JPH0428132B2 - - Google Patents
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- JPH0428132B2 JPH0428132B2 JP23975083A JP23975083A JPH0428132B2 JP H0428132 B2 JPH0428132 B2 JP H0428132B2 JP 23975083 A JP23975083 A JP 23975083A JP 23975083 A JP23975083 A JP 23975083A JP H0428132 B2 JPH0428132 B2 JP H0428132B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＸ線露光用マスクの製造方法に係り、
詳しくは、位置合せ用の可視光透過性に優れ、吸
収体パターン寸法精度の高いＸ線露光用マスクの
製造方法に関する。
詳しくは、位置合せ用の可視光透過性に優れ、吸
収体パターン寸法精度の高いＸ線露光用マスクの
製造方法に関する。
Ｘ線マスクのＸ線吸収体パターン形成法の１つ
として、金などの吸収体材料をメツキする方法が
採られていた。この時、Ｘ線吸収体支持膜は多く
の場合、電気的絶縁性であるため、支持膜上にメ
ツキ用下地電極層を形成する必要がある。この下
地電極材料は従来はメツキ材料と同種の金属が用
いられたので、完成マスクのアライメント用可視
光を透過させるためには、最終的に非メツキ部の
下地電極層をエツチング除去する必要がある。こ
の時、吸収体金属を不必要にエツチングされ、パ
ターンの寸法精度を低下させる、あるいは、吸収
体パターンを剥離させてしまうなどの問題点があ
つた。
として、金などの吸収体材料をメツキする方法が
採られていた。この時、Ｘ線吸収体支持膜は多く
の場合、電気的絶縁性であるため、支持膜上にメ
ツキ用下地電極層を形成する必要がある。この下
地電極材料は従来はメツキ材料と同種の金属が用
いられたので、完成マスクのアライメント用可視
光を透過させるためには、最終的に非メツキ部の
下地電極層をエツチング除去する必要がある。こ
の時、吸収体金属を不必要にエツチングされ、パ
ターンの寸法精度を低下させる、あるいは、吸収
体パターンを剥離させてしまうなどの問題点があ
つた。
本発明の目的は上記従来の問題を解決し、可視
透過性がよく、パターン精度が高く、かつ、形成
の際に剥離などの生ずる恐れのないＸ線露光用マ
スクの製造方法を提供することにある。
透過性がよく、パターン精度が高く、かつ、形成
の際に剥離などの生ずる恐れのないＸ線露光用マ
スクの製造方法を提供することにある。
本発明の要旨は、可視光およびＸ線透過性を有
する支持体膜上に可視光およびＸ線透過性を有す
る導電性膜を形成し、前記導電性膜上に樹脂膜を
形成し、前記樹脂膜を選択エツチングすることに
よりメツキ用め型パターンを形成し、前記導電性
膜をメツキ電極として用いてメツキ処理を施すこ
とにより前記メツキ用め型内にＸ線吸収体を形成
することを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方
法にある。
する支持体膜上に可視光およびＸ線透過性を有す
る導電性膜を形成し、前記導電性膜上に樹脂膜を
形成し、前記樹脂膜を選択エツチングすることに
よりメツキ用め型パターンを形成し、前記導電性
膜をメツキ電極として用いてメツキ処理を施すこ
とにより前記メツキ用め型内にＸ線吸収体を形成
することを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方
法にある。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例 １
シリコンウエーハ１上にCVDによりSi3N4２
を、その上に高周波スパツタリングでBN膜３、
さらにPIQ（ポリイミド樹脂、日立化成工業株式
会社登録商標）膜４を形成し、これらの複合膜を
Ｘ線吸収体支持体膜とする（図１ａ）。上記支持
体膜上にメツキ用下地電極としてITO（Iudium
Tin Oxide）５を真空蒸着した（図１ｂ）。蒸着
条件はO2圧力：５×10-4Torr、基板加熱温度300
℃で、膜厚1000〓とした。上記条件でのITO膜の
可視光透過率は95％以上、シート抵抗は20Ωロで
あつた。次にメツキ電極上にPIQ（膜厚1.5μｍ）
のメツキ用め型パターン６を電子線描画法と多層
レジスト法により形成する。次に周知のメツキ技
術によつてAuメツキを行い、露出されたITO膜
５の表面上にAu７を被着する（図１ｃ）。メツキ
条件はメツキ液：NEUTRONEX 210、液温：
50℃、電流密度10ｍＡ／cm2、処理時間10分で行
い、膜厚1μｍを形成した。さらに最上層に
PIQ0.5μｍを塗布、硬化し、吸収体パターンを埋
込み保護層を形成し、Ｘ線露光用マスクを形成し
た（図１ｄ）。本実施例によればメツキ用電極、
およびメツキ用のめ型パターンを除去することな
しに、重ね合せ用に用いる可視光の透過率80％以
上のＸ線マスクを完成することができた。
を、その上に高周波スパツタリングでBN膜３、
さらにPIQ（ポリイミド樹脂、日立化成工業株式
会社登録商標）膜４を形成し、これらの複合膜を
Ｘ線吸収体支持体膜とする（図１ａ）。上記支持
体膜上にメツキ用下地電極としてITO（Iudium
Tin Oxide）５を真空蒸着した（図１ｂ）。蒸着
条件はO2圧力：５×10-4Torr、基板加熱温度300
℃で、膜厚1000〓とした。上記条件でのITO膜の
可視光透過率は95％以上、シート抵抗は20Ωロで
あつた。次にメツキ電極上にPIQ（膜厚1.5μｍ）
のメツキ用め型パターン６を電子線描画法と多層
レジスト法により形成する。次に周知のメツキ技
術によつてAuメツキを行い、露出されたITO膜
５の表面上にAu７を被着する（図１ｃ）。メツキ
条件はメツキ液：NEUTRONEX 210、液温：
50℃、電流密度10ｍＡ／cm2、処理時間10分で行
い、膜厚1μｍを形成した。さらに最上層に
PIQ0.5μｍを塗布、硬化し、吸収体パターンを埋
込み保護層を形成し、Ｘ線露光用マスクを形成し
た（図１ｄ）。本実施例によればメツキ用電極、
およびメツキ用のめ型パターンを除去することな
しに、重ね合せ用に用いる可視光の透過率80％以
上のＸ線マスクを完成することができた。
本実施例においては、支持体膜と吸収パターン
の間に介在する透明導電性膜として、ITOを用い
たが、ITO以外にもSnO等を用いても同様な効果
を得ることができる。
の間に介在する透明導電性膜として、ITOを用い
たが、ITO以外にもSnO等を用いても同様な効果
を得ることができる。
なお、これら透明導電性膜は、その膜厚が
高々、1000〓程度以下の値であれば、Ｘ線をも十
分透過することができる。
高々、1000〓程度以下の値であれば、Ｘ線をも十
分透過することができる。
上記説明から明らかなように、本発明によれば
吸収体メツキ用下地電極、およびメツキめ型の除
去を必要とせずに可視光透過率に優れたＸ線マス
クを作成することができるので、吸収体パターン
寸法の高精度化、マスク製造工程簡略化に極めて
有効である。
吸収体メツキ用下地電極、およびメツキめ型の除
去を必要とせずに可視光透過率に優れたＸ線マス
クを作成することができるので、吸収体パターン
寸法の高精度化、マスク製造工程簡略化に極めて
有効である。
第１図は、本発明にかかるＸ線露光用マスクの
製造方法の一例を示す工程図である。 １……シリコンウエーハ、２……Si3N4、３…
…BN、４……PIQ、５……ITO、６……PIQ、
７……金。
製造方法の一例を示す工程図である。 １……シリコンウエーハ、２……Si3N4、３…
…BN、４……PIQ、５……ITO、６……PIQ、
７……金。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 可視光およびＸ線透過性を有する支持体膜上
に可視光およびＸ線透過性を有する導電性膜を形
成し、前記導電性膜上に樹脂膜を形成し、前記樹
脂膜を選択エツチングすることによりメツキ用め
型パターンを形成し、前記導電性膜をメツキ電極
として用いてメツキ処理を施すことにより前記メ
ツキ用め型内にＸ線吸収体を形成することを特徴
とするＸ線露光用マスクの製造方法。 ２ 前記Ｘ線吸収体を形成した後に、前記Ｘ線吸
収体および残存した前記樹脂膜上に埋込み保護層
を形成することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58239750A JPS60132323A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58239750A JPS60132323A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60132323A JPS60132323A (ja) | 1985-07-15 |
| JPH0428132B2 true JPH0428132B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=17049367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58239750A Granted JPS60132323A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60132323A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715877B2 (ja) * | 1985-07-19 | 1995-02-22 | 日本電信電話株式会社 | Ｘ線マスク |
| JPS62202518A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-09-07 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光用マスク |
| JPH0770458B2 (ja) * | 1986-12-27 | 1995-07-31 | 日本電信電話株式会社 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| US5012500A (en) * | 1987-12-29 | 1991-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5776546A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Nec Corp | Transfer mask for x-ray exposure |
| JPS592324A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS59139034A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
| JPS59139033A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52126756U (ja) * | 1976-03-24 | 1977-09-27 |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP58239750A patent/JPS60132323A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5776546A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Nec Corp | Transfer mask for x-ray exposure |
| JPS592324A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS59139034A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
| JPS59139033A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60132323A (ja) | 1985-07-15 |
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