KR100619398B1 - 반사방지막을 구비한 레티클 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반사방지막을 구비한 레티클 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 레티클의 크롬면에 반사방지막을 코팅함으로써 렌즈의 구조에 의해 혹은 웨이퍼에 의해 반사된 빛이 다시 레티클의 크롬면에서 반사되어 웨이퍼에 노광되는 것을 방지하는 방법에 관한 것이다.

본 발명의 반사방지막을 구비한 레티클 제조방법은 석영기판에 크롬막과 반사방지막을 순차적으로 코팅하는 단계; 상기 크롬막과 반사방지막 상에 소정의 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 패턴을 보호하는 페리클을 장착하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.

따라서, 본 발명의 반사방지막을 구비한 레티클 제조방법은 레티클의 크롬면에 반사방지막을 코팅함으로써 렌즈의 구조에 의해 혹은 웨이퍼에 의해 반사된 빛이 다시 레티클의 크롬면에서 반사되어 웨이퍼에 노광되는 것을 방지하는 효과가 있다.

레티클, 반사방지막

Description

반사방지막을 구비한 레티클 제조방법 {Method of fabricating reticle with antireflective coating}

도 1 내지 도 4는 본 발명에 의한 레티클에 반사방지막을 형성하는 방법의 공정 단면도.

도 5는 본 발명에 의한 레티클에서의 빛의 진행을 나타내는 단면도.

본 발명은 반사방지막(antireflective coating; ARC)을 구비한 레티클(reticle) 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 레티클의 크롬(chrome)면에 반사방지막을 코팅(coating)함으로써 렌즈의 구조에 의해 혹은 웨이퍼에 의해 반사된 빛이 다시 레티클의 크롬면에서 반사되어 웨이퍼에 노광되는 것을 방지하는 방법에 관한 것이다.

1960년대에는 레티클 상의 패턴 또는 이미지를 웨이퍼에 노광하는 장치로서 근접방법이라고 하여 레티클과 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼와의 거리를 접촉 또 는 수십 마이크론 이내로 근접시켜 1:1 배율로 노광하는 방법이 사용되었다. 그러나 이 방법은 레티클을 매번 세정해야 하는 번거로움이 있고 해상도나 중첩(overlay)의 어려움으로 곧 한계에 부딪히게 되었다. 반도체 소자가 고집적화되고 디자인 룰(design rule)이 감소됨에 따라, 0.13㎛ 이하의 초미세 선폭을 구현하기 위한 여러가지 방법들이 연구, 개발되어지고 있다. 특히, 노광장치에서 사용되는 레티클은 상기한 초미세 패턴을 구현하기 위한 중요한 요소들 중의 하나인데, 상기 초미세 패턴을 형성하기 위해서는 레티클에 구비되는 크롬 패턴도 초미세 패턴의 선폭을 갖도록 형성해야만 한다. 따라서 현재에는 축소 투영광학 렌즈를 이용하는 광학 노광기술로 발전하게 되었다.

현재 주로 사용되고 있는 웨이퍼 노광장치의 축소투영광학 렌즈로는 1/4 또는 1/5 배의 렌즈가 사용된다.이러한 축소투영광학 렌즈를 사용할 경우 레티클 상에 구현된 패턴보다 더 미세한 패턴을 구현할 수 있다. 하지만 노광장치에서 레티클을 축소투영광학 렌즈로 축소할 경우 렌즈 자체의 구조 혹은 웨이퍼에서 반사된 빛의 이미지가 다시 레티클의 크롬면에서 반사되어 웨이퍼 상에 원하지 않는 고스트 이미지(ghost image)를 만들게 된다. 상기 고스트 이미지가 웨이퍼 상에 현상되면 기존의 패턴에 심각한 영향을 주어 그 칩은 사용을 할 수 없게 되는 문제점이 발생한다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으 로, 레티클의 크롬면에 반사방지막을 코팅함으로써 렌즈의 구조에 의해 혹은 웨이퍼에 의해 반사된 빛이 다시 레티클의 크롬면에서 반사되어 웨이퍼에 노광되는 것을 방지하는 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.

본 발명의 상기 목적은 석영기판에 크롬막과 반사방지막을 순차적으로 코팅하는 단계; 상기 크롬막과 반사방지막 상에 소정의 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 패턴을 보호하는 페리클을 장착하는 단계로 이루어진 반사방지막을 구비한 레티클 제조방법에 의해 달성된다.

일반적으로 레티클은 석영(quartz) 기판과 패턴을 형성하는 크롬 그리고 파티클(particle)로부터 크롬면을 보호하는 페리클(pellicle)로 구성되어 있다.

본 발명은 축소투영광학렌즈를 사용하는 장치에서 꼭 필요한 레티클을 사용함에 있어서 발생할 수 있는 고스트 이미지를 제거하기 위해 고안된 방법이다. 보다 자세하게는, 크롬면 위에 다시 반사방지막을 코팅함으로서 축소투영광학렌즈를 사용하는 장치에서 되튀는 빛을 제거할 수 있다는 데 그 특징이 있다.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.

도 1a 내지 도 1e는 레티클에 반사방지막을 형성하는 방법을 보여주는 단면도이다.

먼저, 도 1은 석영기판(10)에 크롬막(11)과 반사방지막(12)을 순차적으로 코팅하는 단계를 보여주는 단면도이다. 상기 반사방지막은 빛 또는 전자빔을 흡수할 수 있는 물질로서, 바람직하게는 실리콘 산질화막(SiNO), 티타늄 질화막(TiN), 실리콘 질화막(Si₃N₄) 또는 비정질 카본(amorphous carbon) 계열의 유기성 바닥 반사방지막(organic bottom ARC)을 사용할 수 있다.

다음, 도 2는 레티클 상에 소정의 패턴(13)을 형성하기 위한 패터닝 단계이다.

다음, 도 3은 상기 패터닝에 의한 사진식각공정(photolithography)이 완료되어 크롬 패턴 위에 반사방지막 패턴이 형성되는 단계이다.

다음, 도 4는 상기 패턴이 완료된 레티클이 파티클에 의해 오염 또는 손상을 방지하기 위해 페리클(14)을 장착하는 단계이다.

다음, 도 5는 페리클이 장착된 레티클을 뒤집어서 실제 노광공정에 이용하는 단계이다. 도시된 바와 같이 웨이퍼에서 반사된 빛 또는 전자빔이 상기 반사방지막에서 흡수되어 소멸되는 과정을 보여주고 있다. 즉, 기존의 레티클의 경우는 반사방지막이 없으므로 되튀어 돌아오는 빛이 들어올 경우 다시 반사되어 웨이퍼에 노광되지만 본 발명에 의한 레티클의 경우는 되튄 빛을 흡수하므로 고스트 이미지의 형성을 억제할 수 있다.

상세히 설명된 본 발명에 의하여 본 발명의 특징부를 포함하는 변화들 및 변형들이 당해 기술 분야에서 숙련된 보통의 사람들에게 명백히 쉬워질 것임이 자명 하다. 본 발명의 그러한 변형들의 범위는 본 발명의 특징부를 포함하는 당해 기술 분야에 숙련된 통상의 지식을 가진 자들의 범위 내에 있으며, 그러한 변형들은 본 발명의 청구항의 범위 내에 있는 것으로 간주된다.

따라서, 본 발명의 반사방지막을 구비한 레티클 제조방법은 레티클의 크롬면에 반사방지막을 코팅함으로써 렌즈의 구조에 의해 혹은 웨이퍼에 의해 반사된 빛이 다시 레티클의 크롬면에서 반사되어 웨이퍼에 노광되는 것을 방지하는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 석영기판에 단층 크롬막을 코팅하는 단계;

   빛과 전자빔을 흡수할 수 있는 물질로서 비정질 카본 계열의 유기성 바닥 반사방지막(organic bottom ARC)을 순차적으로 코팅하는 단계;

   상기 크롬막과 상기 유기성 바닥 반사방지막을 식각하여 기판상에 소정의 패턴을 형성하는 단계; 및

   상기 패턴을 보호하기 위해 상기 패턴을 덮는 페리클을 장착하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반사방지막을 구비한 레티클 제조방법.
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