JPS6118955A - レテイクルマスク - Google Patents
レテイクルマスクInfo
- Publication number
- JPS6118955A JPS6118955A JP59139627A JP13962784A JPS6118955A JP S6118955 A JPS6118955 A JP S6118955A JP 59139627 A JP59139627 A JP 59139627A JP 13962784 A JP13962784 A JP 13962784A JP S6118955 A JPS6118955 A JP S6118955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- chip
- mask
- reticle mask
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレティクルマスクに関する。
近年の半導体デバイスの高密度、高集積化に伴い、ウェ
ハースへのパターン転写技術に於ては縮小投影露光方式
が多用化されつつある。
ハースへのパターン転写技術に於ては縮小投影露光方式
が多用化されつつある。
かかる縮小投影露光方式ではその縮小率に応じてチップ
を拡大形成したフォトマスク（以下レティクルマスク）
が使用される。レティクルマスクの製造に於ても一般的
なフォトマスクと同様材料としては透明なガラス等の上
にクロム等の金属膜を形成したメタル基板が用いられ、
電子ビーム等によりパターンを描画したマスタレティク
ルを密着露光で転写しワーキングレティクルを作成する
方法がとられる。
を拡大形成したフォトマスク（以下レティクルマスク）
が使用される。レティクルマスクの製造に於ても一般的
なフォトマスクと同様材料としては透明なガラス等の上
にクロム等の金属膜を形成したメタル基板が用いられ、
電子ビーム等によりパターンを描画したマスタレティク
ルを密着露光で転写しワーキングレティクルを作成する
方法がとられる。
一方、密着露光方式に於ては、帯電する静電気の放電に
より、既に形成されているマスク側のパターンが破壊さ
れる静電破壊現象が発生する場合があるが、レティクル
マスクの場合、形成するパターンに依存してこの破壊現
象が顕著に発生する事がある。
より、既に形成されているマスク側のパターンが破壊さ
れる静電破壊現象が発生する場合があるが、レティクル
マスクの場合、形成するパターンに依存してこの破壊現
象が顕著に発生する事がある。
静電破壊によるパターンの欠損は非常に大きく、且つ広
範囲に及ぶため、一度発生するとそのマスクは即座に使
用不可能なものとなってしまう。
範囲に及ぶため、一度発生するとそのマスクは即座に使
用不可能なものとなってしまう。
レティクルマスクの場合、電子ビーム露光装置を駆使し
たり、また、無欠陥でなければならないことから、マス
ク製造の難易度が非常に高いため、この破壊防止は重要
な課題である。
たり、また、無欠陥でなければならないことから、マス
ク製造の難易度が非常に高いため、この破壊防止は重要
な課題である。
そのため、一部にはガラス基板と金属膜との間に透明導
電膜を形成し、帯電防止を考慮したフォトマスク用基板
が使用されているが、コスト高になる、製造方法が通常
のものと一部異なる、等々の問題がある。
電膜を形成し、帯電防止を考慮したフォトマスク用基板
が使用されているが、コスト高になる、製造方法が通常
のものと一部異なる、等々の問題がある。
本発明は以上述べた様な問題に鑑み形成するパターンを
部分的に接続する事で基板または製造方法を同等変更す
る事なく、密着露光の際のパターン破壊を防止出来るレ
ティクルマスクを提供するものである。
部分的に接続する事で基板または製造方法を同等変更す
る事なく、密着露光の際のパターン破壊を防止出来るレ
ティクルマスクを提供するものである。
本発明の特徴は、ガラス基板上に形成されたチップパタ
ーンと、その外周部に形成され、当該チップパターンと
完全に分離されたパターンとを、他の第３のパターンに
より部分的に接続させたレティクルマスクにある。
ーンと、その外周部に形成され、当該チップパターンと
完全に分離されたパターンとを、他の第３のパターンに
より部分的に接続させたレティクルマスクにある。
以下、本発明の実施例を図面を参照に説明する。
第１図に一般的カレティクルマスクを示す。斜線部は金
属膜が残されており、他はガラス等の透明基板が露出し
ている部分である。図に於て、１は形成された個々のチ
ップパターン、２はウェハース上に形成されるチップ切
断用のパターン（以下スクライプパターン）、３は縮小
投影露光装置を使用する際、チップ外周部分を遮光する
ために必要な枠パターン（以下外周枠）である。
属膜が残されており、他はガラス等の透明基板が露出し
ている部分である。図に於て、１は形成された個々のチ
ップパターン、２はウェハース上に形成されるチップ切
断用のパターン（以下スクライプパターン）、３は縮小
投影露光装置を使用する際、チップ外周部分を遮光する
ために必要な枠パターン（以下外周枠）である。
レティクルマスクの特徴であり、一般的なマスクと異な
るのはこの外周枠３を形成しなければならない事であり
、その為に、スクライプパターン２により分離されたチ
ップパターン１の四隅のコーナ一部に電荷が集中し、外
周枠３との間の放電現象によりコーナ一部パターンが破
壊される。
るのはこの外周枠３を形成しなければならない事であり
、その為に、スクライプパターン２により分離されたチ
ップパターン１の四隅のコーナ一部に電荷が集中し、外
周枠３との間の放電現象によりコーナ一部パターンが破
壊される。
第２図は本発明の実施例で、第１図の一部を示す。
本発明の目的とするところは、スクライプパターン２に
より完全に分離されているチップパターン１と外周枠３
とを接続させる事にあり、それによってチップコーナ一
部への電荷集中を防止出来る。
より完全に分離されているチップパターン１と外周枠３
とを接続させる事にあり、それによってチップコーナ一
部への電荷集中を防止出来る。
４がそのだめの接続用の第３のパターンである。
接続用パターン４の大きさく幅）は数μｍ程度で十分で
あり、この大きさであれば一般的には縮小投影露光後に
ウェハース上に解像されず、また仮に解像された場合で
もチップ切断の際に何畳問題となるものではない。
あり、この大きさであれば一般的には縮小投影露光後に
ウェハース上に解像されず、また仮に解像された場合で
もチップ切断の際に何畳問題となるものではない。
以上の様な簡単な方法により、現状の製造方法、フォト
マスク材料等を同等変更する事なく、密着露光によるレ
ティクルマスクのパターン破壊を容易に防止出来る。
マスク材料等を同等変更する事なく、密着露光によるレ
ティクルマスクのパターン破壊を容易に防止出来る。
第１図は一般的なレディクルマスクを示す平面図、第２
図は本発明の一実施例を示すレティクルマスクの平面図
。 尚、図に於て、１・・・・・・チップパターン、２・・
・・・・スクライプパターン、３・・・・・・外周枠、
４・・・・・・接続用パターン。 第１図 第２図
図は本発明の一実施例を示すレティクルマスクの平面図
。 尚、図に於て、１・・・・・・チップパターン、２・・
・・・・スクライプパターン、３・・・・・・外周枠、
４・・・・・・接続用パターン。 第１図 第２図
Claims (1)
- ガラス基板上に形成されたチップパターンと、その外周
部に形成され、当該チップパターンと、分離されたパタ
ーンとを、他の第３のパターンにより部分的に接続させ
た事を特徴とするレティクルマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139627A JPS6118955A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | レテイクルマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139627A JPS6118955A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | レテイクルマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6118955A true JPS6118955A (ja) | 1986-01-27 |
Family
ID=15249683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59139627A Pending JPS6118955A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | レテイクルマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6118955A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103850A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-04-30 | Fujitsu Ltd | レチクル |
| KR100425459B1 (ko) * | 2001-08-23 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 광마스크와 그의 제조 방법 및 광마스크 결함 감지/수리방법 |
| JP2010250318A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | リソグラフィマスク及びリソグラフィマスクの製造方法 |
-
1984
- 1984-07-05 JP JP59139627A patent/JPS6118955A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103850A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-04-30 | Fujitsu Ltd | レチクル |
| KR100425459B1 (ko) * | 2001-08-23 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 광마스크와 그의 제조 방법 및 광마스크 결함 감지/수리방법 |
| JP2010250318A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | リソグラフィマスク及びリソグラフィマスクの製造方法 |
| JP2013101387A (ja) * | 2009-04-17 | 2013-05-23 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | リソグラフィマスク及びリソグラフィマスクの製造方法 |
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