JP2001272768A - フォトリソグラフィ・マスク - Google Patents
フォトリソグラフィ・マスクInfo
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- JP2001272768A JP2001272768A JP2001065515A JP2001065515A JP2001272768A JP 2001272768 A JP2001272768 A JP 2001272768A JP 2001065515 A JP2001065515 A JP 2001065515A JP 2001065515 A JP2001065515 A JP 2001065515A JP 2001272768 A JP2001272768 A JP 2001272768A
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- photolithographic mask
- shielding material
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/40—Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電気放電を防ぐ構造を有するレチクルまた
はフォトマスクを提供する。 【解決手段】 本発明は、基板の上に配置された遮光材
料中にエッチングされた集積回路パターンを取り囲み、
ＥＳＤ低減手段を提供する。ガード・バンドまたは不連
続部を有するレチクルまたはフォトマスクを開示する。
ガード・バンドの幅は約１ｍｍ〜約５０ｍｍであること
が好ましい。ガード・バンドは、電荷が移動する経路を
分断することによってＥＳＤを低減させ、重要なパター
ン領域を電荷の移動から分離する。ガード・バンドのエ
ッチングは、製造プロトコルの集積回路パターンのエッ
チング中に容易に組み込むことができる。
はフォトマスクを提供する。 【解決手段】 本発明は、基板の上に配置された遮光材
料中にエッチングされた集積回路パターンを取り囲み、
ＥＳＤ低減手段を提供する。ガード・バンドまたは不連
続部を有するレチクルまたはフォトマスクを開示する。
ガード・バンドの幅は約１ｍｍ〜約５０ｍｍであること
が好ましい。ガード・バンドは、電荷が移動する経路を
分断することによってＥＳＤを低減させ、重要なパター
ン領域を電荷の移動から分離する。ガード・バンドのエ
ッチングは、製造プロトコルの集積回路パターンのエッ
チング中に容易に組み込むことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィで使用されるレチクルおよびその他のフォトマスクの
製造および使用における静電気放電の低減に関する。静
電気放電の経路を狭めることによって、レチクルの有効
寿命は大幅に延び、静電気放電に起因する欠陥は大幅に
低減する。
ィで使用されるレチクルおよびその他のフォトマスクの
製造および使用における静電気放電の低減に関する。静
電気放電の経路を狭めることによって、レチクルの有効
寿命は大幅に延び、静電気放電に起因する欠陥は大幅に
低減する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路などの半導体装置の製造でフォ
トマスクから半導体基板にパターンを転写するリソグラ
フィ技術は高度に発展し、広く使用されている。レチク
ルまたはフォトマスクは、可視光、紫外線、あるいはＸ
線、電子ビームなど、さまざまな線源とともに使用され
ている。レチクルのガラス基板は一般に、取扱い中に静
電的に帯電する。静電荷は、ごく小量であってもガラス
基板表面にダストや粒子を引きつけ、半導体基板上に投
影される集積回路パターンを劣化させる。
トマスクから半導体基板にパターンを転写するリソグラ
フィ技術は高度に発展し、広く使用されている。レチク
ルまたはフォトマスクは、可視光、紫外線、あるいはＸ
線、電子ビームなど、さまざまな線源とともに使用され
ている。レチクルのガラス基板は一般に、取扱い中に静
電的に帯電する。静電荷は、ごく小量であってもガラス
基板表面にダストや粒子を引きつけ、半導体基板上に投
影される集積回路パターンを劣化させる。
【０００３】レチクルの周囲の物体または空気の運動に
起因する静電気はレチクル上に蓄積する。物体間の反対
の極性の電荷がしきい値に達すると、静電気の放電（Ｅ
ＳＤ）が起こり、電荷は物体間を流れる。帯電の程度お
よび物体材料の感度に応じて、この電荷の交換は、物体
に損傷を引き起こす可能性がある。レチクルで見られる
非常に小さなマスク・フォトリソグラフィ設計構造の場
合、この損傷が、基板上に形成された集積回路パターン
を溶かし、かつ／または除去するほどに深刻になる可能
性がある。これによって、開口を含むマスクの損傷、材
料の再付着、および幾何形状の切断が生じる。この損傷
の結果、ウェハ・スクラップが生じ、処理のやり直し、
マスクの修理および再作成が必要となり、インライン検
査および欠陥分析に技術上、製造上の時間が相当に費や
される。
起因する静電気はレチクル上に蓄積する。物体間の反対
の極性の電荷がしきい値に達すると、静電気の放電（Ｅ
ＳＤ）が起こり、電荷は物体間を流れる。帯電の程度お
よび物体材料の感度に応じて、この電荷の交換は、物体
に損傷を引き起こす可能性がある。レチクルで見られる
非常に小さなマスク・フォトリソグラフィ設計構造の場
合、この損傷が、基板上に形成された集積回路パターン
を溶かし、かつ／または除去するほどに深刻になる可能
性がある。これによって、開口を含むマスクの損傷、材
料の再付着、および幾何形状の切断が生じる。この損傷
の結果、ウェハ・スクラップが生じ、処理のやり直し、
マスクの修理および再作成が必要となり、インライン検
査および欠陥分析に技術上、製造上の時間が相当に費や
される。
【０００４】ＥＳＤは、半導体産業で周知の問題であ
り、この問題に対する単純な解決策を提供しようとする
従来技術の試みは不成功に終わっている。レチクルを取
り扱う機械および人間を接地する接地ストラップが一般
に使用されている。接地ストラップはかなり安価であ
り、使用も容易だが、各々の人および全ての機械を常に
接地しておくことは難しい。このように、レチクルはＥ
ＳＤの問題を未だ克服していない。
り、この問題に対する単純な解決策を提供しようとする
従来技術の試みは不成功に終わっている。レチクルを取
り扱う機械および人間を接地する接地ストラップが一般
に使用されている。接地ストラップはかなり安価であ
り、使用も容易だが、各々の人および全ての機械を常に
接地しておくことは難しい。このように、レチクルはＥ
ＳＤの問題を未だ克服していない。
【０００５】タブチ（Ｔａｂｕｃｈｉ）の米国特許第４
４４０８４１号は、マスキング層をその上に有する透明
基板を含むレチクルの上に形成された導電性フィルムの
上に化学的に抵抗性のフィルムを形成することによって
ＥＳＤを低減させることを試みている。しかしこの方法
は、時間およびコストを増大させる追加段階をレチクル
製造に追加する。
４４０８４１号は、マスキング層をその上に有する透明
基板を含むレチクルの上に形成された導電性フィルムの
上に化学的に抵抗性のフィルムを形成することによって
ＥＳＤを低減させることを試みている。しかしこの方法
は、時間およびコストを増大させる追加段階をレチクル
製造に追加する。
【０００６】クエル（Ｋｕｙｅｌ）の米国特許第４５３
７８１３号は、パターニング済みのフォトマスクをおお
うプラズマ付着酸化シリコン共形コーティングを開示し
ている。このコーティングは電気的に抵抗性であり、実
質的に基板と同じ屈折率を有する。この方法は、レチク
ルに熱損傷を与える可能性のあるプラズマ付着プロセス
にレチクルをさらし、そのうえ別の製造段階を追加す
る。
７８１３号は、パターニング済みのフォトマスクをおお
うプラズマ付着酸化シリコン共形コーティングを開示し
ている。このコーティングは電気的に抵抗性であり、実
質的に基板と同じ屈折率を有する。この方法は、レチク
ルに熱損傷を与える可能性のあるプラズマ付着プロセス
にレチクルをさらし、そのうえ別の製造段階を追加す
る。
【０００７】ダナコチ（Ｄｈａｎａｋｏｔｉ）他の米国
特許第４９２７６９２号は、ベッド・オブ・ネイルズ
（ｂｅｄ−ｏｆ−ｎａｉｌｓ）型テスタ用の帯電防止多
層電気試験マスクに対するＥＳＤの影響を記載してい
る。ＥＳＤは、この多層マスクを通してより均一に分布
することが分かった。しかし、この文献に開示された材
料、例えばエポキシ樹脂をしみ込ませたガラス布や紙を
利用したレチクル用多層設計は、フォトリソグラフィに
適しているとは言い難い。
特許第４９２７６９２号は、ベッド・オブ・ネイルズ
（ｂｅｄ−ｏｆ−ｎａｉｌｓ）型テスタ用の帯電防止多
層電気試験マスクに対するＥＳＤの影響を記載してい
る。ＥＳＤは、この多層マスクを通してより均一に分布
することが分かった。しかし、この文献に開示された材
料、例えばエポキシ樹脂をしみ込ませたガラス布や紙を
利用したレチクル用多層設計は、フォトリソグラフィに
適しているとは言い難い。
【０００８】ショー（Ｓｈａｗ）他の米国特許第５２９
６８９３号には、レチクルを包囲し、摩擦点を最低限に
抑え、周囲環境からボックスの内部をシールすることに
よって自己汚染および汚染を低減させる、レチクル・ボ
ックスが開示されている。このレチクル・ボックスは、
レチクルの保管および出荷には理想的であるが、レチク
ルを取り扱っている間のＥＳＤ低減手段とはなり得な
い。
６８９３号には、レチクルを包囲し、摩擦点を最低限に
抑え、周囲環境からボックスの内部をシールすることに
よって自己汚染および汚染を低減させる、レチクル・ボ
ックスが開示されている。このレチクル・ボックスは、
レチクルの保管および出荷には理想的であるが、レチク
ルを取り扱っている間のＥＳＤ低減手段とはなり得な
い。
【０００９】クボタ（Ｋｕｂｏｔａ）他の米国特許第５
３７０９５１号は、ダストおよびその他の汚染物からレ
チクルを保護するための手段として新規な接着剤を使用
してレチクル上に装着するペリクル（ｐｅｌｌｉｃｌ
ｅ）を提案している。セゴ（Ｓｅｇｏ）の米国特許第５
４２２７０４号は、フレームの外部からレチクルの保護
領域への粒子の移送の機会を低減させる圧力逃がしシス
テムを提供するペリクル・フレームを開示している。ペ
リクルは、微粒子汚染の低減には理想的であるが、ＥＳ
Ｄの低減に関しては一般にほとんど無効である。したが
って、関心は、ＥＳＤの結果を処理することではなくＥ
ＳＤの原因を低減させることにあるはずである。
３７０９５１号は、ダストおよびその他の汚染物からレ
チクルを保護するための手段として新規な接着剤を使用
してレチクル上に装着するペリクル（ｐｅｌｌｉｃｌ
ｅ）を提案している。セゴ（Ｓｅｇｏ）の米国特許第５
４２２７０４号は、フレームの外部からレチクルの保護
領域への粒子の移送の機会を低減させる圧力逃がしシス
テムを提供するペリクル・フレームを開示している。ペ
リクルは、微粒子汚染の低減には理想的であるが、ＥＳ
Ｄの低減に関しては一般にほとんど無効である。したが
って、関心は、ＥＳＤの結果を処理することではなくＥ
ＳＤの原因を低減させることにあるはずである。
【００１０】したがって当技術分野では、追加の製造段
階を加えず、かつ時間およびコストを増大させない単純
なＥＳＤ低減方法が依然として求められている。
階を加えず、かつ時間およびコストを増大させない単純
なＥＳＤ低減方法が依然として求められている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来技術
の問題および欠陥を考えれば、本発明の目的は、製造体
系に容易に組み込まれる単純な静電気放電低減方法を提
供することにある。
の問題および欠陥を考えれば、本発明の目的は、製造体
系に容易に組み込まれる単純な静電気放電低減方法を提
供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、静電気放電を防ぐ改
良型のレチクルまたはフォトマスクを提供することにあ
る。
良型のレチクルまたはフォトマスクを提供することにあ
る。
【００１３】本発明のその他の目的および利点のあるも
のは自ずと明らかとなり、他の部分は本明細書から明白
となろう。
のは自ずと明らかとなり、他の部分は本明細書から明白
となろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】以上の目的および利点、
ならびに当業者には明白なその他の目的および利点は、
本発明において達成される。本発明は第１の態様におい
て、光透過性基板と、集積回路のイメージを提供するよ
うにパターニングおよびエッチングされた、基板をおお
う遮光材料層と、イメージを取り囲む遮光材料層の不連
続部とを含むフォトリソグラフィ・マスクを対象とす
る。
ならびに当業者には明白なその他の目的および利点は、
本発明において達成される。本発明は第１の態様におい
て、光透過性基板と、集積回路のイメージを提供するよ
うにパターニングおよびエッチングされた、基板をおお
う遮光材料層と、イメージを取り囲む遮光材料層の不連
続部とを含むフォトリソグラフィ・マスクを対象とす
る。
【００１５】基板は、石英、ソーダ石灰ガラス、ガラ
ス、サファイアまたはフッ化カルシウムを含むことがで
きる。遮光材料層は、クロム、酸化クロム、銅、金、
鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、またはこれらの複数
の層を含むことができる。遮光材料の不連続部は、イメ
ージを取り囲む遮光材料の部分を、基板が露出するよう
にエッチングすることによって形成することが好まし
い。不連続部は、イメージの遮光材料と基板の外縁の遮
光材料の間で静電荷が分断されるようにイメージを取り
囲むガード・バンドを含む。ガード・バンドが基板材料
を含むことが好ましい。ガード・バンドの幅は約１〜約
５０ｍｍであることが好ましい。イメージの内縁または
外縁に沿って装着されるペリクルをさらに含めることが
できる。
ス、サファイアまたはフッ化カルシウムを含むことがで
きる。遮光材料層は、クロム、酸化クロム、銅、金、
鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、またはこれらの複数
の層を含むことができる。遮光材料の不連続部は、イメ
ージを取り囲む遮光材料の部分を、基板が露出するよう
にエッチングすることによって形成することが好まし
い。不連続部は、イメージの遮光材料と基板の外縁の遮
光材料の間で静電荷が分断されるようにイメージを取り
囲むガード・バンドを含む。ガード・バンドが基板材料
を含むことが好ましい。ガード・バンドの幅は約１〜約
５０ｍｍであることが好ましい。イメージの内縁または
外縁に沿って装着されるペリクルをさらに含めることが
できる。
【００１６】第２の態様において本発明は、集積回路に
対応するリソグラフィック・イメージを露光ツールを使
用してフォトリソグラフィ・マスクから半導体基板上に
光学的に転写するためのフォトリソグラフィ・マスクを
対象とする。このフォトリソグラフィ・マスクは、上面
および外縁を有する絶縁基板と、集積回路に対応するリ
ソグラフィック・パターンを含む、基板の上面の中央領
域と、導電性フィルムを含む、基板の上面の内側環状リ
ング領域であって、マスクにペリクルを装着するように
適合された領域と、導電性フィルムを含む、基板の上面
の外側環状リング領域であって、内側環状リング領域か
ら間隔を置いて配置され、基板の外縁まで外側に延びる
領域を含む。
対応するリソグラフィック・イメージを露光ツールを使
用してフォトリソグラフィ・マスクから半導体基板上に
光学的に転写するためのフォトリソグラフィ・マスクを
対象とする。このフォトリソグラフィ・マスクは、上面
および外縁を有する絶縁基板と、集積回路に対応するリ
ソグラフィック・パターンを含む、基板の上面の中央領
域と、導電性フィルムを含む、基板の上面の内側環状リ
ング領域であって、マスクにペリクルを装着するように
適合された領域と、導電性フィルムを含む、基板の上面
の外側環状リング領域であって、内側環状リング領域か
ら間隔を置いて配置され、基板の外縁まで外側に延びる
領域を含む。
【００１７】この態様のフォトリソグラフィ・マスクは
さらに、内側または外側環状リング領域上に装着された
ペリクルを含むことができる。基板の内側環状リング領
域と外側環状リング領域の間の部分は、中央領域とリン
グ領域の間の静電気放電を実質的に低減させる導電性フ
ィルムの不連続部である。内側環状リング領域と外側環
状リング領域の間の距離が約１ｍｍ〜約５０ｍｍである
ことが好ましい。
さらに、内側または外側環状リング領域上に装着された
ペリクルを含むことができる。基板の内側環状リング領
域と外側環状リング領域の間の部分は、中央領域とリン
グ領域の間の静電気放電を実質的に低減させる導電性フ
ィルムの不連続部である。内側環状リング領域と外側環
状リング領域の間の距離が約１ｍｍ〜約５０ｍｍである
ことが好ましい。
【００１８】第３の態様において本発明はフォトリソグ
ラフィ・マスクを対象とする。このフォトリソグラフィ
・マスクは、基板と、基板の上に配置された遮光材料層
と、遮光材料のパターニングおよびエッチングによって
形成された複数の集積回路パターンを有する基板の中央
領域と、静電気放電を実質的に低減させる遮光材料の不
連続部を表す、それぞれの複数の集積回路パターンを取
り囲むガード・バンドを含む。
ラフィ・マスクを対象とする。このフォトリソグラフィ
・マスクは、基板と、基板の上に配置された遮光材料層
と、遮光材料のパターニングおよびエッチングによって
形成された複数の集積回路パターンを有する基板の中央
領域と、静電気放電を実質的に低減させる遮光材料の不
連続部を表す、それぞれの複数の集積回路パターンを取
り囲むガード・バンドを含む。
【００１９】基板は、ソーダ石灰ガラス、石英、ガラ
ス、サファイアまたはフッ化カルシウムから成るグルー
プから選択された光透過性材料を含むことができる。遮
光材料は、クロム、酸化クロム、銅、金、鋼、エポキ
シ、ケイ化モリブデン、またはこれらの複数の層を含む
ことができる。ガード・バンドの幅が約１ｍｍ〜約５０
ｍｍであることが好ましい。
ス、サファイアまたはフッ化カルシウムから成るグルー
プから選択された光透過性材料を含むことができる。遮
光材料は、クロム、酸化クロム、銅、金、鋼、エポキ
シ、ケイ化モリブデン、またはこれらの複数の層を含む
ことができる。ガード・バンドの幅が約１ｍｍ〜約５０
ｍｍであることが好ましい。
【００２０】第４の態様において本発明は、フォトリソ
グラフィ用レチクルを製作する方法を対象とする。この
方法は、光透過性基板を用意する段階と、その上に遮光
材料を付着させる段階と、遮光材料を集積回路に対応す
る所望のパターンにパターニングし、エッチングする段
階と、遮光材料中に所望のパターンを取り囲み、前記基
板の外縁には達しない不連続部を形成する段階を含む。
グラフィ用レチクルを製作する方法を対象とする。この
方法は、光透過性基板を用意する段階と、その上に遮光
材料を付着させる段階と、遮光材料を集積回路に対応す
る所望のパターンにパターニングし、エッチングする段
階と、遮光材料中に所望のパターンを取り囲み、前記基
板の外縁には達しない不連続部を形成する段階を含む。
【００２１】光透過性基板を用意する段階は、ソーダ石
灰ガラス、石英、ガラス、サファイアまたはフッ化カル
シウムを含む光透過性基板を用意する段階を含むことが
できる。遮光材料を付着させる段階は、クロム、酸化ク
ロム、銅、金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、また
はこれらの複数の層を含む遮光材料を付着させる段階を
含むことができる。遮光材料中に不連続部を形成する段
階が、所望のパターンを取り囲む幅約１ｍｍ〜約５０ｍ
ｍの不連続部を遮光材料中に形成する段階を含むことが
好ましい。遮光材料中に不連続部を形成する段階と、遮
光材料を集積回路に対応する所望のパターンにパターニ
ングしエッチングする段階を同時に実行すると有利であ
る。
灰ガラス、石英、ガラス、サファイアまたはフッ化カル
シウムを含む光透過性基板を用意する段階を含むことが
できる。遮光材料を付着させる段階は、クロム、酸化ク
ロム、銅、金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、また
はこれらの複数の層を含む遮光材料を付着させる段階を
含むことができる。遮光材料中に不連続部を形成する段
階が、所望のパターンを取り囲む幅約１ｍｍ〜約５０ｍ
ｍの不連続部を遮光材料中に形成する段階を含むことが
好ましい。遮光材料中に不連続部を形成する段階と、遮
光材料を集積回路に対応する所望のパターンにパターニ
ングしエッチングする段階を同時に実行すると有利であ
る。
【００２２】第５の態様において本発明は、フォトリソ
グラフィ・レチクル上の静電気放電を低減させる方法を
対象とする。この方法は、集積回路パターンにエッチン
グされた遮光材料層をその上に有する光透過性基板を用
意する段階と、遮光材料中に集積回路パターンを取り囲
み、基板の外縁に達する前に終端する環状不連続部を形
成する段階を含む。
グラフィ・レチクル上の静電気放電を低減させる方法を
対象とする。この方法は、集積回路パターンにエッチン
グされた遮光材料層をその上に有する光透過性基板を用
意する段階と、遮光材料中に集積回路パターンを取り囲
み、基板の外縁に達する前に終端する環状不連続部を形
成する段階を含む。
【００２３】集積回路パターンを取り囲む環状不連続部
を形成する段階は、集積回路パターンを取り囲む幅約１
ｍｍ〜約５０ｍｍ、好ましくは少なくとも幅約２０ｍｍ
の環状不連続部を前記遮光材料中に形成する段階を含む
ことができる。
を形成する段階は、集積回路パターンを取り囲む幅約１
ｍｍ〜約５０ｍｍ、好ましくは少なくとも幅約２０ｍｍ
の環状不連続部を前記遮光材料中に形成する段階を含む
ことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態の説明
では図面の図１〜５を参照する。これらの図の同じ符号
は本発明の同じ特徴を指す。図面中の本発明の特徴は必
ずしも一定の尺度で描かれてはいない。
では図面の図１〜５を参照する。これらの図の同じ符号
は本発明の同じ特徴を指す。図面中の本発明の特徴は必
ずしも一定の尺度で描かれてはいない。
【００２５】本発明は、フォトリソグラフィで使用され
るレチクルおよび／またはフォトマスクのＥＳＤを低減
させる単純な方法を開示する。分かりやすくするため、
用語レチクルと用語フォトマスクを交換可能に使用す
る。ガード・バンド、または基板の上に配置された遮光
材料中にエッチングされた集積回路パターンを取り囲む
不連続部が、ＥＳＤ低減手段を提供する。ガード・バン
ドは、電荷が移動する経路を単に分断することによって
ＥＳＤを低減させ、重要なパターン領域を電荷の移動か
ら分離する。ガード・バンドのエッチングは、製造プロ
トコルの集積回路パターンのエッチング中に容易に組み
込むことができる。
るレチクルおよび／またはフォトマスクのＥＳＤを低減
させる単純な方法を開示する。分かりやすくするため、
用語レチクルと用語フォトマスクを交換可能に使用す
る。ガード・バンド、または基板の上に配置された遮光
材料中にエッチングされた集積回路パターンを取り囲む
不連続部が、ＥＳＤ低減手段を提供する。ガード・バン
ドは、電荷が移動する経路を単に分断することによって
ＥＳＤを低減させ、重要なパターン領域を電荷の移動か
ら分離する。ガード・バンドのエッチングは、製造プロ
トコルの集積回路パターンのエッチング中に容易に組み
込むことができる。
【００２６】図１には、クロムなどの遮光材料１３およ
びフォトレジスト層１５がその上に配置された基板１０
が示されている。基板１０は、最小の反射率および損失
で光が基板を直接に通過することができる任意の光透過
性材料、具体的には、半導体製造のフォトリソグラフィ
で使用されるレチクルを形成するのに有用な材料から構
成することができる。このような光透過性材料の例に
は、ドープおよび無ドープの石英、ガラス、ソーダ石灰
ガラス、サファイア、フッ化カルシウムが含まれる。遮
光材料１３は、当技術分野で周知の手段によって基板１
０上に付着され、クロム、酸化クロム、銅、鋼、エポキ
シ、ケイ化モリブデンなどの材料、またはこれらの材料
の複数の層を含むことができる。フォトレジスト１５
は、周知の手段によって遮光材料１３の上に形成され、
集積回路パターンに対して相補形にパターニングされ
る。フォトレジスト１５は、矢印で表す線源の露光によ
ってパターニングすることができる。
びフォトレジスト層１５がその上に配置された基板１０
が示されている。基板１０は、最小の反射率および損失
で光が基板を直接に通過することができる任意の光透過
性材料、具体的には、半導体製造のフォトリソグラフィ
で使用されるレチクルを形成するのに有用な材料から構
成することができる。このような光透過性材料の例に
は、ドープおよび無ドープの石英、ガラス、ソーダ石灰
ガラス、サファイア、フッ化カルシウムが含まれる。遮
光材料１３は、当技術分野で周知の手段によって基板１
０上に付着され、クロム、酸化クロム、銅、鋼、エポキ
シ、ケイ化モリブデンなどの材料、またはこれらの材料
の複数の層を含むことができる。フォトレジスト１５
は、周知の手段によって遮光材料１３の上に形成され、
集積回路パターンに対して相補形にパターニングされ
る。フォトレジスト１５は、矢印で表す線源の露光によ
ってパターニングすることができる。
【００２７】図２に示すようにフォトレジスト１５は現
像され、遮光材料１３の表面をパターン２０の形状に露
出させる。フォトレジスト１５のパターニングの間に、
集積回路パターンを取り囲むガード・バンド２３の輪郭
も描かれる。これによって、このＥＳＤ低減段階を容易
に組み込むことができ、マスク・ライティング・ツール
のジョブ・デックに書き込まれる。遮光材料１３のフォ
トレジスト１５によっておおわれていない領域を周知の
手段によって基板の表面までエッチングする。これに
は、ガード・バンド２３のエッチングが含まれる。
像され、遮光材料１３の表面をパターン２０の形状に露
出させる。フォトレジスト１５のパターニングの間に、
集積回路パターンを取り囲むガード・バンド２３の輪郭
も描かれる。これによって、このＥＳＤ低減段階を容易
に組み込むことができ、マスク・ライティング・ツール
のジョブ・デックに書き込まれる。遮光材料１３のフォ
トレジスト１５によっておおわれていない領域を周知の
手段によって基板の表面までエッチングする。これに
は、ガード・バンド２３のエッチングが含まれる。
【００２８】したがって図４では、ガード・バンドおよ
び集積回路パターンのエッチングが完了した後にレジス
トが除去され、その結果、集積回路パターンを物理的に
分離することによってＥＳＤの大幅な低減を助ける図５
に示すようなガード・バンド２３を有するパターニング
されたレチクルが形成される。
び集積回路パターンのエッチングが完了した後にレジス
トが除去され、その結果、集積回路パターンを物理的に
分離することによってＥＳＤの大幅な低減を助ける図５
に示すようなガード・バンド２３を有するパターニング
されたレチクルが形成される。
【００２９】図５は、前述の好ましい方法を使用して製
造したレチクル１００の上面図である。クロムまたはそ
の他の導電性フィルムなどの遮光材料１３がパターニン
グされ、エッチングされて、基板１０の中央領域に集積
回路パターン２０が形成されている。外側の環状領域２
５は、パターニングされていないある量の遮光材料１３
を維持している。基板１０の中央領域の集積回路パター
ン２０の縁に接した内側の環状領域２７は、希望に応じ
てペリクル３０に必要な空間を提供することができる。
ガード・バンド２３は、内側環状領域２７と外側環状領
域２５の間の遮光材料１３の不連続部である。ガード・
バンド２３の幅が約１ｍｍ〜約５０ｍｍであることが好
ましい。重要な回路設計イメージを電荷の移動から十分
に分離するため、内側環状領域と外側環状領域の間で少
なくとも２０ｍｍのしきい値が維持されるとより好まし
い。ガード・バンド２３が設計領域、集積回路パターン
２０にできるだけ近いことが好ましい。
造したレチクル１００の上面図である。クロムまたはそ
の他の導電性フィルムなどの遮光材料１３がパターニン
グされ、エッチングされて、基板１０の中央領域に集積
回路パターン２０が形成されている。外側の環状領域２
５は、パターニングされていないある量の遮光材料１３
を維持している。基板１０の中央領域の集積回路パター
ン２０の縁に接した内側の環状領域２７は、希望に応じ
てペリクル３０に必要な空間を提供することができる。
ガード・バンド２３は、内側環状領域２７と外側環状領
域２５の間の遮光材料１３の不連続部である。ガード・
バンド２３の幅が約１ｍｍ〜約５０ｍｍであることが好
ましい。重要な回路設計イメージを電荷の移動から十分
に分離するため、内側環状領域と外側環状領域の間で少
なくとも２０ｍｍのしきい値が維持されるとより好まし
い。ガード・バンド２３が設計領域、集積回路パターン
２０にできるだけ近いことが好ましい。
【００３０】本発明は、先に挙げた目的を達成する。レ
チクルまたはフォトマスクの単純かつ新規な特徴は、パ
ターニングされた重要な回路イメージをうまく分離して
静電気放電を防止する。重要なパターン領域を取り囲む
レチクルの遮光層の不連続部を表すガード・バンドを組
み込むことによって、電荷が移動が低減され、有害な静
電気放電の影響が防止される。本発明のレチクルまたは
フォトマスクを製作する方法は、集積回路パターンのエ
ッチング中にガード・バンドのエッチングを組み込むこ
とを含み、これによって製造時間およびコストを節約す
る。
チクルまたはフォトマスクの単純かつ新規な特徴は、パ
ターニングされた重要な回路イメージをうまく分離して
静電気放電を防止する。重要なパターン領域を取り囲む
レチクルの遮光層の不連続部を表すガード・バンドを組
み込むことによって、電荷が移動が低減され、有害な静
電気放電の影響が防止される。本発明のレチクルまたは
フォトマスクを製作する方法は、集積回路パターンのエ
ッチング中にガード・バンドのエッチングを組み込むこ
とを含み、これによって製造時間およびコストを節約す
る。
【００３１】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００３２】（１）光透過性基板と、集積回路のイメー
ジが提供されるようにパターニングおよびエッチングさ
れた、前記基板をおおう遮光材料層と、前記イメージを
取り囲む前期遮光材料層の不連続部を含むフォトリソグ
ラフィ・マスク。 （２）前記基板が、石英、ソーダ石灰ガラス、ガラス、
サファイアまたはフッ化カルシウムを含む、上記（１）
に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （３）前記遮光材料層が、クロム、酸化クロム、銅、
金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、またはこれらの
複数の層を含む、上記（１）に記載のフォトリソグラフ
ィ・マスク。 （４）前記遮光材料の前記不連続部が、前記遮光材料の
前記イメージを取り囲む部分を、前記基板が露出するよ
うにエッチングすることによって形成される、上記
（１）に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （５）前記不連続部が、前記イメージの前記遮光材料と
前記基板の外縁上の前記遮光材料の間で静電荷が分断さ
れるように前記イメージを取り囲むガード・バンドを含
む、上記（１）に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （６）前記ガード・バンドが前記基板材料を含む、上記
（５）に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （７）前記ガード・バンドの幅が約１〜５０ｍｍであ
る、上記（５）に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （８）イメージの外縁に沿って装着されたペリクルをさ
らに含む、上記（１）に記載のフォトリソグラフィ・マ
スク。 （９）前記ガード・バンドの内部に装着されたペリクル
をさらに含む、上記（１）に記載のフォトリソグラフィ
・マスク。 （１０）集積回路に対応するリソグラフィック・イメー
ジを露光ツールを使用してフォトリソグラフィ・マスク
から半導体基板上に光学的に転写するためのフォトリソ
グラフィ・マスクであって、上面および外縁を有する絶
縁基板と、前記集積回路に対応するリソグラフィック・
パターンを含む、前記基板の前記上面の中央領域と、導
電性フィルムを含む、前記基板の前記上面の内側環状リ
ング領域であって、前記マスクにペリクルを装着するよ
うに適合された領域と、導電性フィルムを含む、前記基
板の前記上面の外側環状リング領域であって、前記内側
環状リング領域から間隔を置いて配置され、前記基板の
前記外縁まで外側に延びる領域を含むフォトリソグラフ
ィ・マスク。 （１１）前記内側環状リング領域上に装着されたペリク
ルをさらに含む、上記（１０）に記載のフォトリソグラ
フィ・マスク。 （１２）前記外側環状リング領域上に装着されたペリク
ルをさらに含む、上記（１０）に記載のフォトリソグラ
フィ・マスク。 （１３）前記基板の前記内側環状リング領域と前記外側
環状リング領域の間の部分が、前記中央領域と前記リン
グ領域の間の静電気放電を実質的に低減させる前記導電
性フィルムの不連続部である、上記（１０）に記載のフ
ォトリソグラフィ・マスク。 （１４）前記内側環状リング領域と前記外側環状リング
領域の間の距離が約１ｍｍ〜約５０ｍｍである、上記
（１０）に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （１５）基板と、前記基板の上に配置された遮光材料層
と、前記遮光材料層のパターニングおよびエッチングに
よって形成された複数の集積回路パターンを有する前記
基板の中央領域と、静電気放電を実質的に低減させる前
記遮光材料層の不連続部を表す、それぞれの前記複数の
集積回路パターンを取り囲むガード・バンドを含むフォ
トリソグラフィ・マスク。 （１６）前記基板が、ソーダ石灰ガラス、石英、ガラ
ス、サファイアまたはフッ化カルシウムから成るグルー
プから選択された光透過性材料である、上記（１５）に
記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （１７）前記遮光材料層が、クロム、酸化クロム、銅、
金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、またはこれらの
複数の層を含む、上記（１５）に記載のフォトリソグラ
フィ・マスク。 （１８）前記ガード・バンドの幅が約１ｍｍ〜約５０ｍ
ｍである、上記（１５）に記載のフォトリソグラフィ・
マスク。 （１９）フォトリソグラフィ用レチクルを製作する方法
であって、光透過性基板を用意する段階と、その上に遮
光材料を付着させる段階と、前記遮光材料を集積回路に
対応する所望のパターンにパターニングし、エッチング
する段階と、前記遮光材料中に前記所望のパターンを取
り囲み、前記基板の外縁には達しない不連続部を形成す
る段階を含む方法。 （２０）光透過性基板を用意する前記段階が、ソーダ石
灰ガラス、石英、ガラス、サファイアまたはフッ化カル
シウムを含む光透過性基板を用意する段階を含む、上記
（１９）に記載の方法。 （２１）遮光材料を付着させる前記段階が、クロム、酸
化クロム、銅、金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、
またはこれらの複数の層を含む遮光材料を付着させる段
階を含む、上記（１９）に記載の方法。 （２２）前記遮光材料中に不連続部を形成する前記段階
が、前記所望のパターンを取り囲む幅約１ｍｍ〜約５０
ｍｍの不連続部を前記遮光材料中に形成する段階を含
む、上記（１９）に記載の方法。 （２３）前記遮光材料中に不連続部を形成する前記段階
と、前記遮光材料を集積回路に対応する所望のパターン
にパターニングしエッチングする前記段階が同時に実行
される、上記（１９）に記載の方法。 （２４）フォトリソグラフィ・レチクル上の静電気放電
を低減させる方法であって、集積回路パターンにエッチ
ングされた遮光材料層をその上に有する光透過性基板を
用意する段階と、前記遮光材料中に前記集積回路パター
ンを取り囲み、前記基板の外縁に達する前に終端する環
状不連続部を形成する段階を含む方法。 （２５）前記集積回路パターンを取り囲む環状不連続部
を形成する前記段階が、前記集積回路パターンを取り囲
む幅約１ｍｍ〜約５０ｍｍの環状不連続部を前記遮光材
料中に形成する段階を含む、上記（２４）に記載の方
法。 （２６）前記集積回路パターンを取り囲む環状不連続部
を形成する前記段階が、前記集積回路パターンを取り囲
む少なくとも幅約２０ｍｍの環状不連続部を前記遮光材
料中に形成する段階を含む、上記（２４）に記載の方
法。
ジが提供されるようにパターニングおよびエッチングさ
れた、前記基板をおおう遮光材料層と、前記イメージを
取り囲む前期遮光材料層の不連続部を含むフォトリソグ
ラフィ・マスク。 （２）前記基板が、石英、ソーダ石灰ガラス、ガラス、
サファイアまたはフッ化カルシウムを含む、上記（１）
に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （３）前記遮光材料層が、クロム、酸化クロム、銅、
金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、またはこれらの
複数の層を含む、上記（１）に記載のフォトリソグラフ
ィ・マスク。 （４）前記遮光材料の前記不連続部が、前記遮光材料の
前記イメージを取り囲む部分を、前記基板が露出するよ
うにエッチングすることによって形成される、上記
（１）に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （５）前記不連続部が、前記イメージの前記遮光材料と
前記基板の外縁上の前記遮光材料の間で静電荷が分断さ
れるように前記イメージを取り囲むガード・バンドを含
む、上記（１）に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （６）前記ガード・バンドが前記基板材料を含む、上記
（５）に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （７）前記ガード・バンドの幅が約１〜５０ｍｍであ
る、上記（５）に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （８）イメージの外縁に沿って装着されたペリクルをさ
らに含む、上記（１）に記載のフォトリソグラフィ・マ
スク。 （９）前記ガード・バンドの内部に装着されたペリクル
をさらに含む、上記（１）に記載のフォトリソグラフィ
・マスク。 （１０）集積回路に対応するリソグラフィック・イメー
ジを露光ツールを使用してフォトリソグラフィ・マスク
から半導体基板上に光学的に転写するためのフォトリソ
グラフィ・マスクであって、上面および外縁を有する絶
縁基板と、前記集積回路に対応するリソグラフィック・
パターンを含む、前記基板の前記上面の中央領域と、導
電性フィルムを含む、前記基板の前記上面の内側環状リ
ング領域であって、前記マスクにペリクルを装着するよ
うに適合された領域と、導電性フィルムを含む、前記基
板の前記上面の外側環状リング領域であって、前記内側
環状リング領域から間隔を置いて配置され、前記基板の
前記外縁まで外側に延びる領域を含むフォトリソグラフ
ィ・マスク。 （１１）前記内側環状リング領域上に装着されたペリク
ルをさらに含む、上記（１０）に記載のフォトリソグラ
フィ・マスク。 （１２）前記外側環状リング領域上に装着されたペリク
ルをさらに含む、上記（１０）に記載のフォトリソグラ
フィ・マスク。 （１３）前記基板の前記内側環状リング領域と前記外側
環状リング領域の間の部分が、前記中央領域と前記リン
グ領域の間の静電気放電を実質的に低減させる前記導電
性フィルムの不連続部である、上記（１０）に記載のフ
ォトリソグラフィ・マスク。 （１４）前記内側環状リング領域と前記外側環状リング
領域の間の距離が約１ｍｍ〜約５０ｍｍである、上記
（１０）に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （１５）基板と、前記基板の上に配置された遮光材料層
と、前記遮光材料層のパターニングおよびエッチングに
よって形成された複数の集積回路パターンを有する前記
基板の中央領域と、静電気放電を実質的に低減させる前
記遮光材料層の不連続部を表す、それぞれの前記複数の
集積回路パターンを取り囲むガード・バンドを含むフォ
トリソグラフィ・マスク。 （１６）前記基板が、ソーダ石灰ガラス、石英、ガラ
ス、サファイアまたはフッ化カルシウムから成るグルー
プから選択された光透過性材料である、上記（１５）に
記載のフォトリソグラフィ・マスク。 （１７）前記遮光材料層が、クロム、酸化クロム、銅、
金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、またはこれらの
複数の層を含む、上記（１５）に記載のフォトリソグラ
フィ・マスク。 （１８）前記ガード・バンドの幅が約１ｍｍ〜約５０ｍ
ｍである、上記（１５）に記載のフォトリソグラフィ・
マスク。 （１９）フォトリソグラフィ用レチクルを製作する方法
であって、光透過性基板を用意する段階と、その上に遮
光材料を付着させる段階と、前記遮光材料を集積回路に
対応する所望のパターンにパターニングし、エッチング
する段階と、前記遮光材料中に前記所望のパターンを取
り囲み、前記基板の外縁には達しない不連続部を形成す
る段階を含む方法。 （２０）光透過性基板を用意する前記段階が、ソーダ石
灰ガラス、石英、ガラス、サファイアまたはフッ化カル
シウムを含む光透過性基板を用意する段階を含む、上記
（１９）に記載の方法。 （２１）遮光材料を付着させる前記段階が、クロム、酸
化クロム、銅、金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、
またはこれらの複数の層を含む遮光材料を付着させる段
階を含む、上記（１９）に記載の方法。 （２２）前記遮光材料中に不連続部を形成する前記段階
が、前記所望のパターンを取り囲む幅約１ｍｍ〜約５０
ｍｍの不連続部を前記遮光材料中に形成する段階を含
む、上記（１９）に記載の方法。 （２３）前記遮光材料中に不連続部を形成する前記段階
と、前記遮光材料を集積回路に対応する所望のパターン
にパターニングしエッチングする前記段階が同時に実行
される、上記（１９）に記載の方法。 （２４）フォトリソグラフィ・レチクル上の静電気放電
を低減させる方法であって、集積回路パターンにエッチ
ングされた遮光材料層をその上に有する光透過性基板を
用意する段階と、前記遮光材料中に前記集積回路パター
ンを取り囲み、前記基板の外縁に達する前に終端する環
状不連続部を形成する段階を含む方法。 （２５）前記集積回路パターンを取り囲む環状不連続部
を形成する前記段階が、前記集積回路パターンを取り囲
む幅約１ｍｍ〜約５０ｍｍの環状不連続部を前記遮光材
料中に形成する段階を含む、上記（２４）に記載の方
法。 （２６）前記集積回路パターンを取り囲む環状不連続部
を形成する前記段階が、前記集積回路パターンを取り囲
む少なくとも幅約２０ｍｍの環状不連続部を前記遮光材
料中に形成する段階を含む、上記（２４）に記載の方
法。
【図１】基板の上に遮光層およびレジスト層が形成され
た、本発明の一方法段階の断面図である。
た、本発明の一方法段階の断面図である。
【図２】本発明のレチクルを形成するためにレジストが
集積回路パターンにパターニングされ現像された図１の
基板の断面図である。
集積回路パターンにパターニングされ現像された図１の
基板の断面図である。
【図３】レジスト層を除去する前の本発明のレチクルの
断面図である。
断面図である。
【図４】ガード・バンドを有する本発明のレチクルの断
面図である。
面図である。
【図５】本発明のレチクルの上面図である。
１０ 基板 １３ 遮光材料 １５ フォトレジスト層 ２０ 集積回路パターン ２３ ガード・バンド ２５ 外側環状領域 ２７ 内側環状領域 ３０ ペリクル １００ レクチル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 1/14 Ｇ０３Ｆ 1/14 Ｊ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｐ (72)発明者 デヴィッド・エス・オグレーディ アメリカ合衆国05465 ヴァーモント州ジ ェリコー クリスト・レーン 52 (72)発明者 ジャセク・ジー・スモリンスキー アメリカ合衆国05465 ヴァーモント州ジ ェリコー ターボックス・ロード 120
Claims (21)
- 【請求項１】光透過性基板と、 集積回路のイメージが提供されるようにパターニングお
よびエッチングされた、前記基板をおおう遮光材料層
と、 前記イメージを取り囲む前期遮光材料層の不連続部を含
むフォトリソグラフィ・マスク。 - 【請求項２】前記基板が、石英、ソーダ石灰ガラス、ガ
ラス、サファイアまたはフッ化カルシウムを含む、請求
項１に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 - 【請求項３】前記遮光材料層が、クロム、酸化クロム、
銅、金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、またはこれ
らの複数の層を含む、請求項１に記載のフォトリソグラ
フィ・マスク。 - 【請求項４】前記遮光材料の前記不連続部が、前記遮光
材料の前記イメージを取り囲む部分を、前記基板が露出
するようにエッチングすることによって形成される、請
求項１に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 - 【請求項５】前記不連続部が、前記イメージの前記遮光
材料と前記基板の外縁上の前記遮光材料の間で静電荷が
分断されるように前記イメージを取り囲むガード・バン
ドを含む、請求項１に記載のフォトリソグラフィ・マス
ク。 - 【請求項６】前記ガード・バンドが前記基板材料を含
む、請求項５に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 - 【請求項７】前記ガード・バンドの幅が約１〜５０ｍｍ
である、請求項５に記載のフォトリソグラフィ・マス
ク。 - 【請求項８】集積回路に対応するリソグラフィック・イ
メージを露光ツールを使用してフォトリソグラフィ・マ
スクから半導体基板上に光学的に転写するためのフォト
リソグラフィ・マスクであって、 上面および外縁を有する絶縁基板と、 前記集積回路に対応するリソグラフィック・パターンを
含む、前記基板の前記上面の中央領域と、 導電性フィルムを含む、前記基板の前記上面の内側環状
リング領域であって、前記マスクにペリクルを装着する
ように適合された領域と、 導電性フィルムを含む、前記基板の前記上面の外側環状
リング領域であって、前記内側環状リング領域から間隔
を置いて配置され、前記基板の前記外縁まで外側に延び
る領域を含むフォトリソグラフィ・マスク。 - 【請求項９】前記内側環状リング領域上に装着されたペ
リクルをさらに含む、請求項８に記載のフォトリソグラ
フィ・マスク。 - 【請求項１０】前記外側環状リング領域上に装着された
ペリクルをさらに含む、請求項８に記載のフォトリソグ
ラフィ・マスク。 - 【請求項１１】前記導電性フィルムの不連続部である、
請求項８に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 - 【請求項１２】前記内側環状リング領域と前記外側環状
リング領域の間の距離が約１ｍｍ〜約５０ｍｍである、
請求項８に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 - 【請求項１３】基板と、 前記基板の上に配置された遮光材料層と、 前記遮光材料層のパターニングおよびエッチングによっ
て形成された複数の集積回路パターンを有する前記基板
の中央領域と、 それぞれの前記複数の集積回路パターンを取り囲むガー
ド・バンドを含むフォトリソグラフィ・マスク。 - 【請求項１４】前記基板が、ソーダ石灰ガラス、石英、
ガラス、サファイアまたはフッ化カルシウムから成るグ
ループから選択された光透過性材料である、請求項１３
に記載のフォトリソグラフィ・マスク。 - 【請求項１５】前記遮光材料層が、クロム、酸化クロ
ム、銅、金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブデン、または
これらの複数の層を含む、請求項１３に記載のフォトリ
ソグラフィ・マスク。 - 【請求項１６】前記ガード・バンドの幅が約１ｍｍ〜約
５０ｍｍである、請求項１３に記載のフォトリソグラフ
ィ・マスク。 - 【請求項１７】フォトリソグラフィ用レチクルを製作す
る方法であって、 光透過性基板を用意する段階と、 その上に遮光材料を付着させる段階と、 前記遮光材料を集積回路に対応する所望のパターンにパ
ターニングし、エッチングする段階と、 前記遮光材料中に前記所望のパターンを取り囲み、前記
基板の外縁には達しない不連続部を形成する段階を含む
方法。 - 【請求項１８】光透過性基板を用意する前記段階が、ソ
ーダ石灰ガラス、石英、ガラス、サファイアまたはフッ
化カルシウムを含む光透過性基板を用意する段階を含
む、請求項１７に記載の方法。 - 【請求項１９】遮光材料を付着させる前記段階が、クロ
ム、酸化クロム、銅、金、鋼、エポキシ、ケイ化モリブ
デン、またはこれらの複数の層を含む遮光材料を付着さ
せる段階を含む、請求項１７に記載の方法。 - 【請求項２０】前記遮光材料中に不連続部を形成する前
記段階が、前記所望のパターンを取り囲む幅約１ｍｍ〜
約５０ｍｍの不連続部を前記遮光材料中に形成する段階
を含む、請求項１７に記載の方法。 - 【請求項２１】前記遮光材料中に不連続部を形成する前
記段階と、前記遮光材料を集積回路に対応する所望のパ
ターンにパターニングしエッチングする前記段階が同時
に実行される、請求項１７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US52367900A | 2000-03-10 | 2000-03-10 | |
| US09/523679 | 2000-03-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001272768A true JP2001272768A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=24085981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001065515A Pending JP2001272768A (ja) | 2000-03-10 | 2001-03-08 | フォトリソグラフィ・マスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001272768A (ja) |
| KR (1) | KR20010088340A (ja) |
| CN (1) | CN1319783A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009086385A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Hoya Corp | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
| KR20160025302A (ko) * | 2014-08-27 | 2016-03-08 | (주)마이크로이미지 | 정전기 배출 구조를 가지는 크롬 마스크 |
| US11086210B2 (en) | 2019-01-14 | 2021-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask, method of fabricating the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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