JPS63265246A - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JPS63265246A JPS63265246A JP62100509A JP10050987A JPS63265246A JP S63265246 A JPS63265246 A JP S63265246A JP 62100509 A JP62100509 A JP 62100509A JP 10050987 A JP10050987 A JP 10050987A JP S63265246 A JPS63265246 A JP S63265246A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light shielding
- circuit
- circuit pattern
- shielding pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置等の製造に用いられるレチクルに関
する。
する。
半導体装置の微細パターン化に従って、ウェハーに回路
パターンを焼付ける露光機はコンタクトアライナ−、ミ
ラープロジェクシ゛ヨンアライナー等からステッパーへ
変ってきた。ステッパーではウェハー上のパターンサイ
ズの５〜１０倍のパターンサイズを有するレチクルが使
用される。
パターンを焼付ける露光機はコンタクトアライナ−、ミ
ラープロジェクシ゛ヨンアライナー等からステッパーへ
変ってきた。ステッパーではウェハー上のパターンサイ
ズの５〜１０倍のパターンサイズを有するレチクルが使
用される。
上述したレチクルは第３図に示すように、絶縁体である
透明なガラス基板１上に、スクライブ線３をはさんで、
クロム、酸化クロム等の金属膜で回路パターン２及び遮
光パターン４を形成したものであり、クリーンルーム内
の空気の流れや高圧シャワー水洗あるいは絶縁体のレチ
クルキャリアやケース等によって帯電する。
透明なガラス基板１上に、スクライブ線３をはさんで、
クロム、酸化クロム等の金属膜で回路パターン２及び遮
光パターン４を形成したものであり、クリーンルーム内
の空気の流れや高圧シャワー水洗あるいは絶縁体のレチ
クルキャリアやケース等によって帯電する。
半導体のパターンが微細化するにつれてウェハ一工程で
使用するレジストのポジ化が進み、レチクル上の金属パ
ターンの面積が増大してレチクルに帯電する電荷が多く
なり致方ボルトに達する゛こともあるようになった。こ
のため、この静電気がある瞬間に金属パターンのコーナ
一部でスパークし、パターンに欠陥をつくる場合がある
。ステッパーはレチクルの回路パターン２をウェハー繰
返し露光するものであるから、レチクルに欠陥があると
チップ収率が大幅に低下してしまう。
使用するレジストのポジ化が進み、レチクル上の金属パ
ターンの面積が増大してレチクルに帯電する電荷が多く
なり致方ボルトに達する゛こともあるようになった。こ
のため、この静電気がある瞬間に金属パターンのコーナ
一部でスパークし、パターンに欠陥をつくる場合がある
。ステッパーはレチクルの回路パターン２をウェハー繰
返し露光するものであるから、レチクルに欠陥があると
チップ収率が大幅に低下してしまう。
最近その対策として、ガラス基板上に透明な導電膜を形
成しその上に金属膜を形成したレチクル用のプレートが
案出されている。しかしながら、この透明導電膜付プレ
ートは価格が高いこと、パターン形成精度が悪いこと、
透明導電膜の耐久性が低いこと等の理由により実用性に
乏しいという問題点があった。
成しその上に金属膜を形成したレチクル用のプレートが
案出されている。しかしながら、この透明導電膜付プレ
ートは価格が高いこと、パターン形成精度が悪いこと、
透明導電膜の耐久性が低いこと等の理由により実用性に
乏しいという問題点があった。
本発明の目的は、静電気による回路パターンの破壊を防
止したレチクルを提供することにある。
止したレチクルを提供することにある。
本発明のレチクルは、透明基板の一主面に形成された回
路パターンと、該回路パターンの周囲に形成された遮光
パターンとを有するレチクルであって、前記遮光パター
ンの外側には前記遮光パターンと回路パターンに接続す
る静電破壊防止用パターンが形成されているものである
。
路パターンと、該回路パターンの周囲に形成された遮光
パターンとを有するレチクルであって、前記遮光パター
ンの外側には前記遮光パターンと回路パターンに接続す
る静電破壊防止用パターンが形成されているものである
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図である。
まずガラス基板１上に回路パターン２と遮光パターン４
を形成する際同時に、ステッパーで投影縮小露光したと
きにウェハー上で解像しない１〜３μｍの結合パターン
５で回路パターンと遮光パターンを結ぶ、すなわちレチ
クル上で１〜３μｍのパターンはウェハー上で０．２〜
０．６μｍに対応し解像しない、さらに遮光パターン４
の外側、すなわちステッパーで露光する際には不用の部
分に結合パターン５と同じ幅のパターンで、先端の向い
合った部分の間隔７が１〜２μｍの静電破壊防止パター
ン６を形成する。
を形成する際同時に、ステッパーで投影縮小露光したと
きにウェハー上で解像しない１〜３μｍの結合パターン
５で回路パターンと遮光パターンを結ぶ、すなわちレチ
クル上で１〜３μｍのパターンはウェハー上で０．２〜
０．６μｍに対応し解像しない、さらに遮光パターン４
の外側、すなわちステッパーで露光する際には不用の部
分に結合パターン５と同じ幅のパターンで、先端の向い
合った部分の間隔７が１〜２μｍの静電破壊防止パター
ン６を形成する。
このように構成された第１の実施例においては、回路パ
ターン２または遮光パターン４に発生した静電気は、静
電破壊防止パターン６の先端部７でスパークして静電破
壊防止パターン６の一部を破壊するが、回路パターン２
または遮光パターン４のコーナ一部でスパークすること
はなくなる。
ターン２または遮光パターン４に発生した静電気は、静
電破壊防止パターン６の先端部７でスパークして静電破
壊防止パターン６の一部を破壊するが、回路パターン２
または遮光パターン４のコーナ一部でスパークすること
はなくなる。
第２図は本発明の第２の実施例の平面図である。
第２図において、ガラス基板１上の遮光パターン４の外
側には静電破壊防止用のくし形パターン６Ａが向い合せ
に形成されている。向い合ったくし形パターンの間隔７
Ａは１〜３μｍが適当である。遮光パターン４と対向し
たくし形パターン６Ａは、回路パターン２及び遮光パタ
ーン４と電位差を生ずる様に、レチクルの端部まで形成
すると効果が大きい、くシ形パターン６Ａはスパークに
よってくし形部の一部が破壊されても他の部分でさらに
スパークさせることができるため繰返し使用できる利点
がある。
側には静電破壊防止用のくし形パターン６Ａが向い合せ
に形成されている。向い合ったくし形パターンの間隔７
Ａは１〜３μｍが適当である。遮光パターン４と対向し
たくし形パターン６Ａは、回路パターン２及び遮光パタ
ーン４と電位差を生ずる様に、レチクルの端部まで形成
すると効果が大きい、くシ形パターン６Ａはスパークに
よってくし形部の一部が破壊されても他の部分でさらに
スパークさせることができるため繰返し使用できる利点
がある。
尚、上記実施例においては、向い合った静電破壊防止用
パターンが１個の場合について説明したが複数個あって
もよい。
パターンが１個の場合について説明したが複数個あって
もよい。
以上説明した様に本発明は、レチクル上の使用しない部
分である遮光パターンの外側に、遮光パターンと回路パ
ターンに接続する静電破壊防止用パターンを形成するこ
とにより、静電気により回路パターンの破壊を防止でき
る効果がある。すなわち、回路パターン作成時にわずか
なパターンの追加によって静電破壊を防止できるため、
レチクル製作工程に変化を及ぼすことなく、また材料に
透明導電膜を使用する必要もな〈従来と同等に製造でき
る。
分である遮光パターンの外側に、遮光パターンと回路パ
ターンに接続する静電破壊防止用パターンを形成するこ
とにより、静電気により回路パターンの破壊を防止でき
る効果がある。すなわち、回路パターン作成時にわずか
なパターンの追加によって静電破壊を防止できるため、
レチクル製作工程に変化を及ぼすことなく、また材料に
透明導電膜を使用する必要もな〈従来と同等に製造でき
る。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の平
面図、第３図は従来のレチクルの平面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・回路パターン、３・・・
スクライブ線、４・・・遮光パターン、５・・・結合パ
ターン、６・・・静電破壊防止用パターン、６Ａ・・・
くし形パターン、７，７Ａ・・・間隔。 代理人 弁理士 内 原 晋′−パ （、
面図、第３図は従来のレチクルの平面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・回路パターン、３・・・
スクライブ線、４・・・遮光パターン、５・・・結合パ
ターン、６・・・静電破壊防止用パターン、６Ａ・・・
くし形パターン、７，７Ａ・・・間隔。 代理人 弁理士 内 原 晋′−パ （、
Claims (1)
- 透明基板の一主面に形成された回路パターンと、該回
路パターンの周囲に形成された遮光パターンとを有する
レチクルにおいて、前記遮光パターンの外側には前記遮
光パターンと回路パターンに接続する静電破壊防止用パ
ターンが形成されていることを特徴とするレチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100509A JPS63265246A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100509A JPS63265246A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63265246A true JPS63265246A (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=14275918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62100509A Pending JPS63265246A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63265246A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103850A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-04-30 | Fujitsu Ltd | レチクル |
| JP2009128558A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Hoya Corp | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
| JP2010250318A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | リソグラフィマスク及びリソグラフィマスクの製造方法 |
| JP2012507750A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | アルテラ コーポレイション | 静電気放電保護構造を有するフォトリソグラフィレクチル |
| JP2022509247A (ja) * | 2019-01-17 | 2022-01-20 | 長江存儲科技有限責任公司 | 静電放電保護付きフォトマスク |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62100509A patent/JPS63265246A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103850A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-04-30 | Fujitsu Ltd | レチクル |
| JP2009128558A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Hoya Corp | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
| JP2012507750A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | アルテラ コーポレイション | 静電気放電保護構造を有するフォトリソグラフィレクチル |
| JP2010250318A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | リソグラフィマスク及びリソグラフィマスクの製造方法 |
| JP2013101387A (ja) * | 2009-04-17 | 2013-05-23 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | リソグラフィマスク及びリソグラフィマスクの製造方法 |
| JP2022509247A (ja) * | 2019-01-17 | 2022-01-20 | 長江存儲科技有限責任公司 | 静電放電保護付きフォトマスク |
| US11493842B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-11-08 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Photomask with electrostatic discharge protection |
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