JPS6114653B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6114653B2 JPS6114653B2 JP16315178A JP16315178A JPS6114653B2 JP S6114653 B2 JPS6114653 B2 JP S6114653B2 JP 16315178 A JP16315178 A JP 16315178A JP 16315178 A JP16315178 A JP 16315178A JP S6114653 B2 JPS6114653 B2 JP S6114653B2
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- Japan
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- pattern
- electron
- mask
- secondary electron
- electron beam
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- Expired
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/073—Electron guns using field emission, photo emission, or secondary emission electron sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高速の電子ビームを用いてパターンマ
スクのパターンを一括転写方式で試料に露光させ
る電子ビーム露光法に係り、特にマスクに構成さ
れるパターンがリング状を成す場合に適したもの
である。
スクのパターンを一括転写方式で試料に露光させ
る電子ビーム露光法に係り、特にマスクに構成さ
れるパターンがリング状を成す場合に適したもの
である。
電子ビームによる露光法として、パターンマス
クに電子ビームを照射してそのマスクのパターン
を試料に転写させるものが知られている。ところ
でこのような転写方式では電子ビームの物質に対
する透過率が非常に悪いため、マスクのパターン
は実際には打抜いて形成する必要がある。しかし
ながらパターンにおいてリング状に結ばれないも
のはマスクの基板自体で機械的に保持し得るが、
リング状を成すものはそのリングの内側を保持さ
せることが難しく、このような理由で適用範囲が
非常に限定されていた。
クに電子ビームを照射してそのマスクのパターン
を試料に転写させるものが知られている。ところ
でこのような転写方式では電子ビームの物質に対
する透過率が非常に悪いため、マスクのパターン
は実際には打抜いて形成する必要がある。しかし
ながらパターンにおいてリング状に結ばれないも
のはマスクの基板自体で機械的に保持し得るが、
リング状を成すものはそのリングの内側を保持さ
せることが難しく、このような理由で適用範囲が
非常に限定されていた。
本発明はこのような事情に鑑み、パターンマス
クにおいてリング状のパターンをも容易に形成し
得るようにすることを目的とし、このためパター
ンマスクを透過型二次電子発生材とその一部を遮
断してパターンを構成する電子遮断材で作り、電
子ビームを透過型二次電子発生材に照射してそこ
から発生する二次電子と電子遮断材により二次電
子パターンを形成し、この二次電子パターンを露
光試料に投影露光するようにした電子ビーム露光
法を提供するものである。
クにおいてリング状のパターンをも容易に形成し
得るようにすることを目的とし、このためパター
ンマスクを透過型二次電子発生材とその一部を遮
断してパターンを構成する電子遮断材で作り、電
子ビームを透過型二次電子発生材に照射してそこ
から発生する二次電子と電子遮断材により二次電
子パターンを形成し、この二次電子パターンを露
光試料に投影露光するようにした電子ビーム露光
法を提供するものである。
以下、本発明による露光法をその実施に適した
図面の実施例を用いて具体的に説明する。
図面の実施例を用いて具体的に説明する。
第１図において本発明によるパターンマスクに
ついて説明すると、薄くすることができて電子ビ
ームに対する透過性の良い例えばＡ2O3のよう
な支持用絶縁体１に、Ａ等の導体２を介して
KC等の透過型二次電子発生材３が蒸着等によ
り積層され、この透過型二次電子発生材３の上に
Au等の電子遮断材４がその一部を覆うことで所
定のパターン５を構成するように設けられて成
る。そしてこのように構成されたパターンマスク
６が第２図に示されるように、一様磁界レンズ７
の一方において支持用絶縁体１を電子銃８の方に
向けて設置されるものである。
ついて説明すると、薄くすることができて電子ビ
ームに対する透過性の良い例えばＡ2O3のよう
な支持用絶縁体１に、Ａ等の導体２を介して
KC等の透過型二次電子発生材３が蒸着等によ
り積層され、この透過型二次電子発生材３の上に
Au等の電子遮断材４がその一部を覆うことで所
定のパターン５を構成するように設けられて成
る。そしてこのように構成されたパターンマスク
６が第２図に示されるように、一様磁界レンズ７
の一方において支持用絶縁体１を電子銃８の方に
向けて設置されるものである。
こうして電子銃８から発した高速の電子ビーム
が複数段の電子レンズ９，１０，１１で順次拡げ
られた後に、パターンマスク６の支持用絶縁体
１、導体２を透過して透過型二次電子発生材３の
全面に一様に照射される。するとその透過型二次
電子発生材３の全面から透過型の二次電子が増倍
的に発生するようになり、且つその二次電子は電
子遮断材４で部分的に発生が阻止されてパターン
５の部分からのみ発生するように規制され、こう
して二次電子パターンが出力形成される。一方こ
のとき透過型二次電子発生材３はそこから電子が
多く出ることにより正に帯電してチヤージアツプ
するので、導体２により電荷を供給してその帯電
を無くすようになつている。そして更にこのよう
な二次電子パターンは一様磁界レンス７でその
まゝその他方の露光試料１２に投影して結像され
ることで、転写式にパターン露光されるのであ
る。
が複数段の電子レンズ９，１０，１１で順次拡げ
られた後に、パターンマスク６の支持用絶縁体
１、導体２を透過して透過型二次電子発生材３の
全面に一様に照射される。するとその透過型二次
電子発生材３の全面から透過型の二次電子が増倍
的に発生するようになり、且つその二次電子は電
子遮断材４で部分的に発生が阻止されてパターン
５の部分からのみ発生するように規制され、こう
して二次電子パターンが出力形成される。一方こ
のとき透過型二次電子発生材３はそこから電子が
多く出ることにより正に帯電してチヤージアツプ
するので、導体２により電荷を供給してその帯電
を無くすようになつている。そして更にこのよう
な二次電子パターンは一様磁界レンス７でその
まゝその他方の露光試料１２に投影して結像され
ることで、転写式にパターン露光されるのであ
る。
尚、二次電子パターンを試料に結像する場合に
縮小させても良いことは勿論である。
縮小させても良いことは勿論である。
このように本発明によると、パターンマスク６
が透過型二次電子発生材３の上に電子遮断材４を
付設して形成され、この透過型二次電子発生材３
に電子ビームを照射した際に増倍的に発生する二
次電子を用い、これと電子遮断材４とで二次電子
パターンを形成して露光するようになつているの
で、リング状のパターンも何等変わることなく容
易に作ることができ、適用範囲が著しく増す。ま
たパターンマスク６は従来の技術により比較的容
易に製作し得る。
が透過型二次電子発生材３の上に電子遮断材４を
付設して形成され、この透過型二次電子発生材３
に電子ビームを照射した際に増倍的に発生する二
次電子を用い、これと電子遮断材４とで二次電子
パターンを形成して露光するようになつているの
で、リング状のパターンも何等変わることなく容
易に作ることができ、適用範囲が著しく増す。ま
たパターンマスク６は従来の技術により比較的容
易に製作し得る。
第１図は本発明による電子ビーム露光法の実施
に適したパターンマスクの断面図、第２図は同全
体の構成を示す図である。 １……支持用絶縁体、２……導体、３……透過
型二次電子発生材、４……電子遮断材、５……パ
ターン、６……パターンマスク、７……一様磁界
レンズ、８……電子銃、９，１０，１１……電子
レンズ、１２……露光試料。
に適したパターンマスクの断面図、第２図は同全
体の構成を示す図である。 １……支持用絶縁体、２……導体、３……透過
型二次電子発生材、４……電子遮断材、５……パ
ターン、６……パターンマスク、７……一様磁界
レンズ、８……電子銃、９，１０，１１……電子
レンズ、１２……露光試料。
Claims (1)
- １ 透過型二次電子発生材と所定のパターンを構
成する電子遮断材を備えたパターンマスクに高速
の電子ビームを拡げて照射することにより、上記
パターンマスクに増倍的に発生する二次電子から
成る二次電子パターンを形成し、該二次電子パタ
ーンを電子レンズで露光試料上に投影露光するこ
とを特徴とする電子ビーム露光法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16315178A JPS5587432A (en) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | Electron beam exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16315178A JPS5587432A (en) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | Electron beam exposure method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5587432A JPS5587432A (en) | 1980-07-02 |
| JPS6114653B2 true JPS6114653B2 (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=15768184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16315178A Granted JPS5587432A (en) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | Electron beam exposure method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5587432A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712679A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Nec Corp | Printer |
| JPS5712668A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Nec Corp | Printer |
| JP4945763B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2012-06-06 | 国立大学法人京都大学 | 電子ビーム露光装置 |
-
1978
- 1978-12-26 JP JP16315178A patent/JPS5587432A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5587432A (en) | 1980-07-02 |
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