KR200208744Y1 - 펠리클이 필요 없는 레티클 - Google Patents

펠리클이 필요 없는 레티클 Download PDF

Info

Publication number
KR200208744Y1
KR200208744Y1 KR2019970041396U KR19970041396U KR200208744Y1 KR 200208744 Y1 KR200208744 Y1 KR 200208744Y1 KR 2019970041396 U KR2019970041396 U KR 2019970041396U KR 19970041396 U KR19970041396 U KR 19970041396U KR 200208744 Y1 KR200208744 Y1 KR 200208744Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reticle
pellicle
chromium
quartz substrate
pattern
Prior art date
Application number
KR2019970041396U
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990028758U (ko
Inventor
김주환
박정현
Original Assignee
김영환
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR2019970041396U priority Critical patent/KR200208744Y1/ko
Publication of KR19990028758U publication Critical patent/KR19990028758U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200208744Y1 publication Critical patent/KR200208744Y1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

반도체 소자 제조를 위한 레티클에서 펠리클은 레티클 상의 크롬 패턴에 파티클이 부착되는 문제만 없으면, 전혀 불필요한 존재이다. 따라서, 본 고안은 펠리클을 사용하지 않으면서, 레티클상에 불순물이 부착된 경우에 신속하고도 안전한 조치가 가능한, 그러한 구조를 갖는 레티클을 제공하고자 하는 것으로, 이를 위해 본 고안의 레티클은 그 일면에 다수의 트렌치가 형성된 석영기판; 상기 트렌치 내에 채워진 크롬; 및 상기 크롬이 형성된 석영기판의 일면을 덮는 투명절연막을 포함하여, 펠리클 없이 노광에 사용되는 것을 특징으로 한다.

Description

펠리클이 필요 없는 레티클{Reticle without Pellicle}
본 고안은 반도체 소자 제조 공정중 포토리소그라피(photo lithography) 공정에 사용되는 레티클(reticle, 포토마스크)에 관한 것으로, 특히 펠리클(pellicle)이 필요 없는 레티클에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 마스크 패턴닝시 레티클상에 불순물(particle)이 부착되어 웨이퍼상에 패턴이 비정상적으로 형성되는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 사용하고 있다.
도 1은 레티클상에 불순물이 부착되어 포토레지스트 패턴에 에러가 발생되는 것을 보여주는 단면도이다. 통상적으로 레티클(10)은 석영기판(11) 상에 차광막으로서 크롬 패턴(12)이 형성된다. 이러한 레티클(10)을 사용하여 노광 공정(40)을 수행할 시 정전기 등의 외력에 의하여 레티클(10)에는 파티클(20)이 부착되게 되고 이로 인하여 웨이퍼(30)상에 도달하는 빛의 세가가 국부적으로 감소하게되고, 웨이퍼상의 포토레지스트 패턴(31)이 형성이 되지 않거나 패턴크기가 달라지는 등, 패턴 형성에 에러(도면의 "A")가 발생된다.
한편, 레티클은 반복적으로 계속 사용되기 때문에 레티클상에 불순물이 부착되어 유발되는 패턴 결함은 웨이퍼상의 모든 칩(chip)에서 반복적으로 발생되므로 제품의 수율을 크게 떨어뜨리는 중요한 공정결함을 가져오게 된다. 따라서, 레티클상에 불순물이 부착되어 있는지의 여부를 항상 검사하고, 불순물이 발견되는 경우에 신속하게 제거를 해야하는 일이 매우 중요하다.
따라서, 종래에는 레티클의 크롬 패턴에 불순물이 흡착되는 것을 방지하기 위하여 크롬 패턴이 형성된 면에 얇은 막의 펠리클을 부착하고 있다. 크롬 패턴이 전도체로서 정전기력에 의해서 대기중의 가벼운 불순물을 쉽게 부착시키고, 불순물 부착시 크롬 패턴의 손상을 주지 않고 제거하기가 어렵기 때문에, 빛의 투과율이 크고 두께가 매우 얇은 펠리클로 크롬 패턴을 보호하기 위해서이다. 도 2에 펠리클(14)이 부착된 레티클(10)이 도시되어 있다. 펠리클(14)은 크롬 패턴(12)이 형성된 면을 보호하기 위하여 석영기판(11)의 양 가장자리에 고정된 프레임(13)의해 형성된다. 불순물(20)은 크롬 패턴(12)이 형성되지 않는 석영기판(1)의 후면이나 펠리클(14) 상에만 흡착될 뿐 크롬 패턴에는 직접적으로 얹혀지지 않는다.
그런데, 도 3a에 도시된 바와 같이, 펠리클(14)이 부착되지 않은 석영기판(11) 면에 불순물(20)이 부착된 경우에는 N2건(Gun)(50)으로 가스를 강하게 분출시켜 제거할 수 있지만, 도 3b 및 도 3c에 도시된 바와 같이, 펠리클(14) 면에 불순물(20)이 부착된 경우에는 N2건(50)으로 가스를 강하게 분출시킬 때 펠리클이 파손되게 된다. 따라서, 종래에는 펠리클(14) 자체를 교체하는 방법을 사용하고 있다. 이에 의해 공정 진행 중에 펠리클 위에 불순물이 발견되었을 경우 즉각 적인 조치가 불가능하고 펠리클 프레임을 새것으로 교환하는데 많은 시간이 소요된다. 또한, 펠리클은 매우 얇은 막으로서 조작시 실수에 의해 레티클에 손상된 펠리클이 부착되는 경우에, 레티클 자체가 오염되는 위험성을 항상 안고 있다.
펠리클은 레티클 상의 크롬 패턴에 파티클이 부착되는 문제만 없으면, 전혀 불필요한 존재이다. 따라서, 본 고안은 펠리클을 사용하지 안으면서, 레티클상에 불순물이 부착된 경우에 신속하고도 안전한 조치가 가능한, 그러한 구조를 갖는 레티클을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 레티클상에 불순물이 부착되어 포토레지스트 패턴에 에러가 발생되는 것을 보여주는 단면도.
도 2는 펠리클이 부착된 종래의 레티클 단면도.
도 3a 내지 도 3c는 N2건에 의해 불순물을 제거하는 과정을 나타낸 도면.
도 4는 본 고안의 일실시예에 따른 레티클 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 고안의 일실시예에 따른 레티클 제조 공정단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 레티클 110 : 투명기판
120 : 투명물질막
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 레티클은, 포토리소그라피 공정용 레티클에 있어서, 그 일면에 다수의 트렌치가 형성된 석영기판; 상기 트렌치 내에 채워진 크롬; 및 상기 크롬이 형성된 석영기판의 일면을 덮는 투명절연막을 포함하여, 펠리클 없이 노광에 사용하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 일실시예를 상세히 설명한다.
도 4는 본 고안의 일실시예에 따른 레티클의 단면도로서, 도면에 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 레티클(100)은 차광패턴인 크롬패턴(130)이 투명물질(110, 120) 내에 매립된 구조를 갖는다. 본 실시예에서 투명물질은 기판 역할을 하는 투명기판(110)과 크롬패턴(130)을 덮는 투명물질막(120)으로 이루어진다. 투명기판(110)은 기존의 석영기판과 동일하되 그 일면에 트렌치가 형성되어 트렌치 내에 크롬이 매립되도록 실시 구성된다. 투명물질막(120)은 산화막계열의 물질로서 광을 거의 100% 투과할 수 있으며, 매립된 크롬을 덮을 수 있도록 그리고 위상의 변화를 발생키 않도록 평탄화되어 있다. 바람직하게, 상기 산화막계열의 물질은 SiO2, 도핑된 글래스 및 비도핑된 글래스 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진다.
이와 같은 구조의 레티클(100)은 크롬패턴이 양면으로 모두 드러나지 않기 때문에, 양면 모두에 불순물이 흡착되더라도 N2건을 사용하여 신속하고도 안전하게 불순물을 제거할 수 있다.
도 5a 내지 도 5e는 도 4와 같은 레티클을 제조하는 방법의 바람직한 실시예를 보여주는 공정도이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 석영기판(51)상에 차광부위를 노출시킨 레지스트 패턴(52)을 형성한다.
이어서, 도 5b와 같이, 석영기판(51)을 일부두께 식각하여 트렌치(53)를 형성한 다음, 레지스트 패턴(52)을 제거한다. 이에 의해 차광지역에 트렌치(53)를 갖는 석영기판(51a)이 완료된다.
이어서, 도 5c와 같이 석영기판(51a)의 트렌치(53)를 갖는 면에 크롬(54)을 증착하고, 도 5d와 같이, 상기 트렌치(54) 내부에만 크롬 패턴(54a)이 형성되도록 크롬을 에치백(etch back) 또는 폴리싱(polishing)한다.
끝으로, 도 5e와 같이, 크롬패턴(54a)이 형성된 면에 노광되는 빛에 대하여 투과율이 매우 큰(∼100%) 산화막계열의 투명물질막(55)을 형성한다.
이상에서 설명한 본 고안은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 고안의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지 자에게 있어 명백할 것이다.
본 고안의 레티클은 어느 부위의 면에 불순물이 부착되더라도 안전하고 신속한 불순물 제거가 가능하고, 펠리클 자체를 사용하지 않게 되어, 펠리클 손상에 의한 레티클 오염의 위험성도 제거할 수 있다. 또한, 본 고안은 펠리클이라는 소모성 재료를 생략 가능하므로 비용절감이라는 부수적인 효과를 얻을 수 있고, 펠리클을 사용할 때는 노광장비의 종류 및 장비 사양에 따라서 펠리클 프레임 종류를 달리해야하는 등의 문제도 해결할 수 있다.

Claims (3)

  1. 포토리소그라피 공정용 레티클에 있어서,
    그 일면에 다수의 트렌치가 형성된 석영기판;
    상기 트렌치 내에 채워진 크롬; 및
    상기 크롬이 형성된 석영기판의 일면을 덮는 투명절연막을 포함하여,
    펠리클 없이 노광에 사용되는 것을 특징으로 하는 레티클.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명절연막은 광을 거의 100% 투과할 수 있는 산화막계열의 물질임을 특징으로 하는 레티클.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 산화막계열의 물질은 SiO2, 도핑된 글래스 및 비도핑된 글래스 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레티클.
KR2019970041396U 1997-12-27 1997-12-27 펠리클이 필요 없는 레티클 KR200208744Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019970041396U KR200208744Y1 (ko) 1997-12-27 1997-12-27 펠리클이 필요 없는 레티클

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019970041396U KR200208744Y1 (ko) 1997-12-27 1997-12-27 펠리클이 필요 없는 레티클

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990028758U KR19990028758U (ko) 1999-07-15
KR200208744Y1 true KR200208744Y1 (ko) 2001-02-01

Family

ID=53896775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019970041396U KR200208744Y1 (ko) 1997-12-27 1997-12-27 펠리클이 필요 없는 레티클

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200208744Y1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100928505B1 (ko) * 2007-10-22 2009-11-26 주식회사 동부하이텍 반도체 소자 제작 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990028758U (ko) 1999-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6803160B2 (en) Multi-tone photomask and method for manufacturing the same
US6841309B1 (en) Damage resistant photomask construction
US5928817A (en) Method of protecting an EUV mask from damage and contamination
JP2004526988A (ja) 溶融シリカ被覆
US7670728B2 (en) Method for repairing bridge in photo mask
CN101634805B (zh) 用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构及其制造方法
US20210080820A1 (en) Photomask and method for forming the same
KR200208744Y1 (ko) 펠리클이 필요 없는 레티클
JP4396354B2 (ja) フォトマスク
JPS633302B2 (ko)
JP3650055B2 (ja) ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法
US20060216614A1 (en) Method of mask making and structure thereof for improving mask ESD immunity
EP1310827B1 (en) Photomask with dust-proofing device and exposure method using the same
JP2001272768A (ja) フォトリソグラフィ・マスク
US7351503B2 (en) Fused silica pellicle in intimate contact with the surface of a photomask
JPH05100410A (ja) レチクル
JP2000098585A (ja) 半導体製造装置および半導体製造装置の保管装置
US6830853B1 (en) Chrome mask dry etching process to reduce loading effect and defects
US20050238964A1 (en) Photomask
JP4202770B2 (ja) 防塵装置付きフォトマスクおよび露光方法、検査方法と修正方法
KR101153998B1 (ko) 포토 마스크의 패턴 브리지 결함 수정 방법
CN111435218B (zh) 光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版
KR20000042879A (ko) 위상 반전 마스크의 제조방법
KR100619398B1 (ko) 반사방지막을 구비한 레티클 제조방법
JPS6118955A (ja) レテイクルマスク

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100920

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee