KR20080001446A - 포토 마스크의 펠리클 구조 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토 마스크의 펠리클 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 펠리클은, 빛을 투과시키고, 요철 형태를 갖는 멤브레인 박막과, 멤브레인 박막 하부에 얇게 형성된 제 1 산화 방지 박막과, 멤브레인 박막 상부에 얇게 형성된 제 2 산화 방지 박막을 구비한다. 그러므로, 본 발명은, 펠리클의 멤브레인 박막을 종래 평탄한 구조보다는 요철 형태로 형성하기 때문에 프리 스탠딩 구조에 적합하게 내구성을 높일 수 있고, 멤브레인 박막 하부, 상부에 각각 산화 방지막을 형성함으로써, 멤브레인 박막이 자연 산화 등에 의해 변화되거나 외부 파티클에 의해 오염되는 것을 막아 빛의 투과성을 높게 유지할 수 있다.
펠리클, 파티클, 요철, 산화

Description

포토 마스크의 펠리클 구조 및 그 제조 방법{Structure and method for manufacturing pellicle of photo-mask}
도 1은 일반 포토 마스크의 펠리클 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 포토 마스크에 적용되는 펠리클 구조를 나타낸 수직 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 포토 마스크의 펠리클 제조 방법을 순차적으로 설명하기 위한 공정 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 102 : 레지스트 패턴
104 : 기판의 식각 부위 106 : 제 1 산화 방지 박막
108 : 멤브레인 박막 110 : 제 2 산화 방지 박막
본 발명은 포토 리소그래피(photo-lithography) 기술에 관한 것으로서, 특히 빛의 투과도를 유지하면서 파티클(particle)에 의한 포토 마스크의 오염을 방지할 수 있는 포토 마스크의 펠리클 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정 중 포토 리소그래피의 포토 마스크(photo mask)공정은, 웨이퍼상에 실제로 필요로 하는 회로를 구현하기 위하여 설계하고자 하는 회로 패턴이 그려진 레티클(reticle) 또는 마스크(mask)에 빛을 조사하여 웨이퍼상에 도포된 감광제(photo resist)를 감광시킴으로써 원하는 패턴을 웨이퍼 상에 형성할 수 있게 된다.
즉, 포토 마스크공정은 사진 기술과 화학적 부식법을 병용한 것으로, 웨이퍼상에 감광제를 도포한 후, 웨이퍼를 원하는 방향의 빛만 통과시키도록 패턴 정보가 담겨져 있는 레티클(reticle)을 투과한 빛에 노출시키면, 감광제는 레티클에 담겨진 패턴에 따라 원하는 영역에서만 감광되므로, 감광된 영역의 감광제를 제거함으로써, 웨이퍼 표면에 원하는 패턴이 형성될 수 있는 것이다.
상기와 같이 레티클은 웨이퍼에 패터닝(patterning)을 하는 중요한 요소로 수선 기술(repair technique)등의 기법을 사용하여 레티클을 결함없이 제조할 수 있다고 해도 조작과 대기 중 오염물질에 의한 레티클의 오염의 가능성을 완전히 배제할 수 없다.
그리하여, 노광 장비에서 레티클을 파티클 등의 오염원으로부터 보호하는 수단으로 제시된 것이 대기 중 파티클이 레티클에 떨어져 빛을 가리는 것을 방지하는 펠리클이며, 이 펠리클은 감광제의 결함을 줄이고 레티클의 수명을 늘리는데 쓰이는 장비이다.
도 1은 일반 포토 마스크의 펠리클 구조를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 레티클(10)은 그 상측으로 위치하는 광원(도면에 표현되지 않음)으로부터 노광되며, 그 하측으로는 레티클(10)상에 형성된 이미지 패턴(11)을 감광제(60)가 도포된 웨이퍼(70)에 축소 투영하는 투영 렌즈(50)가 설치된다.
펠리클은 빛을 투과시키는 얇은 멤브레인 박막(21)이 레티클(10)과 간격을 두고 배치되도록 프레임(frame)(22)을 매개로 레티클(10)의 크롬쪽 혹은 양쪽에 부착된다.
한편, 반도체 소자의 고집적화에 따라 포토 리소그래피의 노광 공정에 적용되는 노광 장비또한 KrF(248㎚), ArF(193㎚), F2(157㎚)로 구성된 레이저 노광 장비, G-line(436㎚), I-line(365㎚)로 구성된 램프계 노광 장비, 그리고 EUV 노광 장비 등을 사용하고 있다.
하지만, EUV 노광 장비에 사용하는 빛의 파장은 13.5㎚로 일반 노광 장비에 적용해왔던 유기질 펠리클에 적용할 수 없다. 게다가, I-line, KrF, ArF 등의 레이저 및 램프계 노광 장비에서 사용해온 유기질 펠리클또한 EUV 빛의 파장을 흡수하는 문제가 존재한다.
따라서, EUV 노광 공정시 EUV 파장의 빛 투과도를 높게 유지하면서, 동시에 파티클에 의한 오염을 방지할 수 있는 펠리클의 제작 기술이 절실히 요구되고 있는 실정이다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 요철 형태 구조를 갖도록 함으로써, EUV 등의 빛의 투과도를 높게 유지하면서 파티클에 의한 포토 마스크의 오염을 방지할 수 있는 포토 마스크의 펠리클 구조를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 내화성 물질로 광투과 멤브레인 박막을 감싸면 요철 형태 구조로 패터닝함으로써 EUV 등의 빛의 투과도를 높게 유지하면서 파티클에 의한 포토 마스크의 오염을 방지할 수 있는 포토 마스크의 펠리클 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 포토 마스크의 펠리클에 있어서, 빛을 투과시키고, 요철 형태를 갖는 멤브레인 박막과, 멤브레인 박막 하부에 얇게 형성된 제 1 산화 방지 박막과, 멤브레인 박막 상부에 얇게 형성된 제 2 산화 방지 박막을 구비한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 포토 마스크의 펠리클 제조 방법에 있어서, 요철 형태의 기판을 형성하는 단계와, 기판 하부에 얇게 제 1 산화 방지 박막을 형성하는 단계와, 기판 상부에 빛을 투과시키고, 요철 형태를 갖는 멤브레인 박막을 형성하는 단계와, 멤브레인 박막 상부에 얇게 제 2 산화 방지 박막을 형성하는 단계와, 기판을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명에 따른 포토 마스크에 적용되는 펠리클 구조를 나타낸 수직 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 펠리클은, 빛을 투과시키는 얇은 멤브레인 박막(108)이 요철(凹凸) 구조로 패터닝되어 있다. 여기서, 멤브레인 박막(108)은 빛의 투과성이 좋은 실리콘(Si)으로 이루어지며 그 두께는 25㎚∼50㎚ 정도의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
그리고, 펠리클의 멤브레인 박막(108) 상부 및 하부에는 각각 산화 방지를 위한 루테늄(Ru) 등의 산화 방지 박막(120, 106)이 형성되어 있다. 여기서, 산화 방지 박막(120, 106)은 각각 5㎚ 이내의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
그러므로, 본 발명에 따른 포토 마스크의 펠리클은, 종래 평탄한 구조보다는 요철 형태의 프리 스탠딩(free-standing) 구조를 갖기 때문에 내구성을 높일 수 있다.
게다가, 본 발명은, 펠리클의 멤브레인 박막(108)의 물질을 EUV 등의 빛의 투과성이 좋은 실리콘(Si) 물질로 형성하고, 멤브레인 박막(108) 상부, 하부에 각각 산화 방지막(120, 106)을 형성함으로써, 실리콘 물질이 자연 산화 등에 의해 변화되거나 외부 파티클에 의해 오염되는 것을 막아 빛의 투과성을 높게 유지할 수 있다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 포토 마스크의 펠리클 제조 방법을 순차적으로 설명하기 위한 공정 순서도이다.
이들 도면을 참조하면, 본 발명에 따른 포토 마스크의 펠리클 제조 공정은 다음과 같이 진행된다.
우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, 평탄화된 쿼츠 글래스(quzrtz glass) 등의 기판(100)을 준비한다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 사진 공정을 진행하여 기판(100)에 레지스트를 도포하고 요철 형태를 갖는 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 진행하여 레지스트를 패터닝하여 레지스트 패턴(102)을 형성한다. 예를 들어, 패턴 간격(pitch)은 300㎚∼400㎚로 형성하며 1:1 라인/스페이스(line/space)를 형성하도록 한다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 레지스트 패턴에 의해 드러난 기판(100)을 건식 식각 공정을 실시하여 소정 깊이(104), 예를 들어 100㎚∼200㎚ 정도 깊이로 식각하고, 에슁(ashing) 등의 공정을 진행하여 레지스트 패턴을 제거한다.
이로 인해, 쿼츠 글래스 기판(100)이 300㎚∼400㎚의 간격을 가지며 100㎚∼200㎚의 높이를 갖는 요철 형태의 굴곡을 갖게 된다. 이때, 요철 형태의 굴곡은 1:1 라인/스페이스(line/space) 형태로 형성된다.
계속해서 도 3d에 도시된 바와 같이, 요철 형태의 쿼츠 글래스 기판(100) 상부에 산화 방지를 위하여 루테늄(Ru) 등의 제 1 산화 방지 박막(106)을 형성한다. 여기서, 제 1 산화 방지 박막(106)은 5㎚ 이내의 두께를 갖는다.
이어서 도 3e에 도시된 바와 같이, 제 1 산화 방지 박막(106) 상부에 빛을 투과시키는 얇은 멤브레인 박막(108)을 형성한다. 여기서, 멤브레인 박막(108)은 빛의 투과성이 좋은 실리콘(Si)으로 형성하며, 그 두께는 25㎚∼50㎚ 정도로 형성 한다.
이에 따라, 실제 펠리클의 멤브레인 역할을 하는 실리콘 박막(108)은 하부의 쿼츠 글래스 기판(100)의 요철 형태에 의해 동일한 요철 형태의 굴곡을 갖게 된다.
도 3f에 도시된 바와 같이, 요철 형태의 멤브레인 박막(108) 상부에 산화 방지를 위하여 루테늄(Ru) 등의 제 2 산화 방지 박막(120)을 형성한다. 여기서, 제 2 산화 방지 박막(120)은 5㎚ 이내의 두께를 갖는다.
그리고나서, 습식 식각 등의 공정으로 제 1 산화 방지 박막(106) 하부의 요철 형태의 기판(100)을 제거하여 본 발명에 따른 펠리클을 제조한다.
이와 같이 제조된 본 발명에 따른 포토 마스크의 펠리클은, 도면에 도시되지 않았지만 멤브레인 박막(108)을 프레임을 매개로 레티클에 부착하여 지지함으로써 포토 리소그래피의 노광 공정에 사용된다.
그러므로, 본 발명에 따른 포토 마스크의 펠리클 제조 방법은, 멤브레인 박막(108)을 종래 평탄한 구조보다는 요철 형태로 형성하기 때문에 프리 스탠딩 구조에 적합하게 내구성을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 방법은, 펠리클의 멤브레인 박막(108)의 물질을 EUV 등의 빛의 투과성이 좋은 실리콘(Si) 물질로 형성하고, 멤브레인 박막(108) 하부, 상부에 각각 제 1, 제 2 산화 방지막(106, 120)을 형성함으로써, 실리콘 물질이 자연 산화 등에 의해 변화되거나 외부 파티클에 의해 오염되는 것을 막아 빛의 투과성을 높게 유지할 수 있다.
한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위 에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.
상기한 바와 같이 본 발명은, 펠리클의 멤브레인 박막을 종래 평탄한 구조보다는 요철 형태로 형성하기 때문에 프리 스탠딩 구조에 적합하게 내구성을 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 펠리클의 멤브레인 박막의 물질을 EUV 등의 빛의 투과성이 좋은 실리콘(Si) 물질로 형성하고, 멤브레인 박막 하부, 상부에 각각 산화 방지막을 형성함으로써, 실리콘 물질이 자연 산화 등에 의해 변화되거나 외부 파티클에 의해 오염되는 것을 막아 빛의 투과성을 높게 유지할 수 있는 이점이 있다.

Claims (12)

  1. 포토 마스크의 펠리클에 있어서,
    빛을 투과시키고, 요철 형태를 갖는 멤브레인 박막;
    상기 멤브레인 박막 하부에 얇게 형성된 제 1 산화 방지 박막; 및
    상기 멤브레인 박막 상부에 얇게 형성된 제 2 산화 방지 박막을 구비하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 구조.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 멤브레인 박막은 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 구조.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 멤브레인 박막은, 25㎚∼50㎚ 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 구조.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 요철은 1:1 라인 앤드 스페이스 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 펠리클 구조.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2산화 방지 박막은, 루테늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 구조.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2산화 방지 박막은, 5㎚ 이내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 구조.
  7. 포토 마스크의 펠리클 제조 방법에 있어서,
    요철 형태의 기판을 형성하는 단계;
    상기 기판 하부에 얇게 제 1 산화 방지 박막을 형성하는 단계;
    상기 기판 상부에 빛을 투과시키고, 요철 형태를 갖는 멤브레인 박막을 형성하는 단계;
    상기 멤브레인 박막 상부에 얇게 제 2 산화 방지 박막을 형성하는 단계; 및
    상기 기판을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 멤브레인 박막은 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 제조 방법.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 멤브레인 박막은, 25㎚∼50㎚ 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 제조 방법.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 요철은 1:1 라인 앤드 스페이스 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 제조 방법.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2산화 방지 박막은, 루테늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 제조 방법.
  12. 제 7항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2산화 방지 박막은, 5㎚ 이내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 펠리클 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9612528B2 (en) 2014-11-13 2017-04-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing pellicles having graphite layers
KR20210031664A (ko) * 2018-12-19 2021-03-22 주식회사 에스앤에스텍 판면에 주름부를 구비한 펠리클
KR20210054385A (ko) * 2019-11-05 2021-05-13 주식회사 에스앤에스텍 외부 충격을 감쇠 할 수 있는 펠리클 및 그의 제조방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101552940B1 (ko) 2013-12-17 2015-09-14 삼성전자주식회사 흑연-함유 박막을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막
KR102233579B1 (ko) 2014-08-12 2021-03-30 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 펠리클
KR102254103B1 (ko) 2015-01-07 2021-05-20 삼성전자주식회사 지지 층을 이용한 펠리클 제조 방법
KR20210047593A (ko) 2019-10-22 2021-04-30 삼성전자주식회사 반사형 마스크용 펠리클

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020002062A (ko) * 2000-06-29 2002-01-09 박종섭 노광 마스크 및 그 제조방법
KR100599116B1 (ko) * 2003-12-30 2006-07-11 동부일렉트로닉스 주식회사 포토마스크 보호 방법
KR100746825B1 (ko) * 2005-12-29 2007-08-06 동부일렉트로닉스 주식회사 펠리클 및 이를 구비한 노광 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9612528B2 (en) 2014-11-13 2017-04-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing pellicles having graphite layers
KR20210031664A (ko) * 2018-12-19 2021-03-22 주식회사 에스앤에스텍 판면에 주름부를 구비한 펠리클
KR20210054385A (ko) * 2019-11-05 2021-05-13 주식회사 에스앤에스텍 외부 충격을 감쇠 할 수 있는 펠리클 및 그의 제조방법

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