JP7295237B2 - 静電放電保護付きフォトマスク - Google Patents

Description

本発明は、フォトマスクに関し、より詳細には、静電放電（ＥＳＤ）保護付きフォトマスクに関する。

半導体製造におけるフォトリソグラフィ工程は、フォトレジストをパターニングする工程を含む。この工程では、フォトレジストがウェハ上に配置され、レチクルまたはフォトマスクを通して光によって露光される。フォトマスクは、集積回路の設計レイアウトに応じて形成される主要な特徴を有する設計パターンを含むため、露光後、フォトレジストを現像して、フォトマスクの設計パターンと同じ投影パターンを形成することができる。このため、フォトマスクは、良好なパターン転写を実現するための重要な要素の１つである。

従来技術のフォトマスクの上面図を示す図１を参照されたい。図１に示すように、従来技術のフォトマスク１０は、回路パターン１２と、回路パターン１２を囲む静電放電（ＥＳＤ）リング１４とを含み、回路パターン１２及びＥＳＤリング１４は導電性材料製である。ＥＳＤリング１４により、一部の電荷を放出または放電することができ、ある程度のＥＳＤダメージから回路パターン１２を保護することができる。

しかしながら、ＥＳＤリングの保護は十分ではない。例えば、フォトリソグラフィ工程を実行している間にフォトマスク上に粒子またはほこりの滞留を回避するために、通常、フォトマスクは、粒子検査のためにマスクホルダまたはオペレータによって取り上げられる。フォトマスクは複数回取り上げられる可能性があるため、マスクホルダの頻繁な接触によってフォトマスク上に電荷が蓄積し、特にＥＳＤリングまたはマスクホルダが接触するフォトマスクの縁付近の回路パターンの一部において、ＥＳＤアーク放電などのＥＳＤ効果が依然として容易に発生する。これにより、ＥＳＤが発生する回路パターンの一部が変化して歪み、例えば、回路パターンの縁が明るくなったり、回路パターンの角が剥がれたり、ＥＳＤアークにより回路パターンの一部が破損したりする。したがって、フォトマスクのパターンを正確に保つことは、この分野における重要な目的である。

本発明では、静電放電保護付きフォトマスクの実施形態について説明する。

いくつかの実施形態では、フォトマスクが開示される。フォトマスクは、基板と、基板上の回路パターンと、基板上の静電放電（ＥＳＤ）構造と、基板上のＥＳＤラインとを含む。ＥＳＤ構造は、回路パターンを囲んでいる。ＥＳＤラインは、基板の縁とＥＳＤ構造との間に延在し、ＥＳＤラインは、ＥＳＤ構造の縁の端を越えて延在する縁部を含み、ＥＳＤラインの縁部は、少なくとも１つの櫛形構造体を含む。

いくつかの実施形態では、櫛形構造体は、接続部と、接続部から突出した少なくとも２つのピンとを備える。

いくつかの実施形態では、縁部は、複数のセグメント及び複数の櫛形構造体を含み、各櫛形構造体は、接続部及び少なくとも２つのピンを備え、各セグメント及び各接続部は、交互に接続されて蛇行形状を形成する。蛇行形状は、複数の凹部を有し、櫛形構造体のうちの１つからのピンは、凹部のうちの１つに向いている。

いくつかの実施形態では、各凹部の深さは、各ピンの長さよりも深い。

いくつかの実施形態では、櫛形構造体の隣接する２つのピンは、反対方向に向かって突出する。

いくつかの実施形態では、櫛形構造体の隣接する２つのピンは、基板の縁に向かって突出する。

いくつかの実施形態では、ＥＳＤラインは、主要部及び別の縁部をさらに含み、主要部は、縁部の間に接続され、別の縁部は、ＥＳＤ構造の縁の別の端を越えて配置される。

いくつかの実施形態では、主要部は、複数のセグメント及び複数の櫛形構造体を含み、各セグメント及び各櫛形構造体は、蛇行形状を形成するように交互に接続される。蛇行形状は、ＥＳＤラインの延在方向に沿って配置された複数の凹部を有し、主要部の各櫛形構造体は、接続部と、接続部から凹部の１つに突出した少なくとも２つのピンとを備える。

いくつかの実施形態では、フォトマスクは、ＥＳＤ構造の縁とは反対側に配置された別のＥＳＤラインをさらに含む。

いくつかの実施形態において、ＥＳＤラインはＥＳＤ構造を囲む。

いくつかの実施形態において、ＥＳＤ構造の縁の延在方向におけるＥＳＤラインの長さは、ＥＳＤ構造の縁の延在方向におけるＥＳＤ構造の長さよりも長い。

いくつかの実施形態において、ＥＳＤラインの幅は、ＥＳＤ構造の幅よりも小さい。いくつかの実施形態において、ＥＳＤラインの幅は、ＥＳＤ構造の幅よりも大きい。

いくつかの実施形態において、ＥＳＤラインの延在方向は、ＥＳＤ構造の縁の延在方向に平行である。

本発明のこれら及び他の目的は、様々な図及び図面に示されている好ましい実施形態の以下の詳細な説明を読めば、当業者には疑いなく明らかになるであろう。

本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明の実施形態を例示し、明細書と共に、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作製及び使用することを可能にするのにさらに役立つ。
従来技術のフォトマスクの上面図を示す。 本発明の第１の実施形態による、静電放電（ＥＳＤ）保護付きの例示的なフォトマスクの上面図を示す概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、ＥＳＤ保護付きの別の例示的なフォトマスクの上面図を示す概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、図２に示す点線で囲まれた領域Ｒ１の拡大図を示す。 本発明のいくつかの実施形態による、図４に示す点線で囲まれた櫛形構造体の領域Ｒ２の拡大図を示す。 図２に示す領域Ｒ３の拡大図を示す。 図６に示す領域Ｒ４の拡大図を示す。 図７に示す領域Ｒ５の拡大図を示す。 図２に示す領域Ｒ６の拡大図を示す。 本発明の第１の実施形態の第１の変形実施形態による縁部の上面図を示す。 本発明の第１の実施形態の第２の変形実施形態による縁部の上面図を示す。 本発明の第１の実施形態の第３の変形実施形態による主要部の上面図を示す。 本発明の第１の実施形態の第４の変形実施形態による主要部の上面図を示す。 本発明の第１の実施形態の第５の変形実施形態による主要部の上面図を示す。 本発明の第２の実施形態によるＥＳＤ保護付きの例示的なフォトマスクの上面図を示す概略図である。

本発明の実施形態を添付図面を参照して説明する。

特定の構成及び配置について説明するが、これは例示のみを目的として行われることを理解されたい。当業者は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、他の構成及び配置を使用できることを認識するであろう。本発明が様々な他の用途にも使用できることは、当業者には明らかであろう。

本明細書における「一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ」」、「実施形態（ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」、「例示的な実施形態（ａｎ ｅｘａｍｐｌｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ」」、「いくつかの実施形態（ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」などへの言及は、記載された実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含み得ることを示すが、すべての実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、または特性を含まなくてもよいことに留意されたい。さらに、そのような語句は、必ずしも同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造、または特性が実施形態に関連して記載されている場合、明示的に記載されているか否かにかかわらず、他の実施形態に関連してそのような特徴、構造、または特性を達成することは、当業者の知識の範囲内である。

一般に、用語は、文脈における使用から少なくとも部分的に理解され得る。例えば、本明細書で使用される「１つまたは複数」という用語は、文脈に少なくとも部分的に依存して、任意の特徴、構造、または特性を単数の意味で説明するために使用されてもよく、または特徴、構造、または特性の組み合わせを複数の意味で説明するために使用されてもよい。同様に、「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、または「その（ｔｈｅ）」などの用語は、文脈に少なくとも部分的に依存して、単数形の用法を伝えるか、または複数形の用法を伝えると理解されてもよい。

本発明における「上に（ｏｎ）」、「より上に（ａｂｏｖｅ）」、及び「上方に（ｏｖｅｒ）」の意味は、「上に（ｏｎ）」が何かの「直接上に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」を意味するだけでなく、間に中間の特徴または層を有する何かの「上に（ｏｎ）」の意味も含み、「より上に（ａｂｏｖｅ）」または「上方に（ｏｖｅｒ）」は何か「より上に（ａｂｏｖｅ）」 または何かの「上方に（ｏｖｅｒ）」の意味を意味するだけでなく、間に中間特徴または層を有さない何か「より上に（ａｂｏｖｅ）」または何かの「上方に（ｏｖｅｒ）」である（すなわち、何かの上に直接）という意味も含むことができるように、最も広く解釈されるべきであることは容易に理解されるべきである。

空間的に相対的な用語は、図に示す向きに加えて、使用中または動作中の装置の異なる向きを包含することを意図している。装置は、他の方向に向けられてもよく（９０度または他の向きに回転されてもよく）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述子は、それに応じて同様に解釈されてもよい。

本明細書で使用される場合、「基板」という用語は、後続の材料層がその上に追加される材料を指す。基板自体をパターニングすることができる。基板の上に加えられる材料は、パターニングされてもよく、またはパターニングされないままであってもよい。さらに、基板は、ガラス、プラスチック、石英またはサファイアなどの透明基板材料から作製することができる。

本明細書で使用される場合、「実質的に」という用語は、製品またはプロセスの設計段階中に設定される、構成要素またはプロセス動作の特性またはパラメータの所望の値または目標値を、所望の値を上回る及び／又は下回る値の範囲と共に指す。値の範囲は、製造工程または公差のわずかな変動に起因し得る。本明細書で使用される場合、「約」という用語は、対象のフォトマスク構造に関連する特定の技術ノードに基づいて変化し得る所与の量の値を示す。特定の技術ノードに基づいて、用語「約」は、例えば、値の１０～３０％（例えば、値の±１０％、±２０％、または±３０％）内で変化する所与の量の値を示すことができる。

本出願を通して使用されるように、「ｍａｙ」という単語は、必須の意味（例えば、ｍｕｓｔを意味する）ではなく、許容的な意味（例えば、可能性を有することを意味する）で使用される。「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、及び「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」という単語は、非限定的な関係を示し、したがって、含むことを意味するが、これに限定されない。同様に、「有する（ｈａｖｅ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、及び「有する（ｈａｓ）」という単語もまた、非現実的な関係を示し、したがって、有することを意味するが、これに限定されない。本明細書で使用される「第１」、「第２」、「第３」などの用語は、異なる要素を区別するためのラベルを意味し、それらの数値指定に従って必ずしも順序を意味しなくてもよい。

本発明は、以下の説明で説明する異なる実施形態における異なる技術的特徴を互いに組み合わせたり、置き換えたり、混合したりして、他の実施形態を構成することができる。

本発明の一実施形態による静電放電（ＥＳＤ）保護付きの例示的なフォトマスクの上面図を示す概略図である、図２を参照されたい。図２に示すように、フォトマスク１００は、基板１０２と、回路パターン１０４とを含む。基板１０２は、光が基板１０２を貫通し得るように、回路パターン１０４、ＥＳＤ構造１０６及びＥＳＤライン１０８ａを支持するために使用されてもよく、透明基板であってもよい。いくつかの実施形態では、基板１０２は、ガラス、石英、サファイア、または他の適切な材料などの絶縁支持材料を含むことができるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、余分な透明絶縁材料が基板１０２上に形成されてもよい。また、いくつかの実施形態では、基板１０２の形状は、フォトマスク１００の必要な形状に依存し得る。例えば、基板１０２は、長方形または他の適切な形状であってもよい。本実施形態では、基板１０２は、一例として長方形であるが、これに限定されない。基板１０２は、互いに対向する第１の縁１０２ａ及び第２の縁１０２ｂを有してもよく、第１の縁１０２ａ及び第２の縁１０２ｂは、例えば、粒子検査中にマスクホルダが接触する縁であってもよい。

回路パターン１０４は、基板１０２上に配置され、ウェハ上のフォトレジストに転写されるために使用される。回路パターン１０４は、フォトマスク１００を用いて形成される素子または半導体装置に従って設計すればよいので、回路パターン１０４は、半導体装置または素子の製造工程の一ステップのうちの適切なレイアウトパターンを含んでいてもよい。図２では、回路パターン１０４の領域が示されており、回路パターン１０４の形状はこれに限定されない。

回路パターン１０４をフォトレジストに転写するために、回路パターン１０４は、フォトマスク１００に照射される光を遮光する遮光材料を含む。本開示において、回路パターン１０４の遮光材料は、導電性材料を含む。例えば、導電性材料は、クロム、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、またはクロム化合物（例えば、クロム）を含むことができるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、フォトマスク１００は、バイナリフォトマスクであってもよい。回路パターン１０４は導電性であるため、回路パターン１０４に電荷が蓄積されないように、フォトマスク１００は、回路パターン１０４をＥＳＤ保護するためＥＳＤ構造１０６とＥＳＤライン１０８ａとをさらに備える。

一実施形態では、ＥＳＤ構造１０６は、基板１０２上に配置され、回路パターン１０４を少なくとも部分的に囲み、たとえば、ＥＳＤ構造１０６は、回路パターン１０４を完全に囲む。ＥＳＤ構造１０６は導電性材料を含むので、ＥＳＤ構造１０６を使用して、基板１０２のすべての縁から来る電荷を放出または放電することができる。したがって、ＥＳＤ構造１０６は、ある程度のＥＳＤ保護を提供し、ＥＳＤ構造１０６内の回路パターン１０４に対するＥＳＤ損傷の発生を低減することができる。いくつかの実施形態では、ＥＳＤ構造１０６の導電性材料は、クロム、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、またはクロム化合物（例えば、クロム）を含むことができるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、ＥＳＤ構造１０６及び回路パターン１０４は、同じ層から形成されてもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤ構造１０６は、矩形リングまたは別の適切な形状を有するリングであってもよい。本実施形態では、ＥＳＤ構造１０６は、一例として長方形であるが、これに限定されない。このような状況では、ＥＳＤ構造１０６は、互いに対向する第１の縁１０６ａ及び第２の縁１０６ｂを有してもよく、第１の縁１０６ａ及び第２の縁１０６ｂは、それぞれ基板１０２の第１の縁１０２ａ及び第２の縁１０２ｂに対応してもよい。例えば、ＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの延在方向は、直線状であり、第１の方向Ｄ１に平行であってもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの延在方向は、ＥＳＤ構造１０６の形状または配置に基づいて決定されてもよい。例えば、ＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａは湾曲していてもよいが、これに限定されない。

本発明のいくつかの実施形態によるＥＳＤ保護付きの別の例示的なフォトマスクの上面図を示す概略図である、図３を参照されたい。いくつかの実施形態において、図３に示されるように、ＥＳＤ構造１０６’の形状は、円状形状、他の幾何学的形状、または任意の他の形状など、長方形とは異なっていてもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤ構造は近接構造であってもよい。しかし、いくつかの他の実施形態では、ＥＳＤ構造１０６’は、近接リング構造でなくてもよく、例えば、ＥＳＤ構造１０６’は、少なくとも１つの開口を有してもよく、したがって、ＥＳＤ構造１０６’は、回路パターン１０４’を部分的に囲む。いくつかの実施形態では、回路パターン１０４’の形状は、円形、他の幾何学的形状、または任意の他の形状など、長方形とは異なっていてもよい。いくつかの実施形態では、基板１０２’の形状は、円形、他の幾何学的形状、または任意の他の形状など、長方形とは異なっていてもよい。

本発明のいくつかの実施形態による、図２に示す点線で囲まれた領域Ｒ１の拡大図を示す図４を参照されたい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤ構造１０６は、第１の側面１０６ａに蛇行セグメント１０６Ｓを含んでもよく、蛇行セグメント１０６Ｓは、第１の方向Ｄ１に沿って延在してもよい。いくつかの実施形態では、蛇行セグメント１０６Ｓは、蛇行セグメント１０６Ｓの延在方向に沿って配置された複数の凹部１０６３を有することができ、凹部１０６３のうちの隣接する２つは、反対方向に面することができ、例えば、それぞれ第１の縁１０２ａ及び第２の縁１０２ｂに面することができる。いくつかの実施形態では、各櫛形構造体１０６１の幅Ｗ１は、凹部１０６３のうちの１つの深さＤＰよりもはるかに短くてもよく、または第２の方向Ｄ２におけるＥＳＤ構造１０６の幅ＷＲよりもはるかに小さくてもよい。いくつかの実施形態では、第２の方向Ｄ２は、第１の方向Ｄ１に垂直であってもよい。

いくつかの実施形態では、蛇行セグメント１０６Ｓは、ＥＳＤ保護を強化するため複数の櫛形構造体１０６１を含むことができる。このような状況では、蛇行セグメント１０６Ｓは、櫛形構造体１０６１を接続するため複数のセグメント部１０６２をさらに含んでもよく、各セグメント部分１０６２及び各櫛形構造体１０６１は交互に直列に接続される。いくつかの実施形態では、蛇行セグメント１０６Ｓは、櫛形構造体を含まなくてもよい。

詳細には、本発明のいくつかの実施形態による、図４に示す点線で囲まれた櫛形構造体の領域Ｒ２の拡大図を示す図５を参照されたい。明確にするために、図５は櫛形構造体１０６１のうちの１つを示しているが、本発明はこれに限定されない。いくつかの実施形態では、図５に示すように、櫛形構造体１０６１は、少なくとも２つのピン１０６１ａ及び接続部１０６１ｂを含むことができ、ピン１０６１ａは接続部１０６１ｂの一方の側に接続され、そこから突出し、ピン１０６１ａは互いに分離されている。いくつかの実施形態では、櫛形構造体１０６１のピン１０６１ａは、凹部１０６３のうちの１つに向いていてもよい。言い換えれば、各ピン１０６１ａの一端は接続部１０６１ｂに接続されているが、各ピン１０６１ａの他端はＥＳＤ構造１０６のいずれの他の部分にも接続されておらず、対応する凹部１０６３に向いている。櫛形構造体１０６１は、複数の凹部１０６１ｃを含んでもよく、各凹部１０６１ｃは、隣接するピン１０６１ａの２本の間、又は、ピン１０６１ａとセグメント部１０６２の１つとの間にある。いくつかの実施形態では、第２の方向Ｄ２における各櫛形構造体１０６１の幅Ｗ１（１つのピン１０６１ａの長さＬ１と１つの接続部１０６２の幅Ｗ２との合計である）は、各ピン１０６１ａの幅Ｗ３よりもはるかに大きく、及び／又は各凹部１０６１ｃの幅Ｗ４よりもはるかに大きくてもよく、例えば、幅Ｗ１は５０μｍであってもよく、幅Ｗ３は１．５μｍであってもよく、幅Ｗ４は１．５μｍであってもよい。いくつかの実施形態では、接続部１０６２の幅Ｗ２は均一でなくてもよく、接続部１０６２がセグメント部分１０６２の１つに近いほど、幅Ｗ２は広くなる。いくつかの実施形態では、接続部１０６２の幅Ｗ２は均一であってもよい。いくつかの実施形態では、櫛形構造体１０６１のピン１０６１ａの数は、２以上であってもよい。

図２に示されるように、いくつかの実施形態では、ＥＳＤ構造１０６は、第２の縁１０６ｂにおいて櫛形構造体を有する別の蛇行セグメントをさらに含んでもよく、第３の縁１０６ｃ及び第４の縁１０６ｄにおけるＥＳＤ構造１０６の部分は、均一なラインセグメントであってもよい。いくつかの実施形態において、ＥＳＤ構造１０６はまた、第３の縁１０６ｃ及び第４の縁１０６ｄにおいて櫛形構造体を有する蛇行セグメントを含んでもよい。

マスクホルダまたはオペレータは、基板１０２の第１の縁１０２ａ及び／又は第２の縁１０２ｂに頻繁に接触する可能性があるため、第１の縁１０２ａ及び／又は第２の縁１０２ｂからより多くの静電気が導入され得る。したがって、第１の縁１０２ａ及び／又は第２の縁１０２ｂに対応するＥＳＤ構造１０６のＥＳＤ保護は十分ではない。本開示では、ＥＳＤ構造１０６と基板１０２の第１の縁１０２ａとの間にＥＳＤライン１０８ａをさらに配置することによって、第１の縁１０２ａ及び／又は第２の縁１０２ｂからより多くの電荷を放電することができる。

再度図２を参照されたい。一実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａは、基板１０２上に配置され、基板１０２の第１の縁１０２ａとＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａとの間に延在する。回路パターン１０４、ＥＳＤ構造１０６及びＥＳＤライン１０８ａは、基板１０２の同一面上に形成されており、ＥＳＤライン１０８ａと回路パターン１０４との間に配置されたＥＳＤ構造１０６は、ＥＳＤライン１０８ａ及び回路パターン１０４から分離されているので、ＥＳＤライン１０８ａ及びＥＳＤ構造１０６上の電荷は、回路パターン１０４に伝導されない。ＥＳＤライン１０８ａは、導電性材料を含む。いくつかの実施形態では、導電性材料は、クロム、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、またはクロム化合物（例えば、クロム）を含むことができるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態において、ＥＳＤライン１０８ａ、ＥＳＤ構造１０６及び回路パターン１０４は、同じ層から形成されてもよい。ＥＳＤライン１０８ａは、第１の縁１０２ａに隣接して配置されているので、ＥＳＤライン１０８ａは、例えば、マスクホルダまたはオペレータの第１の縁１０２ａとの接触による、第１の縁１０２ａからの電荷の放出または放電のためにも使用され得る。いくつかの実施形態では、（図８に示されるような）ＥＳＤライン１０８ａの幅ＷＬは、ＥＳＤ構造１０６の幅ＷＲよりも小さくてもよい。例えば、幅ＷＬは、３０μｍ～１８０μｍの範囲であってもよい。しかし、いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８の幅ＷＬは、ＥＳＤ構造１０６の幅ＷＲより大きくてもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａ’の形状は、図３に示すように、直線ではなく曲線であってもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａ’の形状は、他の幾何学的形状または任意の他の形状であってもよい。

一実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａは、ＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの延在方向に沿って、ＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの端を越えた縁部ＥＰ１ａを含む。すなわち、ＥＳＤライン１０８ａの縁部ＥＰ１ａは、ＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａを超えている。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａの延在方向は、第１の方向Ｄ１に平行であってもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａの延在方向は、ＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの延在方向と平行でなくてもよい。このような状況では、縁部ＥＰ１ａは、ＥＳＤライン１０８ａが第１の縁１０６ａに垂直な方向に沿って第１の縁１０６ａ上に投影されたときに、ＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａを超える部分として定義されてもよいが、本発明はこれに限定されない。

一実施形態では、縁部ＥＰ１ａは、電荷を放電するための少なくとも１つの櫛形構造体（図７及び図８に示すように）を含み、したがって、電荷は、ＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの端を越えている縁部ＥＰ１ａにおいて放電されることが可能であり、すなわち、電荷は、回路パターン１０４から離れて放電されてもよく、それによって、回路パターン１０４に対するＥＳＤの影響が低減される。

詳細には、図６は、図２に示す領域Ｒ３の拡大図を示し、図７は、図６に示す領域Ｒ４の拡大図を示し、図８は、図７に示す領域Ｒ５の拡大図を示す。図６、図７及び図８に示すように、本実施形態の縁部ＥＰ１ａは、ＥＳＤライン１０８ａ上に蓄積する電荷を放電するため複数の櫛形構造体１１４を含むことができる。いくつかの実施形態では、櫛形構造体１１４の数は、１つまたは複数であってもよい。一実施形態では、ＥＳＤ構造１０６の櫛形構造体１０６１と同様に、各櫛形構造体１１４は、接続部１１４ａと、接続部１１４ａの一方の縁に接続され、そこから突出する少なくとも２つのピン１１４ｂとを含むことができ、接続部１１４ａは、各ピン１１４ｂの一端とＥＳＤライン１０８ａの他の部分との間に接続される。ピン１１４ｂは、互いに分離される。櫛形構造体１１４は、複数の凹部１１４ｃを含んでもよく、各凹部１１４ｃは、隣接する２つのピン１１４ｂの間にある。各ピン１１４ｂの幅Ｗ５は小さいため、接続部１１４ａに接続されていないピン１１４ｂの端は、ＥＳＤライン１０８ａの他の部分と比較して点とみなされる。したがって、ピン１１４ｂの端の電荷は、ＥＳＤライン１０８ａの他の部分の電荷よりも高い電界をもたらす可能性があり、ＥＳＤライン１０８ａ上の電荷は、接続部１１４ａに接続されていないピン１１４ｂの端から容易に放出及び放電され得る。例えば、電荷を放電する方法は、アーク放電であってもよいし、コロナ放電であってもよい。櫛形構造体１１４の設計により、マスクホルダまたはオペレータが第１の縁１０２ａに頻繁に接触することによる電荷は、最初にＥＳＤライン１０８ａ上に蓄積され、次いでＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの端を越えて縁部ＥＰ１ａにある櫛形構造体１１４によって放電され得る。いくつかの実施形態では、各ピン１１４ｂの幅Ｗ５は、各ピン１１４ｂの長さＬ２よりもはるかに短い。いくつかの実施形態では、各ピン１１４ｂの幅Ｗ５は、第１の方向Ｄ１における各凹部１１４ｃの幅に等しくてもよい。いくつかの実施形態では、第２の方向Ｄ２における接続部１１４ａの幅Ｗ６は、各ピン１１４ｂの長さＬ２よりもはるかに短く、第２の方向Ｄ２におけるＥＳＤライン１０８ａの幅ＷＬよりもはるかに小さくてもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａの幅ＷＬは、各ピン１１４ｂの長さＬ２よりも大きくてもよい。第２の方向Ｄ２は、ＥＳＤライン１０８ａの延在方向（例えば、第１の方向Ｄ１）に対して垂直であってもよい。いくつかの実施形態では、櫛形構造体１１４のピン１１４ｂの数は、２以上であってもよい。

いくつかの実施形態では、縁部ＥＰ１ａは複数のセグメント１１６をさらに含むことができ、各セグメント１１６及び各櫛形構造体１１４は交互に接続されて蛇行セグメントを形成する。いくつかの実施形態では、蛇行セグメントは、第１の方向Ｄ１などのＥＳＤライン１０８ａの延在方向に沿って配置された複数の凹部１１８を有することができ、櫛形構造体１１４のうちの１つからのピン１１４ｂは、対応する凹部１１８のうちの１つに向くことができ、各櫛形構造体１１４の凹部１１４ｃは、対応する凹部１１８に接続することができる。なお、対応する接続部１１４ａに接続されていないピン１１４ｂの端は、凹部１１８から突出していないので、ピン１１４ｂのこれらの端部からの電荷の点放電は、凹部１１８内で発生し、ＥＳＤライン１０８ａに隣接するＥＳＤ構造１０６を損傷することを防止することができることに留意されたい。例えば、凹部１１８内で電荷が放電されるため、ピン１１４ｂの一部が第２の縁１０２ｂに向いていても、ＥＳＤ構造１０６への放電効果を低減することができる。いくつかの実施形態では、各ピン１１４ｂの幅Ｗ５は、第１の方向Ｄ１における各セグメント１１６の幅Ｗ７よりも短い。いくつかの実施形態では、第２の方向Ｄ２におけるセグメント１１６の幅は、ＥＳＤライン１０８ａの幅ＷＬに等しくてもよい。そのため、セグメント１１６のうちの１つの電荷を、櫛形構造体１１４の隣接する１つに導入して放電することができる。

いくつかの実施形態では、櫛形構造体１１４の隣接する２つのピン１１４ｂは、第２の方向Ｄ２及び第２の方向Ｄ２とは反対の方向などの反対の方向に向いているかまたは突出していてもよい。いくつかの実施形態では、基板１０２の第１の縁１０２ａに向かって突出する櫛形構造体１１４のうちの１つからのピン１１４ｂの数は、基板１０２の第２の縁１０２ｂに向かって突出する櫛形構造体１１４のうちの隣接する１つからのピン１１４ｂの数とは異なっていてもよい。例えば、第１の縁１０２ａに向かって突出するピン１１４ｂの数を、第２の縁１０２ｂに向かって突出するピン１１４ｂの数よりも多くすることで、ＥＳＤ構造１０６及び回路パターン１０４から離れる方向に向かってより多くの電荷を排出することができ、ＥＳＤ構造１０６及び回路パターン１０４に対するＥＳＤ効果を低減することができる。

再度図２を参照されたい。いくつかの実施形態において、ＥＳＤライン１０８ａは、主要部ＭＰａ及び別の縁部ＥＰ２をさらに含むことができ、主要部ＭＰａは縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２の間に接続され、別の縁部ＥＰ２は、ＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの延在方向に沿ってＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの別の端を越えて配置される。言い換えると、縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２の間の主要部ＭＰａは、第１の方向Ｄ１に沿ってＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａと同じ長さを有してもよく、したがって、第１の方向Ｄ１におけるＥＳＤライン１０８ａの長さＬ３は、第１の方向Ｄ１におけるＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの長さＬ４よりも大きくすることができる。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａは、縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２の両方を含むことに限定されず、ＥＳＤライン１０８ａは、主要部ＭＰａ及び縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２のうちの１つを含むことができる。いくつかの実施形態では、別の縁部ＥＰ２は、（図７及び図８に示すように）櫛形構造体１１４及びセグメント１１６を含むように、主要部ＭＰａに対して縁部ＥＰ１ａと対称であってもよいし、縁部ＥＰ１ａと同じ構造を有してもよい。いくつかの実施形態では、別の縁部ＥＰ２は、少なくとも１つの櫛形構造体１１４を含むことができる。

図９は、図２の点線で囲まれた主要部ＭＰａの領域Ｒ６の拡大図を示す。図２と共に図９を参照されたい。一実施形態では、縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２の間に接続されたＥＳＤライン１０８ａの主要部ＭＰａは、櫛形構造体を有さないラインセグメントであってもよい。いくつかの実施形態では、ラインセグメントは、均一な幅を有する直線であってもよく、主要部ＭＰａの幅は、幅ＷＬなどの縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２の幅に等しくてもよい。いくつかの実施形態では、主要部ＭＰａの幅は、縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２の幅と異なってもよい。

再び図２を参照すると、いくつかの実施形態では、フォトマスク１００は、基板１０２上に、第２の縁１０６ｂに対応するＥＳＤ構造１０６の側に配置された別のＥＳＤライン１０８ｂをさらに含むことができる。言い換えれば、ＥＳＤライン１０８ｂは、基板１０２の第２の縁１０６ｂと第２の縁１０２ｂとの間に延びている。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂの延在方向は、第１の方向Ｄ１に平行であってもよい。ＥＳＤライン１０８ｂはまた、導電性材料を含むので、ＥＳＤライン１０８ｂは、例えば、マスクホルダまたはオペレータの第２の縁１０２ｂとの接触から蓄積する電荷を放出または放電するために使用することができる。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂの導電性材料は、クロム、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、またはクロム化合物（例えば、クロム）を含むことができるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂの導電材料は、ＥＳＤライン１０８ａの導電性材料と同じであってもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂは、ＥＳＤライン１０８ａと同じ構造を有してもよく、または回路パターン１０４に対してＥＳＤライン１０８ａと対称であってもよいが、これに限定されない。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂはまた、主要部ＭＰａと、縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２のうちの少なくとも１つとを含むことができる。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂ’の形状は、図３に示すように、直線ではなく曲線であってもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂ’の形状は、他の幾何学的形状または任意の他の形状であってもよい。

再び図２を参照すると、いくつかの実施形態では、フォトマスク１００は、回路パターン１０４の領域を画定するためのスクライブレーン１１２をさらに含むことができ、スクライブレーン１１２は回路パターン１０４を囲む。いくつかの実施形態では、回路パターン１０４は、複数のパターン領域（図示せず）を含んでもよく、フォトマスク１００は、パターン領域を分離するためスクライブ領域（図示せず）を含んでもよい。当業者は、フォトマスク１００がアライメントマークなどの他のパターンをさらに含んでもよいことを理解できる。

なお、ＥＳＤライン１０８ａはＥＳＤ構造１０６よりも第１の縁１０２ａに近く、かつ／またはＥＳＤライン１０８ｂはＥＳＤ構造１０６よりも第２の縁１０２ｂに近いので、第１の縁１０２ａからフォトマスク１００内に移動された電荷を先にＥＳＤライン１０８ａに導入することができ、第２の縁１０２ｂからの電荷を先にＥＳＤライン１０８ｂに導入することができる。また、ＥＳＤライン１０８ａ及び／又はＥＳＤライン１０８ｂは、少なくとも縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２にピン１１４ｂを有する櫛形構造体１１４を含むので、電荷がＥＳＤ構造１０６及び回路パターン１０４に入る前に、ピン１１４ｂでさらに伝導され、収集された後、ピン１１４ｂの端で放出または放電され得る。したがって、ＥＳＤライン１０８ａ及び／又はＥＳＤライン１０８ｂの設計によって、電荷がまだ回路パターン１０４及びＥＳＤ構造１０６から遠いときに第１の縁１０２ａ及び第２の縁１０２ｂから電荷を放電することができ、それによって電荷がＥＳＤ構造１０６及び回路パターン１０４に入るのを防止する。また、ＥＳＤライン１０８ａ及び／又はＥＳＤライン１０８ｂの縁部ＥＰ１ａ及び／又は縁部ＥＰ２が櫛形構造体１１４を含み、縁部ＥＰ１ａ及び縁部ＥＰ２がＥＳＤ構造１０６の第１の縁１０６ａの端を越えて配置されているため、櫛形構造体１１４のピン１１４ｂで発生するＥＳＤは、ＥＳＤ構造１０６及び回路パターン１０４から離れることができ、ＥＳＤ効果によってＥＳＤ構造１０６及び回路パターン１０４への損傷の可能性を低減することができる。このように、回路パターン１０４を完全に保護することができ、所望の半導体デバイスの製造中に回路パターン１０４の形状を維持することができ、それによって回路パターン１０４のすべての部分のサイズ及び形状が正確であることを保証する。

本開示のフォトマスクは、上記実施形態に限定されない。本開示のさらなる変形実施形態及び実施形態を以下に説明する。実施形態を簡便に比較し、説明を簡単にするために、以下では同じ構成要素には同じ記号が付される。以下の説明では、異なる実施形態間の相違点について詳細に説明し、同一の特徴については、重複して説明しない。

本発明の第１の実施形態の第１の変形実施形態による縁部の上面図を示す図１０を参照されたい。この第１の変形実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａの縁部ＥＰ１ｂのすべてのピン１１４ｂは、第１の縁１０２ａに向かって突出してもよく、縁部ＥＰ１ｂは、第２の縁１０２ｂに向かって突出するピン１１４ｂを有さないため、ＥＳＤ構造１０６及び回路パターン１０４に対するＥＳＤ効果がさらに緩和される。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａの縁部ＥＰ２は、縁部ＥＰ１ｂと同じ構造を有してもよく、または縁部ＥＰ１ｂに対して対称であってもよい。同様に、いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂの縁部ＥＰ１及び／又は縁部ＥＰ２のすべてのピン１１４ｂは、第２の縁１０２ｂまたは第１の縁１０２ａに向かって突出してもよく、ＥＳＤライン１０８ｂの縁部ＥＰ１及び／又は縁部ＥＰ２は、第１の縁１０２ａに向かって突出するピン１１４ｂを有さない。

本発明の第１の実施形態の第２の変形実施形態による縁部の上面図を示す図１１を参照されたい。この第２の変形実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａの縁部ＥＰ１ｃの全てのピン１１４ｂは、第２の縁１０２ｂに向かって突出していてもよく、縁部ＥＰ１ｃは、第１の縁１０２ａに向かって突出するピン１１４ｂを有していない。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａの縁部ＥＰ２は、縁部ＥＰ１ｃと同じ構造を有してもよく、縁部ＥＰ１ｃに対して対称であってもよい。同様に、いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂの縁部ＥＰ１及び／又は縁部ＥＰ２のすべてのピン１１４ｂは、第１の縁１０２ａまたは第２の縁１０２ｂに向かって突出してもよい。

本発明の第１の実施形態の第３の変形実施形態による主要部の上面図を示す図１２を参照されたい。この変形実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａの主要部ＭＰｂは、櫛形構造体を有さない蛇行ラインセグメントであってもよく、蛇行ラインセグメントは、縁部の間に接続され、複数の凹部１２４を含み、凹部１２４のうちの隣接する２つは反対方向を向く。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂの主要部はまた、櫛形構造体のない蛇行ラインセグメントであってもよい。

本発明の第１の実施形態の第４の変形実施形態による主要部の上面図を示す図１３を参照されたい。この変形実施形態では、主要部ＭＰｃは、複数のセグメント１２０及び複数の櫛形構造体１２２を含むことができ、各セグメント１２０及び各櫛形構造体１２２は交互に接続されて蛇行セグメントを形成する。蛇行セグメントは、複数の凹部１２４を有することができ、主要部ＭＰｃの各櫛形構造体１２２は、接続部１２２ａと、接続部１２２ａから凹部１２４のうちの１つに突出する少なくとも２つのピン１２２ｂとを含むことができる。この変形実施形態では、櫛形構造体１２２のうちの隣接する２つにおけるピン１２２ｂは、基板１０２の第１の縁１０２ａに向かって突出してもよく、ＥＳＤライン１０８ａのピンは、基板１０２の第２の縁１０２ｂに向かって突出しない。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂの主要部はまた、セグメント１２０及び櫛形構造体１２２を含んでもよく、ＥＳＤライン１０８ｂの主要部の櫛形構造体１２２のうちの隣接する２つの中のピン１２２ｂは、基板１０２の第２の縁１０２ｂに向かって突出してもよく、ＥＳＤライン１０８ｂのピンは、基板１０２の第１の縁１０２ｂに向かって突出しない。

本発明の第１の実施形態の第５の変形実施形態による主要部の上面図を示す図１４を参照されたい。この変形実施形態では、主要部ＭＰｄは、図９に示す主要部ＭＰａと比較して、縁部ＥＰ１ａと同じ構造を有してもよい。例えば、主要部ＭＰｄは、複数のセグメント１２０及び複数の櫛形構造体１２２を含んでもよく、各セグメント１２０及び各櫛形構造体１２２は交互に接続されて蛇行セグメントを形成する。蛇行セグメントは、複数の凹部１２４を有することができ、主要部ＭＰｄの各櫛形構造体１２２は、接続部１２２ａと、接続部１２２ａから凹部１２４のうちの１つに突出する少なくとも２つのピン１２２ｂとを含むことができる。いくつかの実施形態では、櫛形構造体１２２の隣接する２つのピン１２２ｂは、第２の方向Ｄ２及び第２の方向Ｄ２とは反対の方向など、反対方向に向かって突出してもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａの主要部ＭＰｄ及び縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２は、それぞれ櫛形構造体を含むことができる。例えば、ＥＳＤライン１０８ａ全体は、セグメント及び櫛形構造体からなるか、または櫛形構造体からなる。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂの主要部の櫛形構造体１２２のうちの隣接する２つにおけるピン１２２ｂはまた、反対方向に向かって突出してもよい。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ｂの主要部ＭＰｄ及び縁部ＥＰ１ａ、ＥＰ２は、それぞれ櫛形構造体を含むことができる。例えば、ＥＳＤライン１０８ｂ全体は、セグメント及び櫛形構造体からなるか、または櫛形構造体からなる。

本発明の第２の実施形態によるＥＳＤ保護付きの例示的なフォトマスクの上面図を示す概略図である、図１５を参照されたい。本実施形態で提供されるフォトマスク２００は、第３の縁１０６ｃ及び第４の縁１０６ｄに対応するＥＳＤ構造１０６の２つの対向する側に、２つのＥＳＤライン２０８ａ、２０８ｂを更に含み、ＥＳＤライン２０８ａ、２０８ｂ及びＥＳＤライン１０８ａ、１０８ｂが、ＥＳＤ構造１０６を囲んでもよい点で、第１の実施形態と異なっている。いくつかの実施形態では、ＥＳＤライン１０８ａ、１０８ｂ、２０８ａ、２０８ｂは、ＥＳＤ構造１０６の周りにリングを形成するように接続されてもよい。いくつかの実施形態では、上述の実施形態及び／又は上述の変形実施形態において言及された縁部及び／又は主要部は、ＥＳＤライン２０８ａ、２０８ｂのうちの少なくとも一方に実装されてもよい。

本開示のフォトマスクを用いると、ＥＳＤラインの縁部の櫛形構造体により、電荷がまだ回路パターンやＥＳＤ構造から遠いときに第１の縁や第２の縁から電荷を放電することができ、それにより、ＥＳＤ構造や回路パターンに電荷が侵入することを防止できるため、有利である。したがって、少なくとも第１の縁及び／又は第２の縁からのＥＳＤ効果によるダメージから回路パターンをより効率的に保護することができ、回路パターンの形状を維持することができる。

特定の実施形態の前述の説明は、本発明の一般的な性質を十分に明らかにするので、他の者は、当業者の技術の範囲内で知識を適用することによって、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、過度の実験を行うことなく、様々な用途のために特定の実施形態を容易に修正及び／又は適合させることができる。したがって、そのような適合及び修正は、本明細書に提示される本発明及び指針に基づいて、開示された実施形態の均等物の意味及び範囲内にあることが意図される。本明細書の表現または用語は、本明細書の用語または表現が本発明及び指針に照らして当業者によって解釈されるべきであるように、限定ではなく説明を目的とするものであることを理解されたい。

本発明の実施形態は、指定された機能及びその関係の実装を示す機能的構成要素の助けを借りて上述されている。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜上、本明細書では任意に定義されている。指定された機能及びその関係が適切に実行される限り、代替の境界を定義することができる。

発明の概要及び要約のセクションは、発明者（複数可）によって企図される本発明のすべてではないが１つまたは複数の例示的な実施形態を記載することができ、したがって、本発明及び添付の特許請求の範囲を決して限定することを意図するものではない。

当業者は、本発明の教示を保持しながら、装置及び方法の多数の修正及び変更を行うことができることを容易に理解するであろう。したがって、上記の開示は、添付の特許請求の範囲の境界及び境界線によってのみ限定されると解釈されるべきである。

Claims (17)

1. フォトマスクであって、
   基板と、
   前記基板上の回路パターンと、
   前記基板上の静電放電（ＥＳＤ）構造であって、前記ＥＳＤ構造は、前記回路パターンを囲む、ＥＳＤ構造と、
   前記基板上のＥＳＤラインであって、前記ＥＳＤラインは、前記基板の縁と前記ＥＳＤ構造との間に延在し、前記ＥＳＤラインは、前記ＥＳＤ構造の縁の端を越えて延在する縁部を備え、前記ＥＳＤラインの前記縁部は、少なくとも１つの櫛形構造体を備える、ＥＳＤラインと、を備え、
   前記ＥＳＤ構造は、複数の櫛形構造体を備え、
   前記複数の櫛形構造体のそれぞれは、接続部と、２つ以上のピンとを含み、
   前記複数の櫛形構造体のそれぞれにおいて、
   前記２つ以上のピンのそれぞれの一端は、前記接続部に接続され、
   前記ＥＳＤ構造の前記縁の延在方向に直交する方向の前記接続部の幅は、均一でない、フォトマスク。
2. 前記縁部が備える前記櫛形構造体は、接続部と、前記接続部から突出する少なくとも２つのピンとを備える、請求項１に記載のフォトマスク。
3. 前記縁部は、複数のセグメントと、複数の櫛形構造体とを備え、前記縁部が備える各櫛形構造体は、接続部と、少なくとも２つのピンとを備え、各セグメントと各接続部とは、交互に接続されて、蛇行セグメントを形成している、請求項１に記載のフォトマスク。
4. 前記蛇行セグメントは、複数の凹部を有し、前記縁部が備える前記櫛形構造体のうちの１つからの前記ピンは、前記凹部のうちの１つに向いている、請求項３に記載のフォトマスク。
5. 前記縁部が備える各櫛形構造体の幅は、各ピンの長さよりも長い、請求項３に記載のフォトマスク。
6. 前記縁部が備える前記櫛形構造体のうちの隣接する２つにおける前記ピンは、反対方向に突出している、請求項３に記載のフォトマスク。
7. 前記縁部が備える前記櫛形構造体のうちの隣接する２つにおける前記ピンは、前記基板の前記縁に向かって突出している、請求項３に記載のフォトマスク。
8. 前記ＥＳＤラインは、主要部と、別の縁部とをさらに備え、前記主要部と前記別の縁部とは、それぞれ複数の櫛形構造体を備える、請求項１に記載のフォトマスク。
9. 前記ＥＳＤラインは、主要部と、別の縁部とをさらに備え、前記主要部は、前記縁部の間に接続されており、前記別の縁部は、前記ＥＳＤ構造の前記縁の別の端を越えて配置されている、請求項１に記載のフォトマスク。
10. 前記主要部は、複数のセグメントと、複数の櫛形構造体とを備え、前記主要部の各セグメントと各櫛形構造体とは、交互に接続されて蛇行セグメントを形成している、請求項９に記載のフォトマスク。
11. 前記蛇行セグメントは、複数の凹部を有し、前記主要部の各櫛形構造体は、接続部と、前記接続部から前記凹部の一方に突出する少なくとも２つのピンとを有する、請求項１０に記載のフォトマスク。
12. 前記主要部の前記櫛形構造体のうちの隣接する２つにおける前記ピンは、前記基板の前記縁に向かって突出している、請求項１１に記載のフォトマスク。
13. 前記ＥＳＤ構造の前記縁とは反対側に配置された別のＥＳＤラインをさらに備える、請求項１に記載のフォトマスク。
14. 前記ＥＳＤ構造の両側に別の２つのＥＳＤラインをさらに備え、前記ＥＳＤラインは、前記ＥＳＤ構造を囲んでいる、請求項１３に記載のフォトマスク。
15. 前記ＥＳＤ構造の前記縁の前記延在方向における前記ＥＳＤラインの長さは、前記ＥＳＤ構造の前記縁の前記延在方向における前記ＥＳＤ構造の長さよりも長い、請求項１に記載のフォトマスク。
16. 前記ＥＳＤラインの延在方向は、前記ＥＳＤ構造の前記縁の前記延在方向と平行である、請求項１に記載のフォトマスク。
17. 前記複数の櫛形構造体のそれぞれにおいて、前記接続部の前記幅は、前記ＥＳＤ構造の前記縁の前記延在方向に沿って広くなる、請求項１に記載のフォトマスク。

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