JP2789743B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2789743B2 JP2789743B2 JP32381289A JP32381289A JP2789743B2 JP 2789743 B2 JP2789743 B2 JP 2789743B2 JP 32381289 A JP32381289 A JP 32381289A JP 32381289 A JP32381289 A JP 32381289A JP 2789743 B2 JP2789743 B2 JP 2789743B2
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- Japan
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- peripheral
- square
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の微小パターンを形成するマス
クパターンの形状に関する。
クパターンの形状に関する。
正方形または長方形の角部を切り落として八角形の中
央パターンとし、各４つの辺に近接して４つの長方形ま
たは三角形の周辺パターンを設けたマスクパターンを用
いて、半導体基板上に窓パターンを形成する半導体装置
の製造方法である。このようなマスクパターンを用いれ
ば、微小なコンタクトホール等の窓あけに際し、所望の
方形（正方形または長方形）の窓パターンを形成するこ
とができる。
央パターンとし、各４つの辺に近接して４つの長方形ま
たは三角形の周辺パターンを設けたマスクパターンを用
いて、半導体基板上に窓パターンを形成する半導体装置
の製造方法である。このようなマスクパターンを用いれ
ば、微小なコンタクトホール等の窓あけに際し、所望の
方形（正方形または長方形）の窓パターンを形成するこ
とができる。
近年の超LSIのような高密度ICにおいては、特にフォ
トマスクを用いてコンタクトホールのような微小な窓あ
けを行うとき、フォトレジストを含めた露光装置の解像
度の限界に近い寸法の加工を要するので、マスクパター
ンと転写された窓パターンの寸法および形状が異なって
しまう。例えば、サブミクロンオーダーの正方形のマス
クパターンによって転写された窓パターンは円形状にな
ってしまう。
トマスクを用いてコンタクトホールのような微小な窓あ
けを行うとき、フォトレジストを含めた露光装置の解像
度の限界に近い寸法の加工を要するので、マスクパター
ンと転写された窓パターンの寸法および形状が異なって
しまう。例えば、サブミクロンオーダーの正方形のマス
クパターンによって転写された窓パターンは円形状にな
ってしまう。
このような形状の変化を改善するために、マスクパタ
ーンの形状を工夫して転写された窓パターンを方形に近
い形状に加工する試みがなされていた。例えば、マスク
パターンを６個の柱状からなる星形配列とし、転写され
た窓パターンをほぼ方形にする方法（特開昭62−1302
8）もあった。
ーンの形状を工夫して転写された窓パターンを方形に近
い形状に加工する試みがなされていた。例えば、マスク
パターンを６個の柱状からなる星形配列とし、転写され
た窓パターンをほぼ方形にする方法（特開昭62−1302
8）もあった。
また、第２図ａに示すような十字形状のマスクパター
ンを用いて、第２図ｂに示すようなほぼ方形に近い窓パ
ターンを実現する方法（特開昭61−270823）等が提案さ
れていた。
ンを用いて、第２図ｂに示すようなほぼ方形に近い窓パ
ターンを実現する方法（特開昭61−270823）等が提案さ
れていた。
しかしながら、十字形のマスクパターンで窓あけを行
った窓パターンの寸法は、マスクパターンに比して、か
なり小さい寸法になってしまう。この変化の割合は、フ
ォトプロセスに使用するすべての条件が影響するので、
目標とする寸法の転写された窓パターンを実現すること
が困難であった。また、変化の割合が大きいと、もとの
マスクパターンのマスク上に占める割合が大きくなるの
で、高密度化を妨げる要因ともなる。
った窓パターンの寸法は、マスクパターンに比して、か
なり小さい寸法になってしまう。この変化の割合は、フ
ォトプロセスに使用するすべての条件が影響するので、
目標とする寸法の転写された窓パターンを実現すること
が困難であった。また、変化の割合が大きいと、もとの
マスクパターンのマスク上に占める割合が大きくなるの
で、高密度化を妨げる要因ともなる。
本発明は、このような課題を解決するためのマスクパ
ターンの形状を工夫して、方形に近い窓パターンを実現
しようとするものである。
ターンの形状を工夫して、方形に近い窓パターンを実現
しようとするものである。
本発明は、中央部に八角形状の中央パターンと、その
４つの辺に近接して長方形または三角形の周辺パターン
を設けることによって、周辺パターンを角部とするほぼ
方形の窓パターンを実現することができる。
４つの辺に近接して長方形または三角形の周辺パターン
を設けることによって、周辺パターンを角部とするほぼ
方形の窓パターンを実現することができる。
八角形の中央パターンの４つの辺に、フォトレジスト
を含めて露光装置の解像度の限界以下に近接して、長方
形または三角形の周辺パターンを設けることによって、
周辺パターンを角部とした１個の方形の窓パターンが形
成される。所望の寸法の窓パターンを形成するには、周
辺パターンの近接距離を調節すればよい。
を含めて露光装置の解像度の限界以下に近接して、長方
形または三角形の周辺パターンを設けることによって、
周辺パターンを角部とした１個の方形の窓パターンが形
成される。所望の寸法の窓パターンを形成するには、周
辺パターンの近接距離を調節すればよい。
本発明の実施例を、第１図を用いて説明する。第１図
ａは本発明の実施例によるマスクパターン図である。ま
ず、フォトマスクの基板として用いる石英ガラス等の基
板表面に、正方形のパターンを形成し、その４つの角部
を切り落として切り欠き部２を設けて中央パターン１を
形成する。中央パターン１は、角部を切り落としている
ので八角形状になっている。
ａは本発明の実施例によるマスクパターン図である。ま
ず、フォトマスクの基板として用いる石英ガラス等の基
板表面に、正方形のパターンを形成し、その４つの角部
を切り落として切り欠き部２を設けて中央パターン１を
形成する。中央パターン１は、角部を切り落としている
ので八角形状になっている。
次に、中央パターン１のもとの正方形の各辺に近接し
て、各辺の長さよりも短い長辺をもつ長方形の周辺パタ
ーン３を４つ設ける。このとき、長方形と中央パターン
１との間隔ｄは、フォトレジストを含めた露光装置の解
像度の限界以下であれば、中央パターン１と周辺パター
ン３とは１個のパターンとして認識される。
て、各辺の長さよりも短い長辺をもつ長方形の周辺パタ
ーン３を４つ設ける。このとき、長方形と中央パターン
１との間隔ｄは、フォトレジストを含めた露光装置の解
像度の限界以下であれば、中央パターン１と周辺パター
ン３とは１個のパターンとして認識される。
次に、第１図ｂに示すように、半導体基板上の例えば
コンタクトホールのような微小な電極窓あけとして用い
るために、フォトレジストを塗布して、前記マスクパタ
ーンを配列したフォトマスクを用いて露光および現像等
を行い、窓パターンを形成する。第１図ｂにおける周辺
パターン３を角部としたほぼ正方形の窓パターンを実現
することができる。
コンタクトホールのような微小な電極窓あけとして用い
るために、フォトレジストを塗布して、前記マスクパタ
ーンを配列したフォトマスクを用いて露光および現像等
を行い、窓パターンを形成する。第１図ｂにおける周辺
パターン３を角部としたほぼ正方形の窓パターンを実現
することができる。
もし、窓パターンの寸法を精確に制限する必要があれ
ば、中央パターン１と周辺パターン３の間隔ｄを調節す
ればよい。
ば、中央パターン１と周辺パターン３の間隔ｄを調節す
ればよい。
実施例においては、中央パターンを八角形として説明
したが、例えば十六角形としてもよく、また、周辺パタ
ーンを長方形として説明したが、例えば中央パターンの
もとの正方形の各辺に平行に近接して底辺をもつ三角形
の周辺パターンを設けても同様の窓パターンを実現する
ことができる。
したが、例えば十六角形としてもよく、また、周辺パタ
ーンを長方形として説明したが、例えば中央パターンの
もとの正方形の各辺に平行に近接して底辺をもつ三角形
の周辺パターンを設けても同様の窓パターンを実現する
ことができる。
以上の説明から明らかなように、本発明のマスクパタ
ーンを用いて窓あけを行なえば、ほぼ方形の窓パターン
を実現することができる。本発明の更なる効果は、マス
クパターンとして、中央パターンと周辺パターンとを別
々に配置して１つのマスクパターンとしているので、転
写された窓パターンの寸法を変更するとき、マスクパタ
ーンの中央パターンと周辺パターンの距離を変更するだ
けで済むので設計上の自由度が向上する。
ーンを用いて窓あけを行なえば、ほぼ方形の窓パターン
を実現することができる。本発明の更なる効果は、マス
クパターンとして、中央パターンと周辺パターンとを別
々に配置して１つのマスクパターンとしているので、転
写された窓パターンの寸法を変更するとき、マスクパタ
ーンの中央パターンと周辺パターンの距離を変更するだ
けで済むので設計上の自由度が向上する。
第１図ａおよび第１図ｂは本発明の実施例によるパター
ン形状の平面図、第２図ａおよび第２図ｂは従来のパタ
ーン形状の平面図である。 １……中央パターン ２……切り欠き部 ３……周辺パターン
ン形状の平面図、第２図ａおよび第２図ｂは従来のパタ
ーン形状の平面図である。 １……中央パターン ２……切り欠き部 ３……周辺パターン
Claims (1)
- 【請求項１】正方形または長方形の４つの角部を切り落
とした八角形の中央パターンと、該中央パターンの対向
する４辺に近接して長方形または三角形の４つの周辺パ
ターンを設けたマスクパターンを用いて、半導体基板上
に窓パターンを形成する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32381289A JP2789743B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32381289A JP2789743B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185444A JPH03185444A (ja) | 1991-08-13 |
| JP2789743B2 true JP2789743B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=18158881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32381289A Expired - Fee Related JP2789743B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789743B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4494221B2 (ja) | 2003-02-28 | 2010-06-30 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | フォトマスク及びその作製方法並びにパターン形成方法 |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32381289A patent/JP2789743B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03185444A (ja) | 1991-08-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |