JPS592324A - Ｘ線露光マスク - Google Patents
Ｘ線露光マスクInfo
- Publication number
- JPS592324A JPS592324A JP57111105A JP11110582A JPS592324A JP S592324 A JPS592324 A JP S592324A JP 57111105 A JP57111105 A JP 57111105A JP 11110582 A JP11110582 A JP 11110582A JP S592324 A JPS592324 A JP S592324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- mask
- conductive film
- film
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 abstract 1
- 229920002189 poly(glycerol 1-O-monomethacrylate) polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、１μｍ以下の微細パターンの複￥に威力を発
揮するＸＭクツグラフィの分野におけるＸ線露光被照射
体に関する。
揮するＸＭクツグラフィの分野におけるＸ線露光被照射
体に関する。
軟Ｘ線を用いたＸ線リングラフィによれば、誦解像度パ
ターンの複写が可能であることが、エレクトロニクｘ−
レターズ（Ｒｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第８巻第４号第１０２−１０４頁（１９７２年）に発表
されて以来、Ｘ線リングラフィに関する研究開発が精力
的に進められてきた。Ｘ線源、Ｘ線マスク、アライメン
ト方式、Ｘ線レジスト、そしてＸ線露光装置とその各々
において技術の蓄積がなされ、実用段階にかなり近付い
てきていると言える。
ターンの複写が可能であることが、エレクトロニクｘ−
レターズ（Ｒｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第８巻第４号第１０２−１０４頁（１９７２年）に発表
されて以来、Ｘ線リングラフィに関する研究開発が精力
的に進められてきた。Ｘ線源、Ｘ線マスク、アライメン
ト方式、Ｘ線レジスト、そしてＸ線露光装置とその各々
において技術の蓄積がなされ、実用段階にかなり近付い
てきていると言える。
本発明はＸ線マスク、特にマスク上のＡｕ吸収体から放
出される光′ｍ子・オージェ電子の効果に関する。もっ
とも、光電子・オージェ電子放出に関する指摘は、１９
７５年に発行された刊行物ジャーナル・オブ・バキュウ
ム・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ）第１２巻第６号第１３２ト１３３１
頁に々されている。すなわち、ａｈ １．ａ線（波長４
，６性Ｘ線を使用する場合に、ＡＩＫα線（波長８．３
４人）使用の場合に比べて、より多く放出される高エネ
ルギー成分である連続Ｘ線による影響が指摘されている
。この連続Ｘ線によって、マスクコントラストが低下し
、さらにはマスク上のＡｕ［収体パターン及びレジスト
基板から九′シ子・オージェ電子が放出され、レジスト
のバターニングに影１１を与えることが報告されている
。
出される光′ｍ子・オージェ電子の効果に関する。もっ
とも、光電子・オージェ電子放出に関する指摘は、１９
７５年に発行された刊行物ジャーナル・オブ・バキュウ
ム・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ）第１２巻第６号第１３２ト１３３１
頁に々されている。すなわち、ａｈ １．ａ線（波長４
，６性Ｘ線を使用する場合に、ＡＩＫα線（波長８．３
４人）使用の場合に比べて、より多く放出される高エネ
ルギー成分である連続Ｘ線による影響が指摘されている
。この連続Ｘ線によって、マスクコントラストが低下し
、さらにはマスク上のＡｕ［収体パターン及びレジスト
基板から九′シ子・オージェ電子が放出され、レジスト
のバターニングに影１１を与えることが報告されている
。
ところが、本発明者はＡｌターゲットを用いたＸ、ｌｌ
１１１Ｍ光において、次の新しい実験事実を見出した。
１１１Ｍ光において、次の新しい実験事実を見出した。
第１図にその特性が示されている。本図はネガレジス）
ＰＧＭＡの残存膜厚の露光雰囲気真空度依存性を示して
いる。露光雰囲気とは、マスクとウェハーとの間の空間
の雰囲気を意味する。第１図力・ら露光雰囲気真空度が
悪化すると、Ｘ線マスク無しの場合（Ｏ印のデータ）は
、ＰＧＭＡ残存膜厚は次第に減少し、厚さｉ ７ Ａｉ
ｍのＡｕ膜を有するマスクを用いた場合（拳印のデータ
）は、ＰＧｌｖＩＡ３％存膜厚は次第に増加することが
分ふる。このとき１）ＧＭＡに対するＡＩＫａＭのドー
ス量は３０ｍＪ／ｃＩｉマスクとウェハーとのギャップ
は２０μｍに固定された。Ｘ線マスク無しの場合の傾向
は、空気中の酸素による架橋反応阻止効果であることが
、はぼ詔められている。問題は厚さ１７ＰのＡｕ膜を有
するマスクを用いた場合である。露光雰囲気真空度の悪
化によるＰＧＭＡ残存膜厚の顕著な増加傾向は、新たに
見出された実験事実であり、かつ、レジストのバター；
ングの精度向上に対して一つの大きな問題点である。つ
まり、残存膜厚が増加するとマスク上のパターンを精度
良く転写できなくなる。
ＰＧＭＡの残存膜厚の露光雰囲気真空度依存性を示して
いる。露光雰囲気とは、マスクとウェハーとの間の空間
の雰囲気を意味する。第１図力・ら露光雰囲気真空度が
悪化すると、Ｘ線マスク無しの場合（Ｏ印のデータ）は
、ＰＧＭＡ残存膜厚は次第に減少し、厚さｉ ７ Ａｉ
ｍのＡｕ膜を有するマスクを用いた場合（拳印のデータ
）は、ＰＧｌｖＩＡ３％存膜厚は次第に増加することが
分ふる。このとき１）ＧＭＡに対するＡＩＫａＭのドー
ス量は３０ｍＪ／ｃＩｉマスクとウェハーとのギャップ
は２０μｍに固定された。Ｘ線マスク無しの場合の傾向
は、空気中の酸素による架橋反応阻止効果であることが
、はぼ詔められている。問題は厚さ１７ＰのＡｕ膜を有
するマスクを用いた場合である。露光雰囲気真空度の悪
化によるＰＧＭＡ残存膜厚の顕著な増加傾向は、新たに
見出された実験事実であり、かつ、レジストのバター；
ングの精度向上に対して一つの大きな問題点である。つ
まり、残存膜厚が増加するとマスク上のパターンを精度
良く転写できなくなる。
特にサブミクロン幅パターンの正確な複写を実現すると
いう観点において、このようなＰＧＭＡ残存膜厚の増加
は、重大な問題点である。＠２者の実験Ｃ・印とＯ印）
条件の大きな違いは、薄いＡｕ膜の存在の有無である。
いう観点において、このようなＰＧＭＡ残存膜厚の増加
は、重大な問題点である。＠２者の実験Ｃ・印とＯ印）
条件の大きな違いは、薄いＡｕ膜の存在の有無である。
薄いＡｕ膜が有るということは、Ａｌターゲットから放
射されるＸ！（主としてＫａ線）がＡｕ膜に吸収されて
、Ａｕ膜から光電子・オージェ電子が放出されることを
意味する。このいわゆる光電効果による光電子・オー去
悪化によってＰＧＭＡ残存膜厚が増加するということは
、光電子・オージェ電子による露光雰囲気内の空気の電
離が、真空度の悪化に従って増加するだめと考えられる
。真空度の悪化は、空気の密度の増加を意味するから、
この考えは極めて妥当である。
射されるＸ！（主としてＫａ線）がＡｕ膜に吸収されて
、Ａｕ膜から光電子・オージェ電子が放出されることを
意味する。このいわゆる光電効果による光電子・オー去
悪化によってＰＧＭＡ残存膜厚が増加するということは
、光電子・オージェ電子による露光雰囲気内の空気の電
離が、真空度の悪化に従って増加するだめと考えられる
。真空度の悪化は、空気の密度の増加を意味するから、
この考えは極めて妥当である。
すなわち、Ａｌｌ膜から放出される光電子・オージェ′
電子が露光雰囲気中の空気を電離し、その結果、発生し
た全二次電子がＰ ＧＭＡの架橋を促進するという効果
が前記の空気中の酸素による架橋阻止の効果を上まわる
だめであると解釈される。
電子が露光雰囲気中の空気を電離し、その結果、発生し
た全二次電子がＰ ＧＭＡの架橋を促進するという効果
が前記の空気中の酸素による架橋阻止の効果を上まわる
だめであると解釈される。
本発明の目的は、このような従来の問題点を除去せしめ
てＸ線マスクから発生する光電子・オ一本発明によれば
、Ｘ練成１■体パターン、マスク有し、かつ、前記導電
膜に電位を与えたことを特徴とするＸ線露光マスクが得
られる。
てＸ線マスクから発生する光電子・オ一本発明によれば
、Ｘ練成１■体パターン、マスク有し、かつ、前記導電
膜に電位を与えたことを特徴とするＸ線露光マスクが得
られる。
以下、本発明について実施例を示す図面を参照して詳し
く説明する。第２図は一実施例を示すＸ線露光マスクの
概略図である。Ｘ＠マスクＩは、マスク基板２．ＡｕＸ
線吸収体パターン３．及びＹスフ基板支持体４とから構
成され、マスク基板上に本発明にかかる薄い導電膜５が
形成される。
く説明する。第２図は一実施例を示すＸ線露光マスクの
概略図である。Ｘ＠マスクＩは、マスク基板２．ＡｕＸ
線吸収体パターン３．及びＹスフ基板支持体４とから構
成され、マスク基板上に本発明にかかる薄い導電膜５が
形成される。
この導電膜５が形成される。この導電膜５は露光に用い
るＸ線なほぼ透過させる必要があるので、例えば、厚さ
数百へのＡＩ蒸着膜、あるいは８ｉ蒸着膜等を用いる。
るＸ線なほぼ透過させる必要があるので、例えば、厚さ
数百へのＡＩ蒸着膜、あるいは８ｉ蒸着膜等を用いる。
レジスト膜６が塗布されたウェハー７からなる被加工物
８が、Ｘ＠マスクからある一定の間隔を保って設定され
る。ＸＩ！１ｉ！マスクと被加工物の近傍に電極９が設
置され、Ｘ線マスク上の導電膜５と電極９との間に本発
明にかかるある所定の電圧が加えられる。第２図では導
電膜に数十ボルトの負電位が加えられている。Ｘ線ｌＯ
によって、レジスト上にＸ線マスクパターンが転写され
る。このとき、前述したようにＡｕ吸収体パターン３か
ら光′電子・オージェ電子が放出されこれらによって露
光雰囲気の空気が電離され、多数の二次電子が形成され
る。この全二次電子レジストに対して過剰露光となるか
ら第２図の本発明の構成が必要である。すなわち、導電
膜５（負電位）とｔ極９（正電位）との間の直圧によっ
て露光雰囲気内に生じた全二次電子は電極９に吸収され
る。第３図はその様子を示している。Ｘ線Ｙスク基板り
の導電膜１１（負１！嶺→と円筒形状を有する電極１２
（正電僅）との間に電圧が加えられ全二次電子１３は電
極に眼１（ｙされる。１４は電源を示す。従って、全二
次電子はレジスト面上に到達することが無いので、レジ
ストの過剰露光は生じない。以上、説明したように、薄
い導電膜を有するＸ線マスク、さらに、その導電膜に電
位を与えることによって、レジストの過剰露光を回避で
きレジストの微細パターン加工を、より確実にし、本発
明の目的を達成できる。
８が、Ｘ＠マスクからある一定の間隔を保って設定され
る。ＸＩ！１ｉ！マスクと被加工物の近傍に電極９が設
置され、Ｘ線マスク上の導電膜５と電極９との間に本発
明にかかるある所定の電圧が加えられる。第２図では導
電膜に数十ボルトの負電位が加えられている。Ｘ線ｌＯ
によって、レジスト上にＸ線マスクパターンが転写され
る。このとき、前述したようにＡｕ吸収体パターン３か
ら光′電子・オージェ電子が放出されこれらによって露
光雰囲気の空気が電離され、多数の二次電子が形成され
る。この全二次電子レジストに対して過剰露光となるか
ら第２図の本発明の構成が必要である。すなわち、導電
膜５（負電位）とｔ極９（正電位）との間の直圧によっ
て露光雰囲気内に生じた全二次電子は電極９に吸収され
る。第３図はその様子を示している。Ｘ線Ｙスク基板り
の導電膜１１（負１！嶺→と円筒形状を有する電極１２
（正電僅）との間に電圧が加えられ全二次電子１３は電
極に眼１（ｙされる。１４は電源を示す。従って、全二
次電子はレジスト面上に到達することが無いので、レジ
ストの過剰露光は生じない。以上、説明したように、薄
い導電膜を有するＸ線マスク、さらに、その導電膜に電
位を与えることによって、レジストの過剰露光を回避で
きレジストの微細パターン加工を、より確実にし、本発
明の目的を達成できる。
次に本発明の他の実施例を説明するだめの概略図を第４
図に示す。本構成ではＸ線Ｘスク基板上の薄い導電膜１
５に数十ボルトの正電位が加えられている。露光雰囲気
内に発生した全二次電子１６は、この導電膜１５に全て
吸収される。このようにしても、本発明の目的は達成さ
れる。
図に示す。本構成ではＸ線Ｘスク基板上の薄い導電膜１
５に数十ボルトの正電位が加えられている。露光雰囲気
内に発生した全二次電子１６は、この導電膜１５に全て
吸収される。このようにしても、本発明の目的は達成さ
れる。
薄い導電膜としては、露光に用いるＸ線を透過させる必
要があるため、なるべく原子番号の小さなものが好まし
いが、前述のＡｌ、Ｓｒに加えてＣ（炭素）膜、Ｔｉ膜
、■膜、Ｃｒ膜、Ｃｏ膜、Ｎ１膜、Ｇｅ膜等でも、もち
ろん有効である。
要があるため、なるべく原子番号の小さなものが好まし
いが、前述のＡｌ、Ｓｒに加えてＣ（炭素）膜、Ｔｉ膜
、■膜、Ｃｒ膜、Ｃｏ膜、Ｎ１膜、Ｇｅ膜等でも、もち
ろん有効である。
まだ、最近開発されている有機導電膜でも良い。
以上、説明したように本発明を適用するならば第一１１
ＣＸ？Ｍリソグラフィにおけるサブミクロン幅パターン
の複写をより確実にでき、第二にＸ線マスク及び露光雰
囲気に対して、大きな技術上の自由度を与えることがで
きる。
ＣＸ？Ｍリソグラフィにおけるサブミクロン幅パターン
の複写をより確実にでき、第二にＸ線マスク及び露光雰
囲気に対して、大きな技術上の自由度を与えることがで
きる。
第１図は従来技術の問題点であるＰＧＭＡ残存膜厚の露
光雰囲気真空度依存性を示した図、第２図は本発明にか
ふる一実施例であるＸｉマスクの概略図、第３図は同実
施例における電極構成図、第４図は本発明にかかる他の
実施例であるＸ線マスクの概略図である。 ｌ・・・・・・・・・Ｘ線マスク、２・・・・・曲マス
クＭ板、３・凹曲吸収体パターン、４曲曲儂板支持体、
５．１１． １５・・・・・・・・・導［１１，６・・
・・・曲レジスト、７・・川面ウェハー、８・・・・・
・・・・被加工物、９，１２・・・・・・・・・電極、
１０・・・叩・・Ｘ線１３、 １６・・・・・・・・・
全二次電子、１４・・・・・・・・・電源。 （９） １２３ 牙 ２ 囲 ／θ ラ ３ 図 ／／ ；＋ ４ 図
光雰囲気真空度依存性を示した図、第２図は本発明にか
ふる一実施例であるＸｉマスクの概略図、第３図は同実
施例における電極構成図、第４図は本発明にかかる他の
実施例であるＸ線マスクの概略図である。 ｌ・・・・・・・・・Ｘ線マスク、２・・・・・曲マス
クＭ板、３・凹曲吸収体パターン、４曲曲儂板支持体、
５．１１． １５・・・・・・・・・導［１１，６・・
・・・曲レジスト、７・・川面ウェハー、８・・・・・
・・・・被加工物、９，１２・・・・・・・・・電極、
１０・・・叩・・Ｘ線１３、 １６・・・・・・・・・
全二次電子、１４・・・・・・・・・電源。 （９） １２３ 牙 ２ 囲 ／θ ラ ３ 図 ／／ ；＋ ４ 図
Claims (1)
- Ｘｍ吸１ａ体パターン、マスク基板、及びマスク基板支
持体から成るＸ線露光マスクにおいて、前記マスク基板
の前記Ｘ線吸収体パターンが存在する側に露光に用いる
Ｘ線を、はぼ透過し、しかも電位が与えられた薄い導′
邂膜を設けたことを特徴とするＸ線露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111105A JPS592324A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | Ｘ線露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111105A JPS592324A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | Ｘ線露光マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592324A true JPS592324A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14552522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111105A Pending JPS592324A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | Ｘ線露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592324A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132323A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPS60168145A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-08-31 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS63299124A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光マスクのパターン検査方法 |
| EP0323264A2 (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure process using an electrically conductive x-ray mask |
| EP0323263A2 (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
| JPH02296244A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-12-06 | Samsung Electron Co Ltd | Ｘ線マスク |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57111105A patent/JPS592324A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132323A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH0428132B2 (ja) * | 1983-12-21 | 1992-05-13 | Hitachi Ltd | |
| JPS60168145A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-08-31 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPH0460332B2 (ja) * | 1984-02-13 | 1992-09-25 | Nippon Denki Kk | |
| JPS63299124A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光マスクのパターン検査方法 |
| EP0323264A2 (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure process using an electrically conductive x-ray mask |
| EP0323263A2 (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
| JPH02296244A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-12-06 | Samsung Electron Co Ltd | Ｘ線マスク |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0605964B1 (en) | Electron lithography using a photocathode | |
| GB1488184A (en) | X-ray mask structures and methods for making the same | |
| JPS6222527B2 (ja) | ||
| Tanenbaum et al. | High resolution electron beam lithography using ZEP‐520 and KRS resists at low voltage | |
| US4746587A (en) | Electron emissive mask for an electron beam image projector, its manufacture, and the manufacture of a solid state device using such a mask | |
| US3619608A (en) | Multiple imaging charged particle beam exposure system | |
| McCord et al. | Low voltage, high resolution studies of electron beam resist exposure and proximity effect | |
| JPS592324A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| US4608332A (en) | Electron lithography mask manufacture | |
| US5563419A (en) | Electron beam exposure system capable of correcting proximity effect | |
| US4088896A (en) | Actinic radiation emissive pattern defining masks for fine line lithography and lithography utilizing such masks | |
| US20020012853A1 (en) | Apparatus and methods for patterning a reticle blank by electron-beam inscription with reduced exposure of the reticle blank by backscattered electrons | |
| US7011927B2 (en) | Electron beam duplication lithography method and apparatus | |
| US4981771A (en) | Pattern fabricating method | |
| JPS592046A (ja) | Ｘ線露光被照射体 | |
| JPS56116622A (en) | X-ray transcriber | |
| Hartney et al. | Silylation of focused ion beam exposed resists | |
| Bru et al. | Evaluation of critical design parameters of an ion projector for 1 Gbit DRAM production | |
| JPS588130B2 (ja) | 高分解能の微細ラインリソグラフイ構造を作るための方法 | |
| JPH0812839B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS6324619A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPS58115821A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| Yoshizawa et al. | Resolution-limiting factors in low-energy electron-beam proximity projection lithography: Mask, projection, and resist process | |
| JPS62108521A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS594016A (ja) | ハ−ド基板 |