TWI696883B - 具有靜電放電保護的光罩 - Google Patents

Abstract

本發明提供了一種光罩，所述光罩包括基底、所述基底上的電路圖案、所述基底上的靜電放電(ESD)結構以及所述基底上的ESD線。所述ESD結構圍繞所述電路圖案。所述ESD線在所述基底的邊緣和所述ESD結構之間延伸，其中，所述ESD線包括延伸超出所述ESD結構的邊緣的末端的邊緣部分，並且所述ESD線的邊緣部分包括至少一個梳狀結構。

Description

具有靜電放電保護的光罩

本發明有關於光罩，更具體而言，有關於具有靜電放電(ESD)保護的光罩。

半導體製造當中的微影製程包括對光阻圖案化的過程。在這一過程當中，光阻設置在晶圓上，並且透過光罩或者光罩對所述光阻進行曝光。光罩包括具有根據積體電路的設計佈局形成的主要特徵的設計圖案，因而在曝光之後，能夠對光阻進行顯影，從而在其內形成與光罩的設計圖案相同的投影圖案。出於這一原因，光罩是用於實現良好的圖案轉移的關鍵因素之一。

參考第1圖，其示出了習知技術光罩的頂視圖。如第1圖所示，習知技術光罩10包括電路圖案12以及圍繞電路圖案12的靜電放電(ESD)環14，並且所述電路圖案12和ESD環14由導電材料製成。由於ESD環14的原因，可以釋放或者排放一些電荷，並且能夠保護電路圖案12不受某種程度的ESD損傷。

然而，ESD環的保護是不夠的。例如，為了避免在進行微影製程的同時有顆粒或者灰塵停留在光罩上，通常由光罩持有者或者操作者拾取光罩，以便進行顆粒檢查。由於光罩可能被拾取若干次，因而透過光罩持有者的頻繁接觸而在光罩上累積電荷，並且仍將易於發生ESD效應(例如，ESD電弧放電)， 尤其是在ESD環處或者電路圖案的接近光罩持有者所接觸的光罩邊緣的部分處。相應地，發生ESD的電路圖案部分將被改變和扭曲，例如，電路圖案的邊緣變亮(bright)，電路圖案的轉角被剝離，或者電路圖案的部分被ESD電弧損壞。因此，使光罩的圖案保持準確是本領域的重要目標。

在本發明中描述了具有靜電放電保護的光罩的實施例。

在一些實例中，公開了一種光罩。所述光罩包括基底、所述基底上的電路圖案、所述基底上的靜電放電(ESD)結構以及所述基底上的ESD線。所述ESD結構圍繞所述電路圖案。所述ESD線在所述基底的邊緣和所述ESD結構之間延伸，其中，所述ESD線包括延伸超出所述ESD結構的邊緣的末端的邊緣部分，並且所述ESD線的邊緣部分包括至少一個梳狀結構。

在一些實施例中，所述梳狀結構包括連接部分以及從所述連接部分突出的至少兩個針狀物(pin)。

在一些實施例中，所述邊緣部分包括複數個線段以及複數個梳狀結構，每一梳狀結構包括連接部分和至少兩個針狀物，並且每一線段和每一連接部分交替連接，以形成蛇形形狀。所述蛇形形狀具有複數個凹陷，並且所述梳狀結構之一的針狀物指向所述凹陷之一。

在一些實施例中，每一凹陷的深度大於每一針狀物的長度。

在一些實施例中，所述梳狀結構中的相鄰兩個梳狀結構中的針狀物朝著相反的方向突出。

在一些實施例中，所述梳狀結構中的相鄰兩個梳狀結構中的針狀物朝著所述基底的所述邊緣突出。

在一些實施例中，所述ESD線進一步包括主要部分和另一邊緣部 分，所述主要部分連接在所述邊緣部分之間，並且所述另一邊緣部分被設置為超出所述ESD結構的所述邊緣的另一末端。

在一些實施例中，所述主要部分包括複數個線段和複數個梳狀結構，並且每一線段和每一梳狀結構交替連接，以形成蛇形形狀。所述蛇形形狀具有沿所述ESD線的延伸方向佈置的複數個凹陷，並且所述主要部分的每一梳狀結構包括連接部分以及從所述連接部分朝向所述凹陷之一突出的至少兩個針狀物。

在一些實施例中，所述光罩進一步包括設置在所述ESD結構的與所述邊緣相對的一側上的另一ESD線。

在一些實施例中，所述ESD線圍繞所述ESD結構。

在一些實施例中，所述ESD線的沿所述ESD結構的所述邊緣的延伸方向的長度大於所述ESD結構的沿所述ESD結構的所述邊緣的延伸方向的長度。

在一些實施例中，所述ESD線的寬度小於所述ESD結構的寬度。在一些實施例中，所述ESD線的寬度大於所述ESD結構的寬度。

在一些實施例中，所述ESD線的延伸方向與所述ESD結構的所述邊緣的延伸方向平行。

對於本領域技術人員而言，在閱讀了下文對透過各幅圖式例示的較佳實施例的詳細描述之後，本發明的這些和其他目標無疑將變得顯而易見。

10、100、100’、200:光罩

12、104、104’:電路圖案

14:靜電放電環

102:基底

102a、106a:第一邊緣

102b、106b:第二邊緣

106、106’:ESD結構

106c:第三邊緣

106d:第四邊緣

106S:蛇形線段

1061、114、122:梳狀結構

1061a、114b、122b:針狀物

1061b、114a、122a:連接部分

1061c、1063、114c、118、124:凹陷

1062:線段部分

108a、108a’、108b、208a、208b:ESD線

112:切割道

116、120:線段

W1、WR、W2、W3、W4、W5、W6、WL、W7:寬度

DP:深度

D1:第一方向

D2:第二方向

L1、L2、L3、L4:長度

EP1a、EP2、EP1b、EP1c:邊緣部分

MPa、MPb、MPc、MPd:主要部分

R1、R2、R3、R4、R5、R6:區域

被併入本文並形成說明書的部分的圖式例示了本發明的實施例並與說明書一起進一步用以解釋本發明的原理，並使相關領域的技術人員能夠做出和使用本發明。

第1圖示出了習知技術光罩的頂視圖。

第2圖是示出了根據本發明的第一實施例的具有靜電放電(ESD)保護的示例性光罩的頂視圖的示意圖。

第3圖是示出了根據本發明的一些實施例的具有ESD保護的另一示例性光罩的頂視圖的示意圖。

第4圖示出了根據本發明的一些實施例的第2圖所示的虛線圍繞的區域R1的放大圖。

第5圖示出了根據本發明的一些實施例的第4圖所示的虛線圍繞的梳狀結構的區域R2的放大圖。

第6圖示出了第2圖所示的區域R3的放大圖。

第7圖示出了第6圖所示的區域R4的放大圖。

第8圖示出了第7圖所示的區域R5的放大圖。

第9圖示出了第2圖所示的區域R6的放大圖。

第10圖示出了根據本發明的第一實施例的第一變型實施例的邊緣部分的頂視圖。

第11圖示出了根據本發明的第一實施例的第二變型實施例的邊緣部分的頂視圖。

第12圖示出了根據本發明的第一實施例的第三變型實施例的主要部分的頂視圖。

第13圖示出了根據本發明的第一實施例的第四變型實施例的主要部分的頂視圖。

第14圖示出了根據本發明的第一實施例的第五變型實施例的主要部分的頂視圖。

第15圖是示出了根據本發明的第二實施例的具有ESD保護的示例性光罩的 頂視圖的示意圖。

將參考圖式來描述本發明的實施例。

儘管討論了具體配置和佈置，但是應當理解所述討論僅出於說明的目的。相關領域的技術人員將認識到，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以使用其他的配置和佈置。對於相關領域的技術人員顯而易見的是也可以將本發明應用到各種各樣的其他應用當中。

應當指出，在說明書中提到“一個實施例”、“實施例”、“範例實施例”、“一些實施例”等表示所述的實施例可以包括特定的特徵、結構或特性，但未必每個實施例都包括該特定特徵、結構或特性。此外，這樣的短語未必是指同一實施例。此外，在結合實施例描述特定特徵、結構或特性時，結合明確或未明確描述的其他實施例實現這樣的特徵、結構或特性處於相關領域的技術人員的知識範圍之內。

通常，可以至少部分從上下文中的使用來理解術語。例如，至少部分取決於上下文，本文中使用的術語“一個或複數個”可以用於描述單數意義的任何特徵、結構或特性，或者可以用於描述複數意義的特徵、結構或特性的組合。類似地，至少部分取決於上下文，諸如“一”、“一個”或“所述”的術語可以被理解為表達單數使用或表達複數使用。

應當容易理解，本發明中的“在...上”、“在...之上”和“在...上方”的含義應當以最寬方式被解讀，以使得“在...上”不僅表示“直接在”某物“上”而且還包括在某物“上”且其間有居間特徵或層的含義，並且“在...之上”或“在...上方”不僅表示“在”某物“之上”或“上方”的含義，而且還可以包括其“在”某物“之上”或“上方”且其間沒有居間特徵或層(即，直接在某物上)的含義。

空間相對術語旨在涵蓋除了在圖式所描繪的取向之外的在設備使用或操作中的不同取向。設備可以具有其他取向(旋轉90度或處於其它取向)，並且本文中使用的空間相對描述詞可以類似地被相應解釋。

如這裡所使用的，術語“基底”是指在其上添加後續材料層的材料。能夠對基底本身進行圖案化。添加到基底的頂部上的材料可以被圖案化，或者可以保持不被圖案化。此外，基底可以由諸如玻璃、塑膠、石英或藍寶石的透明基底材料製成。

如這裡所使用的，術語“基本上”是指在產品或製程的設計階段內設置的部件或製程操作的特徵或參數的預期或目標值，連同高於和/或低於所述預期值的一定範圍的值。所述值的範圍可能歸因於製造製程或容限而略微變化。如這裡所使用的，術語“大約”是指給定量的值能夠基於與物件光罩結構相關聯的特定技術節點發生變化。基於特定技術節點，術語“大約”可以指示給定量的值在(例如)該值的10-30%(例如，該值的±10%、±20%或者30%)以內發生變化。

如在整個本專利申請中所用的那樣，以允許的意義(例如，意味著具有可能性)而非強制的意義(例如，意味著必須)使用“可以”一詞。詞語“包括”、“包含”、“含有”指示開放性關係，因此意味著包括但不限於。類似地，詞語“具有”、“有”、“帶有”也指示開放性關係，因而意味著具有但不限於。這裡採用的術語“第一”、“第二”、“第三”等是指區分不同要素的標籤，而未必具有根據其數值指示的排序含義。

在本發明中，可以對下述說明中描述的不同實施例中的不同技術特徵進行組合、替代以及相互混合，以構成另一實施例。

參考第2圖，其為示出了根據本發明的實施例的具有靜電放電(ESD)保護的示例性光罩的頂視圖的示意圖。如第2圖所示，光罩100包括基底102和電路圖案104。基底102可以用於支撐電路圖案104、ESD結構106以及ESD線108a， 並且可以是透明基底，從而使得光可以穿透基底102。在一些實施例中，基底102可以包括絕緣支撐材料，例如，玻璃、石英、藍寶石或者其他適當材料，但不限於此。在一些實施例中，可以在基底102上形成額外的透明絕緣材料。而且，在一些實施例中，基底102的形狀可以取決於所需的光罩100的形狀。例如，基底102可以是矩形的或者其他適當形狀。在這一實施例中，例如，基底102是矩形的，但不限於此。基底102可以具有彼此相對的第一邊緣102a和第二邊緣102b，並且第一邊緣102a和第二邊緣102b可以是(例如)光罩持有者在顆粒檢查期間所接觸的邊緣。

電路圖案104設置在基底102上，並且用於被轉移到晶圓上的光阻上。電路圖案104可以是根據將透過使用光罩100形成的元件或者半導體器件設計的，因而電路圖案104可以包括用於製造所述半導體器件或元件的製程的一個步驟的適當佈局圖案。在第2圖中，示出了電路圖案104的區域，並且電路圖案104的形狀不限於此。

為了將電路圖案104轉移到光阻上，電路圖案104包括用於遮蔽照射光罩100的光的遮光材料。在本公開當中，電路圖案104的遮光材料包括導電材料。例如，所述導電材料可以包括鉻、鉬、鎢、鋁、鎳或鉻化合物(例如，鉻合金)，但不限於此。在一些實施例中，光罩100可以是二元光罩。由於電路圖案104是導電的，為了不在電路圖案104上累積電荷，光罩100進一步包括用於對電路圖案104進行ESD保護的ESD結構106和ESD線108a。

在一個實施例中，ESD結構106設置在基底102上，並且至少部分地圍繞電路圖案104，例如，ESD結構106完全圍繞電路圖案104。ESD結構106包括導電材料，因而ESD結構106可以用於釋放或者排放來自基底102的所有邊緣的電荷。相應地，ESD結構106可以提供某種程度的ESD保護，並且降低對ESD結構106內部的電路圖案104的ESD損傷的發生。在一些實施例中，ESD結構106的導 電材料可以包括鉻、鉬、鎢、鋁、鎳或鉻化合物(例如，鉻合金)，但不限於此。在一些實施例中，ESD結構106和電路圖案104可以由同一層形成。在一些實施例中，ESD結構106可以是矩形環或者其他適當形狀的環。在這一實施例中，例如，基底106是矩形的，但不限於此。在這樣的情況下，ESD結構106可以具有彼此相對的第一邊緣106a和第二邊緣106b，並且第一邊緣106a和第二邊緣106b可以分別對應於基底102的第一邊緣102a和第二邊緣102b。例如，ESD結構106的第一邊緣106a的延伸方向可以是直的並且平行於第一方向D1。在一些實施例中，ESD結構106的第一邊緣106a的延伸方向可以是基於ESD結構106的形狀或設置確定的。例如，ESD結構106的第一邊緣106a可以是彎曲的，但不限於此。

參考第3圖，其為示出了根據本發明的一些實施例的具有ESD保護的另一示例性光罩100’的頂視圖的示意圖。在一些實施例中，如第3圖所示，ESD結構106’的形狀可以不同於矩形，例如，其為類似於圓形的形狀、其他幾何形狀或者任何其他形狀。在一些實施例中，ESD結構可以是閉合結構。但是在一些其他實施例中，ESD結構106’可以不是閉合環結構，例如，ESD結構106’可以具有至少一個開口，使得ESD結構106’部分地圍繞電路圖案104’。在一些實施例中，電路圖案104’的形狀可以不同於矩形，例如，其為圓形、其他幾何形狀或者任何其他形狀。在一些實施例中，電路圖案104’的形狀可以不同於矩形，例如，其為圓形、其他幾何形狀或者任何其他形狀。

參考第4圖，其示出了根據本發明的一些實施例的第2圖所示的被虛線圍繞的區域R1的放大圖。在一些實施例中，ESD結構106可以包括處於第一邊緣106a的蛇形線段106S，並且蛇形線段106S可以沿第一方向D1延伸。在一些實施例中，蛇形線段106S可以具有沿蛇形線段106S的延伸方向佈置的複數個凹陷1063，並且凹陷1063中的相鄰兩個可以面向相反方向，例如，分別面向第一邊緣102a和第二邊緣102b。在一些實施例中，每一梳狀結構1061的寬度W1可以比 凹陷1063之一的深度DP小得多，或者比ESD結構106的沿第二方向D2的寬度WR小得多。在一些實施例中，第二方向D2可以與第一方向D1垂直。

在一些實施例中，蛇形線段106S可以包括複數個梳狀結構1061，以增強ESD保護。在這種情況下，蛇形線段106S可以進一步包括用於連接各梳狀結構1061的複數個線段部分1062，並且每一線段部分1062和每一梳狀結構1061交替串聯連接。在一些實施例中，蛇形線段106S可以不包括梳狀結構。

具體而言，參考第5圖，其示出了根據本發明的一些實施例的第4圖所示的被虛線圍繞的梳狀結構的區域R2的放大圖。為了清楚起見，第5圖示出了梳狀結構1061之一，但是本發明不限於此。在一些實施例中，如第5圖所示，梳狀結構1061可以包括至少兩個針狀物1061a和連接部分1061b，其中針狀物1061a連接至連接部分1061b的一側並從所述側突出，並且針狀物1061a相互分隔開。在一些實施例中，梳狀結構1061的針狀物1061a可以指向凹陷1063之一。換言之，每一針狀物1061a的一端連接至連接部分1061b，同時針狀物1061a的另一端不連接至ESD結構106的任何其他部分，並且指向對應的凹陷1063。梳狀結構1061可以包括複數個凹陷1061c，並且每一凹陷1061c位於針狀物1061a中的相鄰兩個之間，或者位於針狀物1061a與線段部分1062之一之間。在一些實施例中，每一梳狀結構1061的沿第二方向D2的寬度W1(其為一個針狀物1061a的長度L1和一個連接部分1061b的寬度W2之和)可以比每一針狀物1061a的寬度W3大得多，並且/或者比每一凹陷1061c的寬度W4大得多，例如，寬度W1可以是50μm，寬度W3可以是1.5μm，寬度W4可以是1.5μm。在一些實施例中，連接部分1061b的寬度W2可以是非均勻的，並且連接部分1061b離線段部分1062之一越近，寬度W2越寬。在一些實施例中，連接部分1061b的寬度W2可以是均勻的。在一些實施例中，梳狀結構1061的針狀物1061a的數量可以大於等於2。

如第2圖所示，在一些實施例中，ESD結構106可以進一步包括在第 二邊緣106b處具有梳狀結構的另一蛇形線段，並且ESD結構106的位於第三邊緣106c和第四邊緣106d處的部分可以是均勻的線段。在一些實施例中，ESD結構106還可以包括在第三邊緣106c和第四邊緣106d處具有梳狀結構的蛇形線段。

由於光罩持有者或者操作者可能頻繁地接觸基底102的第一邊緣102a和/或第二邊緣102b，因而可能從第一邊緣102a和/或第二邊緣102b引入更多的靜電。相應地，ESD結構106的對應於第一邊緣102a和/或第二邊緣102b的ESD保護是不夠的。在本公開中，透過進一步在ESD結構106和基底102的第一邊緣102a之間設置ESD線108a，可以從第一邊緣102a和/或第二邊緣102b釋放更多的電荷。

再次參考第2圖。在一個實施例中，ESD線108a設置在基底102上並且在基底102的第一邊緣102a和ESD結構106的第一邊緣106a之間延伸。電路圖案104、ESD結構106和ESD線108a形成於基底102的同一表面上，並且設置在ESD線108a和電路圖案104之間的ESD結構106與ESD線108a和電路圖案104分開，使得ESD線108a和ESD結構106上的電荷將不會被傳導至電路圖案104。ESD線108a包括導電材料。在一些實施例中，所述導電材料可以包括鉻、鉬、鎢、鋁、鎳或鉻化合物(例如，鉻合金)，但不限於此。在一些實施例中，ESD線108、ESD結構106和電路圖案104可以由同一層形成。由於ESD線108a與第一邊緣102a相鄰設置，因而ESD線108a也可以用於釋放或排放來自第一邊緣102a的電荷，例如，所述電荷來自於光罩持有者或操作者與第一邊緣102a的接觸。在一些實施例中，ESD線108a的寬度WL(如第8圖所示)可以小於ESD結構106的寬度WR。例如，寬度WL可以處於30μm到180μm的範圍內。但是，在一些實施例中，ESD線108的寬度WL可以大於ESD結構106的寬度WR。在一些實施例中，ESD線108a’的形狀可以是曲線而非直線，如第3圖所示。在一些實施例中，ESD線108a’的形狀可以是其他幾何形狀或者任何其他形狀。

在一個實施例中，ESD線108a包括沿ESD結構106的第一邊緣106a的延伸方向超出ESD結構106的第一邊緣106a的末端的邊緣部分EP1a。也就是說，ESD線108a的邊緣部分EP1a超出ESD結構106的第一邊緣106a。在一些實施例中，ESD線108a的延伸方向可以平行於第一方向D1。在一些實施例中，ESD線108a的延伸方向可以不平行於ESD結構106的第一邊緣106a的延伸方向。在這樣的情況下，邊緣部分EP1a可以被定義為在ESD線108a沿垂直於第一邊緣106a的方向被投影到第一邊緣106a上時超過ESD結構106的第一邊緣106a的部分，但是本發明不限於此。

在一個實施例中，邊緣部分EP1a包括至少一個用於釋放電荷的梳狀結構(第7圖和第8圖所示)，因而能夠在超出ESD結構106的第一邊緣106a的末端的邊緣部分EP1a處釋放電荷，即，可以釋放電荷使之離開電路圖案104，由此降低對電路圖案104的ESD影響。

具體而言，第6圖示出了第2圖所示的區域R3的放大圖，第7圖示出了第6圖所示的區域R4的放大圖，並且第8圖示出了第7圖所示的區域R5的放大圖。如第6圖、第7圖和第8圖所示，這樣實施例的邊緣部分EP1a可以包括複數個用於釋放在ESD線108a上累積的電荷的梳狀結構114。在一些實施例中，梳狀結構114的數量可以為一或者大於一。在一個實施例中，與ESD結構106的梳狀結構1061類似，每一梳狀結構114可以包括連接部分114a以及連接至連接部分114a的一個邊緣並從該邊緣突出的至少兩個針狀物114b，並且連接部分114a連接於每一針狀物114b的一端和ESD線108a的其他部分之間。各針狀物114b相互分開。梳狀結構114可以包括複數個凹陷114c，每一凹陷114c位於針狀物114b中的相鄰兩個針狀物之間。由於每一針狀物114b的寬度W5小，因而各針狀物114b的未連接至連接部分114a的末端與ESD線108a的其他部分相比可以被視為點。相應地，與ESD線108a的其他部分上的電荷相比，針狀物114b的末端處的電荷可以導致更高的電 場，並且可以容易地從針狀物114b的未連接至連接部分114a的末端釋放並且排放ESD線108a上的電荷。例如，用於釋放電荷的方法可以是電弧放電或者電暈放電。借助於梳狀結構114的設計，由光罩持有者或者操作者與第一邊緣102a的頻繁接觸產生的電荷可以首先在ESD線108a上累積，之後透過位於超出ESD結構106的第一邊緣106a的末端的邊緣部分EP1a處的梳狀結構114釋放所述電荷。在一些實施例中，每一針狀物114b的寬度W5比每一針狀物114b的長度L2小得多。在一些實施例中，每一針狀物114b的寬度W5可以等於每一凹陷114c的沿第一方向D1的寬度。在一些實施例中，連接部分114a的沿第二方向D2的寬度W6可以比每一針狀物114b的長度L2小得多，並且可以比ESD線108a的沿第二方向D2的寬度WL小得多。在一些實施例中，ESD線108a的寬度WL可以大於每一針狀物114b的長度L2。第二方向D2可以垂直於ESD線108a的延伸方向(例如，第一方向D1)。在一些實施例中，梳狀結構114的針狀物114b的數量可以等於或者大於2。

在一些實施例中，邊緣部分EP1a可以進一步包括複數個線段116，並且每一線段116和每一梳狀結構114交替連接，從而形成蛇形線段。在一些實施例中，蛇形線段可以具有沿ESD線108a的延伸方向(例如，第一方向D1)佈置的複數個凹陷118，所述梳狀結構114之一的針狀物114b可以指向各凹陷118中的對應一個凹陷，並且每一梳狀結構114的凹陷114c可以連接至對應凹陷118。應當指出，由於針狀物114b的未連接至對應連接部分114a的末端未從凹陷118突出，因而來自針狀物114b的這些末端的電荷的尖端放電可以發生在凹陷118內部，並且可以防止對與ESD線108a相鄰的ESD結構106造成損傷。例如，由於電荷是在凹陷118內釋放的，因而儘管針狀物114b中的一些指向第二邊緣102b，還是能夠降低對ESD結構106的放電影響。在一些實施例中，每一針狀物114b的寬度W5小於每一線段116的沿第一方向D1的寬度W7。在一些實施例中，線段116的沿第二方向D2的寬度可以等於ESD線108a的寬度WL。由此，各線段116之一上的電 荷可以被引入到梳狀結構114中的相鄰梳狀結構當中，以便得到釋放。

在一些實施例中，梳狀結構114中的相鄰兩個梳狀結構中的針狀物114b可以指向相反的方向或者朝著相反的方向突出，例如，第二方向D2和與第二方向D2相反的方向。在一些實施例中，梳狀結構114之一的朝向基底102的第一邊緣102a突出的針狀物114b的數量可以不同於梳狀結構114中的相鄰一個梳狀結構的朝向基底102的第二邊緣102b突出的針狀物114b的數量。例如，朝向第一邊緣102a突出的針狀物114b的數量可以大於朝向第二邊緣102b突出的針狀物114b的數量，從而可以朝遠離ESD結構106和電路圖案104的方向釋放更多的電荷，由此降低對ESD結構106和電路圖案104的ESD影響。

再次參考第2圖。在一些實施例中，ESD線108a可以進一步包括主要部分MPa和另一邊緣部分EP2，所述主要部分MPa連接於邊緣部分EP1a、EP2之間，並且所述另一邊緣部分EP2被設置為沿ESD結構106的第一邊緣106a的延伸方向超出所述ESD結構106的第一邊緣106a的另一末端。換言之，邊緣部分EP1a和EP2之間的主要部分MPa可以沿第一方向D1具有與ESD結構106的第一邊緣106a相同的長度，並且因此ESD線108a的沿第一方向D1的長度L3可以大於ESD結構106的第一邊緣106a沿第一方向D1的長度L4。在一些實施例中，ESD線108a不限於包括邊緣部分EP1a和EP2兩者，並且ESD線108a可以包括主要部分MPa以及邊緣部分EP1a、EP2之一。在一些實施例中，另一邊緣部分EP2可以與邊緣部分EP1a相對於主要部分MPa對稱，或者具有與邊緣部分EP1a相同的結構，從而包括梳狀結構114和線段116(如第7圖和第8圖所示)。在一些實施例中，另一邊緣部分EP2可以包括至少一個梳狀結構114。

第9圖示出了在第2圖中被虛線圍繞的主要部分MPa的區域R6的放大圖。連同第2圖參考第9圖。在一個實施例中，ESD線108a的連接在邊緣部分EP1a、EP2之間的主要部分MPa可以是沒有梳狀結構的線段。在一些實施例中， 所述線段可以是具有均勻寬度的直線，並且主要部分MPa的寬度可以等於邊緣部分EP1a、EP2的寬度，例如，寬度WL。在一些實施例中，主要部分MPa的寬度可以不同於邊緣部分EP1a、EP2的寬度。

再次參考第2圖，在一些實施例中，光罩100可以進一步包括基底102上的另一條ESD線108b，其設置在ESD結構106的對應於第二邊緣106b的一側。換言之，ESD線108b在第二邊緣106b和基底102的第二邊緣102b之間延伸。在一些實施例中，ESD線108b的延伸方向可以平行於第一方向D1。ESD線108b還包括導電材料，使得ESD線108b可以用於釋放或者排放由於(例如)光罩持有者或操作者與第二邊緣102b接觸而累積的電荷。在一些實施例中，ESD線108b的導電材料可以包括鉻、鉬、鎢、鋁、鎳或鉻化合物(例如，鉻合金)，但不限於此。在一些實施例中，ESD線108b的導電材料可以與ESD線108a的導電材料相同。在一些實施例中，ESD線108b可以具有與ESD線108a相同的結構，或者可以與ESD線108a相對於電路圖案104對稱，但不限於此。在一些實施例中，ESD線108b也可以包括主要部分MPa以及邊緣部分EP1a和EP2中的一個。在一些實施例中，ESD線108b’的形狀可以是曲線而非直線，如第3圖所示。在一些實施例中，ESD線108b’的形狀可以是其他幾何形狀或者任何其他形狀。

再次參考第2圖，在一些實施例中，光罩100可以進一步包括用於限定電路圖案104的區域的切割道112，使得切割道112圍繞電路圖案104。在一些實施例中，電路圖案104可以包括複數個圖案區(未示出)，並且光罩100可以包括用於分隔各圖案區的切割區(未示出)。本領域技術人員可以理解，光罩100可以進一步包括其他圖案，例如，對準標記。

應當指出，由於ESD線108a比ESD結構106更靠近第一邊緣102a，並且/或者ESD線108b比ESD結構106更靠近第二邊緣102b，因而從第一邊緣102a轉移到光罩100內的電荷首先被引入到ESD線108a中，來自第二邊緣102b的電荷可 以首先被引入到ESD線108b中。而且，由於ESD線108a和/或ESD線108b至少在邊緣部分EP1a、EP2處包括具有針狀物114b的梳狀結構114，因而在電荷進入ESD結構106和電路圖案104之前可以在針狀物114b處進一步傳導和收集電荷，之後在針狀物114b的末端處釋放或者排放所述電荷。相應地，利用ESD線108a和/或ESD線108b的設計，來自第一邊緣102a和第二邊緣102b的電荷能夠在電荷仍然遠離電路圖案104和ESD結構106的時候就被釋放掉，由此防止電荷進入ESD結構106和電路圖案104。而且，由於ESD線108a和/或ESD線108b的邊緣部分EP1a和/或邊緣部分EP2包括梳狀結構114，並且邊緣部分EP1a和邊緣部分EP2被設置為超出ESD結構106的第一邊緣106a的末端，因而發生在梳狀結構114的針狀物114b處的ESD可以遠離ESD結構106和電路圖案104，由此降低ESD效應對ESD結構106和電路圖案104造成損傷的可能性。因而，能夠對電路圖案104進行完全的保護，並且能夠在所需半導體器件的製造過程中保持電路圖案104的形狀，由此確保電路圖案104的每一部分在尺寸和形狀上是準確的。

本公開的光罩不限於上述實施例。下文將描述本公開的實施例的其他變型實施例。為了方便地比較各實施例並且簡化描述，可以在下文中採用相同的符號標示相同的部件。下文的描述將詳細闡述不同實施例之間的相異之處，並且將不再重複描述等同的特徵。

參考第10圖，其示出了根據本發明的第一實施例的第一變型實施例的邊緣部分的頂視圖。在這個第一變型實施例中，ESD線108a的邊緣部分EP1b的所有針狀物114b可以朝向第一邊緣102a突出，並且邊緣部分EP1b沒有朝向第二邊緣102b突出的針狀物114b，從而進一步緩解對ESD結構106和電路圖案104的ESD影響。在一些實施例中，ESD線108a的邊緣部分EP2可以具有與邊緣部分EP1b相同的結構並且與邊緣部分EP1b對稱。類似地，在一些實施例中，ESD線108b的邊緣部分EP1和/或邊緣部分EP2的所有針狀物114b可以朝向第二邊緣 102b或者第一邊緣102a突出，並且ESD線108b的邊緣部分EP1和/或邊緣部分EP2沒有朝向第一邊緣102a突出的針狀物114b。

參考第11圖，其示出了根據本發明的第一實施例的第二變型實施例的邊緣部分的頂視圖。在這一第二變型實施例中，ESD線108a的邊緣部分EP1c的所有針狀物114b可以朝向第二邊緣102b突出，並且邊緣部分EP1c沒有朝向第一邊緣102a突出的針狀物114b。在一些實施例中，ESD線108a的邊緣部分EP2可以具有與邊緣部分EP1c相同的結構或者與邊緣部分EP1c對稱。類似地，在一些實施例中，ESD線108b的邊緣部分EP1和/或邊緣部分EP2的所有針狀物114b均可以朝向第一邊緣102a或者第二邊緣102b突出。

參考第12圖，其示出了根據本發明的第一實施例的第三變型實施例的主要部分的頂視圖。在這一變型實施例中，ESD線108a的主要部分MPb可以是沒有梳狀結構的蛇形線段，其中，所述蛇形線段連接於邊緣部分之間，並且包括複數個凹陷124，凹陷124中的相鄰兩個凹陷面向相反方向。在一些實施例中，ESD線108b的主要部分也可以是沒有梳狀結構的蛇形線段。

參考第13圖，其示出了根據本發明的第一實施例的第四變型實施例的主要部分的頂視圖。在這一變型實施例中，主要部分MPc可以包括複數個線段120以及複數個梳狀結構122，每一線段120和每一梳狀結構122交替連接，以形成蛇形線段。所述蛇形線段可以具有複數個凹陷124，並且所述主要部分MPc的每一梳狀結構122可以包括連接部分122a以及從所述連接部分122a向凹陷124之一突出的至少兩個針狀物122b。在這一變型實施例中，梳狀結構122中的相鄰兩個梳狀結構當中的針狀物122b可以朝基底102的第一邊緣102a突出，並且ESD線108a沒有朝向基底102的第二邊緣102b突出的針狀物。在一些實施例中，ESD線108b的主要部分也可以包括線段120和梳狀結構122，並且ESD線108b的主要部分的各梳狀結構122當中的相鄰兩個梳狀結構當中的針狀物122b可以向基底102的 第二邊緣102b突出，並且ESD線108b沒有朝向基底102的第一邊緣102a突出的針狀物。

參考第14圖，其示出了根據本發明的第一實施例的第五變型實施例的主要部分的頂視圖。在這一變型實施例中，與第9圖所示的主要部分MPa相比，主要部分MPd可以具有與邊緣部分EP1a相同的結構。例如，主要部分MPd可以包括複數個線段120以及複數個梳狀結構122，每一線段120和每一梳狀結構122交替連接，以形成蛇形線段。所述蛇形線段可以具有複數個凹陷124，並且所述主要部分MPd的每一梳狀結構122可以包括連接部分122a以及從所述連接部分122a向凹陷124之一突出的至少兩個針狀物122b。在一些實施例中，各梳狀結構122中的相鄰兩個梳狀結構當中的針狀物122b可以朝著相反方向突出，例如，第二方向D2和與第二方向D2相反的方向。在一些實施例中，ESD線108a的主要部分MPd以及邊緣部分EP1a、EP2可以分別包括梳狀結構。例如，整個ESD線108a由線段和梳狀結構構成，或者由梳狀結構構成。在一些實施例中，ESD線108b的主要部分的各梳狀結構122中的相鄰兩個梳狀結構中的針狀物122b也可以朝著相反方向突出。在一些實施例中，ESD線108b的主要部分MPd以及邊緣部分EP1a、EP2可以分別包括梳狀結構。例如，整個ESD線108b由線段和梳狀結構構成，或者由梳狀結構構成。

參考第15圖，其為示出了根據本發明的第二實施例的具有ESD保護的示例性光罩的頂視圖的示意圖。在這一實施例中提供的光罩200與第一實施例的區別在於，光罩200進一步包括處於ESD結構106的對應於第三邊緣106c和第四邊緣106d的相反兩側上的兩條ESD線208a、208b，並且ESD線208a、208b以及ESD線108a、108b可以圍繞ESD結構106。在一些實施例中，ESD線108a、108b、208a、208b可以連接起來，以形成圍繞ESD結構106的環。在一些實施例中，在上述實施例和/或上述變型實施例中提到的邊緣部分和/或主要部分可以被實施到ESD 線208a、208b中的至少其中之一。

使用所公開的光罩將是有利的，因為利用ESD線的邊緣部分的梳狀結構，能夠在來自第一邊緣和第二邊緣的電荷在電荷仍然遠離電路圖案和ESD結構的時候就被釋放掉，由此防止電荷進入ESD結構和電路圖案。因此，能夠更有效率地保護電路圖案不受至少源自於第一邊緣和/或第二邊緣的ESD效應所造成的損害，並且能夠保持電路圖案的形狀。

上文對具體實施例的描述將充分揭示本發明的概括實質，本領域技術人員不需要過多的試驗就能夠透過本領域的知識和技能容易地針對各種應用修改和/或調整這樣的具體實施例，而不脫離本發明的一般原理。因此，基於文中介紹的發明和指導，意在使這樣的調整和修改落在所公開的實施例的含義以及等價方案的範圍內。應當理解，文中的措辭或術語是為了達到描述而非限定目的，因而本領域技術人員應當根據本發明和指導對本說明書的術語或措辭加以解釋。

上面借助於說明所指定的功能及其關係的實施方式的功能構建塊描述了本發明的實施例。為了描述的方便起見，任意地定義了這些功能構建塊的邊界。可以定義替代邊界，只要適當地執行指定功能及其關係即可。

發明內容部分和摘要部分可能闡述了本發明人設想的本發明的一個或複數個示範性實施例，而非全部的示範性實施例，因而並非意在透過任何方式限定本發明和所附申請專利範圍。

本領域的技術人員將容易地發現在遵循本發明的教導的同時可以對所述器件和方法做出很多修改和變更。相應地，應當將上文的公開內容視為僅由所附申請專利範圍的劃定範圍來限定。

108a:ESD線

114:梳狀結構

114a:連接部分

114b:針狀物

114c、118:凹陷

116:線段

W5、W6、WL、W7:寬度

D1:第一方向

D2:第二方向

L2:長度

EP1a:邊緣部分

R5:區域

Claims (16)

1. 一種光罩，包括：基底；所述基底上的電路圖案；所述基底上的靜電放電(ESD)結構，並且所述ESD結構圍繞所述電路圖案；以及所述基底上的ESD線，並且所述ESD線在所述基底的邊緣和所述ESD結構之間延伸，其中，所述ESD線包括延伸超出所述ESD結構的邊緣的末端的邊緣部分；其中，所述邊緣部分包括複數個線段以及複數個梳狀結構，每一梳狀結構包括連接部分和至少兩個針狀物，並且每一線段和每一連接部分交替連接以形成蛇形線段。
2. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，其中，所述至少兩個針狀物從所述連接部分突出。
3. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，其中，所述蛇形線段具有複數個凹陷，並且所述梳狀結構中的一個梳狀結構的針狀物指向所述凹陷中的一個凹陷。
4. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，其中，每一梳狀結構的寬度大於每一針狀物的長度。
5. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，其中，所述梳狀結構中的相鄰兩個梳狀結構中的針狀物朝著相反方向突出。
6. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，其中，所述梳狀結構中的相鄰兩個梳狀結構中的針狀物朝著所述基底的所述邊緣突出。
7. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，其中，所述ESD線進一步包括主要部分和另一邊緣部分，並且所述主要部分和所述另一邊緣部分分別包括複數個梳狀結構。
8. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，其中，所述ESD線進一步包括主要部分和另一邊緣部分，所述主要部分連接在所述邊緣部分之間，並且所述另一邊緣部分被設置為超出所述ESD結構的所述邊緣的另一末端。
9. 根據申請專利範圍第8項所述的光罩，其中，所述主要部分包括複數個線段以及複數個梳狀結構，並且所述主要部分的每一線段和每一梳狀結構交替連接以形成蛇形線段。
10. 根據申請專利範圍第9項所述的光罩，其中，所述蛇形線段具有複數個凹陷，並且所述主要部分的每一梳狀結構包括連接部分以及從所述連接部分朝著所述凹陷之一突出的至少兩個針狀物。
11. 根據申請專利範圍第10項所述的光罩，其中，所述主要部分的所述梳狀結構中的相鄰兩個梳狀結構中的針狀物朝著所述基底的所述邊緣突出。
12. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，進一步包括設置在所述ESD結構的與所述邊緣相對的一側上的另一ESD線。
13. 根據申請專利範圍第12項所述的光罩，進一步包括位於所述ESD結構不同於所述ESD結構面對所述邊緣的一側與相對於所述邊緣的所述側的兩側的另外兩ESD線，並且所述ESD線圍繞所述ESD結構。
14. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，其中，所述ESD線在所述ESD結構的所述邊緣的延伸方向上的長度大於所述ESD結構在所述ESD結構的所述邊緣的延伸方向上的長度。
15. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，其中，所述ESD線的延伸方向與所述ESD結構的所述邊緣的延伸方向平行。
16. 根據申請專利範圍第1項所述的光罩，其中，所述ESD結構包括複數個梳狀結構。

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