13 | Gen Electric | Composite conductors for integrated circuits |
-
1984
- 1984-06-27 GB GB08416345A patent/GB2145243B/en not_active Expired
- 1984-07-27 JP JP15563384A patent/JPS6074529A/ja active Pending
- 1984-08-02 DE DE19843428565 patent/DE3428565A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680133A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Formation of pattern |
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| JPH01241125A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2145243B (en) | 1987-08-26 |
| GB2145243A (en) | 1985-03-20 |
| DE3428565A1 (de) | 1985-03-07 |
| GB8416345D0 (en) | 1984-08-01 |
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