JPH03157653A - レチクル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要］ レチクルの改善に関し、 パターン間の放電破壊によるパターン欠陥を解消させる
ことを目的とし、 透明絶縁基板上に設けられた中央部分のプロセスパター
ン群と周囲部分の金属膜領域との間に、両者を電気的に
接続する静電破壊防止パターンが設けられてなることを
特徴とする。その静電破壊防止パターンは露光工程にお
ける解像限界以下の微細パターンであることを特徴とす
る。

また、透明絶縁基板上の全面に透明導電膜が被覆されて
いることを特徴とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明はレチクルの改善に関する。

最近、ＬＳＩなどの半導体デバイスは極めて微細化され
、それに伴ってフォトマスクに設けるパターンも微細化
されているが、そのようなフォトマスクに形成するパタ
ーンは信頼性の高い欠陥のないパターンであることが強
く望まれている。

〔従来の技術〕

さて、半導体装置の製造方法におけるフォトリソグラフ
ィ技術で使用されるフォトマスクにはしチクルとマスク
との二種類があり、レチクルとは半導体基板に転写する
パターンの５〜１０倍の大きさの１単位パターン（例え
ば、■チップのパターン）が設けてあって、このレチク
ルを縮小投影露光装置（ステッパ）に取り付け、半導体
基板面を移動しながら１単位パターン毎に繰り返し投影
して縮小露光するフォトマスクのことである。一方、通
常のマスクは半導体基板全面に転写する多数の単位パタ
ーンが基板と同じ等倍の大きさで設けてあり、これを半
導体基板全面に密着して一括露光するマスクのことであ
る。

近年、半導体装置の微細化と光学機械の進歩のために、
縮小投影するレチクルの方が重用されるようになってき
た。第４図（ａ）、　（ｂ）は従来のレチクルの平面図
と断面図を示しており、同図（ａ）のＡＡ断面が同図（
ｂ）である。同図のように、レチクルは石英ガラス基Ｆ
ｉ１（透明絶縁基板）の上に遮光用の金属膜パターン２
が設けてあり、例えば、その金属膜パターンはクロム（
Ｃｒ）膜あるいはＣｒ膜と酸化クロム（Ｃｒｕｘ）膜と
を順次に積層した複合膜パターンで、膜厚は約１０００
人である。且つ、平面的には第４図（ａ）に示すように
、金属膜パターン２が半導体基板に転写するための中央
部分のプロセスパターン群２１と周囲に被着している金
属膜領域２２と、その間に介在するスクライブ領域３（
幅５〜１０ｍｍ）に設けられた浮きパターン２３とに区
分される。その浮きパターン２３とは位置合わせ用パタ
ーンや測長用パターン（モニタパターン）で、スクライ
ブ領域３はスクライブを容易にするために金属膜（遮光
膜）は被着していないが、そのような位置合わせ用や測
長用などの半導体デバイスのプロセスには不要なパター
ンが設けである。また、そのスクライブ領域３の外側周
囲部分には金属膜領域２２が形成されており、これはレ
ジストに形成するパターンが電子ビーム露光法によって
ポジ型レジストに描画して作成されるための都合のもの
で、ポジ型レジストの方が微細パターンを高解像度で形
成できるからである。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、このようなレチクルは作成直後、あるいは、
繰り返し使用後に、付着した汚れやゴミを除くために、
酸や純水でレチクルの洗浄をおこなっている。その場合
、洗浄用ホルダー（テフロン製）にレチクルを収容して
洗浄する際、空気との摩擦、水との摩擦、洗浄用ホルダ
ーとの摩擦などのために金属膜が帯電してパターン毎に
電位差が生じ、その電位差が一定量を越えると、プロセ
スパターン群２１と金属膜領域２２との間、プロセスパ
ターン群２１と浮きパターン２３との間、あるいは、浮
きパターン２３と金属膜領域２２との間の電位差によっ
て、それらパターンの間で放電して、その静電破壊のス
パークのためにパターン欠陥が発生する。

第５図はその従来の問題点を示す図で、同図は部分平面
図であり、３はスクライブ領域、　２１はプロセスパタ
ーン群、２３は浮きパターン、２２ば金属膜領域で、Ｓ
がパターン間でスパークによって発生したパターン欠陥
である。

このような欠陥は半導体デバイスが微細化されるほど、
それに比例してパターンが近接するために発生量が増加
しており、本発明はそのようなパターン間の放電破壊に
よるパターン欠陥を減少させることを目的としたレチク
ルを提案するものである。

（課題を解決するための手段〕 その課題は、透明絶縁基板上に設けられた中央部分のプ
ロセスパターン群と周囲部分の金属膜領域との間に、ま
たは、前記プロセスパターン群と前記金属膜領域と該プ
ロセスパターン群と金属膜領域との間のスクライブ領域
に設けた浮きパターンとの間に、両者を電気的に接続す
る静電破壊防止パターンが設けられているレチクルによ
って解決される。

その静電破壊防止パターンは露光工程における解像限界
以下の微細パターンであれば都合が良い。

また、透明絶縁基板上の全面に透明導電膜が被覆されて
いるレチクルによっても解決される。

〔作　用〕

即ち、本発明は、透明絶縁基板（石英ガラス基板）上に
設けられて独立しているプロセスパターン群と金属膜領
域とを電気的に接続する静電破壊防止パターンを設ける
。

そうすれば、高精度な微細パターンをもったレチクルの
品質が維持されて、半導体装置の信顛性。

品質の向上に役立つ。

〔実　施　例〕

以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。

第１図は本発明に６・かるレチクル（１）の平面図を示
しており、記号ｌは石英ガラス基板（厚み２〜３ｍｍ）
　、　２１はプロセスパターン群、２２は金属膜領域、
２３は浮きパターン、３はスクライブ領域であって、４
１が帯状の静電破壊防止パターンである。この静電破壊
防止パターン４１はプロセスパターン群２１と金属膜領
域２２とを電気的に接続するパターンで、同様の金属膜
で形成される。且つ、浮きパターン２３には接続してい
ないが、帯電し易くて電位差が生じ易いプロセスパター
ン群２１と金属膜領域２２とを接続することによって、
小さな浮きパターン２３には接続しなくても殆どの静電
破壊を防止することができる。

第２図は本発明にかかるレチクル（Ｉｔ）の平面図を示
しており、図中の記号は第１図と同一部位に同一記号が
付けであるが、その他の４２が静電破壊防止パターンで
ある。この静電破壊防止パターン４２は第１図に示す静
電破壊防止パターン４１と同様にプロセスパターン群２
１と金属膜領域２２とを電気的に接続するパターンであ
るが、本例の静電破壊防止パターン４２は露光工程にお
ける解像限界以下の微細パターンで、例えば、幅０．３
μｍ以下の線状パターンである。上記の第１図に示す静
電破壊防止パターン４１では露光工程においてパターン
像が被露光基板（半導体基板）に転写されるが、この静
電破壊防止パターン４２は形像されない。従って、スク
ライブ領域３の任意の位置に形成でき、また、浮きパタ
ーン２３を介在して接続することもできる。

次に、第３図（ａ）、　（ｂ）は本発明にかかるレチク
ル（ＩＩＩ）の平面図と断面図を示しており、同図（ａ
）のＢＢ断面が同図（ｂ）である。図中の記号は第１図
。

第２図と同一部位に同一記号が付けてあり、その他の４
３が透明導電膜で、石英ガラス基板ｌに設けたプロセス
パターン群２１．金属膜領域２２．浮きパターン２３な
どの金属膜パターン２上の全面を被覆している。このよ
うな透明導電膜としては、酸化亜鉛（ＺｎＯｘ）膜やＩ
ＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ膜）が知ら
れており、それを膜厚１０００人程度に被覆する。そう
すれば、金属膜パターンの摩擦も発生することなく静電
破壊は完全に防止される。

〔発明の効果〕

以上の実施例の説明から明らかなように、本発明にかか
るレチクルに構成すれば、静電破壊によるパターン欠陥
が防止されてレチクルの品質が永く維持され、半導体装
置の信顛性１品質の向上に大きく貢献するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかるレチクル（１）の平面図、 第２図は本発明にかかるレチクル（１）の平面図、 第３図は本発明にがかる゛レチクル（Ｉ［Ｉ）の平面図
と断面図、 第４図は従来のレチクルの平面図と断面図、第５図は従
来の問題点を示す図である。 図において、 ｌは石英ガラス基板（透明絶縁基板）、２は金属膜パタ
ーン、 ３はスクライブ領域、 ２１はプロセスパターン群、 ２２は金属膜領域、 ２３は浮きパターン、 ４１、４２は静電破壊防止パターン、 ４３は透明導電膜、 を示している。 第３図 ７３ ｊ上旬−ン ４１８１３月（−かＱ）るし辷グレ（且）の矩７第２図 第４ 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明絶縁基板上に設けられた中央部分のプロセス
   パターン群と周囲部分の金属膜領域との間に、両者を電
   気的に接続する静電破壊防止パターンが設けられてなる
   ことを特徴とするレチクル。
2. （２）前記静電破壊防止パターンは露光工程における解
   像限界以下の微細パターンであることを特徴とする請求
   項（１）記載のレチクル。
3. （３）透明絶縁基板上の全面に透明導電膜が被覆されて
   いることを特徴とするレチクル。