JPS594016A - ハ−ド基板 - Google Patents
ハ−ド基板Info
- Publication number
- JPS594016A JPS594016A JP57113131A JP11313182A JPS594016A JP S594016 A JPS594016 A JP S594016A JP 57113131 A JP57113131 A JP 57113131A JP 11313182 A JP11313182 A JP 11313182A JP S594016 A JPS594016 A JP S594016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- hard substrate
- metal film
- outer edge
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はハード基板、詳しくは少なくともその外縁の一
部に金属膜が形成されたマスク用ガラス基板に関する。
部に金属膜が形成されたマスク用ガラス基板に関する。
（２）技術の背景
半導体装置の製造工程において、ウェハの露光の際に用
いられる例えば方形のマスクは、第１図の断面図に示さ
れる構造のものであり、同図において、１は厚さ２ｍｍ
程度のガラス基板、２はガラス基板Ｉ上にスパッタによ
って成長せしめられたクロムのような金属膜、３は金属
膜２上に付着された感光剤膜を示し、金属膜２と感光剤
膜３とを合せたものの厚さは数μｍ程度である。かかる
マスク製作用の基板は一般にハード基板またはハードブ
ランクと呼ばれる。なお同図において、金属膜と感光剤
膜とはその膜厚を誇張して示される。
いられる例えば方形のマスクは、第１図の断面図に示さ
れる構造のものであり、同図において、１は厚さ２ｍｍ
程度のガラス基板、２はガラス基板Ｉ上にスパッタによ
って成長せしめられたクロムのような金属膜、３は金属
膜２上に付着された感光剤膜を示し、金属膜２と感光剤
膜３とを合せたものの厚さは数μｍ程度である。かかる
マスク製作用の基板は一般にハード基板またはハードブ
ランクと呼ばれる。なお同図において、金属膜と感光剤
膜とはその膜厚を誇張して示される。
図示のハード基板でマスクを製作するには、感光剤３を
露光し、現像し、それをマスクにして金属膜２をパター
ニングする。かかる露光には、プロジェクション方式す
なわち感光剤膜３からある距離をおいて離れたところか
ら露光する方式と、コンタクト方式すなわち感光剤膜３
の露光のためのマスクをそれと接触させて露光する方式
とがある。
露光し、現像し、それをマスクにして金属膜２をパター
ニングする。かかる露光には、プロジェクション方式す
なわち感光剤膜３からある距離をおいて離れたところか
ら露光する方式と、コンタクト方式すなわち感光剤膜３
の露光のためのマスクをそれと接触させて露光する方式
とがある。
（３）従来技術と問題点
最近マスクパターンの微細化を実現する目的で、プロジ
ェクション方式で電子ビーム（ＥＢ）を感光剤膜３上に
走査し、直接にパターンを描画する技術が開発された。
ェクション方式で電子ビーム（ＥＢ）を感光剤膜３上に
走査し、直接にパターンを描画する技術が開発された。
ところで、かかるＥＢの走査においてＥＢのもつエネル
ギーが金属膜２内に蓄積（チャージアップ）する。この
ようなエネルギーのチャージアンプがあると、ＥＢで感
光剤膜を走査するとき、ＥＢが飛んでパターンが正確に
描画されないことが経験された。
ギーが金属膜２内に蓄積（チャージアップ）する。この
ようなエネルギーのチャージアンプがあると、ＥＢで感
光剤膜を走査するとき、ＥＢが飛んでパターンが正確に
描画されないことが経験された。
かくして従来技術においては、ＥＢの走査の前に第１図
に示されるように感光剤膜３をガラス基板１の外縁部分
において剥離し、その部分の金属膜２を露出し、この露
出した金属膜上に裸線４を例えばテープを用いるなどし
て固着してアース（接地）をとっている。
に示されるように感光剤膜３をガラス基板１の外縁部分
において剥離し、その部分の金属膜２を露出し、この露
出した金属膜上に裸線４を例えばテープを用いるなどし
て固着してアース（接地）をとっている。
しかし、ＥＢの走査前において毎回ガラス基板について
上記した接地手段をとることは、時間を多く浪費し、作
業性低下の原因となる。しかし、ＥＢ走査をなす以上金
属膜２の接地は常に必要である。
上記した接地手段をとることは、時間を多く浪費し、作
業性低下の原因となる。しかし、ＥＢ走査をなす以上金
属膜２の接地は常に必要である。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、ＥＢのエネルギーの
チャージアンプを逃すために金属膜をアースするにおい
て、感光剤膜の剥離をなすことな（３） しに容易にアースがとりうるハード基板を提供すること
を目的とする。
チャージアンプを逃すために金属膜をアースするにおい
て、感光剤膜の剥離をなすことな（３） しに容易にアースがとりうるハード基板を提供すること
を目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、金属膜と感光剤膜と
がその上に順次成長されたマスク製作用のハード基板の
外縁の少なくとも一部分上にも前記金属膜と同じ金属膜
を成長した構造を提供することによって達成される。
がその上に順次成長されたマスク製作用のハード基板の
外縁の少なくとも一部分上にも前記金属膜と同じ金属膜
を成長した構造を提供することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
第２図に本発明にかかる方形ハード基板が断面図で示さ
れ、同図において、１１はガラス基板、１２はガラス基
板１１上に例えばスパッタによって成長されたクロムの
如き金属膜、Ｉ３は金属膜１２上に付着された感光剤膜
を示す。なお第１図と同様に、金属膜と感光剤膜の膜厚
は誇張的に示される。かかる金属１ｉｔ１２、感光剤膜
１３はすべて通常の技術で従来と同様に形成される。
れ、同図において、１１はガラス基板、１２はガラス基
板１１上に例えばスパッタによって成長されたクロムの
如き金属膜、Ｉ３は金属膜１２上に付着された感光剤膜
を示す。なお第１図と同様に、金属膜と感光剤膜の膜厚
は誇張的に示される。かかる金属１ｉｔ１２、感光剤膜
１３はすべて通常の技術で従来と同様に形成される。
上記のハード基板においては、その一つの外縁２１上に
同縁部を覆って金属膜２２が成長されてい（４） る。このように形成されたハード基板をＥＢの走査のた
めにセットしたとき、すなわち露光装置内に位置ぎめし
たとき、金属膜２２は装置のセント位置に設けたアース
線と容易に接触するよう構成することによって、走査の
たび毎に感光剤膜を剥離し露出した金属膜上にアース線
を固着する工程が省略されうる。前記したアース線は、
金属膜２２と平面的に接触する銅板、またはばね性をも
たせた銅線で形成する。
同縁部を覆って金属膜２２が成長されてい（４） る。このように形成されたハード基板をＥＢの走査のた
めにセットしたとき、すなわち露光装置内に位置ぎめし
たとき、金属膜２２は装置のセント位置に設けたアース
線と容易に接触するよう構成することによって、走査の
たび毎に感光剤膜を剥離し露出した金属膜上にアース線
を固着する工程が省略されうる。前記したアース線は、
金属膜２２と平面的に接触する銅板、またはばね性をも
たせた銅線で形成する。
ガラス基板１１上に金属膜１２をスパッタで成長すると
き、通常の場合ガラス基板の４つの外縁はきっちりとス
パッタ装置の台に嵌合されるので第１図に示される金属
膜が成長するのであるが、一つの外縁部分の入る部分だ
け空隙をあけておくと、金属粒子はこの空隙内にも入り
込んでハード基板の当該外縁上に図示の如く金属膜２２
が形成される。
き、通常の場合ガラス基板の４つの外縁はきっちりとス
パッタ装置の台に嵌合されるので第１図に示される金属
膜が成長するのであるが、一つの外縁部分の入る部分だ
け空隙をあけておくと、金属粒子はこの空隙内にも入り
込んでハード基板の当該外縁上に図示の如く金属膜２２
が形成される。
いいかえると、金属１ｉｉｌｉ２２は、スパッタ装置の
ハード基板嵌合部の設計変更のみによって容易に形成さ
れ、他に特別の工程を必要とするものではない。
ハード基板嵌合部の設計変更のみによって容易に形成さ
れ、他に特別の工程を必要とするものではない。
ハード基板が円形のものであるときは、その（５）
外縁の例えば１／４の部分上に上記と全く同様にして金
属膜２２を成長することができ、その金属膜２２のアー
スをとる方法も上記と同様になしうる。
属膜２２を成長することができ、その金属膜２２のアー
スをとる方法も上記と同様になしうる。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明にかかるハード基
板は、ＥＢ走査時に露光装置内にセ・ノドするだけで金
属膜のアースをとることが可能となるので、作業性を著
しく高めるに効果大である。
板は、ＥＢ走査時に露光装置内にセ・ノドするだけで金
属膜のアースをとることが可能となるので、作業性を著
しく高めるに効果大である。
第１図は従来技術のハード基板の断面図、第２図は本発
明にかかるハード基板の断面図である。 １１−ガラス基板、２１−ガラス基板の外縁、１２−金
属膜、２２−ガラス基板の外縁２１上の金属膜、１３−
感光剤膜 （６） 第１図 ４ ８３−
明にかかるハード基板の断面図である。 １１−ガラス基板、２１−ガラス基板の外縁、１２−金
属膜、２２−ガラス基板の外縁２１上の金属膜、１３−
感光剤膜 （６） 第１図 ４ ８３−
Claims (1)
- ガラス基板上に順に金属膜と感光剤膜とが成長された露
光に用いるマスクを製作するためのハード基板にして、
該ハード基板の外縁の少なくとも一部分上に該外縁を覆
って前記金属膜と同じ金属膜が付着されたことを特徴と
するハード基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113131A JPS594016A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ハ−ド基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113131A JPS594016A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ハ−ド基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS594016A true JPS594016A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14604326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57113131A Pending JPS594016A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ハ−ド基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594016A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04124081U (ja) * | 1991-04-23 | 1992-11-11 | 太郎 大城 | 鮎釣用の魚収納容器 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57113131A patent/JPS594016A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04124081U (ja) * | 1991-04-23 | 1992-11-11 | 太郎 大城 | 鮎釣用の魚収納容器 |
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